JPH0766346A - Lead frame, composite lead frame using this lead frame, and method of manufacturing composite lead frame - Google Patents
Lead frame, composite lead frame using this lead frame, and method of manufacturing composite lead frameInfo
- Publication number
- JPH0766346A JPH0766346A JP5229406A JP22940693A JPH0766346A JP H0766346 A JPH0766346 A JP H0766346A JP 5229406 A JP5229406 A JP 5229406A JP 22940693 A JP22940693 A JP 22940693A JP H0766346 A JPH0766346 A JP H0766346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- plating layer
- tin
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームのリードぬれ性を向上させ、
リードパターンとリードフレームのリードとの接合性を
高め、信頼性を向上させる。
【構成】 少なくともインナーリード部5の先端部表面
に形成された錫めっき層13と、錫めっき層13上に形
成された金めっき層18とからなる接合層19が形成さ
れたリードフレームである。
(57) [Summary] [Purpose] To improve the lead wettability of the lead frame,
It improves the bondability between the lead pattern and the leads of the lead frame, and improves the reliability. A lead frame in which a bonding layer 19 including at least a tin-plated layer 13 formed on the surface of the tip of the inner lead portion 5 and a gold-plated layer 18 formed on the tin-plated layer 13 is formed.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム、この
リードフレームを用いた複合リードフレーム及び複合リ
ードフレームの製造方法に関し、特に、内部リードと外
部リードとの接合性を向上させたリードフレーム、この
リードフレームを用いた複合リードフレーム及び複合リ
ードフレームの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame, a composite lead frame using the lead frame and a method for manufacturing the composite lead frame, and more particularly to a lead frame having improved bonding between the inner lead and the outer lead, The present invention relates to a composite lead frame using this lead frame and a method for manufacturing the composite lead frame.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にIC、LSI等の半導体装置は、
図3及び図4に示されるように、半導体チップ12をリ
ードフレーム1の搭載台7にボンディングし、半導体チ
ップ12に設けられた電極部とインナーリード部5の先
端部6の貴金属めっき層9を金等の極細線10でワイヤ
ボンディングした後、プラスチック樹脂11でモールド
される。2. Description of the Related Art Generally, semiconductor devices such as IC and LSI are
As shown in FIGS. 3 and 4, the semiconductor chip 12 is bonded to the mounting base 7 of the lead frame 1 and the electrode portion provided on the semiconductor chip 12 and the noble metal plating layer 9 on the tip portion 6 of the inner lead portion 5 are attached. After wire bonding with an ultrafine wire 10 such as gold, it is molded with a plastic resin 11.
【0003】近年は、半導体チップの大容量化や多機能
化に伴い、半導体チップ上の電極数が増加している。こ
れに対し、半導体パッケージを小型化するため、リード
幅やリード間のピッチを狭くする必要もある。ところ
が、リードフレームを用いたパッケージでは、リード間
のピッチを狭くし、パッケージを小型化するには限界が
ある。そこで、ワイヤボンディングに代わり、エッチン
グ等によって薄い銅箔からなるリードパターンをフィル
ム上に形成したフィルムキャリアを用いることによっ
て、多ピン化、薄型化を可能にする実装方法、すなわ
ち、Tape Automated Bonding
(TAB)が用いられるようになった。In recent years, the number of electrodes on a semiconductor chip has increased with the increase in capacity and multifunction of semiconductor chips. On the other hand, in order to downsize the semiconductor package, it is necessary to narrow the lead width and the pitch between the leads. However, in a package using a lead frame, there is a limit in reducing the pitch between the leads and reducing the size of the package. Therefore, instead of wire bonding, by using a film carrier in which a lead pattern made of a thin copper foil is formed on a film by etching or the like, a mounting method capable of increasing the number of pins and thinning, that is, Tape Automated Bonding
(TAB) has come to be used.
