JPH0765345A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｓ／Ｎの大きな磁気記録媒体を提供する。
【構成】強磁性金属薄膜として、２５℃で測定した印加
磁界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域で
の磁気粘性の揺らぎ場の平均値が１５エールステッド以
上、３０エールステッド以下であり、保磁力が７００エ
ールステッド以上、２０００エールステッド以下である
強磁性薄膜を用いる。
磁界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域で
の磁気粘性の揺らぎ場の平均値が１５エールステッド以
上、３０エールステッド以下であり、保磁力が７００エ
ールステッド以上、２０００エールステッド以下である
強磁性薄膜を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性金属薄膜磁気記
録媒体及び磁気記録再生装置に係り、特に、電磁変換特
性に優れた磁気記録媒体および大容量の磁気記録再生装
置に関する。
録媒体及び磁気記録再生装置に係り、特に、電磁変換特
性に優れた磁気記録媒体および大容量の磁気記録再生装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の記録密度の向上，高出力
化，低ノイズ化には塗布型媒体では磁性粉、薄膜媒体で
は結晶粒子の微細化が不可欠である。たとえば、従来よ
り検討されてきた鉄粉を用いた媒体では、微細化が進
み、現在では長軸長約０.２μｍ，軸径約０.０３μｍ
の微細粉を用いたＨｉ−８などの高性能テープが実用化
されつつある。
化，低ノイズ化には塗布型媒体では磁性粉、薄膜媒体で
は結晶粒子の微細化が不可欠である。たとえば、従来よ
り検討されてきた鉄粉を用いた媒体では、微細化が進
み、現在では長軸長約０.２μｍ，軸径約０.０３μｍ
の微細粉を用いたＨｉ−８などの高性能テープが実用化
されつつある。
【０００３】ところで、磁性媒体の磁性粉あるいは結晶
粒子が微細でも、磁性粉がクラスター状の塊になってい
たり結晶粒子間の相互作用が強い場合には、複数の粒子
が一団となって磁化反転して記録されるようになる。こ
のように、複数の粒子が一団となって磁化反転し、磁化
反転単位が大きくなると、再生時のノイズが増す。この
ため、高密度化の大きな障害になる。
粒子が微細でも、磁性粉がクラスター状の塊になってい
たり結晶粒子間の相互作用が強い場合には、複数の粒子
が一団となって磁化反転して記録されるようになる。こ
のように、複数の粒子が一団となって磁化反転し、磁化
反転単位が大きくなると、再生時のノイズが増す。この
ため、高密度化の大きな障害になる。
【０００４】磁化反転単位の大きさは磁気粘性と関連が
ある。すなわち、磁気粘性の揺らぎ場が大きいほど磁化
反転単位は小さいと考えられている。
ある。すなわち、磁気粘性の揺らぎ場が大きいほど磁化
反転単位は小さいと考えられている。
【０００５】磁気粘性の揺らぎ場の意味、および測定方
法については、ジャーナルオブフィジックスＦメタルフ
ィジックス１４巻Ｌ１５５ページからＬ１５９ページ
（1984年発行）に記載されている。
法については、ジャーナルオブフィジックスＦメタルフ
ィジックス１４巻Ｌ１５５ページからＬ１５９ページ
（1984年発行）に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、再生
時のノイズを低減し、高密度記録に適する磁気記録媒体
及び磁気記録再生装置を提供することにある。
時のノイズを低減し、高密度記録に適する磁気記録媒体
及び磁気記録再生装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、本発明では磁化反転単位を極力小さくするように
検討したところ、磁化反転単位の大きさを判断する基準
として磁気粘性の揺らぎ場を用い、印加磁界強度が残留
磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での磁気粘性の揺
らぎ場の２５℃での平均値が１５エールステッド以上、
３０エールステッド以下であり、保磁力が７００エール
ステッド以上、２０００エールステッド以下である強磁
性薄膜を用い、磁性層の厚さを０.１μｍ以上、０.１８
μｍ以下とすることにより、ノイズレベルを著しく低く
できることを見出した。また、強磁性薄膜がＣｏ−Ｏ，
Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等のコバルトを含有す
る薄膜であることが望ましいことが分かった。
ため、本発明では磁化反転単位を極力小さくするように
検討したところ、磁化反転単位の大きさを判断する基準
