JPH0765954A - エレクトロルミネッセンス素子の製法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製法Info
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- JPH0765954A JPH0765954A JP5213935A JP21393593A JPH0765954A JP H0765954 A JPH0765954 A JP H0765954A JP 5213935 A JP5213935 A JP 5213935A JP 21393593 A JP21393593 A JP 21393593A JP H0765954 A JPH0765954 A JP H0765954A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
- C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/7716—Chalcogenides
- C09K11/7718—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＥＬ素子を再現性よく製造できることができ
る製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 第１電極，第１絶縁層，発光層，第２絶縁層
及び第２電極を、光取り出し側の材料を光学的に透明な
ものにて順次積層したエレクトロルミネッセンス素子の
製法の際、発光層を気相成長法を用いて形成する場合に
おいて、アルカリ土類金属化合物ガスにアルカリ土類金
属のシクロペンタジエニル系化合物を用いる。
る製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 第１電極，第１絶縁層，発光層，第２絶縁層
及び第２電極を、光取り出し側の材料を光学的に透明な
ものにて順次積層したエレクトロルミネッセンス素子の
製法の際、発光層を気相成長法を用いて形成する場合に
おいて、アルカリ土類金属化合物ガスにアルカリ土類金
属のシクロペンタジエニル系化合物を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス素子に関するものであり、特に計器類の自発光型の
セグメント表示やマトリックス表示或いは各種情報端末
機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロルミネ
ッセンス素子に関するものである。
ンス素子に関するものであり、特に計器類の自発光型の
セグメント表示やマトリックス表示或いは各種情報端末
機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロルミネ
ッセンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、エレクトロルミネッセンス素子（以
下、ＥＬ素子と称す）は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の蛍光
体に電界を印加したときに発光する現象を利用したもの
で、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして
注目されている。図７は、従来のＥＬ素子１０の典型的
な断面構造を示した模式図である。
下、ＥＬ素子と称す）は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の蛍光
体に電界を印加したときに発光する現象を利用したもの
で、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして
注目されている。図７は、従来のＥＬ素子１０の典型的
な断面構造を示した模式図である。
【０００３】ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ膜から成る第１電極
２，五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）等から成る第１絶縁
層３，発光層４，第２絶縁層５及びＩＴＯ膜から成る第
２電極６を順次積層して形成されている。ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜は、酸化インジウム
（Ｉｎ2Ｏ3）に錫（Ｓｎ）をドープした透明の導電膜
で、低抵抗率であることから従来より透明電極用として
広く使用されている。
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ膜から成る第１電極
２，五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）等から成る第１絶縁
層３，発光層４，第２絶縁層５及びＩＴＯ膜から成る第
２電極６を順次積層して形成されている。ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜は、酸化インジウム
（Ｉｎ2Ｏ3）に錫（Ｓｎ）をドープした透明の導電膜
で、低抵抗率であることから従来より透明電極用として
広く使用されている。
【０００４】発光層４としては、例えば硫化ストロンチ
ウムを母体材料とし、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）
を添加したものが使用される。ＥＬ素子の発光色は、硫
化ストロンチウム中の添加物の種類によって決まり、例
えば発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合に
は青緑色の発光が得られ、またこの青緑色発光を例えば
５００ｎｍ以上の波長をカットするフィルターに通すと
青色発光が得られる。
ウムを母体材料とし、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）
を添加したものが使用される。ＥＬ素子の発光色は、硫
化ストロンチウム中の添加物の種類によって決まり、例
えば発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合に
は青緑色の発光が得られ、またこの青緑色発光を例えば
５００ｎｍ以上の波長をカットするフィルターに通すと
青色発光が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造から成るＥ
Ｌ素子１０において、青色発光を得るために従来では、
発光層４の構成材料として、例えばセリウム（Ｃｅ）を
添加した硫化ストロンチウムやセレン化ストロンチウム
等のアルカリ土類金属の硫黄化合物およびセレン化合物
が採用されている。そして、これらの製法としては、電
子ビーム（ＥＢ）蒸着法やスパッタリング法等が検討さ
れており、近年ではＣＶＤ（ＣhemicalＶapor Ｄeposi
tion）法での検討も成されるようになってきた。
Ｌ素子１０において、青色発光を得るために従来では、
発光層４の構成材料として、例えばセリウム（Ｃｅ）を
