JPH0762031A - エチレン−αオレフィン共重合体及び該共重合体から成形されてなる成形体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規なエチレン−αオレフィン共重合体及び
該共重合体から成形されてなる成形体を提供する。 【構成】 （Ａ）密度が０．８７０〜０．９４５ｇ／cm
³ 、（Ｂ）溶融状態の少なくとも３点の温度下における
動的粘弾性測定から求めた流動の活性化エネルギーＥａ
（Ｊ／mol Ｋ）とメルトフローレートＭＦＲ（ｇ／１０
分）との関係が下記式１の条件を充足し、（Ｃ）下記式
２に示す組成分布変動係数Ｃｘが０．４０〜０．８０で
あり、（Ｄ）重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎと
の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が３〜２０であることを特徴とする
エチレン−αオレフィン共重合体及び該共重合体から成
形されてなる成形体。 ｌｏｇＥａ≧４．６−０．０４×ｌｏｇＭＦＲ 式１ Ｃｘ＝σ／ＳＣＢ_ave 式２ σ：組成分布の標準偏差（１／１０００Ｃ） ＳＣＢ_ave ：１０００Ｃ当りの短鎖分岐の平均値（１／
１０００Ｃ）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、優れた物性及び加工性
を有するエチレン−αオレフィン共重合体に関する。さ
らに詳しくは、フィルム、中空容器、射出成形品などに
要求される透明性、光沢が極めて優れ、強度特性も良好
であり、また溶融張力が高いために優れた加工性を示
す、エチレン−αオレフィン共重合体に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】エチレ
ンとαオレフィン等との共重合体であるイオン重合法直
鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）は、高圧ラジカ
ル法低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）と比較して、衝撃
強度、引張強度、耐環境応力亀裂性などの機械的強度特
性に優れるため、フィルム、中空容器、射出成形用原料
として広く用いられている。しかしながら、ＬＬＤＰＥ
は溶融張力が小さい、透明性が未だ不満足であるという
問題点を有する。例えば、通常のインフレーション法に
よるフィルムを成形する場合には、溶融張力が小さいと
バブル安定性が悪くフィルム成形が困難となる。また、
中空成形用途においては、溶融張力が小さいと、溶融状
態で押出されたパリソンの形状が自重による変形を大き
く受けるため使用が制限されている。そこで、一部の利
用分野では、ＬＤＰＥが使用されていたり、またはＬＬ
ＤＰＥの透明性向上と溶融張力を大きくすることを目的
に、ＬＬＤＰＥにＬＤＰＥを混合して使用されたりして
いるが、混合にかかる手間やＬＤＰＥを混合すると本来
のＬＬＤＰＥの特徴である機械的強度特性が低下すると
いう問題点を有している。

【０００３】

【課題を解決するための手段】かかる事情に鑑み、本発
明者らは、ＬＬＤＰＥの溶融張力及び透明性について鋭
意検討した結果、耐衝撃性、引張強度、剛性等の機械的
性質を損なうことなく、透明性、光沢等の光学的性質及
び成形加工性が大幅に向上したエチレン−αオレフィン
共重合体を見出し、さらに種々の検討を加えて、本発明
を完成させた。

【０００４】すなわち、本発明は、（Ａ）密度が０．８
７０〜０．９４５ｇ／cm³ 、（Ｂ）溶融状態の少なくと
も３点の温度下における動的粘弾性測定から求めた流動
の活性化エネルギーＥａ（Ｊ／mol Ｋ）とメルトフロー
レートＭＦＲ（ｇ／１０分）との関係が下記式１の条件
を充足し、（Ｃ）下記式２に示す組成分布変動係数Ｃｘ
が０．４０〜０．８０であり、（Ｄ）重量平均分子量Ｍ
ｗと数平均分子量Ｍｎとの比（Ｍｗ／Ｍｎ）が３〜２０
であることを特徴とするエチレン−αオレフィン共重合
体及び該共重合体から成形されてなる成形体を提供する
ものである。 ｌｏｇＥａ≧４．６−０．０４×ｌｏｇＭＦＲ 式１ Ｃｘ＝σ／ＳＣＢ_ave 式２ σ：組成分布の標準偏差（１／１０００Ｃ） ＳＣＢ_ave ：１０００Ｃ当りの短鎖分岐の平均値（１／
１０００Ｃ）

【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
エチレン−αオレフィン共重合体は、（Ａ）密度が０．
８７０〜０．９４５ｇ／cm³ であることが肝要である。
好ましくは０．８８０〜０．９４０ｇ／cm³ 、より好ま
しくは０．８８５〜０．９３５ｇ／cm³ である。密度が
０．８７０ｇ／cm³ 未満では、共重合体から成る成形体
においてべとつきが大きく、また剛性も低くなり好まし
くない。また密度が０．９４５ｇ／cm³ を超える場合
は、成形体の透明性の改良効果が乏しく、また耐衝撃性
も低くなり好ましくない。なお、ここで密度はＪＩＳ
Ｋ６７６０に従って測定された値である。

【０００６】また、本発明のエチレン−αオレフィン共
重合体は、該共重合体の（Ｂ）溶融状態の少なくとも３
点の温度下における動的粘弾性測定から求めた流動の活
性化エネルギーＥａ（Ｊ／mol Ｋ）とメルトフローレー
トＭＦＲ（ｇ／１０分）との関係が下記式１の条件を充
足することが必要である。 ｌｏｇＥａ≧４．６−０．０４×ｌｏｇＭＦＲ 式１ まず、流動の活性化エネルギーＥａを求めるために、本
発明のエチレン−αオレフィン共重合体を、例えば約１
３０〜約２２０℃に加熱して溶融体とし、１５℃以上の
間隔で設定した少なくとも３点の温度で前記溶融体の動
的粘弾性の周波数依存性を測定し、得られた結果から所
定の温度における貯蔵剛性率Ｇ’及び損失剛性率Ｇ''の
マスターカーブを作成する。 この時、Ｇ’（ω、Ｔ）＝ｂ_T Ｇ’（ωｒ、Ｔ''） Ｇ''（ω、Ｔ）＝ｂ_T Ｇ''（ωｒ、Ｔ''） が成り立ち、ωｒ／ωをシフトファクターａ_T とする。 ω：測定周波数 Ｔ：測定時の温度（絶対温度） Ｔ''：マスターカーブの温度（絶対温度） ωｒ：Ｇ’（ω、Ｔ）またはＧ''（ω、Ｔ）をＴ''の該
周波数依存性曲線にシフトさせた時に対応するＧ’、
Ｇ''の周波数 ｂ_T ：Ｇ’、Ｇ''軸方向の移動量 横軸にＴの逆数、縦軸にその温度のａ_T の自然対数をと
り、直線に近似させる。この時の直線の傾きに気体定数
（Ｒ）を乗じた時の値の絶対値を流動の活性化エネルギ
ーＥａとする。また、ＭＦＲは、ＪＩＳ Ｋ６７６０に
記載された方法に従って測定される。

【０００７】本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
は、該流動の活性化エネルギーＥａが小さい通常のＬＬ
ＤＰＥに比較して、極めて優れた透明性、光沢等の光学
的性質を示し、溶融張力も大きい。流動の活性化エネル
ギーＥａとＭＦＲの関係が式１の条件を満足しない場合
には、透明性の改良効果が乏しく、溶融張力も十分満足
するものとはならない。

【０００８】本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
において、流動の活性化エネルギーＥａが大きいこと
は、重合体の側鎖が互いに十分からみ合っていることを
示唆するものである。このような粘弾性パラメーターに
は、分子量依存性が存在している。そして、その構造
は、結晶成長の抑制による透明性の向上や溶融物性の向
上に寄与しているものと考えられる。

【０００９】本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
は、（Ｃ）下記式２に示す組成分布変動係数Ｃｘが０．
４０〜０．８０、好ましくは０．４５〜０．７５、より
好ましくは０．４５〜０．７０である。 Ｃｘ＝σ／ＳＣＢ_ave 式２ σ：組成分布の標準偏差（１／１０００Ｃ） ＳＣＢ_ave ：１０００Ｃ当りの短鎖分岐の平均値（１／
１０００Ｃ） 組成分布変動係数Ｃｘが、０．８０を超える場合は、成
形体のべとつきが大きく、また剛性と耐衝撃性のバラン
スが悪くなり好ましくない。また、組成分布変動係数Ｃ
ｘが、０．４０より小さい場合は、溶融張力が低く加工
性が悪くなり好ましくない。

【００１０】組成分布変動係数Ｃｘの測定の概要は、下
記のとおりである。本発明のエチレン−αオレフィン共
重合体を所定の温度に加熱した溶媒に溶解してカラムオ
ーブン中のカラムに入れ、オーブンの温度を下げる。続
いて、所定の温度まで上昇させて、その間に留出した共
重合体の相対濃度と分岐度をカラムに接続したＦＴ−Ｉ
Ｒで測定する。設定した各温度毎に留出した共重合体の
相対濃度と分岐度を求めながら、最終温度まで上げてい
く。得られた相対濃度と分岐度より組成分布曲線を求
め、この曲線より平均組成および分布の広さを表す組成
分布変動係数Ｃｘを得る。