【0004】図5には、TABによるICパッケージが
示されている。このパッケージは、半導体チップ12の
電極端子上に金バンプ14を設け、金バンプ14上に、
フィルム15上に形成されたリードパターンのインナー
リード部16を熱圧着し、樹脂11で封止することによ
って形成されている。そして、このパッケージのアウタ
ーリード部17がプリント基板に接合される。FIG. 5 shows a TAB IC package. In this package, the gold bumps 14 are provided on the electrode terminals of the semiconductor chip 12, and the gold bumps 14 are
The inner lead portion 16 of the lead pattern formed on the film 15 is formed by thermocompression bonding and sealing with the resin 11. Then, the outer lead portion 17 of this package is joined to the printed circuit board.
【0005】上記パッケージに用いられるフィルムキャ
リア上に形成されたリードは、薄い銅箔からなるため、
パッケージ後もアウターリード部17が容易に変形し易
く、リードフレーム1を用いたパッケージと比べて実装
時の取扱いが困難である。そのため、図6に示されるよ
うな、アウターリード部3をリードフレームで形成し、
これに半導体チップ12を接合したフィルムキャリアを
搭載する複合リードフレームが提案された。この複合リ
ードフレームは、フィルムキャリアのリードに金めっき
を施し、リードフレーム1のインナーリード部5の先端
部6に、図7に示されるように錫めっき13を施して接
合層19を形成し、フィルムキャリアのリードとリード
フレームのリードとを金−錫共晶接合によって接合して
いる。Since the leads formed on the film carrier used for the package are made of thin copper foil,
Even after the package, the outer lead portion 17 is easily deformed, and it is more difficult to handle at the time of mounting than the package using the lead frame 1. Therefore, as shown in FIG. 6, the outer lead portion 3 is formed of a lead frame,
A composite lead frame has been proposed which mounts a film carrier in which the semiconductor chip 12 is bonded thereto. In this composite lead frame, the lead of the film carrier is gold-plated, and the tip portion 6 of the inner lead portion 5 of the lead frame 1 is tin-plated 13 as shown in FIG. 7 to form the bonding layer 19. The lead of the film carrier and the lead of the lead frame are joined by gold-tin eutectic joining.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
複合リードフレームは、リードフレームに施された錫め
っきの表面が酸化し易いという欠点があり、金−錫接合
時のぬれ性や接合強度が低下するという問題があった。However, the conventional composite lead frame has a drawback that the surface of the tin plating applied to the lead frame is easily oxidized, and the wettability and the joint strength at the time of gold-tin joining are deteriorated. There was a problem of doing.
【0007】したがって、本発明の目的は、リードフレ
ームのリードのぬれ性を高め、リードパターンとリード
フレームのリードとの接合性を向上させた信頼性の高い
リードフレーム、このリードフレームを用いた複合リー
ドフレーム及び複合リードフレームの製造方法を提供す
ることにある。Therefore, an object of the present invention is to improve the wettability of the leads of the lead frame and to improve the bondability between the lead pattern and the leads of the lead frame, and a highly reliable lead frame, and a composite using this lead frame. It is to provide a method of manufacturing a lead frame and a composite lead frame.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、少なくともリードの先端部表面に形成され
た錫又は錫を主成分とする第1のめっき層と、第1のめ
っき層の表面に形成された金を成分とする第2のめっき
層とを有することを特徴とするリードフレームを提供す
る。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides at least a first plating layer containing tin or tin as a main component and formed on the surface of the tip of a lead, and a first plating layer. And a second plating layer containing gold as a component formed on the surface of the lead frame.
【0009】また、本発明は、絶縁フィルム上に形成さ
れ、金めっきが施されたリードパターンからなる内部リ
ードと、リードフレームから形成されたリードよりなる
外部リードと、内部リードと外部リードとを接合するた
めの外部リード表面の少なくとも一端に形成された錫又
は錫を主成分とする第1のめっき層と、第1のめっき層
の表面に形成された金を成分とする第2のめっき層から
なる接合層とから構成されることを特徴とする複合リー
ドフレームを提供する。Further, according to the present invention, an inner lead having a lead pattern formed on an insulating film and plated with gold, an outer lead having a lead formed from a lead frame, an inner lead and an outer lead are provided. A first plating layer containing tin or tin as a main component formed on at least one end of the outer lead surface for bonding, and a second plating layer containing gold as a component formed on the surface of the first plating layer. A composite lead frame comprising: a bonding layer composed of
【0010】更に、本発明は、リードフレームから形成
されたリードよりなる外部リードの表面の少なくとも一
端に、錫又は錫を主成分とする第1のめっき層を形成す
る工程と、第1のめっき層の表面に、金を成分とする第
2のめっき層を形成する工程と、第2のめっき層を介し
て、絶縁フィルム上に形成された金めっきが施されたリ
ードパターンからなる内部リードと外部リードとを接合
する工程とを有することを特徴とする複合リードフレー
ムの製造方法を提供する。Further, according to the present invention, a step of forming tin or a first plating layer containing tin as a main component on at least one end of a surface of an outer lead formed of a lead frame, and the first plating. A step of forming a second plating layer containing gold as a component on the surface of the layer, and an internal lead including a gold-plated lead pattern formed on the insulating film through the second plating layer. And a step of joining with external leads.