として磁気粘性の揺らぎ場を用い、印加磁界強度が残留
磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での磁気粘性の揺
らぎ場の２５℃での平均値が１５エールステッド以上、
３０エールステッド以下であり、保磁力が７００エール
ステッド以上、２０００エールステッド以下である強磁
性薄膜を用い、磁性層の厚さを０.１μｍ以上、０.１８
μｍ以下とすることにより、ノイズレベルを著しく低く
できることを見出した。また、強磁性薄膜がＣｏ−Ｏ，
Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等のコバルトを含有す
る薄膜であることが望ましいことが分かった。
【０００８】
【作用】本発明の磁気記録媒体は磁化反転の際のクラス
タサイズを小さくできるので、ノイズレベルが低く、Ｓ
／Ｎを高くすることができる。磁極の一部に金属磁性膜
を用いた磁気ヘッドと組み合わせることにより、急峻に
記録できる媒体の性能を引き出せるので大容量の記録再
生装置を提供することができる。
タサイズを小さくできるので、ノイズレベルが低く、Ｓ
／Ｎを高くすることができる。磁極の一部に金属磁性膜
を用いた磁気ヘッドと組み合わせることにより、急峻に
記録できる媒体の性能を引き出せるので大容量の記録再
生装置を提供することができる。
【０００９】
【実施例】以下図面を参照しながら本発明の概要につい
て説明する。図１は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図
である。図１で、１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテ
ルサルフォンアラミド等の高分子フィルムで、必要に応
じて、微粒子を均一分散塗布、あるいは不連続皮膜内に
分散塗布した面を配したものを用いても良い。２および
３はＣｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，
Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等のコ
バルトを主成分とする強磁性薄膜で、この実施例では磁
性層２および３の二層構造になっている。４は保護潤滑
層で、炭素膜，酸化膜，プラズマ重合膜，脂肪酸，パー
フルオロカルボン酸，パーフルオロポリエーテル等を用
いることができる。５は樹脂とフィラーを混合分散した
バックコート層である。磁性層２には、２５℃で揺らぎ
場を測定し、印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域でのその平均値が１５エールステッド
以上、３０エールステッド以下であり、保磁力が７００
エールステッド以上、２０００エールステッド以下であ
る強磁性薄膜を用い、磁性層の全体の厚さを０.１μｍ
以上、０.１８μｍ以下とすることが望ましい。また、
強磁性薄膜がＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｐｔ，Ｈｆ，Ｓｉからなる群の中の少なくとも一種を含
むコバルト基磁性合金薄膜であることが望ましい。
て説明する。図１は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図
である。図１で、１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテ
ルサルフォンアラミド等の高分子フィルムで、必要に応
じて、微粒子を均一分散塗布、あるいは不連続皮膜内に
分散塗布した面を配したものを用いても良い。２および
３はＣｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，
Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等のコ
バルトを主成分とする強磁性薄膜で、この実施例では磁
性層２および３の二層構造になっている。４は保護潤滑
層で、炭素膜，酸化膜，プラズマ重合膜，脂肪酸，パー
フルオロカルボン酸，パーフルオロポリエーテル等を用
いることができる。５は樹脂とフィラーを混合分散した
バックコート層である。磁性層２には、２５℃で揺らぎ
場を測定し、印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域でのその平均値が１５エールステッド
以上、３０エールステッド以下であり、保磁力が７００
エールステッド以上、２０００エールステッド以下であ
る強磁性薄膜を用い、磁性層の全体の厚さを０.１μｍ
以上、０.１８μｍ以下とすることが望ましい。また、
強磁性薄膜がＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｐｔ，Ｈｆ，Ｓｉからなる群の中の少なくとも一種を含
