JPH0767821B2 - 画像形成方法 - Google Patents

画像形成方法

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JPH0767821B2
JPH0767821B2 JP2316509A JP31650990A JPH0767821B2 JP H0767821 B2 JPH0767821 B2 JP H0767821B2 JP 2316509 A JP2316509 A JP 2316509A JP 31650990 A JP31650990 A JP 31650990A JP H0767821 B2 JPH0767821 B2 JP H0767821B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ラスタスキャン方式のレーザビーム走査光学
系を用い、又は、LEDアレイ、液晶シャッタアレイ、蛍
光体ドットアレイ等の固体走査光学ヘッドを用いて、画
像情報に基づいてスポット状の光ビームを記録媒体上に
露光走査させて画像を形成するようにした画像形成方法
に関する。
従来の技術 一般に、この種の画像形成装置では帯電された感光体上
を主走査方向に光ビームを照射して静電潜像を形成し、
この静電潜像をトナーにより顕像化し、転写・定着工程
を経て記録画像を得るようにしている。この際、その画
像品質の向上が望まれる。このような画像品質の向上を
図ったものとして、例えば特開昭64−33574号公報に示
されるものがある。これは、少なくとも走査線の３ライ
ン分の画像情報を記憶する手段と、この記憶手段の記憶
内容に基づいて照射する光ビームのスポット径と光ビー
ム強度との少なくとも一方を段階的に切換え制御する制
御手段とを備えたものである。より詳細には、走査線３
ライン分の記憶手段の記憶内容に基づいて中央の照射部
（着目画素）の周囲に隣接する８個の画素の情報によ
り、中央の着目画素に照射する光ビームのスポット径と
光ビーム強度との少なくとも一方を３〜４段階に段階的
に切換え制御することで、画質向上処理を行なうように
したものである。
また、本出願人提案による特開昭63−290752号公報に示
されるように、着目画素を中心とする前後の複数画素を
記憶する手段と、この記憶手段の記憶内容に基づいて着
目画素が孤立黒画素か孤立白画素かを判別する手段と、
記録信号パルス幅を設定する手段とを備え、孤立黒画素
か孤立白画素かに応じて記録信号パルス幅を設定し、制
御するようにしたものがある。
発明が解決しようとする課題 ところで、前者によると、着目画素の周囲に隣接する隣
接画素情報として８個すべてを対象としており、また、
段階的に切換え制御する段数が３〜４段階であること等
を考えると、画像形成装置に搭載するにはかなり複雑な
処理を要し、高価となってしまう。
また、後者の場合にも、着目画素を中心とする前後２個
以上、計５個以上の画素情報を対象とするため、やは
り、処理が複雑で高価となってしまう。
ここに、画質向上処理が必要な点について第18図及び第
19図を参照して考察する。これらの図は、実際に画質向
上処理の対象となる画像パターン例を模式的に示すもの
で、図中、○印はビームスポット位置を示し、太線及び
斜視領域は画像の黒部を簡略化して示したものである。
即ち、光ビームで露光された部分を顕像化するイメージ
露光方式であるが、光ビームにより露光されない部分を
顕像化するバックグランド露光方式においても同様に表
現できるが、ここでは省略する。
第18図は、非画像部（白部）において黒画素となる各種
画像パターン例を示し、（ａ）は孤立ドット、（ｂ）は
孤立ドットの集団、（ｃ）は１ドット斜め線、（ｄ）は
１ドット斜め線の集団、（ｅ）は１ドット斜め線の交
線、（ｆ）は１ドット縦線、（ｇ）は１ドット縦線の集
団、（ｈ）は１ドット横線、（ｉ）は１ドット横線の集
団を示す。一方、第19図は逆に画像部（黒部）において
白画素となる各種画像パターン例を示し、（ａ）は孤立
ドット、（ｂ）は孤立ドットの集団、（ｃ）は１ドット
斜め線、（ｄ）は１ドット斜め線の集団、（ｅ）は１ド