【００１１】本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
は、（Ｄ）重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの
比（Ｍｗ／Ｍｎ）が３〜２０、好ましくは３〜１０、よ
り好ましくは３〜５である。Ｍｗ／Ｍｎが３より小さい
と、加工時の負荷が大きくなり好ましくない。また、Ｍ
ｗ／Ｍｎが２０より大きいと成形体に十分な強度が得ら
れないので好ましくない。本発明のエチレン−αオレフ
ィン共重合体の（Ｅ）重量平均分子量は、３００００〜
６０００００、好ましくは４００００〜４０００００で
ある。該共重合体の重量平均分子量が、３００００未満
では機械的強度が劣り、また６０００００を超えると成
形性が悪い。

【００１２】本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
は、エチレンとαオレフィンとを、オレフィン重合用触
媒の存在下に共重合させることにより製造することがで
きる。αオレフィンとしては、例えばプロピレン、ブテ
ン−１、ペンテン−１、ヘキセン−１、ヘプテン−１、
オクテン−１、ノネン−１、デセン−１、オクタデセン
−１、エイコセン−１、４−メチルペンテン−１、４−
メチルヘキセン−１、４，４−ジメチルペンテン−１等
の炭素数３〜３０のαオレフィンが挙げられ、これら
を、混合して用いてもよい。本発明のエチレン−αオレ
フィン共重合体中のαオレフィン含有量は、通常０．４
〜２５mol ％である。

【００１３】本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
を製造する際に用いられるオレフィン重合用触媒として
は、例えば、（ａ）少なくとも１つのチタン−窒素結合
を有するチタン化合物、（ｂ）有機マグネシウム化合物
及び（ｃ）ハロゲン含有アルミニウム化合物とからなる
オレフィン重合用触媒が挙げられる。

【００１４】本発明で使用するチタン化合物（ａ）と
は、少なくとも１つのチタン−窒素結合を有する化合物
である。該チタン化合物としては、例えば一般式（Ｒ¹
Ｒ² Ｎ）_4-(m+n) ＴｉＸ¹ _m Ｙ_n （ただし、Ｒ¹ 及びＲ
² は炭素数１〜３０の炭化水素基であって、同一でも異
なっていてもよい。Ｘ¹ はハロゲン、Ｙはアルコキシ
基、ｍは０≦ｍ≦３、ｎは０≦ｎ≦３の数字を表わし、
（ｍ＋ｎ）は０≦（ｍ＋ｎ）≦３である。) で表わされ
るチタン化合物が挙げられる。また、一般式においてＸ
¹ で示されるハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ素等が
例示できるが、触媒活性という観点から塩素が好まし
い。一般式中Ｙとしては、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシ基等の炭素数
が１〜２０のアルコキシ基が例示されるが、触媒性能の
点からは特に制限はない。一般式中の（ｍ＋ｎ）が３よ
り大きくなると遊離のＴｉＣｌ₄ が存在するため、得ら
れる共重合体の組成分布が広くなり好ましくない。

【００１５】次にかかるチタン化合物の具体例として
は、ジメチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス
（ジメチルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス
（ジメチルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス
（ジメチルアミノ）チタニウム、ジエチルアミノチタニ
ウムトリクロライド、ビス（ジエチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、トリス（ジエチルアミノ）チタニウム
クロライド、テトラキス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、ジ−イソプロピルアミノチタニウムトリクロライ
ド、ビス（ジ−イソプロピルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、トリス（ジ−イソプロピルアミノ）チタニウム
クロライド、テトラキス（ジ−イソプロピルアミノ）チ
タニウム、ジプロピルアミノチタニウムトリクロライ
ド、ビス（ジプロピルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジプロピルアミノ）チタニウムクロライ
ド、テトラキス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ジ−
イソブチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジ
−イソブチルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス
（ジ−イソブチルアミノ）チタニウムクロライド、テト
ラキス（ジ−イソブチルアミノ）チタニウム、ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス
（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チタニウム
クロライド、テトラキス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミ
ノ）チタニウム、ジブチルアミノチタニウムトリクロラ
イド、ビス（ジブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジブチルアミノ）チタニウムクロライド、
テトラキス（ジブチルアミノ）チタニウム、ジヘキシル
アミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジヘキシルア
ミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジヘキシルア
ミノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジヘキシル
アミノ）チタニウム、ジオクチルアミノチタニウムトリ
クロライド、ビス（ジオクチルアミノ）チタニウムジク
ロライド、トリス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロ
ライド、テトラキス（ジオクチルアミノ）チタニウム、
ジデシルアミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジデ
シルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジデシ
ルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジデシ
ルアミノ）チタニウム、ジオクタデシルアミノチタニウ
ムトリクロライド、ビス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、トリス（ジオクタデシルアミノ）
チタニウムクロライド、テトラキス（ジオクタデシルア
ミノ）チタニウム、ジフェニルアミノチタニウムトリク
ロライド、ビス（ジフェニルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、トリス（ジフェニルアミノ）チタニウムクロラ
イド、テトラキス（ジフェニルアミノ）チタニウム、エ
トキシ（ジメチルアミノ）チタニウムジクロライド、エ
トキシ（ジエチルアミノ）チタニウムジクロライド、エ
トキシ（ジプロピルアミノ）チタニウムジクロライド、
エトキシ（ジイソプロピルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、エトキシ（ジイソブチルアミノ）チタニウムジク
ロライド、エトキシ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、エトキシ（ジブチルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、エトキシ（ジヘキシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、エトキシ（ジオクチルアミノ）チ
タニウムジクロライド、エトキシ（ジフェニルアミノ）
チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジメチルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジエチルア
ミノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジプロピ
ルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジイ
ソプロピルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキ
シ（ジイソブチルアミノ）チタニウムジクロライド、プ
ロポキシ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、プロポキシ（ジブチルアミノ）チタニウムジク
ロライド、プロポキシ（ジヘキシルアミノ）チタニウム
ジクロライド、プロポキシ（ジオクチルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、プロポキシ（ジフェニルアミノ）チ
タニウムジクロライド、ブトキシ（ジメチルアミノ）チ
タニウムジクロライド、ブトキシ（ジエチルアミノ）チ
タニウムジクロライド、ブトキシ（ジプロピルアミノ）
チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジイソプロピルア
ミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジイソブチ
ルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジ−te
rt−ブチルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ
（ジブチルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ
（ジヘキシルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキ
シ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライド、ブト
キシ（ジフェニルアミノ）チタニウムジクロライド、ヘ
キシロキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、２−エチルヘキシロキシ（ジオクチルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、デシロキシ（ジオクチルアミノ）
チタニウムジクロライド、エトキシ（ジデシルアミノ）
チタニウムジクロライド、ヘキシロキシ（ジデシルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、２−エチルヘキシロキシ
（ジデシルアミノ）チタニウムジクロライド、デシロキ
シ（ジデシルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキ
シ（ジオクタデシルアミノ）チタニウムジクロライド、
２−エチルヘキシロキシ（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、デシロキシ（ジオクタデシルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、ヘキシロキシビス（ジオ
クチルアミノ）チタニウムクロライド、２−エチルヘキ
シロキシビス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロライ
ド、デシロキシビス（ジオクチルアミノ）チタニウムク
ロライド、ヘキシロキシビス（ジデシルアミノ）チタニ
ウムクロライド、２−エチルヘキシロキシビス（ジデシ
ルアミノ）チタニウムクロライド、デシロキシビス（ジ
デシルアミノ）チタニウムクロライド、ヘキシロキシビ
ス（ジオクタデシルアミノ）チタニウムクロライド、２
−エチルヘキシロキシビス（ジオクタデシルアミノ）チ
タニウムクロライド、デシロキシビス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウムクロライド、メトキシトリス（ジメ
チルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジメチルア
ミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジメチルアミノ）
チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジメチルアミノ）チ
タニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジメチルア
ミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジメチルアミ
ノ）チタニウム、メトキシトリス（ジエチルアミノ）チ
タニウム、エトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、ブトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、ヘ
キシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、２−
エチルヘキシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、デシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、
メトキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、エト
キシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ブトキシ
トリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシ
トリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、２−エチルヘ
キシロキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、デ
シロキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、メト
キシトリス（ジブチルアミノ）チタニウム、エトキシト
リス（ジブチルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキ
シトリス（ジブチルアミノ）チタニウム、デシロキシト
リス（ジブチルアミノ）チタニウム、メトキシトリス
（ジヘキシルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジ
ヘキシルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジヘキ
シルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジヘキ
シルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリ
ス（ジヘキシルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス
（ジヘキシルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジ
フェニルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジフェ
ニルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジフェニル
アミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジフェニル
アミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス
（ジフェニルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス
（ジフェニルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジ
オクチルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジオク
チルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス
（ジオクチルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス
（ジオクチルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジ
デシルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジデシル
アミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジデシルアミ
ノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジデシルアミ
ノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジデ
シルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジデシル
アミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクタデ
シルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリ
ス（ジオクタデシルアミノ）チタニウム、デシロキシト
リス（ジオクタデシルアミノ）チタニウム等が挙げられ
る。

