JPH0766257B2 - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置の駆動方法Info
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- JPH0766257B2 JPH0766257B2 JP5002683A JP268393A JPH0766257B2 JP H0766257 B2 JPH0766257 B2 JP H0766257B2 JP 5002683 A JP5002683 A JP 5002683A JP 268393 A JP268393 A JP 268393A JP H0766257 B2 JPH0766257 B2 JP H0766257B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと略記）を用いてスイッチアレイを形成した
液晶表示装直の駆動方法に関する。
下、ＴＦＴと略記）を用いてスイッチアレイを形成した
液晶表示装直の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）は従来のマトリクス型液晶表
示装置の構成を示しており、１０１〜１０３はゲート
線、１０４〜１０７はデータ線、１０８〜１１０等は画
素である。画素は、図１（ｂ）のごとく、ゲート線１１
１とデータ線１１２との交点に形成されたスイッチング
用ＴＦＴ１１３、浮遊容量１１４及び液晶セル１１５よ
り成っている。１１６、１１７はそれぞれ液晶セルの駆
動電極及び共通電極である。
示装置の構成を示しており、１０１〜１０３はゲート
線、１０４〜１０７はデータ線、１０８〜１１０等は画
素である。画素は、図１（ｂ）のごとく、ゲート線１１
１とデータ線１１２との交点に形成されたスイッチング
用ＴＦＴ１１３、浮遊容量１１４及び液晶セル１１５よ
り成っている。１１６、１１７はそれぞれ液晶セルの駆
動電極及び共通電極である。
【０００３】図１（ｂ）のデータ線１１２に図１（ｃ）
のＶD のごときデータ信号に相当する電圧が印加され、
図１（ｂ）のゲート線１１１に図１（ｃ）のＶG のごと
きゲート線駆動電圧が印加される。ＴＦＴ１１３がＮ型
ＴＦＴである場合、ＶG がハイである期間にデータ線１
１２の信号が液晶セル１１５に書き込まれ、１１５に書
き込まれた信号はＶG がローである期間中保持される。
のＶD のごときデータ信号に相当する電圧が印加され、
図１（ｂ）のゲート線１１１に図１（ｃ）のＶG のごと
きゲート線駆動電圧が印加される。ＴＦＴ１１３がＮ型
ＴＦＴである場合、ＶG がハイである期間にデータ線１
１２の信号が液晶セル１１５に書き込まれ、１１５に書
き込まれた信号はＶG がローである期間中保持される。
【０００４】図１（ｃ）においてＡはＶD ＜０である負
フレームを、ＢはＶD ＞０である正フレームを表わす。
フレームを、ＢはＶD ＞０である正フレームを表わす。
【０００５】従来、マトリクス型液晶表示装置のスイッ
チとして単結晶シリコン基板内に形成されたＭＯＳトラ
ンジスタが用いられていた。単結晶シリコンＭＯＳトラ
ンジスタの電圧−電流特性（ゲート・ソース電圧ＶGS−
ドレイン・ソース電流ＩDS特性）は、図２の２０１に示
すようにＯＮ／ＯＦＦ比が大きく、弱反転領域での電流
変化が急しゅんであり遮断領域でのリーク電流は小さ
い、従って、非導通時のＴＦＴが図２の２０２の領域で
動作するように、図３に示すごとく、ゲート線駆動信号
３０２とデータ線駆動信号３０１のバイアス関係が定め
られていた。
チとして単結晶シリコン基板内に形成されたＭＯＳトラ
ンジスタが用いられていた。単結晶シリコンＭＯＳトラ
ンジスタの電圧−電流特性（ゲート・ソース電圧ＶGS−
ドレイン・ソース電流ＩDS特性）は、図２の２０１に示
すようにＯＮ／ＯＦＦ比が大きく、弱反転領域での電流
変化が急しゅんであり遮断領域でのリーク電流は小さ
い、従って、非導通時のＴＦＴが図２の２０２の領域で
動作するように、図３に示すごとく、ゲート線駆動信号
３０２とデータ線駆動信号３０１のバイアス関係が定め
られていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単結晶シリコ
ンＭＯＳトランジスタをスイッチに用いたマトリクス型
液晶表示装置と同様な方法でＴＦＴをスイッチに用いた
マトリクス型液晶表示装置の駆動をおうとすると、次に
述べるような問題が生じる。シリコン薄膜によるＴＦＴ
の電圧−電流特性の一例を図４に示す。
ンＭＯＳトランジスタをスイッチに用いたマトリクス型
液晶表示装置と同様な方法でＴＦＴをスイッチに用いた
マトリクス型液晶表示装置の駆動をおうとすると、次に
述べるような問題が生じる。シリコン薄膜によるＴＦＴ
の電圧−電流特性の一例を図４に示す。
【０００７】ＩDS はドレイン・ソース電流、ＶGS はゲ
ート・ソース電圧である。４０１、４０２はそれぞれド
レイン・ソース電圧ＶDS をＶDS ＝Ｖ1 、ＶDS＝Ｖ2 と
した電圧−電流特性である。ただし、Ｖ2 ＞Ｖ1 。ＴＦ
Ｔの電圧−電流特性の特徴は、弱反転領域４０３で電流
変化が単結晶シリコンＭＯＳトランジスタに比べて緩慢
であること、遮断領域におけるリーク電流レベルが大き
いこと、及び遮断領域４０４においてＰＮ接合部リーク
電流によるＩDSの増加がみられることである。
ート・ソース電圧である。４０１、４０２はそれぞれド
レイン・ソース電圧ＶDS をＶDS ＝Ｖ1 、ＶDS＝Ｖ2 と
した電圧−電流特性である。ただし、Ｖ2 ＞Ｖ1 。ＴＦ
Ｔの電圧−電流特性の特徴は、弱反転領域４０３で電流
変化が単結晶シリコンＭＯＳトランジスタに比べて緩慢
であること、遮断領域におけるリーク電流レベルが大き
いこと、及び遮断領域４０４においてＰＮ接合部リーク
電流によるＩDSの増加がみられることである。
【０００８】図３のごときバイアス関係で液晶セルの駆
動を行なうと、ＴＦＴのゲート・ソース間電圧ＶGSが図
４、４０５の範囲で変化する。このとき、非導通時のＴ
ＦＴに流れるＰＮ接合電流は相当大きくなり、これは画
面への表示ムラとして現れ表示性能を大きくそこなうも
のである。
動を行なうと、ＴＦＴのゲート・ソース間電圧ＶGSが図
４、４０５の範囲で変化する。このとき、非導通時のＴ
ＦＴに流れるＰＮ接合電流は相当大きくなり、これは画
面への表示ムラとして現れ表示性能を大きくそこなうも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
駆動方法は、複数本のゲート線及び該ゲート線と交差す
る複数本のデータ線を備え、その各交点近傍に薄膜トラ
ンジスタを形成した基板と、共通電極となる透明電極を
形成した基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置
において、該データ信号の中心電圧は、Ｖ Ｂ ＝Ｃ Ｓ ・Ｖ Ｇ ／（Ｃ ＬＣ ＋Ｃ Ｓ ） 但し、Ｃ Ｓ は薄膜トランジスタの寄生容量、 Ｖ Ｇ は選択時と非選択時のゲート線駆動電圧の差、 Ｃ ＬＣ は画素容量、 で表わされるＶ Ｂ だけ、該共通電極の電位に対してバイ
アスされてなることを特徴とする 。
駆動方法は、複数本のゲート線及び該ゲート線と交差す
る複数本のデータ線を備え、その各交点近傍に薄膜トラ
ンジスタを形成した基板と、共通電極となる透明電極を
形成した基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置
において、該データ信号の中心電圧は、Ｖ Ｂ ＝Ｃ Ｓ ・Ｖ Ｇ ／（Ｃ ＬＣ ＋Ｃ Ｓ ） 但し、Ｃ Ｓ は薄膜トランジスタの寄生容量、 Ｖ Ｇ は選択時と非選択時のゲート線駆動電圧の差、 Ｃ ＬＣ は画素容量、 で表わされるＶ Ｂ だけ、該共通電極の電位に対してバイ
アスされてなることを特徴とする 。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【作用】データ線駆動信号の中心電圧と共通電極との間
に一定のバイアス電圧Ｖ Ｂ を印加することにより、液晶
に印加される電圧Ｖ ＬＣ の直流分を除去して、Ｖ ＬＣ の
波形の非対称性を補償し、直流駆動による液晶の劣化を
防止することができる。
に一定のバイアス電圧Ｖ Ｂ を印加することにより、液晶