添加した硫化ストロンチウムやセレン化ストロンチウム
等のアルカリ土類金属の硫黄化合物およびセレン化合物
が採用されている。そして、これらの製法としては、電
子ビーム（ＥＢ）蒸着法やスパッタリング法等が検討さ
れており、近年ではＣＶＤ（ＣhemicalＶapor Ｄeposi
tion）法での検討も成されるようになってきた。
【０００６】そしてこのＣＶＤ法においては、アルカリ
土類金属の供給方法として加熱した金属のハロゲン元素
ガス輸送によるものやハロゲン化合物を高温で気化させ
て反応炉内に輸送する方法等があげられる。しかしなが
ら、上記方法によれば気化温度が高く蒸気量の制御が困
難であり、反応炉内に供給されるII族ガスとVI族ガス、
発光中心物質との比が変化する可能性が大きく、安定し
て高品質な発光層を得ることができない。
土類金属の供給方法として加熱した金属のハロゲン元素
ガス輸送によるものやハロゲン化合物を高温で気化させ
て反応炉内に輸送する方法等があげられる。しかしなが
ら、上記方法によれば気化温度が高く蒸気量の制御が困
難であり、反応炉内に供給されるII族ガスとVI族ガス、
発光中心物質との比が変化する可能性が大きく、安定し
て高品質な発光層を得ることができない。
【０００７】この問題を解決するために、例えば１９９
１年ディスプレイ情報学会国際会議技術論文プロシーデ
ィング２２巻Ｐ２８２〜２８５に示されているようにジ
ピバロイルメタン化合物を用いた有機金属気相成長（Ｍ
etal Ｏrganic ＣhemicalＶapor Ｄeposition）法が
注目されている。ジピバロイルメタン化合物は一般に融
点が２５０℃以下であり、上述のハロゲン化合物に比べ
て供給ガスとしての蒸気を得るための温度制御性が向上
する。
１年ディスプレイ情報学会国際会議技術論文プロシーデ
ィング２２巻Ｐ２８２〜２８５に示されているようにジ
ピバロイルメタン化合物を用いた有機金属気相成長（Ｍ
etal Ｏrganic ＣhemicalＶapor Ｄeposition）法が
注目されている。ジピバロイルメタン化合物は一般に融
点が２５０℃以下であり、上述のハロゲン化合物に比べ
て供給ガスとしての蒸気を得るための温度制御性が向上
する。
【０００８】しかしながらアルカリ土類金属のジピバロ
イルメタン化合物は、原料を加熱する温度を上昇させて
いくと蒸気量も増加するが、十分な蒸気量を得る前に分
解してしまうという性質を持ち合わせている。そのため
に原料の形態変化を起こすことなく反応炉内に原料ガス
を輸送するためには分解温度以下で加熱気化させねばな
らず、この場合十分なアルカリ土類金属化合物ガスの供
給量が得られない。
イルメタン化合物は、原料を加熱する温度を上昇させて
いくと蒸気量も増加するが、十分な蒸気量を得る前に分
解してしまうという性質を持ち合わせている。そのため
に原料の形態変化を起こすことなく反応炉内に原料ガス
を輸送するためには分解温度以下で加熱気化させねばな
らず、この場合十分なアルカリ土類金属化合物ガスの供
給量が得られない。
【０００９】例えば硫化ストロンチウム：ＳｒＳやセレ
ン化ストロンチウム：ＳｒＳｅ等の薄膜を形成する際、
成膜速度が十分に得られず時間がかかり過ぎるという問
題があった。また、それに伴い発光中心等の添加剤を薄
膜中に添加する際、薄膜の原子量に対して数原子％程度
の比になるようにしなければならない。この薄膜中の発
光中心等の添加剤の組成が僅かでもずれると、ＥＬ素子
の発光特性が大きく変化してしまい信頼性を著しく損な
う。そのため所定の添加量を薄膜に対して均一な分布状
態で添加するためには、母体構成材料ガスよりさらに供
給量を低く制御する必要があり、そのため添加剤供給の
ための原料気化温度の極微量制御のために大がかりな装
置が必要になってくる。
ン化ストロンチウム：ＳｒＳｅ等の薄膜を形成する際、
成膜速度が十分に得られず時間がかかり過ぎるという問
題があった。また、それに伴い発光中心等の添加剤を薄
膜中に添加する際、薄膜の原子量に対して数原子％程度
の比になるようにしなければならない。この薄膜中の発
光中心等の添加剤の組成が僅かでもずれると、ＥＬ素子
の発光特性が大きく変化してしまい信頼性を著しく損な
う。そのため所定の添加量を薄膜に対して均一な分布状
態で添加するためには、母体構成材料ガスよりさらに供
給量を低く制御する必要があり、そのため添加剤供給の
ための原料気化温度の極微量制御のために大がかりな装
置が必要になってくる。
【００１０】上記のような問題点より、アルカリ土類金
属化合物ガスの供給量を十分に得ることができず、薄膜
形成速度が高められなかったため、気相成長法において
は信頼性の高い発光層薄膜が得られなかった。本発明
は、上記の課題を解決するために成されたものであり、
ＥＬ素子を再現性よく製造できることができる製造方法
を提供することを目的とする。
属化合物ガスの供給量を十分に得ることができず、薄膜
形成速度が高められなかったため、気相成長法において
は信頼性の高い発光層薄膜が得られなかった。本発明
は、上記の課題を解決するために成されたものであり、
ＥＬ素子を再現性よく製造できることができる製造方法
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の特徴は、第１電極，第１絶縁層，発光層，第
２絶縁層及び第２電極を光取り出し側の材料を光学的に
透明とし、順次積層したエレクトロルミネッセンス素子
の製法において、II属のアルカリ土類元素とVI族元素か
ら成る前記発光層を気相成長法を用いて形成する際、前
記気相成長法に用いるアルカリ土類金属化合物ガスとし
て、シクロペンタジエニル系化合物よりなるガスを用い
るエレクトロルミネッセンス素子の製法を提供する。
の本発明の特徴は、第１電極，第１絶縁層，発光層，第
２絶縁層及び第２電極を光取り出し側の材料を光学的に
透明とし、順次積層したエレクトロルミネッセンス素子
の製法において、II属のアルカリ土類元素とVI族元素か
ら成る前記発光層を気相成長法を用いて形成する際、前
記気相成長法に用いるアルカリ土類金属化合物ガスとし
て、シクロペンタジエニル系化合物よりなるガスを用い
るエレクトロルミネッセンス素子の製法を提供する。
【００１２】またこの時、上記アルカリ土類金属化合物
ガスがビスペンタメチルシクロペンタジエニルストロン
チウムＴＨＦ付加物（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨ
Ｆ2 ）であることが好ましい。また、上記発光層形成時
の成膜基板温度が３００℃以上５５０℃以下であること
が好ましい。
ガスがビスペンタメチルシクロペンタジエニルストロン
チウムＴＨＦ付加物（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨ
Ｆ2 ）であることが好ましい。また、上記発光層形成時
の成膜基板温度が３００℃以上５５０℃以下であること
が好ましい。
【００１３】また、上記アルカリ土類金属のシクロペン
タジエニル系化合物を気化させる圧力が、１００Ｔｏｒ
ｒ以下であることが好ましい。さらに、上記発光層を形
成する際に、ハロゲンまたはハロゲン化水素ガスを他の
ガスとは別々に反応炉内に導入することが好ましい。