むコバルト基磁性合金薄膜であることが望ましい。
【００１０】上記の例では、磁気テープを対象としてい
るが、磁気ディスクなどの磁気記録媒体でも本発明は有
効である。以下には、従来の媒体を比較例として示し、
本発明の内容を実施例を示して詳しく説明する。
るが、磁気ディスクなどの磁気記録媒体でも本発明は有
効である。以下には、従来の媒体を比較例として示し、
本発明の内容を実施例を示して詳しく説明する。
【００１１】（比較例）従来法に従って強磁性薄膜をポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に形成した比較例
である。厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ含量：２０重量％）を微量
の酸素を含む真空中で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを成
分とする柱状微粒子からなる磁性層を形成した。この
際、酸素導入量は３００ｃｃ／分とした。また、磁性層
の膜厚は、０.１μｍ(テープＡ），０.１４μｍ（テー
プＢ）および０.１８μｍ（テープＣ）とした。これら
テープの長手方向に磁場を印加して測定した保磁力は、
それぞれ１０００エールステッド、１３００エールステ
ッドおよび１３５０エールステッドであった。また、こ
れらのテープについて磁気粘性の揺らぎ場を２５℃で測
定した。印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.
２倍の領域での揺らぎ場の平均値は、テープＡが１４エ
ールステッド、テープＢが１２エールステッド、テープ
Ｃが１０エールステッドであった。さらに、７ＭＨｚで
記録した際のＳ／ＮはテープＡを０ｄＢとすると、テー
プＢは＋０.２ｄＢ，テープＣは＋０.１ｄＢであった。
リエチレンテレフタレートフィルム上に形成した比較例
である。厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ含量：２０重量％）を微量
の酸素を含む真空中で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを成
分とする柱状微粒子からなる磁性層を形成した。この
際、酸素導入量は３００ｃｃ／分とした。また、磁性層
の膜厚は、０.１μｍ(テープＡ），０.１４μｍ（テー
プＢ）および０.１８μｍ（テープＣ）とした。これら
テープの長手方向に磁場を印加して測定した保磁力は、
それぞれ１０００エールステッド、１３００エールステ
ッドおよび１３５０エールステッドであった。また、こ
れらのテープについて磁気粘性の揺らぎ場を２５℃で測
定した。印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.
２倍の領域での揺らぎ場の平均値は、テープＡが１４エ
ールステッド、テープＢが１２エールステッド、テープ
Ｃが１０エールステッドであった。さらに、７ＭＨｚで
記録した際のＳ／ＮはテープＡを０ｄＢとすると、テー
プＢは＋０.２ｄＢ，テープＣは＋０.１ｄＢであった。
【００１２】（実施例１）磁性層を単層ないしは二層と
し、合計膜厚を０.１μｍ とした実施例である。二層の
場合には、磁性層間に極めて薄い非磁性酸化物を介し
た。比較例と同様に、厚さ１０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ含量：２０重
量％）を微量の酸素を含む真空中で斜め蒸着し、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｏを成分とする柱状微粒子からなる磁性層を形成
した。この際、酸素導入量は１００ｃｃ／分から５００
ｃｃ／分まで変化させ、蒸着時のポリエチレンテレフタ
レートフィルム基板の温度を５℃から５０℃まで変え
て、総計３０個のテープを作製した。このうち、１０個
は磁性層を単層としたものであり、他の２０個は、0.05
μｍ厚の磁性層を非磁性酸化物層を介して二層重ねたも
のである。磁性層が単層の場合の１０個のテープの保磁
力は９５０エールステッドから１６５０エールステッド
まで分布した。また、印加磁界強度が残留磁化保磁力の
０.８から１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値（測定温
度：２５℃）は、１０.５ エールステッドから１４.８
エールステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで
記録した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄ
Ｂとすると、−２.３ｄＢ から＋０.３ｄＢ までの範囲
に分布した。このように、磁性層が単層の場合には、酸