ット斜め線の交線、（ｆ）は１ドット縦線、（ｇ）は１
ドット縦線の集団、（ｈ）は１ドット横線、（ｉ）は１
ドット横線の集団を示す。このような画像パターンをあ
る程度明瞭に出力するだけで画質はかなり向上するが、
一般的には、第18図と第19図とに示すような画像パター
ンを両立させて明瞭に出力することが極めて困難なた
め、画質向上処理を必要とするものである。もっとも、
現実的にはこのような全てのパターンを明瞭に出力する
ことも厄介なことであり、実用的に支障のない程度に処
理すればよく、上記従来方式では複雑・高価すぎる。
課題を解決するための手段 画像情報に基づいてスポット状の光ビームを記録媒体上
に露光走査させて画像を形成するようにした画像形成方
法において、請求項１記載の発明では、着目画素が光ビ
ームの露光部であって、この着目画素の主走査方向に隣
接する２つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、
この非露光部画素の主走査方向に隣接する非着目画素が
露光部である時には、前記着目画素に対する光ビームの
スポット径又は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値
と異なるように制御して露光するようにした。
請求項３記載の発明では、着目画素が光ビームの露光部
であって、この着目画素の副走査方向に隣接する２つの
画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露光部
画素の副走査方向に隣接する非着目画素が露光部である
時には、前記着目画素に対する光ビームのスポット径又
は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値と異なるよう
に制御して露光するようにした。
また、請求項５記載の発明では、着目画素が光ビームの
露光部であって、この着目画素の主走査方向に隣接する
２つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非
露光部画素の主走査方向に隣接する非着目画素が露光部
である時、又は、前記着目画素の副走査方向に隣接する
２つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非
露光部画素の副走査方向に隣接する非着目画素が露光部
である時には、前記着目画素に対する光ビームのスポッ
ト径又は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値と異な
るように制御して露光するようにした。
さらには、これらの請求項1,3,5記載の発明において、
請求項2,4,6記載の発明では、各々、光ビームのスポッ
ト径を所望値より大きく又は光ビーム強度を所望値より
強くするように設定された基準値を用いることにより、
予め、非画像部（白部）において黒画像となるドットが
太めとなるような特性にしておき、画像部（黒部）にお
ける白画素を検出しこのような白画素は太めとなるよう
に制御するようにした。
作用 請求項１記載の発明によれば、主走査方向のみの画素情
報であって、連続する３個の画素情報のみを扱えばよい
ため、簡単な処理にして実用上支障ない程度に画質を向
上させることができる。
同様に、請求項３記載の発明によれば、副走査方向のみ
の画素情報であって、連続する３個の画素情報のみを扱
えばよいため、簡単な処理にして実用上支障ない程度に
画質を向上させることができる。特に、請求項３記載の
発明による場合、副走査方向のみの画素情報を用いるた
め、LEDアレイ、液晶シャッタアレイ、蛍光体ドットア
レイのような固体走査型光ヘッドを用いて記録を行なう
ものでは、アレイ駆動回路を集積化して光ヘッド部に一
体的に配置させるのが一般的であるので、その集積化さ
れた駆動回路部に副走査方向用の上記処理のためのシフ
トレジスタ、ラッチ等の記憶部を複数段設けても、集積
化設計次第でそれ程高価とはならない利点もある。
また、請求項５記載の発明による場合も同様に、主、副
走査方向に各々連続する３個の画素情報に着目し、その