に印加される電圧Ｖ ＬＣ の直流分を除去して、Ｖ ＬＣ の
波形の非対称性を補償し、直流駆動による液晶の劣化を
防止することができる。
【００１３】
【実施例】本発明は、ゲート線駆動信号ＶG の零レベル
とデータ線駆動信号ＶD の零レベルとの間にＴＦＴの電
圧−電流特性に合わせた適切なバイアス電圧ＶB を設け
ることにより、上述の欠点を解決し良好な表示性能を有
するマトリクス型液晶表示装置の駆動方法を提供するも
のであり、以下に詳細に説明する。
とデータ線駆動信号ＶD の零レベルとの間にＴＦＴの電
圧−電流特性に合わせた適切なバイアス電圧ＶB を設け
ることにより、上述の欠点を解決し良好な表示性能を有
するマトリクス型液晶表示装置の駆動方法を提供するも
のであり、以下に詳細に説明する。
【００１４】本発明の駆動方法の第１の実施例は図５に
示すごとくゲート線駆動信号の零レベルとデータ線駆動
信号の零レベルの間にＴＦＴの電圧−電流特性に合わせ
た一定のバイアス電圧ＶB を設けることにより、非導通
時のＴＦＴがその動作範囲内において極小のリーク電流
を有するようにするものである。
示すごとくゲート線駆動信号の零レベルとデータ線駆動
信号の零レベルの間にＴＦＴの電圧−電流特性に合わせ
た一定のバイアス電圧ＶB を設けることにより、非導通
時のＴＦＴがその動作範囲内において極小のリーク電流
を有するようにするものである。
【００１５】図５において、５０１はゲート線、５０２
はデータ線、５０３はスイッチング用ＴＦＴ，５０４は
液晶セル、５０５はデータ線駆動信号源、５０６はゲー
ト線駆動信号源である。
はデータ線、５０３はスイッチング用ＴＦＴ，５０４は
液晶セル、５０５はデータ線駆動信号源、５０６はゲー
ト線駆動信号源である。
【００１６】図６及び図７は本発明の実施例を示すもの
である。６０１、６０２はそれぞれ図４、４０１、４０
２と同一の電圧−電流特性の曲線である。６０１、６０
２の電圧−電流特性を有するＴＦＴでマトリクス型液晶
表示装置のスイッチを形成する場合、非導通時のＴＦＴ
のリーク電流が極小となるような動作範囲は図６、６０
３に示す範囲である。このように非導通時のＴＦＴの動
作範囲、即ち非導通時のＴＦＴのゲート・ソース間電圧
ＶGSの変化範囲を、リーク電流が極小となるような領域
に設定するために、本発明では、図７のごとくゲート線
駆動信号７０２の零レベルＶG ＝０とデータ線駆動信号
７０１の零レベルＶD ＝０との間にＶBのバイアス電圧
を設ける。
である。６０１、６０２はそれぞれ図４、４０１、４０
２と同一の電圧−電流特性の曲線である。６０１、６０
２の電圧−電流特性を有するＴＦＴでマトリクス型液晶
表示装置のスイッチを形成する場合、非導通時のＴＦＴ
のリーク電流が極小となるような動作範囲は図６、６０
３に示す範囲である。このように非導通時のＴＦＴの動
作範囲、即ち非導通時のＴＦＴのゲート・ソース間電圧
ＶGSの変化範囲を、リーク電流が極小となるような領域
に設定するために、本発明では、図７のごとくゲート線
駆動信号７０２の零レベルＶG ＝０とデータ線駆動信号
７０１の零レベルＶD ＝０との間にＶBのバイアス電圧
を設ける。
【００１７】上記の駆動方法によると、図３のごとき駆
動方法に比較して非導通時のＴＦＴのリーク電流の平均
値は５０％〜９０％低減される。本発明の駆動方法を実
現するための回路構成は、図５の例に示すごとくＶB の
値を外部から調整可能とすることが望ましい。ＶB を外
部から方正可能とすることによりＴＦＴ特性の製造ロッ
ト間ばらつきに容易に対処できる。バイアス電圧ＶB の
値を外部から任意に設定することにより生ずるもう一つ
の効果は、スイッチング用ＴＦＴのゲート及びゲート線
に付加する寄生容量への充放電電流を減らして低消費電
力が達成されることである。ＴＦＴ寄生容量、ゲート線
の寄生容量はそのほとんどがゲート線とゲート線の間ま
たはゲート線と液晶駆動電流の間に付いている。従っ
て、ＶB を負の値に設定することにより前記寄生容量を
充放電するための電流は低減され低消費電力化が達成さ
れる。
動方法に比較して非導通時のＴＦＴのリーク電流の平均
値は５０％〜９０％低減される。本発明の駆動方法を実