【0011】[0011]
【実施例】以下に、本発明の第1実施例を図面を参照に
しつつ詳細に説明する。図1には、本実施例の複合リー
ドフレームに用いられるリードフレームが示されてい
る。このリードフレーム1は、所定のパターンに基づい
て、銅系合金又は鉄系合金等を素材とした金属条をエッ
チング又はプレス加工することで形成された外枠2と、
アウターリード部3と、ダムバー4と、インナーリード
部5と、パイロットホール8とから構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a lead frame used in the composite lead frame of this embodiment. The lead frame 1 includes an outer frame 2 formed by etching or pressing a metal strip made of a copper-based alloy, an iron-based alloy, or the like based on a predetermined pattern,
The outer lead portion 3, the dam bar 4, the inner lead portion 5, and the pilot hole 8 are included.
【0012】図2には、図1に示されるリードフレーム
1におけるA−A’断面の断面図が示されている。この
図2に示されているように、インナーリード部5の先端
部6の表面には、錫めっき層13と錫めっき層の表面に
薄い金めっき層18とからなる接合層19が形成されて
いる。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'of the lead frame 1 shown in FIG. As shown in FIG. 2, a bonding layer 19 including a tin plating layer 13 and a thin gold plating layer 18 on the surface of the tin plating layer 13 is formed on the surface of the tip portion 6 of the inner lead portion 5. There is.
【0013】そして、上記リードフレーム1と、TAB
法により製造される絶縁フィルム上に形成されたリード
パターン(図示せず)とを接合層19を介して接合し、
従来技術の欄で説明した図6に示される半導体パッケー
ジに用いられているような複合リードフレームを得るこ
とができる。Then, the lead frame 1 and the TAB
A lead pattern (not shown) formed on the insulating film manufactured by the method through a bonding layer 19;
A composite lead frame as used in the semiconductor package shown in FIG. 6 described in the section of the prior art can be obtained.
【0014】上記複合リードフレームの製造方法は以下
の通りである。まず、インナーリード部5に錫めっきを
施し、その上から更に金めっきを施して接合層19を形
成し、上記リードフレーム1を製造する。また、これと
は別に、TAB法により金めっきが施されたリードパタ
ーンを製造する。次に、上記リードパターンとリードフ
レームのインナーリード部5とを接合層19を介して接
合する。この接合は、所定の温度で所定の時間加圧する
ことにより行う。これにより、リードパターンとリード
フレーム1のインナーリード部5とが接合される。そし
て、従来技術の欄で説明した図6に示されるように、リ
ードパターンとリードフレーム1のインナーリード部5
とでモールド樹脂11に覆われる内部リードを構成し、
リードフレーム1のアウターリード部3で外部回路と接
続される外部リードを構成する。The method of manufacturing the above composite lead frame is as follows. First, the inner lead portion 5 is tin-plated, and further gold-plated on the inner lead portion 5 to form the bonding layer 19, and the lead frame 1 is manufactured. Separately from this, a lead pattern plated with gold by the TAB method is manufactured. Next, the lead pattern and the inner lead portion 5 of the lead frame are joined via the joining layer 19. This joining is performed by applying pressure at a predetermined temperature for a predetermined time. As a result, the lead pattern and the inner lead portion 5 of the lead frame 1 are joined. Then, as shown in FIG. 6 described in the section of the prior art, the lead pattern and the inner lead portion 5 of the lead frame 1 are formed.