交点に位置する画素を着目画素として各方向に２個ずつ
の画素情報を扱えばよいため、簡単な処理にして実用上
支障ない程度に画質を向上させることができる。この場
合も、副走査方向の画素情報についてLEDアレイ、液晶
シャッタアレイ、蛍光体ドットアレイのような固体走査
型光ヘッドを用いて記録を行なうものでは、請求項３記
載の発明と同様な利点がある。
加えて、請求項２、４又は６記載の発明によれば、基準
値が太め設定であり、基準値から下げる方向のみの制御
でよいため、基準値において印字能力を最大限に設定す
ることが可能であり、特に光ビーム強度を強くできない
記録用光源を用いたものにおいて効果的となる。
実施例 本発明の第一の実施例を第１図ないし第５図に基づいて
説明する。
まず、本実施例では、非画像部（白部）における黒画素
となるドットを、予め太めに印字するような特性、例え
ば第４図及び第５図に示すような特性としておくことを
前提とする。第４図は第18図に対応し黒画素となるドッ
トを太めに印字した画像パターン例を示し、第５図は第
19図に対応し黒画素となるドットを太めに印字した画像
パターン例を示す。対応する各図を比較してみると、特
に、第４図（ｄ）に示す１ドット斜め線の集団、第５図
（ｃ）に示す１ドット斜め線、同図（ｄ）に示す１ドッ
ト斜め線の集団、同図（ｅ）に示す１ドット斜め線の交
線なる画像パターンで白画素となる部分が狭くなってい
ることが判る。このような部分を広げるように制御する
ことがポイントである。
本実施例は、第１図に示す制御系ブロック構成により、
これを実現するものである。このブロック図はラスタス
キャン方式なるルーザビーム走査光学系を用いて画像を
形成する装置の光量制御に関するもので、P1は着目画素
の信号を示す。P2,P3は主走査方向に先行して隣接（連
続）する非着目画素の信号を示す。いま、画像信号がシ
フトレジスタ１に入力され、画素信号P1,P2,P3が光量制
御部２に入力されると、光量制御部２ではこれらの３個
の画素信号P1,P2,P3の組合せにより光ビームの制御信号
（基準値、弱、オフの何れか）を出力する。
第１表はこれらの画素信号P1,P2,P3と光量制御との関係
を示すもので、表中、“1"は発光オン、“0"は発光オフ
を示す。制御のケースとしてはａ〜ｅで示す５種類に大
別される。
まず、ケースａは着目画素信号P1、これに主走査方向に
隣接する画素信号P2、さらにこの画素に隣接する画素情
報P3のすべてが１、即ち発光オン状態にある。この場合
には、連続する画素３個がすべて発光状態となることを
示しているので、光量制御信号としては基準値を出力す
る。ケースｂは、着目画素信号P1と隣接画素信号P2が
１、さらにこれに隣接する画素信号P3が０の情報の場合
である。即ち、連続する画素２個が発光状態となり、さ
らに先行する１個の画素が非発光状態となることを示し
ているので、光量制御信号としては基準値を出力する。
ケースｃは着目画素信号P1が１、その隣接画素信号２が
０、さらにこれに隣接の画素信号P3が１、即ち、非発光
画素１個を挾んで発光画素となることを示している。こ
れが、本実施例の制御の対象とするケースであり、光量
制御信号としては基準値よりも弱い出力とする。弱くす
る方法としては、着目画素に対する光ビームのスポット
径を基準値よりも小さくするか、又は、光ビーム強度を
基準値よりも低くすることにより行なう。基準値を１と
したら、弱のレベルとしては基準値に対して0.5〜0.9程
度の範囲とされる。ケースｄは着目画素信号P1が１で、
それ以外の２つの隣接画素信号P2,P3がともに０の場合
であり、光量制御信号としては通常通り、基準値とす
る。また、ケースｅは着目画素信号P1自体が０（非発
光）状態のケースであり、隣接画素信号P2,P3に関係な
く、光量制御信号としてはオフ信号を出力する。
このような主走査方向３画素に着目した光量制御を行な
うことにより、第２図及び第３図に示すような印字品質
の向上が見られるものである。図中、ビームスポツト位
置を示す○の内、大きいほうが基準値によるもの、小さ
いほうが弱によるものを示す。第２図は第４図（第18