現するための回路構成は、図５の例に示すごとくＶB の
値を外部から調整可能とすることが望ましい。ＶB を外
部から方正可能とすることによりＴＦＴ特性の製造ロッ
ト間ばらつきに容易に対処できる。バイアス電圧ＶB の
値を外部から任意に設定することにより生ずるもう一つ
の効果は、スイッチング用ＴＦＴのゲート及びゲート線
に付加する寄生容量への充放電電流を減らして低消費電
力が達成されることである。ＴＦＴ寄生容量、ゲート線
の寄生容量はそのほとんどがゲート線とゲート線の間ま
たはゲート線と液晶駆動電流の間に付いている。従っ
て、ＶB を負の値に設定することにより前記寄生容量を
充放電するための電流は低減され低消費電力化が達成さ
れる。
【００１８】図８、図９に本発明の第２の実施例を示
す。
す。
【００１９】図８において、８０１はゲート線、８０２
はデータ線、８０３はＴＦＴ、８０４は液晶セル、８０
５はデータ線駆動信号源、８０６はゲート線駆動信号
源、８０７は第１のバイアス電源、８０８は第２のバイ
アス電源、ＣS はＴＦＴの寄生容量である。図９におい
て、９０１はデータ線駆動信号波形、９０２はゲート線
駆動信号波形である。
はデータ線、８０３はＴＦＴ、８０４は液晶セル、８０
５はデータ線駆動信号源、８０６はゲート線駆動信号
源、８０７は第１のバイアス電源、８０８は第２のバイ
アス電源、ＣS はＴＦＴの寄生容量である。図９におい
て、９０１はデータ線駆動信号波形、９０２はゲート線
駆動信号波形である。
【００２０】図１０は、液晶セルがゲート線駆動信号Ｖ
G 及びデータ線駆動信号ＶD によって駆動されている様
子を示し、ＶDCは液晶セルに加わる電圧の変化の様子を
示す。図８に示すＴＦＴの寄生容量ＣS の影響により、
ゲート線駆動信号ＶG の立ち下がりと同時にＶLCは
G 及びデータ線駆動信号ＶD によって駆動されている様
子を示し、ＶDCは液晶セルに加わる電圧の変化の様子を
示す。図８に示すＴＦＴの寄生容量ＣS の影響により、
ゲート線駆動信号ＶG の立ち下がりと同時にＶLCは
【００２１】
【数１】
【００２２】だけ負側に変化する。このため、負フレー
ムＡにおいては、データが書き込まれた直後ＶLCの実効
値が大きくなるように変化し、正フレームＢにおいては
データが書き込まれた直後ＶLCの実効値が小さくなるよ
うに変化する。従って、ＶLCの波形は図１０に示すごと
く一定の直流分を含んだものとなり、液晶の寿命を著し
く短くするという問題を生ずる。
ムＡにおいては、データが書き込まれた直後ＶLCの実効
値が大きくなるように変化し、正フレームＢにおいては
データが書き込まれた直後ＶLCの実効値が小さくなるよ
うに変化する。従って、ＶLCの波形は図１０に示すごと
く一定の直流分を含んだものとなり、液晶の寿命を著し
く短くするという問題を生ずる。
【００２３】第２の実施例に於いては、データ線駆動振
動の零レベルと液晶セルの共通電極との間にも一定のバ
イアス電圧ＶB2を設けることにより前述のＶLCに含まれ
る直流文を除去してＶLCの波形の上下非対称性を補償
し、直流駆動による液晶の劣化を防ぐというものであ
る。図８に示すごとく、ゲート線駆動信号源のバイアス
電圧ＶB1とデータ線駆動信号源のバイアス電位ＶB2はそ
れぞれ独立に外部から設定できるようにすることによっ
て、非導通時のＴＦＴのリーク電流低減による表示ムラ
の除去及び液晶に加わる直流電圧の除去による表示装置
の高信頼性を同時に実現することができる。
動の零レベルと液晶セルの共通電極との間にも一定のバ
イアス電圧ＶB2を設けることにより前述のＶLCに含まれ
る直流文を除去してＶLCの波形の上下非対称性を補償
し、直流駆動による液晶の劣化を防ぐというものであ
る。図８に示すごとく、ゲート線駆動信号源のバイアス
電圧ＶB1とデータ線駆動信号源のバイアス電位ＶB2はそ
れぞれ独立に外部から設定できるようにすることによっ
て、非導通時のＴＦＴのリーク電流低減による表示ムラ
の除去及び液晶に加わる直流電圧の除去による表示装置
の高信頼性を同時に実現することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上の如く、本発明の液晶表示装置は、