【００１６】かかるチタン化合物のうち、Ｒ¹ およびＲ
² が脂肪族炭化水素基である場合が、組成分布を狭くす
るので好ましい。具体的化合物としては、ジメチルアミ
ノチタニウムトリクロライド、ビス（ジメチルアミノ）
チタニウムジクロライド、トリス（ジメチルアミノ）チ
タニウムクロライド、テトラキス（ジメチルアミノ）チ
タニウム、ジエチルアミノチタニウムトリクロライド、
ビス（ジエチルアミノ）チタニウムジクロライド、トリ
ス（ジエチルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキ
ス（ジエチルアミノ）チタニウム、ジ−イソプロピルア
ミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジ−イソプロピ
ルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジ−イソ
プロピルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス
（ジ−イソプロピルアミノ）チタニウム、ジプロピルア
ミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジプロピルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジプロピルアミ
ノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジプロピルア
ミノ）チタニウム、ジ−イソブチルアミノチタニウムト
リクロライド、ビス（ジ−イソブチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、トリス（ジ−イソブチルアミノ）チタ
ニウムクロライド、テトラキス（ジ−イソブチルアミ
ノ）チタニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノチタニウ
ムトリクロライド、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チタニウム、ジブチルアミ
ノチタニウムトリクロライド、ビス（ジブチルアミノ）
チタニウムジクロライド、トリス（ジブチルアミノ）チ
タニウムクロライド、テトラキス（ジブチルアミノ）チ
タニウム、ジヘキシルアミノチタニウムトリクロライ
ド、ビス（ジヘキシルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジヘキシルアミノ）チタニウムクロライ
ド、テトラキス（ジヘキシルアミノ）チタニウム、ジオ
クチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジオク
チルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジオク
チルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジオ
クチルアミノ）チタニウム、ジデシルアミノチタニウム
トリクロライド、ビス（ジデシルアミノ）チタニウムジ
クロライド、トリス（ジデシルアミノ）チタニウムクロ
ライド、テトラキス（ジデシルアミノ）チタニウム、ジ
オクタデシルアミノチタニウムトリクロライド、ビス
（ジオクタデシルアミノ）チタニウムジクロライド、ト
リス（ジオクタデシルアミノ）チタニウムクロライド、
テトラキス（ジオクタデシルアミノ）チタニウム、エト
キシ（ジメチルアミノ）チタニウムジクロライド、エト
キシ（ジエチルアミノ）チタニウムジクロライド、エト
キシ（ジプロピルアミノ）チタニウムジクロライド、エ
トキシ（ジイソプロピルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、エトキシ（ジイソブチルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、エトキシ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、エトキシ（ジブチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、エトキシ（ジヘキシルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、エトキシ（ジオクチルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、プロポキシ（ジメチルアミノ）チ
タニウムジクロライド、プロポキシ（ジエチルアミノ）
チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジプロピルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジイソプロ
ピルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジ
イソブチルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキ
シ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、プロポキシ（ジブチルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、プロポキシ（ジヘキシルアミノ）チタニウムジク
ロライド、プロポキシ（ジオクチルアミノ）チタニウム
ジクロライド、ブトキシ（ジメチルアミノ）チタニウム
ジクロライド、ブトキシ（ジエチルアミノ）チタニウム
ジクロライド、ブトキシ（ジプロピルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、ブトキシ（ジイソプロピルアミノ）チ
タニウムジクロライド、ブトキシ（ジイソブチルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジ−tert−ブ
チルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジブ
チルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジヘ
キシルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジ
オクチルアミノ）チタニウムジクロライド、ヘキシロキ
シ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライド、２−
エチルヘキシロキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジ
クロライド、デシロキシ（ジオクチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、エトキシ（ジデシルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、ヘキシロキシ（ジデシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、２−エチルヘキシロキシ（ジデシ
ルアミノ）チタニウムジクロライド、デシロキシ（ジデ
シルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジオ
クタデシルアミノ）チタニウムジクロライド、２−エチ
ルヘキシロキシ（ジオクタデシルアミノ）チタニウムジ
クロライド、デシロキシ（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、ヘキシロキシビス（ジオクチルア
ミノ）チタニウムクロライド、２−エチルヘキシロキシ
ビス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロライド、デシ
ロキシビス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロライ
ド、ヘキシロキシビス（ジデシルアミノ）チタニウムク
ロライド、２−エチルヘキシロキシビス（ジデシルアミ
ノ）チタニウムクロライド、デシロキシビス（ジデシル
アミノ）チタニウムクロライド、ヘキシロキシビス（ジ
オクタデシルアミノ）チタニウムクロライド、２−エチ
ルヘキシロキシビス（ジオクタデシルアミノ）チタニウ
ムクロライド、デシロキシビス（ジオクタデシルアミ
ノ）チタニウムクロライド、メトキシトリス（ジメチル
アミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジメチルアミ
ノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジメチルアミノ）チ
タニウム、ヘキシロキシトリス（ジメチルアミノ）チタ
ニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジメチルアミ
ノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジメチルアミノ）
チタニウム、メトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニ
ウム、エトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、
ブトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、ヘキシ
ロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、２−エチ
ルヘキシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、
デシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、メト
キシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、エトキシ
トリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ブトキシトリ
ス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリ
ス（ジプロピルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシ
ロキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、デシロ
キシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、メトキシ
トリス（ジブチルアミノ）チタニウム、エトキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジブ
チルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジブチ
ルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジ
ブチルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジヘキシ
ルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジヘキシルア
ミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジヘキシルアミ
ノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジヘキシルアミ
ノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジヘ
キシルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジヘキ
シルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジオクチルアミ
ノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジオクチルアミノ）
チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクチルアミノ）
チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジオクチ
ルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジデシルアミ
ノ）チタニウム、エトキシトリス（ジデシルアミノ）チ
タニウム、ブトキシトリス（ジデシルアミノ）チタニウ
ム、ヘキシロキシトリス（ジデシルアミノ）チタニウ
ム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジデシルアミノ）
チタニウム、デシロキシトリス（ジデシルアミノ）チタ
ニウム、メトキシトリス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウム、エトキシトリス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウム、ブトキシトリス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクタデシルアミノ）
チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジオクタ
デシルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジオク
タデシルアミノ）チタニウム等が挙げられる。