素導入量やポリエチレンテレフタレートフィルム基板の
温度を変えてもＳ／Ｎを大きく向上させることはできな
かった。
し、合計膜厚を０.１μｍ とした実施例である。二層の
場合には、磁性層間に極めて薄い非磁性酸化物を介し
た。比較例と同様に、厚さ１０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ含量：２０重
量％）を微量の酸素を含む真空中で斜め蒸着し、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｏを成分とする柱状微粒子からなる磁性層を形成
した。この際、酸素導入量は１００ｃｃ／分から５００
ｃｃ／分まで変化させ、蒸着時のポリエチレンテレフタ
レートフィルム基板の温度を５℃から５０℃まで変え
て、総計３０個のテープを作製した。このうち、１０個
は磁性層を単層としたものであり、他の２０個は、0.05
μｍ厚の磁性層を非磁性酸化物層を介して二層重ねたも
のである。磁性層が単層の場合の１０個のテープの保磁
力は９５０エールステッドから１６５０エールステッド
まで分布した。また、印加磁界強度が残留磁化保磁力の
０.８から１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値（測定温
度：２５℃）は、１０.５ エールステッドから１４.８
エールステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで
記録した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄ
Ｂとすると、−２.３ｄＢ から＋０.３ｄＢ までの範囲
に分布した。このように、磁性層が単層の場合には、酸
素導入量やポリエチレンテレフタレートフィルム基板の
温度を変えてもＳ／Ｎを大きく向上させることはできな
かった。
【００１３】他方、０.０５μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねた２０個のテープの保磁力は、
６００エールステッドから１３５０エールステッドまで
の範囲に分布した。また、２５℃で測定した印加磁界強
度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での揺ら
ぎ場の平均値は、１６.５エールステッドから35.8エー
ルステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで記録
した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄＢと
すると、−３.２ｄＢから＋１.８ｄＢまでの範囲に分布
した。これらのデータをもとにテープＡのＳ／Ｎを０ｄ
Ｂとして、Ｓ／Ｎが＋１.０ｄＢ 以上向上した領域を保
磁力Ｈｃを縦軸、２５℃で測定した印加磁界強度Ｈが残
留磁化保磁力Ｈｒの０.８から１.２倍の領域での揺らぎ
場の平均値を横軸としてプロットすると、図２に示した
ようになった。なお、この際、磁気粘性の測定時間は０
から３０分とした。図２において白丸はＳ／Ｎがテ−プ
Ａよりも１.０ｄＢ以上向上したことを示し、黒丸は１.
０ｄＢ以上向上しなかったことを示す。図２から明らか
なように、保磁力が７００エールステッド以上であり、
２５℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.
８から１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値が、１５エ
ールステッド以上の場合には、Ｓ／Ｎを＋１．０ｄＢ以
上向上させることができる。
化物層を介して二層重ねた２０個のテープの保磁力は、
６００エールステッドから１３５０エールステッドまで
の範囲に分布した。また、２５℃で測定した印加磁界強
度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での揺ら
ぎ場の平均値は、１６.５エールステッドから35.8エー
ルステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで記録
した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄＢと
すると、−３.２ｄＢから＋１.８ｄＢまでの範囲に分布
した。これらのデータをもとにテープＡのＳ／Ｎを０ｄ
Ｂとして、Ｓ／Ｎが＋１.０ｄＢ 以上向上した領域を保
磁力Ｈｃを縦軸、２５℃で測定した印加磁界強度Ｈが残
留磁化保磁力Ｈｒの０.８から１.２倍の領域での揺らぎ
場の平均値を横軸としてプロットすると、図２に示した
ようになった。なお、この際、磁気粘性の測定時間は０
から３０分とした。図２において白丸はＳ／Ｎがテ−プ
Ａよりも１.０ｄＢ以上向上したことを示し、黒丸は１.