データ信号の中心電位と共通電位信号の電位差は、異な
る垂直走査期間においてＶ ＬＣ が実質的に正負対称とな
る方向にバイアスされてなることを特徴とするから、上
述のＶ ＬＣ に含まれる直流分を除去することができ、直
流駆動による液晶の劣化を防ぐとともに、液晶表示装置
の表示性能を大幅に向上させることが可能となるという
効果がある。 また、本発明の液晶表示装置の駆動方法
は、データ信号の中心電位と共通電位信号の電位差は、
異なる垂直走査期間においてＶ ＬＣ が実質的に正負対称
となる方向にバイアスされてなることを特徴とするか
ら、上述のＶ ＬＣ に含まれる直流分を除去することがで
き、直流駆動による液晶の劣化を防ぐとともに、液晶表
示装置の表示性能を大幅に向上させることが可能となる
という効果がある。
データ信号の中心電位と共通電位信号の電位差は、異な
る垂直走査期間においてＶ ＬＣ が実質的に正負対称とな
る方向にバイアスされてなることを特徴とするから、上
述のＶ ＬＣ に含まれる直流分を除去することができ、直
流駆動による液晶の劣化を防ぐとともに、液晶表示装置
の表示性能を大幅に向上させることが可能となるという
効果がある。 また、本発明の液晶表示装置の駆動方法
は、データ信号の中心電位と共通電位信号の電位差は、
異なる垂直走査期間においてＶ ＬＣ が実質的に正負対称
となる方向にバイアスされてなることを特徴とするか
ら、上述のＶ ＬＣ に含まれる直流分を除去することがで
き、直流駆動による液晶の劣化を防ぐとともに、液晶表
示装置の表示性能を大幅に向上させることが可能となる
という効果がある。
【図１】（ａ）はマトリクス型液晶表示装置の構成を示
す図。（ｂ）はその画素の構成を説明するための図。
（ｃ）は駆動信号を示す図。
す図。（ｂ）はその画素の構成を説明するための図。
（ｃ）は駆動信号を示す図。
【図２】 従来のマトリクス型液晶表示装置に用いらて
いる単結晶シリコンＭＯＳトランジスタの電圧−電流特
性を示した図。
いる単結晶シリコンＭＯＳトランジスタの電圧−電流特
性を示した図。
【図３】 ゲート線及びデータ線の駆動方法の従来例を
示す図。
示す図。
【図４】 従来の駆動方法によるスイッチングＴＦＴの
駆動を説明するための図。
駆動を説明するための図。
【図５】 本発明の第一の実施例を説明するための図。
【図６】 本発明の第一の実施例を説明するための図。
【図７】 本発明の第一の実施例を説明するための図。
【図８】 本発明の第二の実施例を説明するための図。
【図９】 本発明の第二の実施例を説明するための図。
【図１０】 本発明の第二の実施例を説明するための
図。
図。
１０１，１０２，１０３，１１１，４０４，５０１，８
０１ ゲート線 １０４，１０５，１０６，１０７，１１２，５０２，８
０２ データ線 １０８，１０９，１１０ 画素 １１３，５０３，８０３ ＴＦＴ １１４ 浮遊容量 １１５，５０４，８０４ 液晶セル １１６ 液晶セルの駆動電極 １１７ 共通電極 ４０１ ドレイン・ソース電圧ＶDSをＶDS＝Ｖ1 とした
電圧−電流特性弱反転領域 ４０２ドレイン・ソース電圧ＶDSをＶDS＝Ｖ2 とした電
圧−電流特性弱反転領域 ４０３ 遮断領域 ５０５，８０５ データ線駆動信号源 ５０６，８０６ ゲート線駆動信号源 ８０７ 第１のバイアス電源 ８０８ 第２のバイアス電源 ＣS ＴＦＴの寄生容量 ９０１ データ線駆動信号波形 ９０２ ゲート線駆動信号波形
０１ ゲート線 １０４，１０５，１０６，１０７，１１２，５０２，８
０２ データ線 １０８，１０９，１１０ 画素 １１３，５０３，８０３ ＴＦＴ １１４ 浮遊容量 １１５，５０４，８０４ 液晶セル １１６ 液晶セルの駆動電極 １１７ 共通電極 ４０１ ドレイン・ソース電圧ＶDSをＶDS＝Ｖ1 とした
電圧−電流特性弱反転領域 ４０２ドレイン・ソース電圧ＶDSをＶDS＝Ｖ2 とした電
圧−電流特性弱反転領域 ４０３ 遮断領域 ５０５，８０５ データ線駆動信号源 ５０６，８０６ ゲート線駆動信号源 ８０７ 第１のバイアス電源 ８０８ 第２のバイアス電源 ＣS ＴＦＴの寄生容量 ９０１ データ線駆動信号波形 ９０２ ゲート線駆動信号波形