【００１７】さらにかかるチタン化合物のうちＲ¹ 、Ｒ
² が脂肪族炭化水素基の場合、特に炭素数８〜３０がよ
り好ましい。また炭素数が８より小さい場合でもｍが０
或いは２の場合は組成分布が狭くなることからより好ま
しい。これらの化合物としては、例えばビス（ジメチル
アミノ）チタニウムジクロライド、テトラキス（ジメチ
ルアミノ）チタニウム、ビス（ジエチルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、テトラキス（ジエチルアミノ）チタ
ニウム、ビス（ジ−イソプロピルアミノ）チタニウムジ
クロライド、テトラキス（ジ−イソプロピルアミノ）チ
タニウム、ビス（ジプロピルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、テトラキス（ジプロピルアミノ）チタニウム、
ビス（ジ−イソブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、テトラキス（ジ−イソブチルアミノ）チタニウム、
ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、テトラキス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チ
タニウム、ビス（ジブチルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、テトラキス（ジブチルアミノ）チタニウム、ビス
（ジヘキシルアミノ）チタニウムジクロライド、テトラ
キス（ジヘキシルアミノ）チタニウム、ジオクチルアミ
ノチタニウムトリクロライド、ビス（ジオクチルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジオクチルアミ
ノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジオクチルア
ミノ）チタニウム、ジデシルアミノチタニウムトリクロ
ライド、ビス（ジデシルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジデシルアミノ）チタニウムクロライド、
テトラキス（ジデシルアミノ）チタニウム、ジオクタデ
シルアミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジオクタ
デシルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジオ
クタデシルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス
（ジオクタデシルアミノ）チタニウム、エトキシ（ジメ
チルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジエ
チルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジプ
ロピルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジ
イソプロピルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキ
シ（ジイソブチルアミノ）チタニウムジクロライド、エ
トキシ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、エトキシ（ジブチルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、エトキシ（ジヘキシルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、エトキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジク
ロライド、プロポキシ（ジメチルアミノ）チタニウムジ
クロライド、プロポキシ（ジエチルアミノ）チタニウム
ジクロライド、プロポキシ（ジプロピルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、プロポキシ（ジイソプロピルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジイソブチ
ルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジ−
tert−ブチルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポ
キシ（ジブチルアミノ）チタニウムジクロライド、プロ
ポキシ（ジヘキシルアミノ）チタニウムジクロライド、
プロポキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、ブトキシ（ジメチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、ブトキシ（ジエチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、ブトキシ（ジプロピルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、ブトキシ（ジイソプロピルアミノ）チタニウムジ
クロライド、ブトキシ（ジイソブチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、ブトキシ（ジ−tert−ブチルアミノ）
チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジブチルアミノ）
チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジヘキシルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジオクチルア
ミノ）チタニウムジクロライド、ヘキシロキシ（ジオク
チルアミノ）チタニウムジクロライド、２−エチルヘキ
シロキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、デシロキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、エトキシ（ジデシルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、ヘキシロキシ（ジデシルアミノ）チタニウムジ
クロライド、２−エチルヘキシロキシ（ジデシルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、デシロキシ（ジデシルア
ミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジオクタデ
シルアミノ）チタニウムジクロライド、２−エチルヘキ
シロキシ（ジオクタデシルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、デシロキシ（ジオクタデシルアミノ）チタニウム
ジクロライド、ヘキシロキシビス（ジオクチルアミノ）
チタニウムクロライド、２−エチルヘキシロキシビス
（ジオクチルアミノ）チタニウムクロライド、デシロキ
シビス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロライド、ヘ
キシロキシビス（ジデシルアミノ）チタニウムクロライ
ド、２−エチルヘキシロキシビス（ジデシルアミノ）チ
タニウムクロライド、デシロキシビス（ジデシルアミ
ノ）チタニウムクロライド、ヘキシロキシビス（ジオク
タデシルアミノ）チタニウムクロライド、２−エチルヘ
キシロキシビス（ジオクタデシルアミノ）チタニウムク
ロライド、デシロキシビス（ジオクタデシルアミノ）チ
タニウムクロライド、メトキシトリス（ジメチルアミ
ノ）チタニウム、エトキシトリス（ジメチルアミノ）チ
タニウム、ブトキシトリス（ジメチルアミノ）チタニウ
ム、ヘキシロキシトリス（ジメチルアミノ）チタニウ
ム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジメチルアミノ）
チタニウム、デシロキシトリス（ジメチルアミノ）チタ
ニウム、メトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、エトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、ブ
トキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、ヘキシロ
キシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、２−エチル
ヘキシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、デ
シロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、メトキ
シトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、エトキシト
リス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス
（ジプロピルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス
（ジプロピルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロ
キシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、デシロキ
シトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、メトキシト
リス（ジブチルアミノ）チタニウム、エトキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジブ
チルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジブチ
ルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジ
ブチルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジヘキシ
ルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジヘキシルア
ミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジヘキシルアミ
ノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジヘキシルアミ
ノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジヘ
キシルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジヘキ
シルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジオクチルアミ
ノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジオクチルアミノ）
チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクチルアミノ）
チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジオクチ
ルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジデシルアミ
ノ）チタニウム、エトキシトリス（ジデシルアミノ）チ
タニウム、ブトキシトリス（ジデシルアミノ）チタニウ
ム、ヘキシロキシトリス（ジデシルアミノ）チタニウ
ム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジデシルアミノ）
チタニウム、デシロキシトリス（ジデシルアミノ）チタ
ニウム、メトキシトリス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウム、エトキシトリス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウム、ブトキシトリス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクタデシルアミノ）
チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジオクタ
デシルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジオク
タデシルアミノ）チタニウム等が挙げられる。

【００１８】かかる（ａ）チタン化合物の合成方法とし
ては、例えば特公昭４１−５３９７号公報、特公昭４２
−１１６４６号公報、Ｈ．Ｂｕｒｇｅｒ ｅｔ．ａ
ｌ．，Ｊ．ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１０
８（１９７６），６９−８４、Ｈ．Ｂｕｒｇｅｒ ｅｔ
ａｌ．， Ｊ．ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅ
ｍ．，２０（１９６９）、１２９−１３９ Ｈ．Ｂｕｒ
ｇｅｒ，Ｚ．Ａｎｏｒｇ．ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．，３６
５，２４３−２５４（’９１）等に記載の方法を用いる
ことができる。

【００１９】チタン化合物は、これらの方法に従って、
例えば（ｉ）一般式Ｒ¹ Ｒ² ＮＨ（ただし、Ｒ¹ 及びＲ
² は炭素数１〜３０の炭化水素基を表わし、同一でも異
なっていてもよい。）で表わされる２級アミン化合物
と、（ｉｉ）Ｒ⁹ Ｍ（ただし、Ｒ⁹ は炭素数１〜３０の
炭化水素基、ＭはＬｉ、Ｋ等のアルカリ金属を表わ
す。）で表わされるアルキルアルカリ金属を反応させ、
アルカリ金属アミド化合物を合成し、次いで該アルカリ
金属アミド化合物と、（ｉｉｉ）一般式ＴｉＸ¹ ₄ (ただ
し、Ｘ¹ は、塩素、臭素、沃素等のハロゲンを表わし、
好ましくは、Ｘ¹ は塩素である。）で表わされる四ハロ
ゲン化チタンを反応させて合成することができる。ここ
で（ｉｉ）のアルカリ金属アミド化合物は同時に２種以
上用いてもよい。

【００２０】次に本発明において、触媒の一成分である
（ｂ）有機マグネシウム化合物は、マグネシウム−炭素
の結合を含有する任意の型の有機マグネシウム化合物が
使用できる。（ｂ）有機マグネシウム化合物としては、
例えば一般式Ｒ³ Ｒ⁴ Ｍｇ（ただし、Ｒ³ 及びＲ⁴ は炭
素数１〜２０の炭化水素基を表わす。）、一般式Ｒ⁵Ｍ
ｇＺ¹ （ただし、Ｒ⁵ は炭素数１〜２０の炭化水素基、
Ｚ¹ は水素原子又はアルコキシ基を表わす。）及び一般
式Ｒ⁶ ＭｇＸ² （ただし、Ｒ⁶ は炭素数１〜２０の炭化
水素基、Ｘ² はハロゲンを表わす。）で表わされる有機
マグネシウム化合物等が挙げられる。ここで、Ｒ³ 、Ｒ
⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一でも異なっていてもよく、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec-ブ
チル、tert−ブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、
オクチル、２−エチルヘキシル、フェニル、ベンジル、
ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル等の炭素数１
〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、アル
ケニル基を示す。

