JPH076419A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH076419A JPH076419A JP14812693A JP14812693A JPH076419A JP H076419 A JPH076419 A JP H076419A JP 14812693 A JP14812693 A JP 14812693A JP 14812693 A JP14812693 A JP 14812693A JP H076419 A JPH076419 A JP H076419A
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- Japan
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- magneto
- layer
- memory layer
- optical disk
- concentration
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光磁気ディスクに関し、オーバライ
ト可能な構造の光磁気ディスクにおいて、Ｃ／Ｎ比の向
上を実現することを目的とする。 【構成】 基板１１上に、メモリ層２１及び記録層１４
を有する。メモリ層２１は、層の厚さ方向上、Ｔb 濃度
が変化している。メモリ層２１のうち基板１１寄りの部
分は、Ｔb19 （Ｆe90 Ｃ010 ）81の組成を有し、カ−回
転角が大きい。メモリ層２１のうち記録層１４寄りの部
分は、Ｔb22 （Ｆe90 Ｃ010 ）78の組成を有し、記録層
１４とメモリ層２１との間の交換結合力は大きい構成で
ある。
ト可能な構造の光磁気ディスクにおいて、Ｃ／Ｎ比の向
上を実現することを目的とする。 【構成】 基板１１上に、メモリ層２１及び記録層１４
を有する。メモリ層２１は、層の厚さ方向上、Ｔb 濃度
が変化している。メモリ層２１のうち基板１１寄りの部
分は、Ｔb19 （Ｆe90 Ｃ010 ）81の組成を有し、カ−回
転角が大きい。メモリ層２１のうち記録層１４寄りの部
分は、Ｔb22 （Ｆe90 Ｃ010 ）78の組成を有し、記録層
１４とメモリ層２１との間の交換結合力は大きい構成で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に係り、
特に、光変調オーバライトに適用される光磁気記録媒体
に関する。
特に、光変調オーバライトに適用される光磁気記録媒体
に関する。
【０００２】光磁気ディスク装置を使用した情報処理装
置においては、データ転送速度の高速化が望まれてい
る。
置においては、データ転送速度の高速化が望まれてい
る。
【０００３】このために、光磁気ディスク装置は、磁性
層が単一である第１世代のオーバライトができないタイ
プから、磁性層を複数有して、光変調オーバライトが可
能なタイプへと移りつつある。
層が単一である第１世代のオーバライトができないタイ
プから、磁性層を複数有して、光変調オーバライトが可
能なタイプへと移りつつある。
【０００４】この場合に、第１世代並の高い信号品質
（約５５ｄＢと高いＣ／Ｎ比）が得られることが必要と
される。
（約５５ｄＢと高いＣ／Ｎ比）が得られることが必要と
される。
【０００５】
【従来の技術】図１３は光変調オーバライトが可能であ
る従来の光磁気ディスク１０の構造を示す。
る従来の光磁気ディスク１０の構造を示す。
【０００６】光磁気ディスク１０は、グルーブつきの基
板１１上に、Ｔb −ＳｉＯ2 膜の下地保護層１２、メモ
リ層１３、Ｔb4Ｄy26 Ｆe35 Ｃo35 膜の記録層１４、Ｔ
b −ＳｉＯ2 膜の上地保護層１５を有する構成である。
板１１上に、Ｔb −ＳｉＯ2 膜の下地保護層１２、メモ
リ層１３、Ｔb4Ｄy26 Ｆe35 Ｃo35 膜の記録層１４、Ｔ
b −ＳｉＯ2 膜の上地保護層１５を有する構成である。
【０００７】メモリ層１３と記録層１４とは交換結合力
によって交換結合している。
によって交換結合している。
【０００８】メモリ層１３は、Ｔb20 （Ｆe90 Ｃo10 ）
80膜よりなる。
80膜よりなる。