０ｄＢ以上向上しなかったことを示す。図２から明らか
なように、保磁力が７００エールステッド以上であり、
２５℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.
８から１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値が、１５エ
ールステッド以上の場合には、Ｓ／Ｎを＋１．０ｄＢ以
上向上させることができる。
【００１４】合計膜厚が０．０８μｍ 以下の場合に
は、磁性層が単層の場合のみならず二層の場合にもＳ／
Ｎを＋１.０ｄＢ 以上向上させることはできなかった。
は、磁性層が単層の場合のみならず二層の場合にもＳ／
Ｎを＋１.０ｄＢ 以上向上させることはできなかった。
【００１５】（実施例２）磁性層を単層ないしは二層と
し、合計膜厚を０.１４μｍ とした実施例である。二層
の場合には、磁性層間に非磁性酸化物を介した。比較例
と同様に、厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上にＣｏ−Ｎｉを微量の酸素を含む真空中で斜
め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを成分とする柱状微粒子から
なる磁性層を形成した。Ｃｏ−Ｎｉ合金中のＮｉ含量は
１３から２５重量％とした。さらに、酸素導入量を１０
０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分まで変化させ、蒸着時の
ポリエチレンテレフタレートフィルム基板の温度を５℃
から５０℃まで変えて、総計４０個のテープを作製し
た。このうち、２０個は磁性層を単層としたものであ
り、他の２０個は、０.０７μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねたものである。磁性層が単層の
場合の２０個のテープの保磁力は９４０エールステッド
から１８３０エールステッドまで分布した。また、２５
℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値は、８.４エール
ステッドから１２.６エールステッドの範囲に分布し
た。さらに、７ＭＨｚで記録した際のＳ／Ｎは、比較例
に示したテープＡを０ｄＢとすると、−１.８ｄＢから
＋０.４ｄＢまでの範囲に分布した。このように、磁性
層が単層の場合には、酸素導入量やポリエチレンテレフ
タレートフィルム基板の温度を変えてもＳ／Ｎを大きく
向上させることはできなかった。
し、合計膜厚を０.１４μｍ とした実施例である。二層
の場合には、磁性層間に非磁性酸化物を介した。比較例
と同様に、厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上にＣｏ−Ｎｉを微量の酸素を含む真空中で斜
め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを成分とする柱状微粒子から
なる磁性層を形成した。Ｃｏ−Ｎｉ合金中のＮｉ含量は
１３から２５重量％とした。さらに、酸素導入量を１０
０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分まで変化させ、蒸着時の
ポリエチレンテレフタレートフィルム基板の温度を５℃
から５０℃まで変えて、総計４０個のテープを作製し
た。このうち、２０個は磁性層を単層としたものであ
り、他の２０個は、０.０７μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねたものである。磁性層が単層の
場合の２０個のテープの保磁力は９４０エールステッド
から１８３０エールステッドまで分布した。また、２５
℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値は、８.４エール
ステッドから１２.６エールステッドの範囲に分布し
た。さらに、７ＭＨｚで記録した際のＳ／Ｎは、比較例
に示したテープＡを０ｄＢとすると、−１.８ｄＢから
＋０.４ｄＢまでの範囲に分布した。このように、磁性
層が単層の場合には、酸素導入量やポリエチレンテレフ
タレートフィルム基板の温度を変えてもＳ／Ｎを大きく
向上させることはできなかった。
【００１６】他方、０.０７μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねた２０個のテープの保磁力は、
６８０エールステッドから１４７０エールステッドまで
の範囲に分布した。また２５℃で測定した印加磁界強度
が残留磁化保磁力の０.８ から１.２倍の領域での揺ら
ぎ場の平均値は、１４.６エールステッドから３０.４エ
ールステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで記
録した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄＢ
とすると、−１.４ｄＢから＋２.１ｄＢまでの範囲に分
布した。これらのデータをもとにテープＡのＳ／Ｎを０
ｄＢとして、Ｓ／Ｎが＋１.０ｄＢ 以上向上した領域を
保磁力Ｈｃを縦軸、２５℃で測定した印加磁界強度が残
留磁化保磁力Ｈｒの０.８から１.２倍の領域での揺らぎ
場の平均値を横軸としてプロットすると、図３に示した
ようになった。図３から明らかなように、保磁力が７０