【００２１】具体的にはＲ³ Ｒ⁴ Ｍｇで表わされる化合
物としては、例えばジメチルマグネシウム、ジエチルマ
グネシウム、ジプロピルマグネシウム、ジイソプロピル
マグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジイソブチルマ
グネシウム、ジ−sec −ブチルマグネシウム、ジ−tert
−ブチルマグネシウム、ジアミルマグネシウム、ジネオ
ペンチルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ジシ
クロヘキシルマグネシウム、ジフェニルマグネシウム、
ジベンジルマグネシウム、ジビニルマグネシウム、ジ−
２−プロペニルマグネシウム、ジ−２−ブテニルマグネ
シウム、ビス（トリメチルシリルメチル）マグネシウ
ム、メチルエチルマグネシウム、メチルプロピルマグネ
シウム、メチルイソプロピルマグネシウム、メチルブチ
ルマグネシウム、メチルイソブチルマグネシウム、メチ
ル−sec −ブチルマグネシウム、メチル−tert−ブチル
マグネシウム、メチルアミルマグネシウム、メチルネオ
ペンチルマグネシウム、メチルヘキシルマグネシウム、
メチルシクロヘキシルマグネシウム、メチルフェニルマ
グネシウム、メチルベンジルマグネシウム、メチルビニ
ルマグネシウム、メチル−２−プロペニルマグネシウ
ム、メチル−２−ブテニルマグネシウム、メチル（トリ
メチルシリルメチル）マグネシウム、エチルプロピルマ
グネシウム、エチルイソプロピルマグネシウム、エチル
ブチルマグネシウム、エチルイソブチルマグネシウム、
エチル−sec −ブチルマグネシウム、エチル−tert−ブ
チルマグネシウム、エチルアミルマグネシウム、エチル
ネオペンチルマグネシウム、エチルヘキシルマグネシウ
ム、エチルシクロヘキシルマグネシウム、エチルフェニ
ルマグネシウム、エチルベンジルマグネシウム、エチル
ビニルマグネシウム、エチル−２−プロペニルマグネシ
ウム、エチル−２−ブテニルマグネシウム、エチル（ト
リメチルシリルメチル）マグネシウム、プロピルイソプ
ロピルマグネシウム、プロピルブチルマグネシウム、プ
ロピルイソブチルマグネシウム、プロピル−sec −ブチ
ルマグネシウム、プロピル−tert−ブチルマグネシウ
ム、プロピルアミルマグネシウム、プロピルネオペンチ
ルマグネシウム、プロピルヘキシルマグネシウム、プロ
ピルシクロヘキシルマグネシウム、プロピルフェニルマ
グネシウム、プロピルベンジルマグネシウム、プロピル
ビニルマグネシウム、プロピル−２−プロペニルマグネ
シウム、プロピル−２−ブテニルマグネシウム、プロピ
ル（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、イソプロ
ピルブチルマグネシウム、イソプロピルイソブチルマグ
ネシウム、イソプロピル−sec −ブチルマグネシウム、
イソプロピル−tert−ブチルマグネシウム、イソプロピ
ルアミルマグネシウム、イソプロピルネオペンチルマグ
ネシウム、イソプロピルヘキシルマグネシウム、イソプ
ロピルシクロヘキシルマグネシウム、イソプロピルフェ
ニルマグネシウム、イソプロピルベンジルマグネシウ
ム、イソプロピルビニルマグネシウム、イソプロピル−
２−プロペニルマグネシウム、イソプロピル−２−ブテ
ニルマグネシウム、イソプロピル（トリメチルシリルメ
チル）マグネシウム、ブチルイソブチルマグネシウム、
ブチル−sec −ブチルマグネシウム、ブチル−tert−ブ
チルマグネシウム、ブチルアミルマグネシウム、ブチル
ネオペンチルマグネシウム、ブチルヘキシルマグネシウ
ム、ブチルシクロヘキシルマグネシウム、ブチルフェニ
ルマグネシウム、ブチルベンジルマグネシウム、ブチル
ビニルマグネシウム、ブチル−２−プロペニルマグネシ
ウム、ブチル−２−ブテニルマグネシウム、ブチル（ト
リメチルシリルメチル）マグネシウム、イソブチル−se
c −ブチルマグネシウム、イソブチル−tert−ブチルマ
グネシウム、イソブチルアミルマグネシウム、イソブチ
ルネオペンチルマグネシウム、イソブチルヘキシルマグ
ネシウム、イソブチルシクロヘキシルマグネシウム、イ
ソブチルフェニルマグネシウム、イソブチルベンジルマ
グネシウム、イソブチルビニルマグネシウム、イソブチ
ル−２−プロペニルマグネシウム、イソブチル−２−ブ
テニルマグネシウム、イソブチル（トリメチルシリルメ
チル）マグネシウム、sec−ブチル−tert−ブチルマグ
ネシウム、sec −ブチルアミルマグネシウム、sec−ブ
チルネオペンチルマグネシウム、sec −ブチルヘキシル
マグネシウム、sec−ブチルシクロヘキシルマグネシウ
ム、sec −ブチルフェニルマグネシウム、sec −ブチル
ベンジルマグネシウム、sec −ブチルビニルマグネシウ
ム、sec −ブチル−２−プロペニルマグネシウム、sec
−ブチル−２−ブテニルマグネシウム、sec −ブチル
（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、tert−ブチ
ルアミルマグネシウム、tert−ブチルネオペンチルマグ
ネシウム、tert−ブチルヘキシルマグネシウム、tert−
ブチルシクロヘキシルマグネシウム、tert−ブチルフェ
ニルマグネシウム、tert−ブチルベンジルマグネシウ
ム、tert−ブチルビニルマグネシウム、tert−ブチル−
２−プロペニルマグネシウム、tert−ブチル−２−ブテ
ニルマグネシウム、tert−ブチル（トリメチルシリルメ
チル）マグネシウム、アミルネオペンチルマグネシウ
ム、アミルヘキシルマグネシウム、アミルシクロヘキシ
ルマグネシウム、アミルフェニルマグネシウム、アミル
ベンジルマグネシウム、アミルビニルマグネシウム、ア
ミル−２−プロペニルマグネシウム、アミル−２−ブテ
ニルマグネシウム、アミル（トリメチルシリルメチル）
マグネシウム、ネオペンチルヘキシルマグネシウム、ネ
オペンチルシクロヘキシルマグネシウム、ネオペンチル
フェニルマグネシウム、ネオペンチルベンジルマグネシ
ウム、ネオペンチルビニルマグネシウム、ネオペンチル
−２−プロペニルマグネシウム、ネオペンチル−２−ブ
テニルマグネシウム、ネオペンチル（トリメチルシリル
メチル）マグネシウム、ヘキシルシクロヘキシルマグネ
シウム、ヘキシルフェニルマグネシウム、ヘキシルベン
ジルマグネシウム、ヘキシルビニルマグネシウム、ヘキ
シル−２−プロペニルマグネシウム、ヘキシル−２−ブ
テニルマグネシウム、ヘキシル（トリメチルシリルメチ
ル）マグネシウム、シクロヘキシルフェニルマグネシウ
ム、シクロヘキシルベンジルマグネシウム、シクロヘキ
シルビニルマグネシウム、シクロヘキシル−２−プロペ
ニルマグネシウム、シクロヘキシル−２−ブテニルマグ
ネシウム、シクロヘキシル（トリメチルシリルメチル）
マグネシウム、フェニルベンジルマグネシウム、フェニ
ルビニルマグネシウム、フェニル−２−プロペニルマグ
ネシウム、フェニル−２−ブテニルマグネシウム、フェ
ニル（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、ベンジ
ルビニルマグネシウム、ベンジル−２−プロペニルマグ
ネシウム、ベンジル−２−ブテニルマグネシウム、ベン
ジル（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、ビニル
−２−プロペニルマグネシウム、ビニル−２−ブテニル
マグネシウム、ビニル（トリメチルシリルメチル）マグ
ネシウム等が挙げられる。

【００２２】Ｒ⁵ ＭｇＺ¹ で表わされる化合物として
は、例えばエチルマグネシウムハイドライド、プロピル
マグネシウムハイドライド、イソプロピルマグネシウム
ハイドライド、ブチルマグネシウムハイドライド、sec
−ブチルマグネシウムハイドライド、tert−ブチルマグ
ネシウムハイドライド、フェニルマグネシウムハイドラ
イド、エチルマグネシウムメトキシド、エチルマグネシ
ウムエトキシド、エチルマグネシウムプロポキシド、エ
チルマグネシウムブトキシド、エチルマグネシウムフェ
ノキシド、プロピルマグネシウムメトキシド、プロピル
マグネシウムエトキシド、プロピルマグネシウムプロポ
キシド、プロピルマグネシウムブトキシド、プロピルマ
グネシウムフェノキシド、イソプロピルマグネシウムメ
トキシド、イソプロピルマグネシウムエトキシド、イソ
プロピルマグネシウムプロポキシド、イソプロピルマグ
ネシウムブトキシド、イソプロピルマグネシウムフェノ
キシド、ブチルマグネシウムメトキシド、ブチルマグネ
シウムエトキシド、ブチルマグネシウムプロポキシド、
ブチルマグネシウムブトキシド、ブチルマグネシウムフ
ェノキシド、sec −ブチルマグネシウムメトキシド、se
c −ブチルマグネシウムエトキシド、sec −ブチルマグ
ネシウムプロポキシド、sec −ブチルマグネシウムブト
キシド、sec −ブチルマグネシウムフェノキシド、tert
−ブチルマグネシウムメトキシド、tert−ブチルマグネ
シウムエトキシド、tert−ブチルマグネシウムプロポキ
シド、tert−ブチルマグネシウムブトキシド、tert−ブ
チルマグネシウムフェノキシド、フェニルマグネシウム
メトキシド、フェニルマグネシウムエトキシド、フェニ
ルマグネシウムプロポキシド、フェニルマグネシウムブ
トキシド、フェニルマグネシウムフェノキシド等が挙げ
られる。

【００２３】Ｒ⁶ ＭｇＸ² で表わされる化合物として
は、例えばメチルマグネシウムクロライド、エチルマグ
ネシウムクロライド、エチルマグネシウムブロマイド、
エチルマグネシウムアイオダイド、プロピルマグネシウ
ムクロライド、プロピルマグネシウムブロマイド、ブチ
ルマグネシウムクロライド、ブチルマグネシウムブロマ
イド、sec −ブチルマグネシウムクロライド、sec −ブ
チルマグネシウムブロマイド、tert−ブチルマグネシウ
ムクロライド、tert−ブチルマグネシウムブロマイド、
アミルマグネシウムクロライド、イソアミルマグネシウ
ムクロライド、ビニルマグネシウムブロマイド、ビニル
マグネシウムクロライド、１−プロペニルマグネシウム
ブロマイド、１−プロペニルマグネシウムクロライド、
２−プロペニルマグネシウムブロマイド、２−プロペニ
ルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウムクロ
ライド、フェニルマグネシウムブロマイド、ベンジルマ
グネシウムクロライド、ベンジルマグネシウムブロマイ
ド等が挙げられる。