Claims (1)
- 【請求項１】一対の基板内に液晶が封入され、該基板の
一方の基板上に共通電極を有し、他方の基板上に、マト
リクス状に形成された複数のゲート線と複数のデータ
線、該複数のゲート線と複数のデータ線の各交点近傍に
形成された複数の画素電極、および該複数の画素電極に
対応して形成された複数の薄膜トランジスタを有し、 該薄膜トランジスタには該ゲート線から走査信号が供給
され、該画素電極には１垂直走査期間毎に位相が反転さ
れたデータ信号が該薄膜トランジスタを介して該データ
線から供給されてなる液晶表示装置において、 該データ信号の中心電圧は、 Ｖ Ｂ ＝Ｃ Ｓ ・Ｖ Ｇ ／（Ｃ ＬＣ ＋Ｃ Ｓ ） 但し、Ｃ Ｓ は薄膜トランジスタの寄生容量、 Ｖ Ｇ は選択時と非選択時のゲート線駆動電圧の差、 Ｃ ＬＣ は画素容量、 で表わされるＶ Ｂ だけ、該共通電極の電位に対してバイ
アスされてなることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5002683A JPH0766257B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5002683A JPH0766257B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2915588A Division JPS6463996A (en) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Driving of matrix type liquid crystal display device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17095096A Division JP2626651B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05341738A JPH05341738A (ja) | 1993-12-24 |
| JPH0766257B2 true JPH0766257B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=11536098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5002683A Expired - Lifetime JPH0766257B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766257B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621193A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-27 | Sharp Kk | Drive method of liquid crystal display unit |
| JPS5640888A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-17 | Canon Kk | Driving method |
| JPS5748788A (en) * | 1980-08-06 | 1982-03-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Matrix type liquid crystal display unit |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP5002683A patent/JPH0766257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05341738A (ja) | 1993-12-24 |
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