JPS6222231A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6222231A JPS6222231A JP60161394A JP16139485A JPS6222231A JP S6222231 A JPS6222231 A JP S6222231A JP 60161394 A JP60161394 A JP 60161394A JP 16139485 A JP16139485 A JP 16139485A JP S6222231 A JPS6222231 A JP S6222231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- film
- layer
- recording medium
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に用いることの出来る強磁性金
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
従来、磁気記録層として広く実用に供されているものは
、r F e20s I Co をド−プしたγ−
Fe2o3.Cro2或いは鉄等の強磁性金属又は合金
微小粉末磁性材料を塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、
スチレンブタジェン共重合体、エポキシ樹脂等の有機バ
インダ中に分散させて、高分子フィルム等の基板上に塗
布乾燥させた塗布型磁性層である。
、r F e20s I Co をド−プしたγ−
Fe2o3.Cro2或いは鉄等の強磁性金属又は合金
微小粉末磁性材料を塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、
スチレンブタジェン共重合体、エポキシ樹脂等の有機バ
インダ中に分散させて、高分子フィルム等の基板上に塗
布乾燥させた塗布型磁性層である。
近年、高密度記録への要求の高まりと共に、高密度域で
優れた信号対雑音比(以下、S/Nと記す)を与えうる
劾待の大きい、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする、い
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体が注目され、実用化に向
けて努力が続けられている。〔例えば論文誌「アイイー
イーイー トランザクション オン マグネティックス
」(I E E E Transaction on
Magnetics)。
優れた信号対雑音比(以下、S/Nと記す)を与えうる
劾待の大きい、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする、い
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体が注目され、実用化に向
けて努力が続けられている。〔例えば論文誌「アイイー
イーイー トランザクション オン マグネティックス
」(I E E E Transaction on
Magnetics)。
Vow、 MAG−10,惠2. PP368−373
(1974)参照〕。
(1974)参照〕。
特に、短波長領域での高出力特性を生かすために、磁気
ヘッドと直接摺動して記録再生する用途での耐久性の向
上に主眼が置かれ多くの提案がなされている。
ヘッドと直接摺動して記録再生する用途での耐久性の向
上に主眼が置かれ多くの提案がなされている。
例えば保護膜の改良〔例えば特開昭63−88704号
公報、特開昭59−171026号公報等〕や、ベース
フィルムの改良〔特開昭69−84928号公報、特開
昭59−121631号公報等〕が摩擦係数の改良や耐
すシ傷の改良のために提案されている。
公報、特開昭59−171026号公報等〕や、ベース
フィルムの改良〔特開昭69−84928号公報、特開
昭59−121631号公報等〕が摩擦係数の改良や耐
すシ傷の改良のために提案されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成では、高分子フィルムの厚み
が薄くなり、体積記録密度をあげようとする時、回転磁
気ヘッドと良好な接触状態を得ることが困難となり、再
生S/Nが不安定となるという問題点を有していた。
が薄くなり、体積記録密度をあげようとする時、回転磁
気ヘッドと良好な接触状態を得ることが困難となり、再
生S/Nが不安定となるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、回転ヘッドと良好な接触状
態を確保し、短波長域での再生S/Nを安定にするよう
にした磁気記録媒体を提供するものである。
態を確保し、短波長域での再生S/Nを安定にするよう
にした磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の磁気記録媒体は、
高分子フィルムと磁気記録層との界面から高分子フィル
ムの深さ方向の少くとも1/3まで連続的に硬度が変化
している高分子フィルム上に強磁性金属フィルムから成
る磁気記録層を配した構成を備えたものである0 作 用 本発明は上記した構成によって、回転磁気ヘッドの圧力