【０００９】このメモリ層１３を構成する膜は、膜厚方
向上組成が均一である。
向上組成が均一である。
【００１０】Ｔb の濃度は図１４に、線Ｉで示すよう
に、膜厚方向上、一定であり、１９．５ａｔ％である。
に、膜厚方向上、一定であり、１９．５ａｔ％である。
【００１１】Ｔb 濃度を１９．５ａｔ％としたのは、第
１世代の光磁気ディスクにおいて、磁性層のＴb 濃度
と、Ｃ／Ｎ比とが図１５中、線IIで示す関係にあること
に基づいている。
１世代の光磁気ディスクにおいて、磁性層のＴb 濃度
と、Ｃ／Ｎ比とが図１５中、線IIで示す関係にあること
に基づいている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記の光磁気ディスク
１０は、光変調オーバライトを行い、この後再生したと
きのＣ／Ｎ比が約５０ｄＢにとどまり、第１世代の光磁
気ディスクで得られていたＣ／Ｎ比の約５５ｄＢより相
当に低く、実用化する上で問題があった。
１０は、光変調オーバライトを行い、この後再生したと
きのＣ／Ｎ比が約５０ｄＢにとどまり、第１世代の光磁
気ディスクで得られていたＣ／Ｎ比の約５５ｄＢより相
当に低く、実用化する上で問題があった。
【００１３】また、本発明者は、Ｔb 濃度を増加したメ
モリ層を形成して、またＴb 濃度を減らしたメモリ層を
形成して実験を行ったけれども、Ｃ／Ｎ比は５０ｄＢ以
上には向上しなかった。
モリ層を形成して、またＴb 濃度を減らしたメモリ層を
形成して実験を行ったけれども、Ｃ／Ｎ比は５０ｄＢ以
上には向上しなかった。
【００１４】そこで、本発明は、Ｃ／Ｎ比の向上を図っ
た光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
た光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
上に、記録層に書き込まれた情報が転写されるメモリ層
及び情報が書き込まれる記録層を有する光磁気記録媒体
において、該メモリ層を、層の厚さ方向において組成の
所定の成分の濃度が変化しており、上記基板側は、カ−
回転角が最大である組成を有し、上記記録層側は、該記
録層との交換結合力が最良である組成を有する構成とし
たものである。
上に、記録層に書き込まれた情報が転写されるメモリ層
及び情報が書き込まれる記録層を有する光磁気記録媒体
において、該メモリ層を、層の厚さ方向において組成の
所定の成分の濃度が変化しており、上記基板側は、カ−
回転角が最大である組成を有し、上記記録層側は、該記
録層との交換結合力が最良である組成を有する構成とし
たものである。
【００１６】
【作用】請求項１のメモリ層のうち基板側の部分を、カ
−回転角が最大である組成とした構成は、キャリア
（Ｃ）を出し易くするように作用する。
−回転角が最大である組成とした構成は、キャリア
（Ｃ）を出し易くするように作用する。
【００１７】メモリ層のうち記録層側の部分を、記録層
との交換結合力が最良である組成とした構成は、記録層
に書き込まれた情報をメモリ層に転写するときのノイズ
（Ｎ）を少なくするように作用する。
との交換結合力が最良である組成とした構成は、記録層
に書き込まれた情報をメモリ層に転写するときのノイズ
（Ｎ）を少なくするように作用する。
【００１８】
〔第１実施例〕（図１乃至図６参照） 図１は本発明の第１実施例の光磁気ディスク２０を示
す。
す。
【００１９】光磁気ディスク２０は、メモリ層以外は、
図１３の光磁気ディスク１０の構成と同じであり、図１
中図１３に示す構成部分と対応する部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。
図１３の光磁気ディスク１０の構成と同じであり、図１
中図１３に示す構成部分と対応する部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。
【００２０】メモリ層２１は、Ｔbx（Ｆe90 Ｃo10 ）
100-x 製の膜であって、Ｔb の濃度が基板１１側から記
録層１４側にかけて、図２中、線IIで示すように、連続
的に変化した組成分布を有する。
100-x 製の膜であって、Ｔb の濃度が基板１１側から記