０エールステッド以上であり、２５℃で測定した印加磁
界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での
揺らぎ場の平均値が、１５エールステッド以上、３０エ
ールステッド以下の場合には、Ｓ／Ｎを＋1.0ｄＢ以上
向上させることができる。
化物層を介して二層重ねた２０個のテープの保磁力は、
６８０エールステッドから１４７０エールステッドまで
の範囲に分布した。また２５℃で測定した印加磁界強度
が残留磁化保磁力の０.８ から１.２倍の領域での揺ら
ぎ場の平均値は、１４.６エールステッドから３０.４エ
ールステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで記
録した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄＢ
とすると、−１.４ｄＢから＋２.１ｄＢまでの範囲に分
布した。これらのデータをもとにテープＡのＳ／Ｎを０
ｄＢとして、Ｓ／Ｎが＋１.０ｄＢ 以上向上した領域を
保磁力Ｈｃを縦軸、２５℃で測定した印加磁界強度が残
留磁化保磁力Ｈｒの０.８から１.２倍の領域での揺らぎ
場の平均値を横軸としてプロットすると、図３に示した
ようになった。図３から明らかなように、保磁力が７０
０エールステッド以上であり、２５℃で測定した印加磁
界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での
揺らぎ場の平均値が、１５エールステッド以上、３０エ
ールステッド以下の場合には、Ｓ／Ｎを＋1.0ｄＢ以上
向上させることができる。
【００１７】（実施例３）磁性層を単層ないしは二層と
し、合計膜厚を０.１８μｍ とした実施例である。二層
の場合には、磁性層間に非磁性酸化物を介した。比較例
と同様に、厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上にＣｏ−Ｎｉを微量の酸素を含む真空中で斜
め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを成分とする柱状微粒子から
なる磁性層を形成した。Ｃｏ−Ｎｉ合金中のＮｉ含量は
１３から２５重量％とした。さらに、酸素導入量を１０
０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分まで変化させ、蒸着時の
ポリエチレンテレフタレートフィルム基板の温度を５℃
から５０℃まで変えて、総計４０個のテープを作製し
た。このうち、２０個は磁性層を単層としたものであ
り、他の２０個は、０.０９μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねたものである。磁性層が単層の
場合の２０個のテープの保磁力は９８０エールステッド
から１８６０エールステッドまで分布した。また、２５
℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値は、７.３エール
ステッドから１２.１エールステッドの範囲に分布し
た。さらに、７ＭＨｚで記録した際のＳ／Ｎは、比較例
に示したテープＡを０ｄＢとすると、−２.１ｄＢから
＋０.２ｄＢまでの範囲に分布した。このように、磁性
層が単層の場合には、酸素導入量やポリエチレンテレフ
タレートフィルム基板の温度を変えてもＳ／Ｎを大きく
向上させることはできなかった。
し、合計膜厚を０.１８μｍ とした実施例である。二層
の場合には、磁性層間に非磁性酸化物を介した。比較例
と同様に、厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上にＣｏ−Ｎｉを微量の酸素を含む真空中で斜
め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを成分とする柱状微粒子から
なる磁性層を形成した。Ｃｏ−Ｎｉ合金中のＮｉ含量は
１３から２５重量％とした。さらに、酸素導入量を１０
０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分まで変化させ、蒸着時の
ポリエチレンテレフタレートフィルム基板の温度を５℃
から５０℃まで変えて、総計４０個のテープを作製し
た。このうち、２０個は磁性層を単層としたものであ
り、他の２０個は、０.０９μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねたものである。磁性層が単層の
場合の２０個のテープの保磁力は９８０エールステッド
から１８６０エールステッドまで分布した。また、２５
℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値は、７.３エール
ステッドから１２.１エールステッドの範囲に分布し
た。さらに、７ＭＨｚで記録した際のＳ／Ｎは、比較例
に示したテープＡを０ｄＢとすると、−２.１ｄＢから
＋０.２ｄＢまでの範囲に分布した。このように、磁性
層が単層の場合には、酸素導入量やポリエチレンテレフ
タレートフィルム基板の温度を変えてもＳ／Ｎを大きく
向上させることはできなかった。
【００１８】他方、０.０９μｍ 厚の磁性層を非磁性酸
化物層を介して二層重ねた２０個のテープの保持力は、
６９０エールステッドから１８６０エールステッドまで
の範囲に分布した。また２５℃で測定した印加磁界強度