And form an internal lead covered with the mold resin 11,
The outer lead portion 3 of the lead frame 1 constitutes an external lead connected to an external circuit.
【0015】ここで、以下の実施例1及び2と、比較例
1及び2とを製造し、めっき直後に接合したもの及びめ
っき後一週間放置して接合したもののぬれ性を比較する
ことにより、両者の接合試験を行った。具体的には、T
AB法によるリードパターンとリードフレーム1のイン
ナーリード部5とを接合層19を介して接合して複合リ
ードフレームを製造し、その後、リードパターンを引き
剥がして接合面のぬれ面積を測定した。Here, the following Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were produced, and the wettability of the ones joined immediately after plating and the ones left to stand for one week after plating were compared to determine the wettability. A joint test of both was performed. Specifically, T
The lead pattern by the AB method and the inner lead portion 5 of the lead frame 1 were joined via the joining layer 19 to manufacture a composite lead frame, and then the lead pattern was peeled off to measure the wetted area of the joined surface.
【0016】〔実施例1〕上述の製造方法により、リー
ドフレーム1の接合層19を3μmの厚さの錫めっき層
13と、0.1μmの厚さの金めっき層18とで形成
し、めっき直後にTAB法により製造されたリードパタ
ーン(35μm厚銅リードで、下地に0.5μmのNi
めっきを施し、その表面に1.0μmの金めっきを施し
たもの)へ350℃で5秒間加圧して接合した後、冷却
して複合リードフレームを得た。Example 1 The bonding layer 19 of the lead frame 1 was formed by the tin plating layer 13 having a thickness of 3 μm and the gold plating layer 18 having a thickness of 0.1 μm by the manufacturing method described above, and plating was performed. Immediately after that, a lead pattern manufactured by the TAB method (35 μm thick copper lead with 0.5 μm Ni as the base)
A composite lead frame was obtained by applying a pressure to the surface of a metal plate on which gold plating of 1.0 μm was applied at 350 ° C. for 5 seconds and then cooling.
【0017】〔実施例2〕上述の製造方法により、リー
ドフレーム1の接合層19を3μmの厚さの錫めっき層
13と、0.1μmの厚さの金めっき層18とで形成
し、一週間放置後、TAB法により製造されたリードパ
ターン(35μm厚銅リードで、下地に0.5μmのN
iめっきを施し、その表面に1.0μmの金めっきを施
したもの)へ350℃で5秒間加圧して接合した後、冷
却して複合リードフレームを得た。[Embodiment 2] The bonding layer 19 of the lead frame 1 is formed by the tin plating layer 13 having a thickness of 3 μm and the gold plating layer 18 having a thickness of 0.1 μm by the manufacturing method described above. After leaving for a week, the lead pattern manufactured by the TAB method (35 μm thick copper lead, 0.5 μm N
(i-plated and 1.0 μm gold-plated on the surface) was pressed and bonded at 350 ° C. for 5 seconds, and then cooled to obtain a composite lead frame.
【0018】〔比較例1〕リードフレーム1の接合層1
9を3μmの厚さの錫めっき層で形成し、めっき直後に
TAB法により製造されたリードパターン(35μm厚
銅リードで、下地に0.5μmのNiめっきを施し、そ
の表面に1.0μmの金めっきを施したもの)へ350
℃で5秒間加圧して接合した後、冷却して複合リードフ
レームを得た。[Comparative Example 1] Bonding layer 1 of lead frame 1
9 is formed by a tin plating layer having a thickness of 3 μm, and a lead pattern manufactured by the TAB method immediately after the plating (35 μm thick copper lead, 0.5 μm Ni plating is applied to the base, and 1.0 μm of the surface is formed). Gold plated) to 350
After pressurizing at 5 ° C. for 5 seconds to bond, cooling was performed to obtain a composite lead frame.