録層１４側にかけて、図２中、線IIで示すように、連続
的に変化した組成分布を有する。
【００２１】メモリ層２１のうち、基板１１側の面２１
ａの組成は、Ｔb19(Ｆe90 Ｃo10 ） 81である。
ａの組成は、Ｔb19(Ｆe90 Ｃo10 ） 81である。
【００２２】メモリ層２１のうち、記録層１４側の面２
１ｂの組成は、Ｔb22(Ｆe90 Ｃo10) 78である。
１ｂの組成は、Ｔb22(Ｆe90 Ｃo10) 78である。
【００２３】この光磁気ディスク１０においては、情報
をオーバライトで記録し、これを再生した時のＣ／Ｎ比
は５４ｄＢと高かった。Ｃ／Ｎ比５４ｄＢは第１世代の
光磁気ディスクのＣ／Ｎ比と略同等であった。
をオーバライトで記録し、これを再生した時のＣ／Ｎ比
は５４ｄＢと高かった。Ｃ／Ｎ比５４ｄＢは第１世代の
光磁気ディスクのＣ／Ｎ比と略同等であった。
【００２４】次に、上記の光磁気ディスク２０が高いＣ
／Ｎ比を有する理由について説明する。
／Ｎ比を有する理由について説明する。
【００２５】光磁気ディスク２０へのオーバライトは、
情報を記録層１４に記録し、記録層１４に記録さた情報
をメモリ層２１に転写することにより行われる。その後
記録層１４は初期化される。
情報を記録層１４に記録し、記録層１４に記録さた情報
をメモリ層２１に転写することにより行われる。その後
記録層１４は初期化される。
【００２６】オーバライトされた光磁気ディスク２０
は、レーザ光２２を基板１１側からメモリ層２１に照射
し、レーザ光２２の偏光面をカ−回転させ、このカ−回
転角の変化を検知することにより再生される。
は、レーザ光２２を基板１１側からメモリ層２１に照射
し、レーザ光２２の偏光面をカ−回転させ、このカ−回
転角の変化を検知することにより再生される。
【００２７】上記の光磁気ディスク２０が高いＣ／Ｎ比
を有するのは、次の二つの理由による。
を有するのは、次の二つの理由による。
【００２８】第１には、記録層１４からメモリ層１３へ
情報を転写するときのノイズが小さいためである。
情報を転写するときのノイズが小さいためである。
【００２９】第２には、カ−回転角が大きいためであ
る。
る。
【００３０】転写の際のノイズが小さい。
【００３１】発明者は、Ｔbx（Ｆe90 Ｃo10 ）100-x の
組成において、Ｔb の濃度を種々に変えて、そのときの
膜とＴb Ｄy Ｆe Ｃo 膜との交換結合力を調べた。
組成において、Ｔb の濃度を種々に変えて、そのときの
膜とＴb Ｄy Ｆe Ｃo 膜との交換結合力を調べた。
【００３２】その結果、Ｔb の濃度が２２％±１％の範
囲内にあるときが、交換結合力が強いことが分かった。
囲内にあるときが、交換結合力が強いことが分かった。
【００３３】交換結合力が強いということは、記録層に
記録された情報がメモリ層に転写されるときに発生する
エラー、即ちノイズが少ないことを意味する。
記録された情報がメモリ層に転写されるときに発生する
エラー、即ちノイズが少ないことを意味する。
【００３４】情報の転写性の良否は、メモリ層のうち記
録層例の組成により決定される。
録層例の組成により決定される。
【００３５】本実施例において、メモリ層２１の記録層
１４側の面２１ｂ側のＴb 濃度は、２２％である。
１４側の面２１ｂ側のＴb 濃度は、２２％である。
【００３６】このため、記録層１４に書き込まれた情報
は、ノイズを殆ど伴うことなく、メモリ層２１に転写さ
れる。
は、ノイズを殆ど伴うことなく、メモリ層２１に転写さ
れる。
【００３７】これにより、Ｎのレベルが下がる。
【００３８】カ−回転角が大きい。
【００３９】Ｔbx（Ｆe90 Ｃo10 ）100-x のＴb 濃度Ｘ
とカ−回転角θk とは、図３中、線Ｉで示す関係にある
ことが知られている。
とカ−回転角θk とは、図３中、線Ｉで示す関係にある
ことが知られている。
【００４０】Ｔb の濃度が約１９ａｔ％の場合に、カ−
回転角θk は略最大となる。
回転角θk は略最大となる。
【００４１】再生時のレーザ光の偏光面のカ−回転角を
決めるのは、メモリ層のうち基板側の面である。
決めるのは、メモリ層のうち基板側の面である。
【００４２】本実施例では、メモリ層２１のうち基板１