タジエニル系化合物を気化させる圧力が、１００Ｔｏｒ
ｒ以下であることが好ましい。さらに、上記発光層を形
成する際に、ハロゲンまたはハロゲン化水素ガスを他の
ガスとは別々に反応炉内に導入することが好ましい。
【００１４】
【作用及び効果】本発明の手法によれば、発光中心元素
を添加したII属のアルカリ土類元素とVI族元素から成る
発光層を気相成長法を用いて形成する際に、II族のアル
カリ土類金属ガスの供給源である物質に、融点の低いシ
クロペンタジエニル系化合物を用いることにより、原料
の気化温度を下げることができ、蒸気圧が上昇する。さ
らには、制御性も向上させることができる。
を添加したII属のアルカリ土類元素とVI族元素から成る
発光層を気相成長法を用いて形成する際に、II族のアル
カリ土類金属ガスの供給源である物質に、融点の低いシ
クロペンタジエニル系化合物を用いることにより、原料
の気化温度を下げることができ、蒸気圧が上昇する。さ
らには、制御性も向上させることができる。
【００１５】このためアルカリ土類金属化合物ガスの供
給量を増加させることができる。すなわち上記化合物を
用いることにより薄膜形成の速度を増加させ、またその
精度を向上させることが可能になる。その結果、薄膜中
における発光中心等添加量のばらつきは、従来法に比べ
て向上する。
給量を増加させることができる。すなわち上記化合物を
用いることにより薄膜形成の速度を増加させ、またその
精度を向上させることが可能になる。その結果、薄膜中
における発光中心等添加量のばらつきは、従来法に比べ
て向上する。
【００１６】また、気相成長装置に限らず高温でガスを
供給しなければならないような装置において、このアル
カリ土類金属のシクロペンタジエニル系化合物は１５０
℃以下でも十分な蒸気量が得られるため、例えばガスの
流れを制御するバルブにおいては使用できるバルブの制
限が緩和され、より高精度のものが使用でき信頼性を向
上させることができる。
供給しなければならないような装置において、このアル
カリ土類金属のシクロペンタジエニル系化合物は１５０
℃以下でも十分な蒸気量が得られるため、例えばガスの
流れを制御するバルブにおいては使用できるバルブの制
限が緩和され、より高精度のものが使用でき信頼性を向
上させることができる。
【００１７】
【実施例】（実施例１）以下、本発明を具体的な実施例
に基づいて説明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１
００の断面を示した模式図である。尚、図１のＥＬ素子
１００では、矢印方向に光を取り出している。
に基づいて説明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１
００の断面を示した模式図である。尚、図１のＥＬ素子
１００では、矢印方向に光を取り出している。
【００１８】薄膜ＥＬ素子１００は、絶縁性基板である
ガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成され構
成されている。尚、以下各層の膜厚はその中央の部分を
基準として述べてある。ガラス基板１１上には、光学的
に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）から成る第１透明電極（第
１電極）１２が形成され、その上面には光学的に透明な
五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る第１絶縁層１３、
発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロ
ンチウム（ＳｒＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）から成る
発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）から成る第２絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜
鉛（ＺｎＯ）から成る第２透明電極（第２電極）１６が
形成されている。
ガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成され構
成されている。尚、以下各層の膜厚はその中央の部分を
基準として述べてある。ガラス基板１１上には、光学的
に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）から成る第１透明電極（第
１電極）１２が形成され、その上面には光学的に透明な
五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る第１絶縁層１３、
発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロ
ンチウム（ＳｒＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）から成る
発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）から成る第２絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜
鉛（ＺｎＯ）から成る第２透明電極（第２電極）１６が
形成されている。
【００１９】次に、上述の薄膜ＥＬ素子１００の製造方
法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明
電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合
し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置として
はイオンプレーティング装置を用いた。
法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明
電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合
し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置として
はイオンプレーティング装置を用いた。
【００２０】具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した。その後アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧
力を一定に保ち、成膜速度が所定の範囲となるようビー
ム電力及び高周波電力を調整した。次に、上記第１透明
電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る第
１絶縁層１３をスパッタ法により形成した。
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した。その後アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧
力を一定に保ち、成膜速度が所定の範囲となるようビー