【0019】〔比較例2〕リードフレーム1の接合層1
9を3μmの厚さの錫めっき層で形成し、一週間放置
後、TAB法により製造されたリードパターン(35μ
m厚銅リードで、下地に0.5μmのNiめっきを施
し、その表面に1.0μmの金めっきを施したもの)へ
350℃で5秒間加圧して接合した後、冷却して複合リ
ードフレームを得た。[Comparative Example 2] Bonding layer 1 of lead frame 1
9 was formed by a tin plating layer having a thickness of 3 μm, left for 1 week, and then a lead pattern (35 μm) manufactured by the TAB method was formed.
(m thick copper lead with 0.5 μm Ni plating on the base and 1.0 μm gold plating on the surface), pressurizing and joining at 350 ° C. for 5 seconds, and then cooling to form a composite lead frame Got
【0020】上記4種類の複合リードフレームから、T
AB法によるリードパターンを引き剥がし、接合面のぬ
れ面積を測定した結果を表1に示す。From the above four types of composite lead frames, T
Table 1 shows the result of peeling off the lead pattern by the AB method and measuring the wetted area of the joint surface.
【表1】 この表1においては、実施例1のもののぬれ面積を10
0%として他のものとを比較している。表1より明らか
なように、錫めっき及び金めっきからなる接合層19を
持つ本実施例のリードフレーム1である実施例2のもの
は、めっき後一週間放置してもぬれ面積に変化は起きな
かった。一方、錫めっきのみの接合層を持つ比較例のも
のは、めっき直後の比較例1のものでもぬれ性は実施例
1のものより多少低下しており、一週間放置した比較例
2のものは、実施例1のものの半分に低下している。こ
のように、実施例1及び2のものは、時間が経過しても
ぬれ性に変化はないが、比較例1及び2のものは、時間
が経過するとぬれ性が低下することが確認された。[Table 1] In Table 1, the wetted area of Example 1 is 10
0% is compared with others. As is clear from Table 1, in the case of Example 2 which is the lead frame 1 of this Example having the joining layer 19 made of tin plating and gold plating, the wetted area changed even if left for one week after plating. There wasn't. On the other hand, the wettability of the comparative example having the joining layer of only tin plating was slightly lower than that of the example 1 even after the plating, and the comparative example 2 left for one week , Which is half that of Example 1. Thus, it was confirmed that the wettability of Examples 1 and 2 did not change over time, but the wettability of Comparative Examples 1 and 2 decreased over time. .
【0021】[0021]
【発明の効果】以上のように、本発明のリードフレー
ム、このリードフレームを用いた複合リードフレーム及
び複合リードフレームの製造方法によれば、リードフレ
ームのリードに金を成分とする第2めっき層を設けたの
で、リードフレームのリードとリードパターンとのぬれ
性を高め、リードパターンとリードフレームのリードと
の接合性を高め、信頼性を向上させることができる。As described above, according to the lead frame of the present invention, the composite lead frame using the lead frame, and the method of manufacturing the composite lead frame, the second plating layer containing gold as a component of the lead of the lead frame. Since the lead frame is provided, the wettability between the lead of the lead frame and the lead pattern can be improved, the bondability between the lead pattern and the lead of the lead frame can be improved, and the reliability can be improved.
【図1】本発明の一実施例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図3】リードフレームを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a lead frame.
【図4】リードフレームを用いたICパッケージを示す
断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing an IC package using a lead frame.
【図5】TAB法によるICパッケージを示す断面図で
ある。FIG. 5 is a sectional view showing an IC package by the TAB method.
【図6】従来の複合リードフレームを用いたICパッケ
ージを示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an IC package using a conventional composite lead frame.
【図7】従来の複合リードフレームに用いられるリード
フレームのリードの断面である。FIG. 7 is a cross section of a lead of a lead frame used in a conventional composite lead frame.