【００２４】生成する共重合体の組成分布という観点か
ら、Ｒ³ Ｒ⁴ Ｍｇで表わされる有機マグネシウム化合物
が好ましい。中でも、Ｒ³ 及びＲ⁴ が脂肪族飽和炭化水
素である化合物がより好ましい。これらの具体的化合物
としてはジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウ
ム、ジプロピルマグネシウム、ジイソプロピルマグネシ
ウム、ジブチルマグネシウム、ジイソブチルマグネシウ
ム、ジ−sec −ブチルマグネシウム、ジ−tert−ブチル
マグネシウム、ジアミルマグネシウム、ジネオペンチル
マグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ジシクロヘキ
シルマグネシウム、メチルエチルマグネシウム、メチル
プロピルマグネシウム、メチルイソプロピルマグネシウ
ム、メチルブチルマグネシウム、メチルイソブチルマグ
ネシウム、メチル−sec −ブチルマグネシウム、メチル
−tert−ブチルマグネシウム、メチルアミルマグネシウ
ム、メチルネオペンチルマグネシウム、メチルヘキシル
マグネシウム、メチルシクロヘキシルマグネシウム、エ
チルプロピルマグネシウム、エチルイソプロピルマグネ
シウム、エチルブチルマグネシウム、エチルイソブチル
マグネシウム、エチル−sec −ブチルマグネシウム、エ
チル−tert−ブチルマグネシウム、エチルアミルマグネ
シウム、エチルネオペンチルマグネシウム、エチルヘキ
シルマグネシウム、エチルシクロヘキシルマグネシウ
ム、プロピルイソプロピルマグネシウム、プロピルブチ
ルマグネシウム、プロピルイソブチルマグネシウム、プ
ロピル−sec −ブチルマグネシウム、プロピル−tert−
ブチルマグネシウム、プロピルアミルマグネシウム、プ
ロピルネオペンチルマグネシウム、プロピルヘキシルマ
グネシウム、プロピルシクロヘキシルマグネシウム、イ
ソプロピルブチルマグネシウム、イソプロピルイソブチ
ルマグネシウム、イソプロピル−sec −ブチルマグネシ
ウム、イソプロピル−tert−ブチルマグネシウム、イソ
プロピルアミルマグネシウム、イソプロピルネオペンチ
ルマグネシウム、イソプロピルヘキシルマグネシウム、
イソプロピルシクロヘキシルマグネシウム、ブチルイソ
ブチルマグネシウム、ブチル−sec −ブチルマグネシウ
ム、ブチル−tert−ブチルマグネシウム、ブチルアミル
マグネシウム、ブチルネオペンチルマグネシウム、ブチ
ルヘキシルマグネシウム、ブチルシクロヘキシルマグネ
シウム、イソブチル−sec −ブチルマグネシウム、イソ
ブチル−tert−ブチルマグネシウム、イソブチルアミル
マグネシウム、イソブチルネオペンチルマグネシウム、
イソブチルヘキシルマグネシウム、イソブチルシクロヘ
キシルマグネシウム、sec−ブチル−tert−ブチルマグ
ネシウム、sec −ブチルアミルマグネシウム、sec−ブ
チルネオペンチルマグネシウム、sec −ブチルヘキシル
マグネシウム、sec−ブチルシクロヘキシルマグネシウ
ム、tert−ブチルアミルマグネシウム、tert−ブチルネ
オペンチルマグネシウム、tert−ブチルヘキシルマグネ
シウム、tert−ブチルシクロヘキシルマグネシウム、ア
ミルネオペンチルマグネシウム、アミルヘキシルマグネ
シウム、アミルシクロヘキシルマグネシウム、ネオペン
チルヘキシルマグネシウム、ネオペンチルシクロヘキシ
ルマグネシウム、ヘキシルシクロヘキシルマグネシウム
等の有機マグネシウム化合物が挙げられる。触媒活性と
いう観点からＲ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ ⁵及びＲ ⁶は炭素数１〜４
までのアルキル基が最も好ましい。

【００２５】上記有機マグネシウム化合物の代わりに、
該有機マグネシウム化合物と有機金属化合物との炭化水
素可溶性錯体を使用することもできる。有機金属化合物
としては、例えばＬｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ａｌ又はＺｎの有機
化合物が挙げられる。また本発明は上記化合物に限定さ
れるものではない。

【００２６】本発明において、触媒の一成分である
（ｃ）ハロゲン含有アルミニウム化合物は、公知のハロ
ゲン含有アルミニウム化合物が使用できる。（ｃ）ハロ
ゲン含有アルミニウム化合物としては、例えば一般式Ｒ
⁷ _k ＡｌＸ³ _(3-k) で示されるハロゲン含有アルミニウ
ム化合物（ｃ１）及びＲ⁸ ₃Ａｌ₂ Ｘ⁴ ₃で示されるハロゲ
ン含有アルミニウム化合物（ｃ２）等が挙げられる。一
般式中Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｘ
³ 及びＸ⁴ は塩素、臭素及び沃素等のハロゲン、好まし
くは塩素、ｋは０〜２の整数を表わす。

【００２７】一般式Ｒ⁷ _k ＡｌＸ³ _(3-k) で示されるハ
ロゲン含有アルミニウム化合物（ｃ１）としては、例え
ばジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウ
ムクロリド、ジプロピルアルミニウムクロリド、ジイソ
ブチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムク
ロリド、ジヘキシルアルミニウムクロリド、ジオクチル
アルミニウムクロリド、ジデシルアルミニウムクロリ
ド、ジオクタデシルアルミニウムクロリド等、また異な
る２種の炭化水素基を含有するエチルイソブチルアルミ
ニウムクロリド等のジアルキルアルミニウムハライド、
メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジ
クロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、イソブチ
ルアルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジクロ
リド、ヘキシルアルミニウムジクロリド、オクチルアル
ミニウムジクロリド、デシルアルミニウムジクロリド、
オクタデシルアルミニウムジクロリド等のアルキルアル
ミニウムジハライド、またはアルミニウムトリクロリド
等のアルミニウムトリハライド等が挙げられる。好まし
い化合物としては、一般式中Ｒ⁷ が炭素数１〜１０の炭
化水素基を有する化合物であり、例えばジメチルアルミ
ニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジプ
ロピルアルミニウムクロリド、ジイソブチルアルミニウ
ムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジヘキシ
ルアルミニウムクロリド、ジオクチルアルミニウムクロ
リド、ジデシルアルミニウムクロリド等、また異なる２
種の炭化水素基を含有するエチルイソブチルアルミニウ
ムクロリド等のジアルキルアルミニウムハライド、メチ
ルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロ
リド、プロピルアルミニウムジクロリド、イソブチルア
ルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジクロリ
ド、ヘキシルアルミニウムジクロリド、オクチルアルミ
ニウムジクロリド、デシルアルミニウムジクロリド等の
アルキルアルミニウムジハライド、またはアルミニウム
トリクロリド等のアルミニウムトリハライド等が挙げら
れる。

【００２８】一般式Ｒ⁸ ₃Ａｌ₂ Ｘ⁴ ₃で示されるハロゲン
含有アルミニウム化合物（ｃ２）としては、一般式中Ｒ
⁸ が炭素数１〜４の炭化水素基を有する化合物が好まし
く、例えばメチルアルミニウムセスキクロリド、エチル
アルミニウムセスキクロリド、イソブチルアルミニウム
セスキクロリド等が挙げられる。ハロゲン含有アルミニ
ウム化合物の中でも、より好ましくは少なくとも１つの
アルキル基を有するハロゲン含有有機アルミニウム化合
物である。ハロゲン含有有機アルミニウム化合物として
は、例えばアルミニウムトリハライドを除く上記一般式
で示される化合物が挙げられる。

【００２９】（ｂ）有機マグネシウム化合物の使用量
は、（ｂ）有機マグネシウム化合物と（ａ）チタン化合
物のチタン原子の原子比で、通常０．０１〜１００００
モル、好ましくは０．１〜５０００モル、より好ましく
は１〜２０００モルである。

【００３０】また、（ｃ）ハロゲン含有アルミニウム化
合物の使用量は、（ｃ）ハロゲン含有アルミニウム化合
物と（ａ）チタン化合物のチタン原子の原子比で、通常
０．０１〜１０００００モル、好ましくは０．０５〜５
００００モル、より好ましくは０．１〜１００００モル
である。

【００３１】さらに、（ｃ）ハロゲン含有アルミニウム
化合物と（ｂ）有機マグネシウム化合物との相対的な量
は、マグネシウム原子の原子比で、０．０１〜１００モ
ル、好ましくは０．１〜５０モルである。

【００３２】各触媒成分を重合槽に供給する方法として
は、例えば窒素、アルゴン等の不活性ガス中で水分のな
い状態で、モノマーの存在した、触媒成分（ａ）、
（ｂ）及び（ｃ）は個別に供給してもよいし、予め三者
を接触させて供給してもよい。

【００３３】重合温度は、通常−３０〜３００℃までに
わたって実施することができるが、好ましくは０〜２８
０℃、より好ましくは２０〜２５０℃である。重合圧力
は特に制限はないが、工業的かつ経済的であるという点
で３〜１５００気圧程度が好ましい。重合方法は、連続
式でもバッチ式でもいずれも可能である。またプロパ
ン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
のような不活性炭化水素溶媒によるスラリー重合、溶液
重合、無溶媒による液相重合または気相重合もできる。
また、本発明の共重合体の分子量を調製するために、水
素等の連鎖移動剤を添加することもできる。本発明の共
重合体は、上記重合触媒及び製造方法に何ら限定される
ものではない。