が残留磁化保磁力の０.８ から１.２倍の領域での揺ら
ぎ場の平均値は、１２.６エールステッドから２６.１エ
ールステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで記
録した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄＢ
とすると、−１.０ｄＢから＋１.２ｄＢまでの範囲に分
布した。これらのデータをもとにテープＡのＳ／Ｎを０
ｄＢとして、Ｓ／Ｎが＋１.０ｄＢ 以上向上した領域を
保持力Ｈｃを縦軸、２５℃で測定した印加磁界強度が残
留磁化保磁力Ｈｒの０.８から１.２倍の領域での揺らぎ
場の平均値を横軸としてプロットすると、図４に示した
ようになった。図４から明らかなように、保磁力が７０
０エールステッド以上であり、２５℃で測定した印加磁
界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での
揺らぎ場の平均値が、１５エールステッド以上の場合に
は、Ｓ／Ｎを＋１.０ｄＢ 以上向上させることができ
る。
化物層を介して二層重ねた２０個のテープの保持力は、
６９０エールステッドから１８６０エールステッドまで
の範囲に分布した。また２５℃で測定した印加磁界強度
が残留磁化保磁力の０.８ から１.２倍の領域での揺ら
ぎ場の平均値は、１２.６エールステッドから２６.１エ
ールステッドの範囲に分布した。さらに、７ＭＨｚで記
録した際のＳ／Ｎは、比較例に示したテープＡを０ｄＢ
とすると、−１.０ｄＢから＋１.２ｄＢまでの範囲に分
布した。これらのデータをもとにテープＡのＳ／Ｎを０
ｄＢとして、Ｓ／Ｎが＋１.０ｄＢ 以上向上した領域を
保持力Ｈｃを縦軸、２５℃で測定した印加磁界強度が残
留磁化保磁力Ｈｒの０.８から１.２倍の領域での揺らぎ
場の平均値を横軸としてプロットすると、図４に示した
ようになった。図４から明らかなように、保磁力が７０
０エールステッド以上であり、２５℃で測定した印加磁
界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.２倍の領域での
揺らぎ場の平均値が、１５エールステッド以上の場合に
は、Ｓ／Ｎを＋１.０ｄＢ 以上向上させることができ
る。
【００１９】合計膜厚が０.１８μｍ 以上の場合には、
磁性層が単層の場合のみならず二層の場合にもＳ／Ｎを
＋１.０ｄＢ 以上向上させることはできなかった。
磁性層が単層の場合のみならず二層の場合にもＳ／Ｎを
＋１.０ｄＢ 以上向上させることはできなかった。
【００２０】実施例では強磁性薄膜にＣｏ−Ｎｉ合金を
用いているが、Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃ
ｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のコバルトを含有する薄
膜でも本発明の効果が現われることは、容易に類推され
る。また、磁性層を３層以上としても同様の効果が現わ
れる。
用いているが、Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃ
ｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のコバルトを含有する薄
膜でも本発明の効果が現われることは、容易に類推され
る。また、磁性層を３層以上としても同様の効果が現わ
れる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、強磁性薄膜を磁性層と
し、その保磁力を７００エールステッド以上とし、２５
℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値が、１５エール
ステッド以上、３０エールステッド以下の場合には、媒
体のＳ／Ｎを著しく向上させることができ、高密度記録
が可能になる。
し、その保磁力を７００エールステッド以上とし、２５
℃で測定した印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８か
ら１.２倍の領域での揺らぎ場の平均値が、１５エール
ステッド以上、３０エールステッド以下の場合には、媒
体のＳ／Ｎを著しく向上させることができ、高密度記録
が可能になる。
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図。
【図２】保磁力および揺らぎ場とＳ／Ｎとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図３】保磁力および揺らぎ場とＳ／Ｎとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図４】保磁力および揺らぎ場とＳ／Ｎとの関係を示す
特性図。
特性図。
１…高分子フィルム、２…磁性層、３…磁性層、４…保
護潤滑層、５…バックコート層。
護潤滑層、５…バックコート層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥脇 東洋治 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】強磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体に
おいて、印加磁界強度が残留磁化保磁力の０.８から１.