ム電力及び高周波電力を調整した。次に、上記第１透明
電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る第
１絶縁層１３をスパッタ法により形成した。
【００２１】具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸
素（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ＫＷの高周波電力で
成膜を行った。上記第１絶縁層１３上に、発光層１４を
構成する図示しない硫化亜鉛（ＺｎＳ）等よりなる比較
的耐湿性のある薄膜を気相成長法：ＭＯＣＶＤ法により
形成した。
一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸
素（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ＫＷの高周波電力で
成膜を行った。上記第１絶縁層１３上に、発光層１４を
構成する図示しない硫化亜鉛（ＺｎＳ）等よりなる比較
的耐湿性のある薄膜を気相成長法：ＭＯＣＶＤ法により
形成した。
【００２２】具体的には、上記ガラス基板１１を一定温
度に保持し、図２に示す硫化亜鉛（ＺｎＳ）成膜室２０
内を減圧雰囲気下にした後、水素キャリアガスを用いて
ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ2Ｈ5）2 ）を第１送気管２２に
よって、また水素希釈した硫化水素（Ｈ2Ｓ）を第２送
気管２４によって流し、１５０ｎｍ以下の膜厚の硫化亜
鉛（ＺｎＳ）薄膜を形成した。
度に保持し、図２に示す硫化亜鉛（ＺｎＳ）成膜室２０
内を減圧雰囲気下にした後、水素キャリアガスを用いて
ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ2Ｈ5）2 ）を第１送気管２２に
よって、また水素希釈した硫化水素（Ｈ2Ｓ）を第２送
気管２４によって流し、１５０ｎｍ以下の膜厚の硫化亜
鉛（ＺｎＳ）薄膜を形成した。
【００２３】次に上記硫化亜鉛（ＺｎＳ）までを形成し
たガラス基板１１を図２に示す硫化ストロンチウム（Ｓ
ｒＳ）成膜室２６に搬送した後、上記硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）薄膜上に硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料
とし、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した硫化
ストロンチウム：セリウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４
を硫化亜鉛（ＺｎＳ）薄膜形成後連続してＭＯＣＶＤ法
により形成した。
たガラス基板１１を図２に示す硫化ストロンチウム（Ｓ
ｒＳ）成膜室２６に搬送した後、上記硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）薄膜上に硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料
とし、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した硫化
ストロンチウム：セリウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４
を硫化亜鉛（ＺｎＳ）薄膜形成後連続してＭＯＣＶＤ法
により形成した。
【００２４】具体的には、このガラス基板１１を５５０
℃以下の一定温度に維持し、硫化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｓ）成膜室２６内をポンプ２７によって減圧雰囲気下に
保持する。その後、水素キャリアガスを用いてビスペン
タメチルシクロペンタジニエルストロンチウムＴＨＦ付
加物（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）ガスを第３送
気管２８によって、また水素希釈した硫化水素（Ｈ2Ｓ
）を第４送気管３０によって流した。
℃以下の一定温度に維持し、硫化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｓ）成膜室２６内をポンプ２７によって減圧雰囲気下に
保持する。その後、水素キャリアガスを用いてビスペン
タメチルシクロペンタジニエルストロンチウムＴＨＦ付
加物（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）ガスを第３送
気管２８によって、また水素希釈した硫化水素（Ｈ2Ｓ
）を第４送気管３０によって流した。
【００２５】このときビスペンタメチルシクロペンタジ
ニエルストロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ
2 ）の原料気化器内圧力を３０〜５０Ｔｏｒｒの間で一
定に保持し、また１５０℃以下の温度で加熱して一定温
度に安定したことを確認した後で、水素（Ｈ2）ガスを
キャリアガスに用いて反応室内に原料を送り込み薄膜形
成速度を調節した。
ニエルストロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ
2 ）の原料気化器内圧力を３０〜５０Ｔｏｒｒの間で一
定に保持し、また１５０℃以下の温度で加熱して一定温
度に安定したことを確認した後で、水素（Ｈ2）ガスを
キャリアガスに用いて反応室内に原料を送り込み薄膜形
成速度を調節した。
【００２６】また発光中心の添加のために、トリジピバ
ロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を第５送
気管３２によって反応室へ導入した。ここで、ガラス基
板１１を５５０℃以下とした理由は、次の通りである。
ガラス基板が５５０℃を越えるとＩＴＯの抵抗が上昇す
る、あるいは基板自体がそるという問題が発生し、一方
３００℃未満となるとガスが未反応となる。
ロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を第５送
気管３２によって反応室へ導入した。ここで、ガラス基
板１１を５５０℃以下とした理由は、次の通りである。
ガラス基板が５５０℃を越えるとＩＴＯの抵抗が上昇す
る、あるいは基板自体がそるという問題が発生し、一方
３００℃未満となるとガスが未反応となる。
【００２７】尚、ビスペンタメチルシクロペンタジニエ
ルストロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）
原料気化器内圧力は３０〜５０Ｔｏｒｒが最適である
が、１００Ｔｏｒｒ程度の低圧下でも可能である。一方
１００Ｔｏｒｒ以上となると、気化量が減少し、成膜速
度が低下する。その後再び上記ガラス基板１１を硫化亜
鉛（ＺｎＳ）成膜室２０内に搬送し、一定温度に保持
し、硫化亜鉛（ＺｎＳ）成膜室２０内をポンプ２７によ
って減圧雰囲気下に保持した後、上記硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）の形成方法と同様にして１５０ｎｍ以下の膜厚の発
光層１４を構成する硫化亜鉛（ＺｎＳ）を形成した。
ルストロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）
原料気化器内圧力は３０〜５０Ｔｏｒｒが最適である
が、１００Ｔｏｒｒ程度の低圧下でも可能である。一方
１００Ｔｏｒｒ以上となると、気化量が減少し、成膜速
度が低下する。その後再び上記ガラス基板１１を硫化亜
鉛（ＺｎＳ）成膜室２０内に搬送し、一定温度に保持
し、硫化亜鉛（ＺｎＳ）成膜室２０内をポンプ２７によ
って減圧雰囲気下に保持した後、上記硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）の形成方法と同様にして１５０ｎｍ以下の膜厚の発
光層１４を構成する硫化亜鉛（ＺｎＳ）を形成した。
【００２８】上記硫化亜鉛（ＺｎＳ）成膜室２０と硫化
ストロンチウム（ＳｒＳ）成膜室２６間の搬送は、両反
応室内の全圧力を一定に維持し、また成膜した発光層膜
の硫黄抜けを防止するため雰囲気は膜形成に使用した水
素（Ｈ2）で希釈した硫化水素（Ｈ2Ｓ）とした。上記の
ように硫化亜鉛／硫化ストロンチウム／硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ／ＳｒＳ／ＺｎＳ）の３層からなる発光層１４を図２
に示す有機金属気相成長装置４０を用いて形成してお
り、連結されている２基の反応炉はゲートバルブ４２に
て仕切られた構造をもつものである。さらに、各成膜室
の圧力は、圧力計４３ａ，４３ｂによって確認する。
ストロンチウム（ＳｒＳ）成膜室２６間の搬送は、両反
応室内の全圧力を一定に維持し、また成膜した発光層膜
の硫黄抜けを防止するため雰囲気は膜形成に使用した水
素（Ｈ2）で希釈した硫化水素（Ｈ2Ｓ）とした。上記の
ように硫化亜鉛／硫化ストロンチウム／硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ／ＳｒＳ／ＺｎＳ）の３層からなる発光層１４を図２
に示す有機金属気相成長装置４０を用いて形成してお
り、連結されている２基の反応炉はゲートバルブ４２に
て仕切られた構造をもつものである。さらに、各成膜室
の圧力は、圧力計４３ａ，４３ｂによって確認する。
【００２９】また、図２中のガラス基板１１は図示せぬ
温調器付きのサセプタに固定されており、熱電対を用い
てフィードバック制御にて温度を管理した。次に、上記
発光層１４上に、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る
第２絶縁層１５を上述の第１絶縁層１３と同様の方法で
形成した。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜から成る第２透
明電極１６を、上述の第１透明電極１２と同様の方法に
より、第２絶縁層１５上に形成した。
温調器付きのサセプタに固定されており、熱電対を用い
てフィードバック制御にて温度を管理した。次に、上記
発光層１４上に、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る
第２絶縁層１５を上述の第１絶縁層１３と同様の方法で
形成した。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜から成る第２透
明電極１６を、上述の第１透明電極１２と同様の方法に
より、第２絶縁層１５上に形成した。
【００３０】各層の膜厚は、第１，第２透明電極１２，
１６が３００nm、第１，第２絶縁層１３，１５が４００
nm、発光層１４が全体で８００nmである。作製した試料
において、発光層である硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）
の成膜速度を図３に比較例１と比較して示す。この図３
に示してある比較例１とは、発光層成膜の原料ガスにビ
スジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（ＤＰ
Ｍ）2）と硫化水素（Ｈ2Ｓ）およびトリジピバロイルメ
タン化セリウム（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を用いて作製した
ときの硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）薄膜の成膜速度を
示したものである。
１６が３００nm、第１，第２絶縁層１３，１５が４００
nm、発光層１４が全体で８００nmである。作製した試料
において、発光層である硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）
の成膜速度を図３に比較例１と比較して示す。この図３
に示してある比較例１とは、発光層成膜の原料ガスにビ
スジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（ＤＰ
Ｍ）2）と硫化水素（Ｈ2Ｓ）およびトリジピバロイルメ
タン化セリウム（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を用いて作製した
ときの硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）薄膜の成膜速度を
示したものである。
【００３１】図３に示すように、本実施例１に従って作
製した試料では、ストロンチウム化合物原料であるビス
ペンタメチルシクロペンタジエニルストロンチウム（Ｓ
ｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）および硫化水素（Ｈ2
Ｓ）を用いて硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を成膜した
際、ストロンチウム化合物原料を加熱気化させるあらゆ
る温度において、比較例１のストロンチウム化合物原料
であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ
（ＤＲＭ）2 ）を用いて成膜を試みた場合に比べて３倍
以上の成膜速度を得ることができた。
製した試料では、ストロンチウム化合物原料であるビス
ペンタメチルシクロペンタジエニルストロンチウム（Ｓ
ｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）および硫化水素（Ｈ2
Ｓ）を用いて硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を成膜した
際、ストロンチウム化合物原料を加熱気化させるあらゆ
る温度において、比較例１のストロンチウム化合物原料
であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ
（ＤＲＭ）2 ）を用いて成膜を試みた場合に比べて３倍
以上の成膜速度を得ることができた。
【００３２】また同様の条件にて試料を作製したときの
硫化ストロンチウム発光層中に添加された発光中心の濃