【００３４】さらに共重合体の加硫性の改良のためにジ
エンを共重合することも可能である。かかるジエンの具
体例としては、１，３−ブタジエン、ジシクロペンタジ
エン、トリシクロペンタジエン、５−メチル−２，５−
ノルボルナジエン、５−メチレン−２−ノルボルネン、
５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロペニ
ル−２−ノルボルネン、５−（２’−ブテニル）−２−
ノルボルネン、１，５，９−シクロドデカトリエン、６
−メチル−４，７，８，９−テトラヒドロインデン、ト
ランス−１，２−ジビニルシクロブタン、１，４−ヘキ
サジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，３
−ヘキサジエン、１，６−オクタジエン、６−メチル−
１，５−ヘプタジエン等を挙げることができるが、本発
明は、上記化合物に限定されるべき性質のものではな
い。

【００３５】

【発明の効果】以上、詳述したように本発明のエチレン
−αオレフィン共重合体は、光学的性質、成形加工性に
優れ、また良好な耐衝撃性、引張強度、剛性等の機械的
性質を有しているので、特にインフレーションフィルム
成形、Ｔダイ成形等によって加工される種々の包装用フ
ィルム、或いは農業用フィルムやラミネート用原反等の
フィルム成形体として好適である。また、本発明のエチ
レン−αオレフィン共重合体は、フィルム成形体以外に
マヨネーズ・ケーチャップ用容器、チューブ状化粧品・
糊用容器、調味料用容器、段ボール・金属容器等の内装
用薄肉容器、洗剤・化粧品・医薬品等の容器等の中空成
形体、容器の蓋、瓶等のキャップ、栓、中栓、部品のキ
ャップやカバー、人工芝、スキーシューズ、自動車用泥
よけ等の射出成形体、ストレッチ包装用トレー、発泡
箱、インスタント食品の容器等の発泡成形品、水道・農
業用等のパイプ、その他雑貨、工業部品等の各種成形
体、または電線・ケーブル等の被覆、電力・通信ケーブ
ルのシース、巻線、クロスヘッドダイによる鋼管への押
出被覆等の鋼管被覆などの被覆材の用途にも好適であ
る。さらに、本発明のエチレン−αオレフィン共重合体
は、共押出し法、押出ラミネート法、ドライラミネート
法等の各種貼り合わせ法により、ポリエチレン、二軸延
伸ポリプロピレン、無延伸ポリプロピレン、延伸ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、
二軸延伸ナイロン樹脂、セロハン、延伸ポリビニルアル
コール、ポリビニルアルコール、二軸延伸エチレン−酢
酸ビニル樹脂けん化物、エチレン−酢酸ビニル樹脂けん
化物、エチレン−ビニルアルコール樹脂、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリ塩化ビニリデンコート二軸延伸ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビニリデンコートポリエチレンテレフタ
レート、ポリ塩化ビニリデンコート二軸延伸ナイロン樹
脂、ポリ塩化ビニリデンコートポリビニルアルコール、
ポリ塩化ビニリデンコートセロハン、紙、アルミニウム
箔等の他のフィルムあるいはシートとの各種積層フィル
ム、積層シートなどに加工して用いることもできる。ま
た、本発明のエチレン−αオレフィン共重合体は、他の
熱可塑性樹脂、例えば高密度ポリエチレン、中密度ポリ
エチレン、低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
１−ブテン、ポリ４−メチル−１−ペンテン、低結晶性
または非結晶性のエチレンとプロピレンもしくは１−ブ
テンとの共重合体、プロピレン−１−ブテン共重合体な
どのポリオレフィンとブレンドして使用することもでき
る。さらに、必要に応じて酸化防止剤、耐候剤、帯電防
止剤、抗ブロッキング剤、滑剤、防曇剤、無滴剤、核
剤、顔料、染料、無機または有機充填剤などを配合する
こともできる。

【００３６】

【実施例】以下、実施例によって本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。な
お、実施例及び比較例における物性は、以下の方法によ
って測定した。 （１）重量平均分子量及び数平均分子量 ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）に
より下記の条件で測定した。 装置：ウォーターズ社製 １５０Ｃ型 カラム：東ソー（株）製ＴＳＫ ＧＨＭ−６（６mmφ×
600 mm） 溶媒：ｏ−ジクロルベンゼン（ＯＤＣＢ） 温度：135 ℃ 流量：1.0ml ／min 注入濃度：10mg／10mlＯＤＣＢ（注入量500 μl ） また、カラム溶出体積は東洋曹達工業（株）及びプレッ
シャー・ケミカル社製の標準ポリスチレンを用いてユニ
バーサル法により較正した。重量平均分子量Mwと数平均
分子量Mnとの比Mw／Mnを求めた。

【００３７】（２）コモノマー含量 赤外分光光度計を用いて、エチレンとαオレフィンの特
性吸収により求めた。 （３）メルトフローレートＭＦＲ ＪＩＳ Ｋ６７６０に規定された方法に従った。 （４）密度 ＪＩＳ Ｋ６７６０に規定された方法に従った。

【００３８】（５）溶融張力 東洋精機製作所製メルトテンションテスターII型を用
い、150 ℃の温度でオリフィス穴から一定量のポリマー
を強制的に押出し、モノフィラメント状に引張るときに
生じる張力をストレンゲージで検出した。張力は、モノ
フィラメント状の溶融ポリマーが切断するまで引取ロー
ルにより引取速度を一定の速度で上昇させながら測定す
るが、引取開始から切断までの間に測定される張力の最
高値をもって溶融張力とした。 押出速度 ：０．３２g/min オリフィス ：直径 2.095mm、長さ 8.000mm 引取上昇速度：６．３m/min

【００３９】（６）流動の活性化エネルギーＥａ 動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製ＲＭＳ−８
００型）を用いて厚さ約１mm直径２５mmの円盤状試料を
同径の２枚の平行円板にはさみ、窒素雰囲気下、１３０
℃〜１９０℃まで、２０℃ごと、歪３％、周波数０．１
〜１００rad ／sec の範囲で動的粘弾性を測定した。得
られた結果から１３０℃（４０３°Ｋ）における貯蔵剛
性率Ｇ’及び損失剛性率Ｇ''のマスターカーブを作成し
た。この時、Ｇ’（ω、Ｔ）＝ｂ_T Ｇ’（ωｒ、４０３
°Ｋ） Ｇ''（ω、Ｔ）＝ｂ_T Ｇ''（ωｒ、４０３°Ｋ） が成り立ち、ωｒ／ωをシフトファクターａ_T とした。 ω：測定周波数（rad ／sec ） Ｔ：測定時の温度（°Ｋ） ４０３°Ｋ：マスターカーブの温度 ωｒ：Ｇ’（ω、Ｔ）またはＧ''（ω、Ｔ）をＴ''の該
周波数依存性曲線にシフトさせた時に対応するＧ’、
Ｇ''の周波数（rad ／sec ） ｂ_T ：Ｇ’、Ｇ''軸方向の移動量 横軸にＴの逆数、縦軸にその温度のａ_T の自然対数をと
り、各点を直線に近似させる。この時の直線の傾きに気
体定数（Ｒ）を乗じた時の値の絶対値を流動の活性化エ
ネルギーＥａ（Ｊ／mol Ｋ）とした。

【００４０】（７）組成分布変動係数Ｃｘ 〔装置構成〕 オンラインデガッサー Ｍｏｄｅｌ ＥＲＣ−３３２２ （エルマ） 送液ポンプ ＣＣＰＭ （東ソー） 電動切替バルブ ＭＶ−８０１１ （東ソー） 注入バルブ M3-1/16-V6-P-SS （バルコ） カラムオーブン SSP-43CR-43CR-A （カトウ） 検出器 ＦＴ／ＩＲ−１７６０Ｘ（ハ゜ーキン・エルマ) フラクションコレクター ＭＶ８０１０Ｋ （東ソー） システムコントローラー ＳＣ−８０１０ （東ソー）

【００４１】〔実験条件〕 溶媒：オルトジクロルベンゼン（ＯＤＣＢ） カラム：２１ｍｍφ×１５０ｍｍ（Ｌ） 充填剤：ガラスビーズ ５００〜７００μｍ 試料濃度：１％ 試料溶液注入量：６ｍｌ 送液流量：２．５ｍｌ／ｍｉｎ． 溶出温度ステップ：Ｔｅｍｐ．＝−１０〜１０５℃（３
８ステップ） 溶出温度（Ｔｉ）：−１０、０、５、１０、１４、１
８、２１、２４、２７、３０、３３、３６、３９、４
２、４５、４８、５１、５４、５７、６０、６３、６
６、６９、７２、７５、７８、８０、８２、８４、８
６、８８、９０、９２、９４、９６、９８、１０１、１
０５（℃） カラムオーブン以降の流路は１４５℃に加熱した。ま
た、溶媒をカラムに流す前にカラムオーブン内に２０ｍ
ｌ程度の流路を設け溶媒を予熱した。 ＦＴ／ＩＲ条件：分解能：８ｃｍ^-1、 フローセル：ＫＢｒ窓材、セル長＝０．５ｍｍ、加熱溶
液フローセル