２倍の領域での磁気粘性の揺らぎ場の２５℃での平均値
が１５エールステッド以上、３０エールステッド以下で
あり、保磁力が７００エールステッド以上、２０００エ
ールステッド以下であることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】請求項１において、前記磁性層の厚さが
０.１μｍ以上、０.１８μｍ以下である磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１において、前記強磁性薄膜がＣｏ
−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔ
ａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏの中から選ばれ
たコバルトを主たる成分とする薄膜である磁気記録媒
体。 - 【請求項４】請求項１において、前記磁気記録媒体が連
続薄膜型磁気テープである磁気記録媒体。 - 【請求項５】請求項１において、前記強磁性薄膜を磁極
の一部とする磁気ヘッドを用い前記磁気記録媒体を用い
て情報を記録，再生する磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206149A JPH0765345A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 磁気記録媒体 |
| US08/290,259 US5686177A (en) | 1993-08-20 | 1994-08-15 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206149A JPH0765345A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 磁気記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11233449A Division JP2000067402A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | 磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765345A true JPH0765345A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16518611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5206149A Pending JPH0765345A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5686177A (ja) |
| JP (1) | JPH0765345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981054A (en) * | 1996-07-22 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
| US6613428B2 (en) | 1994-09-08 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus wherein the magnetic layer has a fluctuation of field; A or Hf of not less than 30 Oersteds |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0896339A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| KR19980024169A (ko) * | 1996-09-04 | 1998-07-06 | 가나이 츠토무 | 수직자기기록매체 및 그것을 사용한 자기기록 재생장치 |
| EP1434198B1 (en) * | 2002-12-25 | 2006-09-13 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
| JP2008140460A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS573223A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-08 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS5961014A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5961105A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4663193A (en) * | 1984-12-26 | 1987-05-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Process for manufacturing magnetic recording medium |
| KR940001015B1 (ko) * | 1989-08-30 | 1994-02-08 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 자기기록매체 |
| DE69125691T2 (de) * | 1990-11-30 | 1997-08-07 | Sony Corp | Magnetischer Aufnahmeträger und Verfahren zur magnetischen Aufnahme von analogen oder, vorzugsweise, digitalen Bildsignalen |
| JP2684457B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1997-12-03 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH05101365A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-23 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP5206149A patent/JPH0765345A/ja active Pending
-
1994
- 1994-08-15 US US08/290,259 patent/US5686177A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613428B2 (en) | 1994-09-08 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus wherein the magnetic layer has a fluctuation of field; A or Hf of not less than 30 Oersteds |
| US6846577B2 (en) | 1994-09-08 | 2005-01-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium possessing a fluctuation field of not less than 30 Oe |
| US7157162B2 (en) | 1994-09-08 | 2007-01-02 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US5981054A (en) * | 1996-07-22 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5686177A (en) | 1997-11-11 |
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| JPH0736218B2 (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |