JPH0765731A - マグネトロン陽極体 - Google Patents

マグネトロン陽極体

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Publication number
JPH0765731A
JPH0765731A JP21066993A JP21066993A JPH0765731A JP H0765731 A JPH0765731 A JP H0765731A JP 21066993 A JP21066993 A JP 21066993A JP 21066993 A JP21066993 A JP 21066993A JP H0765731 A JPH0765731 A JP H0765731A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vane
strap ring
small
magnetron
vanes
Prior art date
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Pending
Application number
JP21066993A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuki Miki
一樹 三木
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 マグネトロン陽極体が高出力の下で高温動作
にも耐えうるように、ベインの耐久性を向上して信頼性
を維持すると共に、コストを低く抑える。 【構成】 陽極円筒1の内周面に放射状にベイン2が配
置され、ベイン2の軸方向端部にベイン2を1枚おきに
接続する小径ストラップリング3と大径ストラップリン
グ4が配置され、小径ストラップリング3の一部はベイ
ン2に設けられた切込み溝7内に固着される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマグネトロン陽極体に関
する。さらに詳しくは、高出力化されたマグネトロンに
おいても、ベインのストラップリングが固着された部分
が熱応力により破損することがないマグネトロンの陽極
体に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に電子レンジなどに用いられるマグ
ネトロンの陽極体は図2に示されるような構造になって
いる。
【0003】すなわち、図2において(a)は平面説明
図であり、(b)は(a)のベインとストラップリング
部分を示す断面説明図で、陽極体は陽極円筒1と、その
内周面に放射状に配列された偶数枚のベイン2と、該ベ
イン2を1枚おきに連結した小径ストラップリング3お
よび大径ストラップリング4とから構成されている。ス
トラップリング3、4はベイン2の軸方向の一端側のみ
に設けられるばあいもあるし、図2に示すようにベイン
2の軸方向両端部に設けられるばあいもあるが、ストラ
ップリングは大小2個のストラップリングでそれぞれ別
々のベインを接続するのが一般的である。この構造で、
2枚のベイン2と陽極円筒1の周壁とで囲まれた小空洞
5を偶数個形成し、その全体によりマグネトロンの共振
空洞を形成している。マグネトロンは通常πモードで発
振させるため、各小空洞5はπラジアンずつ位相をずら
せて発振させている。そのため、マグネトロンの発振を
安定させるため、1つおきのベインを小径および大径の
ストラップリング3、4で同電位になるよう連結してい
る。
【0004】陽極円筒1の両開口端部には、一対の磁極
片(図示せず)が配設され、陽極円筒1の中心軸上で、
ベイン2の先端2aと対向する部分に配設される陰極
(図示せず)とベイン2とのあいだの作用空間に印加さ
れる高電圧とあわせて直交静電磁界を形成すべく図示し
てない磁石により磁場が形成されている。
【0005】このような構造のマグネトロンの陽極体を
構成する素材としては、熱伝導や電気伝導が良好で、か
つ、ガス放出の少ない無酸素銅が一般に使用されている
が、陰極の近くに設けられたストラップリング3、4は
高温になり易く、無酸素銅で製造されたストラップリン
グ3、4は高い熱応力の繰り返しに対し、折れや曲がり
などの変形をおこし易く、とくに内側の小径ストラップ
リングは破断に至ることがある。そこで、高温に耐えう
るストラップリングの素材として、たとえば特開昭63-1
43722 号公報に記載されているように、ジルコニウムを
添加し、機械的強度を向上させた析出硬化型金属を使用
することが提案されている。
【0006】ところが、ストラップリングの強度が強く
なっても、ストラップリングが固着されているベインが
引張られて、図2の破線Bで示す部分で破断に至ること
がある。すなわち、前述の図示されていない陰極から発
生する輻射熱とベインの軸心側端部で電子の衝突により
発生する熱はベインの軸心側端部から陽極円筒1の側に
伝導し、陽極円筒1の外壁で放熱されている。この際、
ベイン2と小径ストラップリング3との接合部に熱応力
が発生する。一方、従来、ベインの小径ストラップリン
グをロウづけするための溝は、小径ストラップリングの
接合部が段型に形成されており、段の高さは一般的に0.
5 〜1.5mm である。そのため、接合部に熱応力が加わる
と、ストラップリングにより引張られてベインが破断に
至るものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のマグネトロン
は、ON、OFFが繰り返されることにより、前述のよ
うにベイン2と小径ストラップリング3との接合部付近
に熱応力が加わり、ベインが破断して正常に動作しなく
なるという問題がある。
【0008】本発明は、このような問題を解決し、ベイ
ンの破断を抑え、長時間の使用に対しても信頼性の高い
マグネトロン陽極体を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によるマグネトロ
ン陽極体は、陽極円筒と、該陽極円筒の内周面に放射状
に配設された複数枚のベインと、該ベインを1枚おきに
電気的に接続する大径ストラップリングおよび小径スト
ラップリングとからなるマグネトロン陽極体であって、
前記小径ストラップリングは前記ベインに設けられた切
込み溝内に固着されてなることを特徴とするものであ
る。
【0010】
【作用】本発明によれば内側の小径ストラップリングが
ベインに設けられた切込み溝内に固着されているため、
ベインと小径ストラップリングとのあいだの接合面積が
大きくなり、両者間に発生する単位面積あたりの力であ
る熱応力を減らすことができ、ベインの破断を抑制する
ことができる。
【0011】すなわち、ベインとストラップリングとの
ロウづけは銀ロウなどで行われ、ロウづけされた部分の
近辺が機械的に弱くなるが、本発明によれば、小径スト
ラップリングの厚さを厚くして、その一部がベインに設
けられた切込み溝内に埋設されてロウづけされているた
め、ロウづけ面積は大幅に増加し、単位面積当りに働く
力は非常に小さくなる。しかも切込み溝内にストラップ
リングの一部が埋設されているため、小径ストラップリ
ングの変形自体も抑制され、ベインを引張る力自体も弱
くなる。その結果ベインの破断を抑制できる。
【0012】
【実施例】つぎに、図面に基づき本発明について詳細に
説明する。図1は本発明のマグネトロン陽極体の一実施
例のベインとストラップリング部分を示す断面説明図で
ある。図1において符号1〜4は図2と同じ部分を示
す。
【0013】本実施例のマグネトロン陽極は、構造とし
ては図2に示した構造と同様に、陽極円筒1の内周面に
放射状に複数枚のベイン2がその根元でロウづけされて
おり、また、ベイン2を1枚おきに連結する小径ストラ
ップリング3および大径ストラップリング4がベインに
設けられたストラップリング用溝内にロウづけされてい
る。その1枚のベイン部分を図1に示す。
【0014】本発明ではベイン2において、ストラップ
リング3、4がロウづけされ、または貫通する溝部6の
小径ストラップリング3部の溝の底部にさらに切込み溝
7が形成され、その切込み溝7内に小径ストラップリン
グ3の一部が埋設されてロウづけされていることに特徴
がある。
【0015】切込み溝7の深さLは通常は0.1 〜1mm程
度で、好ましくは0.5mm 程度である。余り深いと小径ス
トラップリングの厚さHを厚くしなければならないた
め、ストラップリングの加工が難かしくなると共に、材
料のムダになり、またベイン2に深い切込みを形成する
ことによりベインの強度が弱くなり好ましくない。また
切込み溝7が浅すぎると接合面積を増やしてベインの破
損を防止するという目的を達しえないからである。また
切込み溝7の幅はストラップリングの幅Mと同程度で通
常は0.5 〜1mm程度に形成される。
【0016】また小径ストラップリング3はその一部が
切込み溝7内に埋設されるため、その高さHは1.5 〜2.
5mm 程度になる。その結果、ロウづけ部分では小径スト
ラップリング3の側壁部全面でロウづけされ、さらに、
切込み溝7内でロウづけされるため、従来のストラップ
リングの高さNが1〜1.5mm 程度のばあいに比べて接合
面積が1.5 倍程度に増える。
【0017】そのため、マグネトロンのON、OFFに
より、とくに温度差が激しくなる小径ストラップリング
3とベイン2とのロウづけ部分に熱ストレスが生じても
ロウづけ部分の面積が大きいため、単位面積あたりの力
は小さくなる。しかも小径ストラップリング3の一部は
切込み溝7内に埋設されているため、小径ストラップリ
ング3の熱応力による変形も抑制され、小径ストラップ
リング3の変形に伴うベイン2を引張る力も大幅に抑制
される。その結果、ベイン2の破断や変形を防止するこ
とができる。
【0018】また、ベイン2に設けられるストラップリ
ング用溝6は小径ストラップリング3がロウづけされな
い部分で高さが高くなったストラップリング3を逃げる
ため、深い溝2になるように形成されている。そのた
め、ベイン2やストラップリング3、4のインダクタン
スやベインとストラップリング3、4とのあいだの静電
容量に変化が生じ、共振空洞の共振周波数にずれが発生
するが、大径ストラップリング4の高さを低くすること
により共振周波数を調整することができる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、高出力下での動作にお
いて破断のおきやすいベインと小径ストラップリングの
接合部分を接合面積を大きくするために切込み溝を形成
し、該切込み溝内に小径ストラップリングの一部を埋設
してロウづけしているので、マグネトロンの高出力化に
対しても充分な耐久度がえられ、信頼性が高いマグネト
ロンを簡単な構成で安価にうることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマグネトロン陽極体の一実施例の部分
拡大断面図である。
【図2】マグネトロン陽極体の説明図であり、(a)は
平面図、(b)は(a)の一部拡大断面図である。
【符号の説明】
1 陽極円筒 2 ベイン 3 小径ストラップリング 4 大径ストラップリング

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極円筒と、該陽極円筒の内周面に放射
    状に配設された複数枚のベインと、該ベインを1枚おき
    に電気的に接続する大径ストラップリングおよび小径ス
    トラップリングとからなるマグネトロン陽極体であっ
    て、前記小径ストラップリングは前記ベインに設けられ
    た切込み溝内に固着されてなるマグネトロン陽極体。
JP21066993A 1993-08-25 1993-08-25 マグネトロン陽極体 Pending JPH0765731A (ja)

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JP21066993A JPH0765731A (ja) 1993-08-25 1993-08-25 マグネトロン陽極体

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JP21066993A JPH0765731A (ja) 1993-08-25 1993-08-25 マグネトロン陽極体

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JPH0765731A true JPH0765731A (ja) 1995-03-10

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JP21066993A Pending JPH0765731A (ja) 1993-08-25 1993-08-25 マグネトロン陽極体

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