図）に対応し、第３図は第５図（第19図）に対応する。
即ち、これらの図の（ｈ）に示す１ドット横線、（ｉ）
に示す１ドット横線の集団については、第４図や第５図
に示すものと何ら変わりないが（主走査方向の画像情報
のみに着目しているため、副走査方向は改良されていな
い）、その他の画像パターン、特に、第２図の例では
（ａ）に示す孤立ドット、（ｃ）に示す１ドット斜め
線、（ｅ）に示す１ドット斜め線の交線、（ｆ）に示す
１ドット縦線、（ｈ）に示す１ドット横線が、第18図の
場合よりも太く出力され、第３図では全体的に第19図の
印字品質に似通っていることが判る。なお、第２図、第
３図中の（ｅ）に示す１ドット斜め線の交線において、
交点の近傍（図では交点の左側）に線幅に段差がついて
いるが、これは説明を簡便にするためであって、実際に
はこのような直線的な段差とはならず、顕像変手段の特
性により滑らかとなり、実用上、何んら支障はない。
つづいて、本発明の第二の実施例を第６図及び第７図に
より説明する。本実施例は、LEDアレイ、液晶シャッタ
アレイ、蛍光体ドットアレイ等の固体走査型光ヘッドを
用いて画像を形成する装置に適用したものである。本例
も、P1を着目画素信号とするものであり、これに主走査
方向に隣接連続する２個の画素信号P2,P3とともに記憶
するシフトレジスタ１が用いられる。このシフトレジス
タ１の内容はさらに次段の第１シフトレジスタ（SR1）
３に入力される。一方ではシフトレジスタ１に記憶され
た画素信号P1,P2,P3は第１の演算部４に入力されて、こ
れらの画素信号の組合せにより演算された信号が別の第
２シフトレジスタ（SR2）５に入力される。これらの第
1,2シフトレジスタ3,5の内容は所定のタイミングで各
々第1,2ラッチ（L1,L2）6,7にラッチされる。ラッチさ
れた内容は所定のタイミングで演算部８に入力されて
演算される。ここに、この演算部８は演算した結果を記
憶するためのラッチ機能を有するものである。演算記憶
された第２の演算部８の出力が光ビームの制御信号とな
るもので、所定タイミングで光ヘッドの各発光素子を
駆動するドライバ９に入力される。
第７図はこのような処理タイミングの一例を示すもので
ある。
また、演算部４の処理内容は第２表に示す通りである。
即ち、画素信号P1,P2,P3と第２ラッチ（L3）７（＝第２
シフトレジスタ５でもよい）の信号との関係を示すもの
で、前記実施例の第１表と同様にａ〜ｅなる５ケースに
大別される。
なお、第２表において、ラッチ（L2）７の状態として、
１（発光オン）、０（発光オフ）と区別するために、
“H"と“L"で示す。また、演算部９側の処理内容は第３
表に示す通りである。即ち、第1,2ラッチ（L1）6,
（L2）７と制御光量との関係を示す。この場合、ケース
f,g,hで示す３ケースがあり、前記実施例の場合と同様
に、「弱」「基準値」「オフ」の３種類に制御される。
以下の制御は前記実施例の場合と同様であり、第２図及
び第３図に示したような結果が得られる。
なお、これらの第一，二の実施例においては、着目画素
信号をP1として説明したが、P3を着目画素信号として扱
ってもよい。要は、主走査方向に連続する３個の画素信
号を用い、その最前端画素又は最後端画素の何れかを着
目画素とし、残りの２画素情報との関係に基づき光量制
御するものであればよい。
本発明の第三の実施例を第８図ないし第11図に基づいて
説明する。
本実施例も、前述した実施例と同様に、非画像部（白
部）における黒画素となるドットを、予め、太めに印字
するような特性、例えば第４図及び第５図に示すような
特性としておくことを前提とする。
本実施例は、第８図に示す制御系ブロック構成により、
画質向上処理を実現するものである。このブロック図
は、LEDアレイ、液晶シャッタアレイ、蛍光体ドットア
レイ等の固体走査型光ヘッドを用いて画像を形成する装
置に関するものである。ここに、ラッチ（L1）11に着目
画素信号群が記憶されている。即ち、ｉライン目の画像
情報信号はシフトレジスタ（SR）12に入力された後、所
定タイミングでこのラッチ11に記憶される。ラッチ11
の内容は所定タイミングで次のラッチ（L2）13に入力