１側の面２１ａ側のＴb の濃度は、１８％である。
１側の面２１ａ側のＴb の濃度は、１８％である。
【００４３】このため、再生時のレーザ光の偏光面のカ
−回転角は大きく、キャリアが出る。
−回転角は大きく、キャリアが出る。
【００４４】これにより、Ｃのレベルが増す。次に、上
記光磁気ディスク２０のメモリ層２１の形成方法につい
て説明する。まず、発明者が行なった実験のデータにつ
いて説明する。
記光磁気ディスク２０のメモリ層２１の形成方法につい
て説明する。まず、発明者が行なった実験のデータにつ
いて説明する。
【００４５】発明者はスパッタ装置のチャンバ内にＴb
のターゲットとＦe90 Ｃo10 のターゲットを並べて置い
て、Ｆe90 Ｃo10 のスパッタ電力を１．５ｋｗに一定に
定め、Ｔb のスパッタ電力を適宜変えて、Ｔb Ｆe Ｃo
膜を形成し、形成された膜のＴb の濃度を測定する実験
を行った。
のターゲットとＦe90 Ｃo10 のターゲットを並べて置い
て、Ｆe90 Ｃo10 のスパッタ電力を１．５ｋｗに一定に
定め、Ｔb のスパッタ電力を適宜変えて、Ｔb Ｆe Ｃo
膜を形成し、形成された膜のＴb の濃度を測定する実験
を行った。
【００４６】この結果、Ｔb のスパッタ電力とＴb Ｆe
Ｃo 膜のＴb 濃度との間に図４中、線IVで示す関係があ
ることが分かった。
Ｃo 膜のＴb 濃度との間に図４中、線IVで示す関係があ
ることが分かった。
【００４７】メモリ層２１の形成は、上記の結果を利用
している。
している。
【００４８】メモリ層２１及び記録層１４は、図５に示
すスパッタ装置３０を使用して形成した。
すスパッタ装置３０を使用して形成した。
【００４９】装置３０は、チャンバ３１の内部に、下面
に基板１１を保持して、公転しながら自転する基板ホル
ダ３２、三つのマグネトロンスパッタ用カソード３
３-1，３３-2，３３-3、３つのシャッタ３４-1，３
４-2，３４-3を有し、チャンバ３１の外部に、三つのＤ
Ｃ電源３５-1，３５-2，３５-3を有する構成である。
に基板１１を保持して、公転しながら自転する基板ホル
ダ３２、三つのマグネトロンスパッタ用カソード３
３-1，３３-2，３３-3、３つのシャッタ３４-1，３
４-2，３４-3を有し、チャンバ３１の外部に、三つのＤ
Ｃ電源３５-1，３５-2，３５-3を有する構成である。
【００５０】カソード３３-1上にＴb のターゲット３
６、カソード３３-2上にＦe90 Ｃo10のターゲット３
７、カソード３３-3上にＴb4Ｄy26 Ｆe35 Ｃo35 のター
ゲット３８を載置する。
６、カソード３３-2上にＦe90 Ｃo10のターゲット３
７、カソード３３-3上にＴb4Ｄy26 Ｆe35 Ｃo35 のター
ゲット３８を載置する。
【００５１】チャンバ３１内のＡr ガス圧は０．５Ｐａ
とし一定に保つ。
とし一定に保つ。
【００５２】シャッタ３４-1と３４-2とを開き、電源３
５-2の出力を１．５ｋｗの一定とし、電源３５-1の電圧
を、図６中、線Ｖで示すように約０．２ｋｗから約０．
３ｋｗへと直線的に変化させる。これにより、図２に線
IIで示す組成分布を有するメモリ層２１が形成される。
続いて、シャッタ３４-1，３４-2を閉じ、シャッタ３４
-3を開き、電源３５-3により０．５ｋｗのスパッタ電力
を加える。
５-2の出力を１．５ｋｗの一定とし、電源３５-1の電圧
を、図６中、線Ｖで示すように約０．２ｋｗから約０．
３ｋｗへと直線的に変化させる。これにより、図２に線
IIで示す組成分布を有するメモリ層２１が形成される。
続いて、シャッタ３４-1，３４-2を閉じ、シャッタ３４
-3を開き、電源３５-3により０．５ｋｗのスパッタ電力
を加える。
【００５３】これによりメモリ層２１上に記録層１４が
形成される。
形成される。
【００５４】次に、本発明の別の実施例について説明す
る。
る。
【００５５】〔第２実施例〕（図７，図８参照） 光磁気ディスク４０は、図７に示す構造を有し、メモリ
層４１を有する。
層４１を有する。
【００５６】メモリ層４１の厚さ方向上のＴb の濃度分
布は、図８中、線VIで示す如くである。Ｔb 濃度は、膜
厚の中心付近で変化している。メモリ層４１のうち基板