に対して、磁気記録媒体の動的なスティソフネスが大き
くなったように働き、高分子フィルムの全厚を薄くした
ために低下する厚みの3乗に比例するとされているステ
ィッフネスが実効的には低下を考えなくてよいためと考
えられる作用により、安定なヘッドとの接触状態が得ら
れるので、短波長での再生S/Nを安定させることがで
きることになるのと、連続的に硬さが変っているため、
逆に磁気ヘッドとの接触でヘッド摩耗から起る再生S/
Nの低下現象も、動的な圧力の急しゅんな衝撃的作用も
緩和されるために改良されることとなる。
高分子フィルムと磁気記録層との界面から高分子フィル
ムの深さ方向の少くとも1/3まで連続的に硬度が変化
している高分子フィルム上に強磁性金属フィルムから成
る磁気記録層を配した構成を備えたものである0 作 用 本発明は上記した構成によって、回転磁気ヘッドの圧力
に対して、磁気記録媒体の動的なスティソフネスが大き
くなったように働き、高分子フィルムの全厚を薄くした
ために低下する厚みの3乗に比例するとされているステ
ィッフネスが実効的には低下を考えなくてよいためと考
えられる作用により、安定なヘッドとの接触状態が得ら
れるので、短波長での再生S/Nを安定させることがで
きることになるのと、連続的に硬さが変っているため、
逆に磁気ヘッドとの接触でヘッド摩耗から起る再生S/
Nの低下現象も、動的な圧力の急しゅんな衝撃的作用も
緩和されるために改良されることとなる。
実施例
以下、本発明の実施例の磁気記録媒体について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。第1図において、1は高分子フィルム、2
は硬化層である。3は微粒子塗布層、4はCo −Ni
−0斜め蒸着膜から成る磁気記録層で、5は保護潤滑
層である。
面図である。第1図において、1は高分子フィルム、2
は硬化層である。3は微粒子塗布層、4はCo −Ni
−0斜め蒸着膜から成る磁気記録層で、5は保護潤滑
層である。
高分子フィルム1は、厚み6μmのポリエチレンナフタ
レートで、長手方向のヤング率は11o。
レートで、長手方向のヤング率は11o。
Ky−/−であるが、厚み方向に表面側から14KeV
の電子ビームを120μA/、dで6秒間照射して。
の電子ビームを120μA/、dで6秒間照射して。
硬化層2を形成したものである。
硬化層ができていることは、先端のRが1o。
μmのダイアモンド針を使用して100 m 1m1n
でフィルム表面から荷重を加えた時の変位を測定した時
、本発明のフィルムは1oM/secで、ブランクのポ
リエチレンナフタレートフィルムij 1 、2 m
/渡であることから推定されるもので、硬度が、電子の
注入に基づくことから深さ方向に分布が予測され、エネ
ルギーと照射量の選択で、深さ方向の1/3まで連続的
に変化をつけることができると考えられる。
でフィルム表面から荷重を加えた時の変位を測定した時
、本発明のフィルムは1oM/secで、ブランクのポ
リエチレンナフタレートフィルムij 1 、2 m
/渡であることから推定されるもので、硬度が、電子の
注入に基づくことから深さ方向に分布が予測され、エネ
ルギーと照射量の選択で、深さ方向の1/3まで連続的
に変化をつけることができると考えられる。
深さ方向の%以上まで硬度変化があると、ヘッド摩耗が
大きくなシ、%以下だと接触の安定性がなくなるので、
%から1/3まで、好ましくはZから%の範囲での硬度
変化をもつ高分子フィルムがよい。
大きくなシ、%以下だと接触の安定性がなくなるので、
%から1/3まで、好ましくはZから%の範囲での硬度
変化をもつ高分子フィルムがよい。
電子のエネルギーから透過深さは1.6μmと推定され
るので、硬化層は1.6μm近い値をもっと考えられる
。
るので、硬化層は1.6μm近い値をもっと考えられる
。
また、比較例Aとして、硬化層のないポリエチレンナフ
タレートフィルムを準備した。
タレートフィルムを準備した。
この両者のフィルムを1 ooomずつ接続して、微粒
子を塗布、蒸着、熱処理1表面保護潤滑層形成を行い、
各々8■幅の磁気テープを製造した。
子を塗布、蒸着、熱処理1表面保護潤滑層形成を行い、
各々8■幅の磁気テープを製造した。
微粒子塗布層は、直径200人のシリカ微粒子を厚み3
0人のエポキシ樹脂で100ケ/(μm)2の密度で固
定したもので、磁気記録層は、直径1mの円筒状キャン
に沿わせて最小入射角45度で、7 X 10 (T
orr)の酸素雰囲気中でCo −N1(Ni ; 2
5 wt%)を0.2μm蒸着して得た保磁力1200
(oe)の薄膜で、保護潤滑層は1×1σ4(Towτ
)中で真空蒸着法で形成したミ1,1スチン酸の膜(S
O人)である。
0人のエポキシ樹脂で100ケ/(μm)2の密度で固
定したもので、磁気記録層は、直径1mの円筒状キャン
に沿わせて最小入射角45度で、7 X 10 (T
orr)の酸素雰囲気中でCo −N1(Ni ; 2
5 wt%)を0.2μm蒸着して得た保磁力1200
(oe)の薄膜で、保護潤滑層は1×1σ4(Towτ
)中で真空蒸着法で形成したミ1,1スチン酸の膜(S
O人)である。
記録再生ヘッドは、ギャップ長0.22μmのC。
−B系アモルファスヘッドで、記録波長0,66μmの