【００４２】〔測定方法〕 （ｉ）試料調製：所定濃度溶液を作成し、１４５℃、４
Ｈｒにて試料を溶解した。 （ii）温度上昇分別手順 １ 注入バルブ、送液ポンプにより１４５℃に加熱した
試料溶液を１４５℃に加熱したカラムオーブン中のカラ
ム中央に位置付けた。 ２ 試料溶液をカラム中央にとどめた状態にて、以下の
条件でカラムオーブン温度を下げた。 Ｔｅｍｐ．＝１４５〜９０℃ 冷却温度：０．９２
℃／分 Ｔｅｍｐ．＝９０〜−１０℃ 冷却温度：０．２５
℃／分 ３ −１０℃にて２Ｈｒ保持した。 ４ 送液ポンプによりカラムをバイバスする流路により
溶媒をＦＴ／ＩＲフローセルに流し、ＦＴ／ＩＲバック
グラウンドを測定する（積算回数＝５０）。バックグラ
ウンド測定後、ポンプは停止した。 ５ 溶媒がカラムに流れるようにした後、送液ポンプに
より溶媒をカラムに流すと同時にＦＴ／ＩＲの測定を開
始した。 溶媒送液時間：２５ｍｉｎ． ＦＴ／ＩＲ積算時間：２５ｍｉｎ．（積算回数：６２５
回） ６ ＦＴ／ＩＲで測定したスペクトルはフロッピーディ
スクに保存した。 ７ 溶媒送液後、次の溶出温度にカラムオーブン温度を
昇温し、１５分間待機した。 ８ 温度ステップの数だけ４〜７を繰り返した。 ９ 最後にカラムオーブン温度を１４５℃に昇温し、送
液ポンプにて溶媒を２５分間流した。

【００４３】〔データ処理〕 １ 測定したＦＴ／ＩＲスペクトルを用い、以下の波数
のピーク面積（＝Ｓ₁）を求めた。 赤外波数：２９８３〜２８１６ｃｍ^-1 ２ 式３及び式４により不均等な溶出温度間隔の補正を
行った。 ３ 式５により組成分布（ＳＣＢｉ）を算出した。 ４ ＳＣＢｉ−ＲＨｉをプロットすることにより組成分
布曲線が得られた。 ５ 組成分布より平均組成（ＳＣＢ_ave ）および分布の
広さを表す組成分布変動係数（Ｃｘ）を式２及び式６よ
り求めた。

【００４４】 Ｈ_i ＝（ΣＳ_i −ΣＳ_(i-1) ）／（Ｔ_i −Ｔ_(i-1) ） 式３ ＲＨｉ＝Ｈ_i ／ΣＨ_i ×１００ （％） 式４ ＲＨｉ：相対濃度

【００４５】 ＳＣＢｉ＝５９．７０−０．５９９×Ｔｉ（１／１０００Ｃ） 式５ Ｔｉ：溶出温度 ＳＣＢｉ（Ｓｈｏｒｔ Ｃｈａｉｎ Ｂｒａｎｃｈｉｎ
ｇ）：１０００Ｃ当たりの短鎖分岐の数

【００４６】 ＳＣＢ_ave ＝（ＳＣＢｉ×ＲＨｉ）／ΣＲＨｉ （１／１０００Ｃ） 式６ Ｃｘ＝σ／ＳＣＢ_ave 式２ σ：組成分布（ＳＣＢｉ）の標準偏差

【００４７】（８）フィルム成形及び物性 プラコー社製ＥＸ−５０型インフレ成形機に１２５mmφ
でリップ間隔２mmのダイを取付け、加工温度１６０℃、
ブローアップ比１．８、引取速度２０ｍ／分の条件下で
インフレーションフィルム加工を行い、厚さ３０μｍの
フィルムを作製した。得られたフィルムのＨＡＺＥをＡ
ＳＴＭ Ｄ１００３に規定された方法によって測定し
た。

【００４８】実施例１ 〔チタン化合物の合成〕攪拌機、滴下ロート、温度計を
備えた３ｌのフラスコをアルゴンで置換した後、ジオク
チルアミン１８１ml（６００ミリモル）、ヘキサン１．
５ｌを仕込んだ。次に、ヘキサンで希釈したブチルリチ
ウム３８７ml（６００ミリモル）を滴下ロートからフラ
スコ中の溶液の温度を５℃に保ちながら３０分間で滴下
し、滴下終了後、５℃で２時間、３０℃で２時間更に反
応を行った。次に、ヘキサンで希釈したＴｉＣｌ₄ １
６．５ml（１５０ミリモル）を滴下ロートから，前記反
応で得た混合液中に温度を５℃に保ちながら３０分間で
滴下し、滴下終了後５℃で１時間、３０℃で２時間更に
反応を行い、組成式〔（Ｃ₈ Ｈ ₁₇）₂ Ｎ〕₄ Ｔｉで表さ
れるチタン化合物１５０ミリモルを得た。

【００４９】〔エチレンの重合〕内容積１ｌの攪拌機付
オートクレーブ型連続反応器中で、上記反応生成物を用
い、下記に示す反応条件によりエチレンとブテン−１の
共重合を行った。反応条件 ハロゲン含有アルミニウム化合物：ジエチルアルミニウ
ムクロライド（ＤＥＡＣ） 有機マグネシウム化合物：ブチルエチルマグネシウム
（ＢＥＭ） Ａｌ／Ｔｉ（原子比）：１２６ Ｍｇ／Ｔｉ（原子比）： ２９．４ 重合温度 ：２１０℃ 重合圧力 ：７０２kg／cm² 重合滞留時間 ： ４５秒 エチレンフィード量 ：８１７kg／hr ブテン−１フィード量： １０．４kg／hr 重合の結果、１時間当り２．４kgの共重合体を得た。得
られた共重合体の物性並びに、フィルム成形時のスクリ
ュー回転数、押出量、負荷電流、樹脂圧力及びフィルム
のＨＡＺＥを表１にそれぞれ示す。

【００５０】比較例１ 市販のＬＬＤＰＥ（住友化学工業（株）製スミカセン−
Ｌ、ＦＡ２０１−０、コモノマー：ブテン−１）を用い
て実施例１と同様に物性を測定した。その結果を表１に
示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】実施例２ 実施例１のエチレンの重合において、下記の条件とする
以外は、実施例１と同様にして重合した。 Ａｌ／Ｔｉ（原子比）： ５３ Ｍｇ／Ｔｉ（原子比）： １３．４ 重合圧力 ：７６２kg／cm² エチレンフィード量 ： ８．５kg／hr ブテン−１フィード量： １０．９kg／hr 重合の結果、１時間当り１．９kgの共重合体を得た。得
られた共重合体の物性を実施例１と同様に測定した。そ
の結果を表２に示す。

【００５３】比較例２ 市販のＬＬＤＰＥ（三菱油化（株）製ＵＦ２３０、コモ
ノマー：ブテン−１）を用いて実施例１と同様に物性を
測定した。その結果を表２に示す。

【００５４】比較例３ 市販のＬＬＤＰＥ（三井石油化学（株）製タフマーＡ４
０８５、コモノマー：ブテン−１）を用いて実施例１と
同様に物性を測定した。その結果を表２に示す。

【００５５】

【表２】

フロントページの続き (72)発明者 佐々木 俊夫 千葉県市原市姉崎海岸５の１ 住友化学工 業株式会社内 (72)発明者 白石 寛之 千葉県市原市姉崎海岸５の１ 住友化学工 業株式会社内 (72)発明者 重松 裕二 千葉県市原市姉崎海岸５の１ 住友化学工 業株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）密度が０．８７０〜０．９４５ｇ／
   cm³ 、（Ｂ）溶融状態の少なくとも３点の温度下におけ
   る動的粘弾性測定から求めた流動の活性化エネルギーＥ
   ａ（Ｊ／mol Ｋ）とメルトフローレートＭＦＲ（ｇ／１
   ０分）との関係が下記式１の条件を充足し、（Ｃ）下記
   式２に示す組成分布変動係数Ｃｘが０．４０〜０．８０
   であり、（Ｄ）重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎ
   との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が３〜２０であることを特徴とす
   るエチレン−αオレフィン共重合体。 ｌｏｇＥａ≧４．６−０．０４×ｌｏｇＭＦＲ 式１ Ｃｘ＝σ／ＳＣＢ_ave 式２ σ：組成分布の標準偏差（１／１０００Ｃ） ＳＣＢ_ave ：１０００Ｃ当りの短鎖分岐の平均値（１／
   １０００Ｃ）
2. 【請求項２】（Ｅ）重量平均分子量が３００００〜６０
   ００００である請求項１記載のエチレン−αオレフィン
   共重合体。
3. 【請求項３】請求項１または２記載のエチレン−αオレ
   フィン共重合体から成形されてなることを特徴とする成
   形体。