度をＥＰＭＡ（Ｅlectron Ｐrobe Ｍicro Ａnarysi
s：電子線微量分析）にて確認したが、何度繰り返して
も設定した添加量からの誤差は確認されなかった。この
ようにして作製したＥＬ素子の発光輝度のばらつきを含
めて比較例１と比較したものを図４に示す。
硫化ストロンチウム発光層中に添加された発光中心の濃
度をＥＰＭＡ（Ｅlectron Ｐrobe Ｍicro Ａnarysi
s：電子線微量分析）にて確認したが、何度繰り返して
も設定した添加量からの誤差は確認されなかった。この
ようにして作製したＥＬ素子の発光輝度のばらつきを含
めて比較例１と比較したものを図４に示す。
【００３３】図４中の○印は発光輝度の平均値であり、
上線は測定したＥＬ素子の中でも最も輝度が高かったも
のの発光輝度を示し、下線は逆に最も輝度が低かったも
のの発光輝度を示している。このように両者を比較する
と発光輝度については著しい向上は確認できなかった
が、素子間のばらつきは著しく減少させることができ
た。
上線は測定したＥＬ素子の中でも最も輝度が高かったも
のの発光輝度を示し、下線は逆に最も輝度が低かったも
のの発光輝度を示している。このように両者を比較する
と発光輝度については著しい向上は確認できなかった
が、素子間のばらつきは著しく減少させることができ
た。
【００３４】このように本発明を用いることにより、比
較例１に比べて高い信頼性を有するＥＬ素子を再現性良
く作製することができた。 （実施例２）第１透明電極、第１絶縁層、第２絶縁層、
第２透明電極については、実施例１に記載されている方
法で製作した。
較例１に比べて高い信頼性を有するＥＬ素子を再現性良
く作製することができた。 （実施例２）第１透明電極、第１絶縁層、第２絶縁層、
第２透明電極については、実施例１に記載されている方
法で製作した。
【００３５】発光層母材形成材料としてビスペンタメチ
ルシクロペンタジエニルストロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−
Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）および硫化水素（Ｈ2Ｓ ）を、ま
た発光中心としてトリジピバロイルメタン化セリウム
（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を用いた。このとき実施例２では
ハロゲンまたはハロゲン化水素ガスとして塩化水素（Ｈ
Ｃｌ）を反応炉内に導入して硫化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｓ）薄膜発光層を作製した。
ルシクロペンタジエニルストロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−
Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）および硫化水素（Ｈ2Ｓ ）を、ま
た発光中心としてトリジピバロイルメタン化セリウム
（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を用いた。このとき実施例２では
ハロゲンまたはハロゲン化水素ガスとして塩化水素（Ｈ
Ｃｌ）を反応炉内に導入して硫化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｓ）薄膜発光層を作製した。
【００３６】具体的には、図５に示す有機金属気相成長
装置を用いる。即ち、実施例１と同様に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）薄膜まで作製したガラス基板上を５５０℃以下の一
定温度に保持し、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）成膜室
２６を減圧雰囲気下に保持する。その後、水素キャリア
ガスを用いてビスペンタメチルシクロペンタジエニルス
トロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）ガス
を第３送気管２８によって、また水素希釈した硫化水素
（Ｈ2Ｓ）ガスを第４送気管３０によって、ＳｒＳ成膜
室２６内に導入した。
装置を用いる。即ち、実施例１と同様に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）薄膜まで作製したガラス基板上を５５０℃以下の一
定温度に保持し、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）成膜室
２６を減圧雰囲気下に保持する。その後、水素キャリア
ガスを用いてビスペンタメチルシクロペンタジエニルス
トロンチウム（Ｓｒ（Ｍｅ−Ｃｐ）2 ・ＴＨＦ2 ）ガス
を第３送気管２８によって、また水素希釈した硫化水素
（Ｈ2Ｓ）ガスを第４送気管３０によって、ＳｒＳ成膜
室２６内に導入した。
【００３７】このときの原料気化温度および原料気化圧
力は実施例１と同様とした。また発光中心の添加方法と
しては、実施例１と同様にトリジピバロイルメタン化セ
リウム（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を用いて水素キャリアとと
もに第５送気管３２によってＳｒＳ成膜室２６内に導入
した。この発光中心の導入と同時に、上記ガス系とは別
に水素（Ｈ2）で希釈した塩化水素（ＨＣｌ）ガスを第
６送気管４４によって導入した。
力は実施例１と同様とした。また発光中心の添加方法と
しては、実施例１と同様にトリジピバロイルメタン化セ
リウム（Ｃｅ（ＤＰＭ）3）を用いて水素キャリアとと
もに第５送気管３２によってＳｒＳ成膜室２６内に導入
した。この発光中心の導入と同時に、上記ガス系とは別
に水素（Ｈ2）で希釈した塩化水素（ＨＣｌ）ガスを第
６送気管４４によって導入した。
【００３８】上記方法で作製した発光層を実施例１にて
図１に示したような素子構成に組み込み作製したＥＬ素
子の発光輝度を測定した結果を図６に示す。この図に示
す比較例２とは、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）発光層
形成時に塩化水素（ＨＣｌ）を導入しなかったものであ
る。図６の特性図からわかるように、発光輝度は従来品
に比べて２倍程度の向上を確認することができた。
図１に示したような素子構成に組み込み作製したＥＬ素
子の発光輝度を測定した結果を図６に示す。この図に示
す比較例２とは、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）発光層
形成時に塩化水素（ＨＣｌ）を導入しなかったものであ
る。図６の特性図からわかるように、発光輝度は従来品
に比べて２倍程度の向上を確認することができた。
【００３９】このように本発明を用いることによって、
従来の方法に較べて高輝度なＥＬ素子を実現することが
できる。
従来の方法に較べて高輝度なＥＬ素子を実現することが
できる。
【図１】本発明の実施例１に係るエレクトロルミネッセ
ンス素子の縦断面を示した模式図である。