信号を記録し、再生S/Nを比較した。1だ、ヘッド摩
耗についても比1較した。その結果を次表1に示す。
信号を記録し、再生S/Nを比較した。1だ、ヘッド摩
耗についても比1較した。その結果を次表1に示す。
なお、比較テープBとして厚みの厚い、すなわちスティ
ッフネスの大きいテープも準備した。これに用いた高分
子フィルムは厚みが16μmのボリエテレンテレフタレ
〜トフイルムで、ヤング率は7eoKP/−である。
ッフネスの大きいテープも準備した。これに用いた高分
子フィルムは厚みが16μmのボリエテレンテレフタレ
〜トフイルムで、ヤング率は7eoKP/−である。
表 1
*1.平均値・安定性は任意のテープ100巻について
測定したものである。環境は25℃76%RHである0
以上のように本発明によれば、再生S/Nは、全厚が6
・4μmと薄いにも拘らず、全厚15.4μmのテープ
と同等以上であシ゛、ヘッド摩耗は少いので、くり返し
使用によるS/N低下は全厚16.4μmのテープよシ
はるかによい値を示していることがわかる。
測定したものである。環境は25℃76%RHである0
以上のように本発明によれば、再生S/Nは、全厚が6
・4μmと薄いにも拘らず、全厚15.4μmのテープ
と同等以上であシ゛、ヘッド摩耗は少いので、くり返し
使用によるS/N低下は全厚16.4μmのテープよシ
はるかによい値を示していることがわかる。
以下、第2図に従って本発明の第2の実施例について説
明する。第2図で6は厚み5μmのポリアミドフィルム
で、ヤング率は長手方向が1200Kp/−で、11
KeVの電子ビームを130aA/CIIK。
明する。第2図で6は厚み5μmのポリアミドフィルム
で、ヤング率は長手方向が1200Kp/−で、11
KeVの電子ビームを130aA/CIIK。
6.5秒照射に加えて、105 KeV OAr” イ
、t 7を1oμA/i、1分間照射して、表面から1
.6−の範囲まで、硬化層7を形成した。
、t 7を1oμA/i、1分間照射して、表面から1
.6−の範囲まで、硬化層7を形成した。
比較例Aは、硬化層をもたない6μmのポリアミドフィ
ルムを用い、比較例Bは厚み13μmのポリアミドフィ
ルム(ヤング率900 K9 / ma )を用いた。
ルムを用い、比較例Bは厚み13μmのポリアミドフィ
ルム(ヤング率900 K9 / ma )を用いた。
微粒子塗布層8は、直径150人のチタニア粒子をポリ
イミド樹脂(厚み36人)で136ケ/(μm)2の密
度で固定したもので、下地層9は、電子ビーム蒸着法で
形成した厚み0.03μmのゲルマニウム−シリコン層
(Go :Si =88 : 12wt%)で、1oは
Co −Cr (Cr ; 20 wt%)垂直磁化膜
で、この膜の形成時のホルダーの表面温度は126°C
で、蒸着は電子ビーム蒸着法により、入射角は3度以内
の垂直に近い成分のみの蒸気流を用いた。
イミド樹脂(厚み36人)で136ケ/(μm)2の密
度で固定したもので、下地層9は、電子ビーム蒸着法で
形成した厚み0.03μmのゲルマニウム−シリコン層
(Go :Si =88 : 12wt%)で、1oは
Co −Cr (Cr ; 20 wt%)垂直磁化膜
で、この膜の形成時のホルダーの表面温度は126°C
で、蒸着は電子ビーム蒸着法により、入射角は3度以内
の垂直に近い成分のみの蒸気流を用いた。
Co −Cr膜の厚み、垂直保磁力は夫h O−17(
μm)。
μm)。
5oo(oe)である。
保護膜11は、真空蒸着法で形成した厚み70人のパー
フルオロオクタン酸の蒸着膜である。
フルオロオクタン酸の蒸着膜である。
実施例、比較例、共に8鵬幅のテープに加工して、リン
グ型磁気ヘッド(ギャップ長0.18μm。
グ型磁気ヘッド(ギャップ長0.18μm。
Co −Nb −B系アモルファス合金ヘッド)を用い
て、記録波長0.6μmの記録、再生を行い、再生S
/N ’+ヘッド摩耗を比較した。その結果を次表2に
示す。
て、記録波長0.6μmの記録、再生を行い、再生S
/N ’+ヘッド摩耗を比較した。その結果を次表2に
示す。
(>1 千 9. 白)
表 2
以上のように本発明によれば、全厚が5.5μmと薄い
にも拘らず、S / N Fi全厚13.5μmのテー
プと同等以上で、ヘッド摩耗は極めて小さいことがわか
る。また、ディジタル記録の性能の目安のひとつである
ブロックエラーレイトの変化も小さく500バス後の値
も良好であるが、比較例AはS/Nがへラドタソチの不
安定性で劣化することから、ブロックエラーレイトも2
0〜30倍に増加してしまうし、比較例Bはヘッド摩耗
の大きさが原因で、S/Nはとれてもブロックエラーレ
イトは6〜8倍と増加したことからみても本発明の高密
度ディジタル記録に対する優位性が理解される。
にも拘らず、S / N Fi全厚13.5μmのテー
プと同等以上で、ヘッド摩耗は極めて小さいことがわか
る。また、ディジタル記録の性能の目安のひとつである
ブロックエラーレイトの変化も小さく500バス後の値
も良好であるが、比較例AはS/Nがへラドタソチの不
安定性で劣化することから、ブロックエラーレイトも2
0〜30倍に増加してしまうし、比較例Bはヘッド摩耗
の大きさが原因で、S/Nはとれてもブロックエラーレ
イトは6〜8倍と増加したことからみても本発明の高密