１１寄りの約半分の部分４１ａは、Ｔb 濃度が１９ａｔ
％で一定であり、記録層１４寄りの約半分の部分４１ｂ
は、Ｔb 濃度が２２ａｔ％で一定である。
布は、図８中、線VIで示す如くである。Ｔb 濃度は、膜
厚の中心付近で変化している。メモリ層４１のうち基板
１１寄りの約半分の部分４１ａは、Ｔb 濃度が１９ａｔ
％で一定であり、記録層１４寄りの約半分の部分４１ｂ
は、Ｔb 濃度が２２ａｔ％で一定である。
【００５７】この光磁気ディスク４０のＣ／Ｎ比は、５
４ｄＢであった。
４ｄＢであった。
【００５８】上記メモリ層４１は、Ｔb スパッタ電力
を、図６中、線VII で示すように制御することによって
形成される。
を、図６中、線VII で示すように制御することによって
形成される。
【００５９】〔第３実施例〕（図９，図１０参照） 光磁気ディスク５０は、メモリ層５１を有する。
【００６０】メモリ層５１のＴb の濃度分布は、図１０
中、線VIIIで示す如くである。Ｔb濃度は、膜厚のうち
中心より基板１１側寄りの部分で変化している。
中、線VIIIで示す如くである。Ｔb濃度は、膜厚のうち
中心より基板１１側寄りの部分で変化している。
【００６１】メモリ層５１のうち、基板１１寄りの約１
／４の厚さの部分５１ａは、Ｔb 濃度が１９ａｔ％で一
定であり、記録層１４寄りの約３／４の厚さの部分５１
ｂは、Ｔb 濃度が２２ａｔ％で一定である。
／４の厚さの部分５１ａは、Ｔb 濃度が１９ａｔ％で一
定であり、記録層１４寄りの約３／４の厚さの部分５１
ｂは、Ｔb 濃度が２２ａｔ％で一定である。
【００６２】この光磁気ディスク５０のＣ／Ｎ比は、５
２ｄＢであった。
２ｄＢであった。
【００６３】〔第４実施例〕（図１１，図１２参照） 光磁気ディスク６０は、メモリ層６１を有する。
【００６４】メモリ層６１のＴb の濃度分布は、図１１
中、線IXで示す如くである。Ｔb 濃度は、膜厚のうち中
心より記録層１４側寄りの部分で変化している。
中、線IXで示す如くである。Ｔb 濃度は、膜厚のうち中
心より記録層１４側寄りの部分で変化している。
【００６５】メモリ層６１のうち、基板１１寄りの約３
／４の厚さの部分６１ａは、Ｔb 濃度が１９ａｔ％で一
定であり、記録層１４寄りの約１／４の厚さの部分６１
ｂは、Ｔb 濃度が２２ａｔ％で一定である。
／４の厚さの部分６１ａは、Ｔb 濃度が１９ａｔ％で一
定であり、記録層１４寄りの約１／４の厚さの部分６１
ｂは、Ｔb 濃度が２２ａｔ％で一定である。
【００６６】この光磁気ディスク６０のＣ／Ｎ比は、５
２ｄＢであった。
２ｄＢであった。
【００６７】上記のメモリ層５１，６１は、Ｔb スパッ
タ電力（ＤＣ電源３５-1の出力電力）を、スパッタ中に
ステップ的に変化させることにより、形成できる。
タ電力（ＤＣ電源３５-1の出力電力）を、スパッタ中に
ステップ的に変化させることにより、形成できる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来に比べて、Ｃ／Ｎ比が高く、第１世代の光磁気ディ
スクによって得られた程度のＣ／Ｎ比を得ることが出来
る、オーバライトが可能な光磁気記録媒体を実現出来
る。
従来に比べて、Ｃ／Ｎ比が高く、第１世代の光磁気ディ
スクによって得られた程度のＣ／Ｎ比を得ることが出来
る、オーバライトが可能な光磁気記録媒体を実現出来
る。
【図１】本発明の第１実施例の光磁気ディスクの構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１の光磁気ディスクのメモリ層の膜厚方向の
Ｔb 濃度分布を示す図である。
Ｔb 濃度分布を示す図である。
【図３】Ｔbx（Ｆe90 Ｃo10 ）100-x のＴb 濃度Ｘとカ
−回転角θk との関係を示す図である。
−回転角θk との関係を示す図である。
【図４】Ｔb スパッタ電力と、形成されたＴb Ｆe Ｃo
層のＴb 濃度との関係を示す図である。
層のＴb 濃度との関係を示す図である。
【図５】図１の光磁気ディスクの製造に使用したスパッ
タ装置を示す図である。
タ装置を示す図である。
【図６】メモリ層形成時のＴb スパッタ電力を加える態
様を示す図である。
様を示す図である。