ンス素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】本発明の実施例１に係るエレクトロルミネッセ
ンス素子の発光層のストロンチウム原料加熱温度に対す
る形成速度を示した特性図である。
ンス素子の発光層のストロンチウム原料加熱温度に対す
る形成速度を示した特性図である。
【図３】本発明の実施例１に係るエレクトロルミネッセ
ンス素子の発光層を形成するために用いる有機金属気相
成長装置の概略図である。
ンス素子の発光層を形成するために用いる有機金属気相
成長装置の概略図である。
【図４】本発明の実施例１に係るエレクトロルミネッセ
ンス素子の発光輝度の素子間でのばらつきを従来法と比
較して示した特性図である。
ンス素子の発光輝度の素子間でのばらつきを従来法と比
較して示した特性図である。
【図５】本発明の実施例２に係るエレクトロルミネッセ
ンス素子の発光層を形成するために用いる有機金属気相
成長装置の概略図である。
ンス素子の発光層を形成するために用いる有機金属気相
成長装置の概略図である。
【図６】本発明の実施例２に係るエレクトロルミネッセ
ンス素子の印加電圧とＥＬ発光輝度との関係を表した特
性図である。
ンス素子の印加電圧とＥＬ発光輝度との関係を表した特
性図である。
【図７】従来のエレクトロルミネッセンス素子の縦断面
を示した模式図である。
を示した模式図である。
１００ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子） １１ ガラス基板（絶縁性基板） １２ 第１透明電極（第１電極） １３ 第１絶縁層 １４ 発光層 １５ 第２絶縁層 １６ 第２透明電極（第２電極）
フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 第１電極，第１絶縁層，発光層，第２絶
縁層及び第２電極を光取り出し側の材料を光学的に透明
とし、順次積層したエレクトロルミネッセンス素子の製
法において、 II属のアルカリ土類元素とVI族元素から成る前記発光層
を気相成長法を用いて形成する際、前記気相成長法に用
いるアルカリ土類金属化合物ガスとして、シクロペンタ
ジエニル系化合物よりなるガスを用いることを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス素子の製法。 - 【請求項２】 前記アルカリ土類金属化合物ガスがビス
ペンタメチルシクロペンタジエニルストロンチウムＴＨ
Ｆ付加物であることを特徴とする請求項１記載のエレク
トロルミネッセンス素子の製法。 - 【請求項３】 前記発光層形成時の基板温度が３００℃
以上５５０℃以下であることを特徴とする請求項１記載
のエレクトロルミネッセンス素子の製法。 - 【請求項４】 前記アルカリ土類金属のシクロペンタジ
エニル系化合物を気化させる圧力が、１００Ｔｏｒｒ以
下であることを特徴とする請求項１記載のエレクトロル
ミネッセンス素子の製法。 - 【請求項５】 前記発光層を形成する際に、ハロゲンま
たはハロゲン化水素ガスを他のガスとは別々に反応炉内
に導入することを特徴とした上記請求項１記載のエレク
トロルミネッセンス素子の製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21393593A JP3618110B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
| US08/298,164 US5496582A (en) | 1993-08-30 | 1994-08-30 | Process for producing electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21393593A JP3618110B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765954A true JPH0765954A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3618110B2 JP3618110B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=16647490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21393593A Expired - Lifetime JP3618110B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5496582A (ja) |
| JP (1) | JP3618110B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342277B1 (en) * | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| DE19708543C2 (de) * | 1997-03-04 | 2000-12-07 | Bundesdruckerei Gmbh | Wert- und Sicherheitserzeugnis mit lumineszierenden Sicherheitselementen und Verfahren zur Herstellung derselben |
| FI105313B (fi) | 1998-06-03 | 2000-07-14 | Planar Systems Oy | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi |
| FI108375B (fi) | 1998-09-11 | 2002-01-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmõ eristõvien oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US20060219157A1 (en) * | 2001-06-28 | 2006-10-05 | Antti Rahtu | Oxide films containing titanium |
| FI118804B (fi) * | 1999-12-03 | 2008-03-31 | Asm Int | Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi |
| JP2004014311A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Sony Corp | 有機薄膜の形成方法 |
| US20050129978A1 (en) * | 2002-12-25 | 2005-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent device and method of manufacturing thereof |