される。このラッチ13に記憶された情報はさらに所定タ
イミングで次のラッチ（L3）14に入力される。次に、
（ｉ＋１）ライン目の画像情報信号も同様にシフトレジ
スタ12に入力され、各々所定タイミングでラッチ
11,13,14に入力される。次の（ｉ＋２）ライン目につい
ても同様である。このように画像情報信号が入力される
と、ラッチ11,13,14には副走査方向に連続する３ラッチ
分の画素信号が記憶されていることになり、ラッチ11,1
3,14は常に（ｉ＋２），（ｉ＋１）,iの順に前後関係が
保たれている。これらのラッチ11,13,14の記憶内容は、
所定タイミングで同時に演算部15に入力される。この
入力処理は同一副走査方向の３個の信号が光ヘッドの各
発光素子毎に対応して行なわれ、これらの３画素分の信
号内容の組合せに応じて演算された光ビーム制御信号が
得られる。演算部15は演算した結果を記憶するためのラ
ッチ機能も有するものである。演算記憶されたこの制御
信号が所定タイミングで光ヘッドの各発光素子を駆動
するドライバ６に入力される。
第９図はこのような処理タイミングの一例を示すもので
ある。
また、演算部15の処理内容は第４表に示す通りである。
即ち、３つのラッチ（L1,L2,L3）11,13,14の記憶した信
号と光量制御の関係を示すものである。制御のケースと
しては、ａ〜ｅなる５ケースに大別される。表中、“1"
は発光オン、“0"は発光オフを示す。
ここに、説明を簡便にするため、副走査方向に連続する
画素信号をP1,P2,P3とし、この内、着目画素をP1とした
とき、第４表では、P1＝L1,P2＝L2,P3＝L3に対応するも
のとして、ラッチＬを画素Ｐに置換して説明する。ま
ず、ケースａは着目画素信号L1、これに副走査方向に隣
接する画素信号L2、さらにこの画素に隣接する画素信号
L3のすべてが１、即ち発光オン状態にある。この場合に
は、連続する画素３個がすべて発光状態のなることを示
しているので、光量制御信号としては基準値を出力す
る。ケースｂは、着目画素信号L1と隣接画素信号L2が
１、さらにこれに隣接する画素信号L3が０の情報の場合
である。即ち、連続する画素２個が発光状態となり、さ
らに先行する１個の画素が非発光状態となることを示し
ているので、光量制御信号としては基準値を出力する。
ケースｃは着目画素信号L1が１、その隣接画素信号L2が
０、さらにこれに隣接の画素信号L3が１、即ち、非発光
画素１個を挾んで発光画素となることを示している。こ
れが、本実施例の制御の対象とするケースであり、光量
制御信号としては基準値よりも弱い出力とする。弱くす
る方法としては、着目画素に対する光ビームのスポット
径を基準値よりも小さくするか、又は、光ビーム強度を
基準値よりも低くすることにより行なう。基準値を１と
したら、弱のレベルとしては基準値に対して0.5〜0.9程
度の範囲とされる。ケースｄは着目画素信号L1が１で、
それ以外の２つの隣接画素信号L2,L3がともに０の場合
であり、光量制御信号としては通常通り、基準値とす
る。また、ケースｅは着目画素信号L1自体が０（非発
光）状態のケースであり、隣接画素信号L2,L3に関係な
く、光量制御信号としてはオフ信号を出力する。
このような副走査方向３画素に着目した光量制御を行な
うことにより、第10図及び第11図に示すような印字品質
の向上が見られるものである。図中、ビームスポツト位
置を示す○の内、大きいほうが基準値によるもの、小さ
いほうが弱によるものを示す。第10図は第４図（第18
図）に対応し、第11図は第５図（第19図）に対応する。
即ち、これらの図の（ｆ）に示す１ドット縦線、（ｇ）
に示す１ドット縦線の集団については、第４図や第５図
に示すものと何ら変わりないが（副走査方向の画像情報
のみに着目しているため、主走査方向は改良されていな
い）、その他の画像パターン、特に、第10図の例では
（ａ）に示す孤立ドット、（ｃ）に示す１ドット斜め
線、（ｅ）に示す１ドット斜め線の交線、（ｆ）に示す
１ドット縦線、（ｈ）を示す１ドット横線が、第18図の
場合よりも太く出力され、第11図では全体的に第19図の