【図７】本発明の第２実施例の光磁気ディスクの構造を
示す図である。
示す図である。
【図８】図７の光磁気ディスクのメモリ層の膜厚方向の
Ｔb 濃度分布を示す図である。
Ｔb 濃度分布を示す図である。
【図９】本発明の第３実施例の光磁気ディスクの構造を
示す図である。
示す図である。
【図１０】図９の光磁気ディスクのメモリ層の膜厚方向
のＴb 濃度分布を示す図である。
のＴb 濃度分布を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施例の光磁気ディスクの構造
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】図１１の光磁気ディスクのメモリ層の膜厚方
向のＴb 濃度分布を示す図である。
向のＴb 濃度分布を示す図である。
【図１３】従来の光磁気ディスクの１例の構造を示す図
である。
である。
【図１４】図１３の光磁気ディスクのメモリ層の膜厚方
向のＴb 濃度分布を示す図である。
向のＴb 濃度分布を示す図である。
【図１５】図１３の光磁気ディスクのメモリ層のＴb 濃
度を１９．５ａｔ％としている根拠を説明する図であ
る。
度を１９．５ａｔ％としている根拠を説明する図であ
る。
１１ 基板 １２ 下地保護層 １４ 記録層 １５ 上地保護層 ２０，４０，５０，６０ 光磁気ディスク ２１，４１，５１，６１メモリ層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、記録層に書き込まれた情報が
転写されるメモリ層及び情報が書き込まれる記録層を有
する光磁気記録媒体において、 該メモリ層を、 層の厚さ方向において組成の所定の成分の濃度が変化し
ており、 上記基板側は、カ−回転角が最大である組成を有し、 上記記録層側は、該記録層との交換結合力が最良である
組成を有する構成としたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 請求項１のメモリ層は、上記基板側がＴ
b19 （Ｆe90 Ｃo10）81の組成を有し、上記記録層側が
Ｔb22 （Ｆe90 Ｃo10 ）78の組成を有する構成としたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14812693A JPH076419A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14812693A JPH076419A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076419A true JPH076419A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15445845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14812693A Withdrawn JPH076419A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8359712B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-01-29 | Kabushiki Kaisha Honda Lock | Vehicle door outer handle device |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP14812693A patent/JPH076419A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8359712B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-01-29 | Kabushiki Kaisha Honda Lock | Vehicle door outer handle device |
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