1 リードフレーム 2 外枠
部 3 リードフレームのアウターリード部 4 ダムバー 5 リードフレームのインナーリード部 6 インナーリード部の先端 7 IC
チップ搭載部 8 パイロットホール 9 貴金
属めっき層 10 ボンディングワイヤ 11 モー
ルド樹脂 12 半導体チップ 13 錫め
っき層 14 金バンプ 15 フィ
ルム 16 リードパターンのインナーリード部16 17 リードパターンのアウターリード部17 18 金めっき層 19 接合層1 lead frame 2 outer frame part 3 outer lead part of lead frame 4 dam bar 5 inner lead part of lead frame 6 tip of inner lead part 7 IC
Chip mounting part 8 Pilot hole 9 Noble metal plating layer 10 Bonding wire 11 Molding resin 12 Semiconductor chip 13 Tin plating layer 14 Gold bump 15 Film 16 Inner lead part of lead pattern 16 17 Outer lead part of lead pattern 17 18 Gold plating layer 19 Bonding layer
Claims (3)
れた錫又は錫を主成分とする第1のめっき層と、 前記第1のめっき層の表面に形成された金を成分とする
第2のめっき層とを有することを特徴とするリードフレ
ーム。1. A tin or a first plating layer containing tin as a main component formed on at least a tip surface of a lead, and a second plating layer containing gold as a component formed on the surface of the first plating layer. A lead frame having a plating layer.
施されたリードパターンからなる内部リードと、 リードフレームから形成されたリードよりなる外部リー
ドと、 前記内部リードと前記外部リードとを接合するための前
記外部リード表面の少なくとも一端に形成された錫又は
錫を主成分とする第1のめっき層と、前記第1のめっき
層の表面に形成された金を成分とする第2のめっき層か
らなる接合層とから構成されることを特徴とする複合リ
ードフレーム。2. An inner lead formed of a lead pattern formed on an insulating film and plated with gold, an outer lead formed of a lead frame, and the inner lead and the outer lead are joined together. And a first plating layer containing tin or tin as a main component and formed on at least one end of the outer lead surface, and a second plating layer containing gold as a component formed on the surface of the first plating layer. A composite lead frame comprising: a bonding layer composed of
りなる外部リードの表面の少なくとも一端に、錫又は錫
を主成分とする第1のめっき層を形成する工程と、 前記第1のめっき層の表面に、金を成分とする第2のめ
っき層を形成する工程と、 前記第2のめっき層を介して、絶縁フィルム上に形成さ
れた金めっきが施されたリードパターンからなる内部リ
ードと前記外部リードとを、所定の温度で所定の時間加
圧することにより接合する工程とを有することを特徴と
する複合リードフレームの製造方法。3. A step of forming tin or a first plating layer containing tin as a main component on at least one end of a surface of an outer lead formed of a lead frame, and a surface of the first plating layer. A step of forming a second plated layer containing gold as a component, and an inner lead formed of a gold-plated lead pattern formed on an insulating film via the second plated layer and the outer side. And a step of joining the leads by applying pressure at a predetermined temperature for a predetermined time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229406A JPH0766346A (en) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Lead frame, composite lead frame using this lead frame, and method of manufacturing composite lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229406A JPH0766346A (en) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Lead frame, composite lead frame using this lead frame, and method of manufacturing composite lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766346A true JPH0766346A (en) | 1995-03-10 |
Family
ID=16891719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229406A Pending JPH0766346A (en) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Lead frame, composite lead frame using this lead frame, and method of manufacturing composite lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766346A (en) |
-
1993
- 1993-08-23 JP JP5229406A patent/JPH0766346A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3176542B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2891607B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
| JPH11307675A (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2001230360A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same | |
| TWI291756B (en) | Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability | |
| US6608369B2 (en) | Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment | |
| JPH08186151A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3663295B2 (en) | Chip scale package | |
| US20050189627A1 (en) | Method of surface mounting a semiconductor device | |
| JP3243956B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH0158864B2 (en) | ||
| JP2569400B2 (en) | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP3427492B2 (en) | Semiconductor device with convex heat sink and method of manufacturing the convex heat sink | |
| JPH06252334A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0766346A (en) | Lead frame, composite lead frame using this lead frame, and method of manufacturing composite lead frame | |
| JPH1126648A (en) | Semiconductor device and its lead frame | |
| JPH06236956A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20040119146A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument | |
| JP2002164496A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2000228457A (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and tape carrier | |
| JP2002164497A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH08162594A (en) | Composite lead frame and semiconductor package | |
| JPS6242549A (en) | Package for electronic part and manufacture thereof | |
| JP3434226B2 (en) | Fixed lead frame and method of manufacturing the same | |
| JPH0992767A (en) | Composite lead frame and semiconductor device |