印字品質に似通っていることが判る。なお、第10図、第
11図中の（ｅ）に示す１ドット斜め線の交線において、
交点の近傍（図では交点の下側）に線幅に段差がついて
いるが、これは説明を簡便にするためであって、実際に
はこのような直線的な段差とはならず、顕像化手段の特
性により滑らかとなり、実用上、何んら支障はない。
つづいて、本発明の第四の実施例を第12図により説明す
る。本実施例は、ラスタスキャン方式なるレーザビーム
走査光学系を用いて画像を形成する装置の光量制御に関
するもので、P1は着目画素の信号を示す。P2,P3はP1に
対して副走査方向に先行して隣接（連続）する非着目画
素の信号を示す。いま、画像信号が第１のシフトレジス
タ（SR1）17（このシフトレジスタは必ずしも必要では
ないため、破線で示す）に入力され、その後、順次第2,
3のシフトレジスタ（SR2,SR3）18,19に入力される。こ
のとき、これらのシフトレジスタ17,18,19の同じ番号に
対応させた画素信号を各々P1,P2,P3とし、これらの画素
信号P1,P2,P3が光量制御部20に入力されると、光量制御
部20ではこれらの３個の画素信号P1,P2,P3の組合せによ
り光ビームの制御信号（基準値、弱、オフの何れか）を
出力する。
第５表はこれらの画素信号P1,P2,P3と光量制御との関係
を示す。表中、“1"は発光オン、“0"は発光オフを示
し、制御のケースとしてはａ〜ｅで示す５種類に大別さ
れるのは、前記実施例と同様である。
以降の制御は前記実施例の場合と同様であり、第10図及
び第11図に示したような結果が得られる。
なお、これらの第三，四の実施例では、着目画素信号を
L1又はP1として説明したが、L3又はP3を着目画素信号と
して扱ってもよい。要は、副走査方向に連続する３個の
画素信号を用い、その最前端画素又は最後端画素の何れ
かを着目画素とし、残りの２画素情報との関係に基づき
光量制御するものであればよい。
本発明の第五の実施例を第13図ないし第16図に基づいて
説明する。
本実施例でも、非画像部（白部）における黒画素となる
ドットを、予め、太めに印字するような特性、例えば第
４図及び第５図に示すような特性としておくことを前提
とする。
本実施例は、第13図に示す制御系ブロック構成により、
画質向上処理を実現するものである。このブロック図
は、LEDアレイ、液晶シャッタアレイ、蛍光体ドットア
レイ等の固体走査型光ヘッドを用いて画像を形成する装
置に関するものである。ここに、P1が着目画素信号を示
し、この着目画素信号群はラッチ（L1）21に記憶され
る。まず、ｉライン目の画像情報信号はシフトレジスタ
（SR）22に入力され、さらに次の第１のシフトレジスタ
（SR1）23に入力され、所定のタイミングでラッチ21
に記憶される。ラッチ21の内容は所定のタイミングで
次のラッチ（L2）24に入力されて記憶される。さらに、
所定のタイミングで次のラッチ（L3）24に入力されて
記憶される。一方、前記シフトレジスタ22に入力された
画素信号P1,P2,P3は演算部（C1）26に入力され、それら
の組合せにより演算された信号がシフトレジスタ（S
R2）27に入力され、所定タイミングでラッチ（L4）28
に記憶される。これらの４つのラッチ21,24,25,28に記
憶された情報は所定タイミングで演算部（C2）29に入
力され、演算に供される。
以下、後続するライン（ｉ＋1,i＋2,〜）においても同
様に、シフトレジスタ22に入力された画素信号P1,P2,P3
は演算部（C1）26に入力され、それらの組合せにより演
算された信号がシフトレジスタ（SR2）27に入力され、
所定タイミングでラッチ（L4）28に記憶される。
一方、（ｉ＋１）ライン目の画像情報信号もシフトレジ
スタ22を経てシフトレジスタ23に入力され、順次所定タ
イミングでラッチ21,24,25に記憶されるとともに、演算
部29に入力される。（ｉ＋２）ライン目の画像情報信号
についても同様である。
このように画像情報信号が入力されると、ラッチ21,24,
25には副走査方向に連続する３ライン分の画素信号が記