| DE10326645A1 (de) * | 2003-06-11 | 2005-01-13 | Bundesdruckerei Gmbh | Wertdokument mit einem Sicherheitselement und Verfahren zur Herstellung des Wertdokuments |
| US7618681B2 (en) | 2003-10-28 | 2009-11-17 | Asm International N.V. | Process for producing bismuth-containing oxide films |
| JP4545504B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜形成方法、発光装置の作製方法 |
| JP2006244906A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光素子の製造方法及び製造装置 |
| US20070054048A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Suvi Haukka | Extended deposition range by hot spots |
| US7795160B2 (en) * | 2006-07-21 | 2010-09-14 | Asm America Inc. | ALD of metal silicate films |
| EP2066825A1 (en) | 2006-09-22 | 2009-06-10 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for the deposition of a ruthenium containing film |
| US7906175B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-03-15 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Methods for forming a ruthenium-based film on a substrate |
| US20090035946A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Asm International N.V. | In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors |
| US8501637B2 (en) * | 2007-12-21 | 2013-08-06 | Asm International N.V. | Silicon dioxide thin films by ALD |
| WO2009116004A2 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Alkali earth metal precursors for depositing calcium and strontium containing films |
| WO2009118708A1 (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Deposition of ternary oxide films containing ruthenium and alkali earth metals |
| US8383525B2 (en) * | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
| KR101436564B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2014-09-02 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 비정질 실리콘 박막 형성 방법 |
| US8859047B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-10-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions |
| US20110293830A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-12-01 | Timo Hatanpaa | Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides |
| US8357614B2 (en) | 2010-04-19 | 2013-01-22 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD |
| US9062390B2 (en) | 2011-09-12 | 2015-06-23 | Asm International N.V. | Crystalline strontium titanate and methods of forming the same |
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|---|---|---|---|---|
| JPS63230869A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2537527B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1996-09-25 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH077713B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1995-01-30 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP2538678B2 (ja) * | 1989-08-18 | 1996-09-25 | トリニティ工業株式会社 | オ―トクレ―ブ装置の減圧機構 |
| US5312983A (en) * | 1991-02-15 | 1994-05-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Organometallic tellurium compounds useful in chemical vapor deposition processes |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21393593A patent/JP3618110B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-08-30 US US08/298,164 patent/US5496582A/en not_active Expired - Lifetime
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