度ディジタル記録に対する優位性が理解される。
なお、高分子フィルムは、他にポリエチレンテレフタレ
ート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド等でも
よい。また、硬化層の形成手段は、粒子注入が適してい
る。微粒子塗布層は必要に応じて設ければよく、発明の
必須要件ではな(,5102−TiOの他にCaCo3
.ポリエステル球等、まだ樹脂は他にポリエステル、ポ
リアミド、ウレタン等、広範囲から選びうる。
ート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド等でも
よい。また、硬化層の形成手段は、粒子注入が適してい
る。微粒子塗布層は必要に応じて設ければよく、発明の
必須要件ではな(,5102−TiOの他にCaCo3
.ポリエステル球等、まだ樹脂は他にポリエステル、ポ
リアミド、ウレタン等、広範囲から選びうる。
磁気記録層は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、
湿式めっき法等で形成される垂直磁化膜。
湿式めっき法等で形成される垂直磁化膜。
面内磁化膜で、材質はCo −Cr 、 Go −Ni
−0の他に、Co−0,Co+Ti、Co−B1.C
o−Mn。
−0の他に、Co−0,Co+Ti、Co−B1.C
o−Mn。
Co−Mg、 Co −Ag、 Co−Rh、 Co−
Ru 、 Fe−Bi 、 Co−P 、 Go−8m
、 Go −Mo 、 Co−W等いずれでもよい。
Ru 、 Fe−Bi 、 Co−P 、 Go−8m
、 Go −Mo 、 Co−W等いずれでもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、薄いテープでも再生S/
Nが良好で、且つ、くり返し使用してもS/Nが安定し
ており、ヘッド摩耗の少ない、ブロックエラーレイトも
少なく安定している高密度磁気記録用の磁気記録媒体を
得ることができる。
Nが良好で、且つ、くり返し使用してもS/Nが安定し
ており、ヘッド摩耗の少ない、ブロックエラーレイトも
少なく安定している高密度磁気記録用の磁気記録媒体を
得ることができる。
第1図は本発明の第1の実施例に係る磁気記録媒体の拡
大断面図、第2図は本発明の第2の実施例に係る磁気記
録媒体の拡大断面図である。 1.6・・・・・・高分子フィルム、2,7・・・・・
・硬化層、4.10・・・・磁気記録層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 1 ・・・喜1か多フィルム 2 ・・・石fAIL、畳 4・・・石森気14緑層 第2図 6・・、高分子フィルム 7・・・1446層 9・・・下すC1 10・・・ 1も直峯イ乙膜
大断面図、第2図は本発明の第2の実施例に係る磁気記
録媒体の拡大断面図である。 1.6・・・・・・高分子フィルム、2,7・・・・・
・硬化層、4.10・・・・磁気記録層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 1 ・・・喜1か多フィルム 2 ・・・石fAIL、畳 4・・・石森気14緑層 第2図 6・・、高分子フィルム 7・・・1446層 9・・・下すC1 10・・・ 1も直峯イ乙膜
Claims (1)
- 高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から成る磁気記録層
を配し、該高分子フィルムが磁気記録層界面より深さ方
向の少くとも1/3まで連続的に硬度が変化しているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161394A JPS6222231A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161394A JPS6222231A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222231A true JPS6222231A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15734256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60161394A Pending JPS6222231A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0179111U (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-26 |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60161394A patent/JPS6222231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0179111U (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-26 |
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