憶されていることになり、ラッチ21,24,25は常に（ｉ＋
２），（ｉ＋１）,iの順に前後関係が保たれている。こ
れらのラッチ21,23,24の記憶内容とともに、ラッチ28の
記憶内容の計４個が、光ヘッドの各素子毎に対応して所
定タイミングで同時に演算部29に入力される。これら
の４個の信号内容の組合せに応じて演算された光ビーム
制御信号が得られる。演算部29は演算した結果を記憶す
るためのラッチ機能も有するものである。演算記憶され
たこの制御信号が所定タイミングで光ヘッドの各発光
素子を駆動するドライバ30に入力される。
第14図はこのような処理タイミングの一例を示すもので
ある。これは、第９図の場合と同様である。
また、演算部26の処理内容を第６表に示す。即ち、主走
査方向３つの信号P1,P2,P3とラッチ（L4）28（＝シフト
レジスタ27）の信号との関係を示すものである。制御の
ケースとしては、ａ〜ｅなる５ケースに大別される。表
中、“1"は発光オン、“0"は発光オフを示す。なお、ラ
ッチ28の状態としては、１（発光オン）,0（発光オフ）
と区別するため、“H"と“L"で示す。
ここに、説明を簡便にするため、副走査方向に連続する
画素信号については、ラッチＬをそのラッチ内の画素信
号Ｌとしても取り扱うものとする。まず、ケースａは着
目画素信号P1、これに主走査方向に隣接する画素信号
P2、さらにこの画素に隣接する画素信号P3のすべてが
１、即ち発光オン状態にある。この場合には、連続する
画素３個がすべて発光状態となることを示しているの
で、ラッチ28に対する制御信号としてはＬを出力する。
ケースｂは、着目画素信号P1と隣接画素信号P2が１、さ
らにこれに隣接する画素信号P3が０の情報の場合であ
る。即ち、連続する画素２個が発光状態となり、さらに
先行する１個の画素が非発光状態となることを示してい
るので、制御信号としてはやはりＬを出力する。ケース
ｃは着目画素信号P1が１、その隣接画素信号P2が０、そ
らにこれに隣接の画素信号P3が１、即ち、非発光画素１
個を挾んで発光画素となることを示している。これが、
本実施例の制御の対象とする主走査方向のケースであ
り、制御信号としてはＨを出力する。ケースｄは着目画
素信号P1が１で、それ以外の２つの隣接画素信号P2,P3
がともに０の場合であり、制御信号としては通常通り、
Ｌを出力する。また、ケースｅは着目画素信号P1自体が
０（非発光）状態のケースであり、隣接画素信号P2,P3
に関係なく、光量制御信号としてはオフ信号を出力す
る。
また、演算部29の処理内容を第７表に示す。即ち、４つ
のラッチL1,L2,L3,L4の信号と制御光量との関係を示し
たものである。制御のケースとしては、ケースｆ〜ケー
スｎで示す９種類に大別される。
第７表からも判るように、制御される光量は、ラッチ
（画素）L4の情報がＨの場合（ケースｆ〜ケースｉ）の
他、ケースｌの場合、即ち、画素L1,L3が１（発光）
で、画素L2が０（非発光）の場合に、光量制御信号は基
準値（表中に「基」で示す）よりも弱い出力とする。弱
くする方法としては、着目画素に対する光ビームのスポ
ット径を基準値よりも小さくするか、又は、光ビーム強
度を基準値よりも低くすることにより行なう。基準値を
１としたら、弱のレベルとしては基準値に対して0.5〜
0.9程度の範囲とされる。
このような主，副走査方向３画素ずつに着目した光量制
御を行なうことにより、第15図及び第16図に示すような
印字品質の向上が見られるものである。図中、ビームス
ポツト位置を示す○の内、大きいほうが基準値によるも
の、小さいほうが弱によるものを示す。第15図は第４図
（第18図）に対応し、第16図は第５図（第19図）に対応
する。第15図の例では（ａ）に示す孤立ドット、（ｃ）
に示す１ドット斜め線、（ｅ）に示す１ドット斜め線の
交線、（ｆ）に示す１ドット縦線、（ｈ）に示す１ドッ
ト横線が、第18図の場合よりも太く出力され、第16図で
は全体的に第19図第９図の印字品質に似通っていること
が判る。なお、第15図、第16図中の（ｅ）に示す１ドッ
ト斜め線の交線において、交点の近傍の線幅に段差がつ
いているがこれは説明を簡便にするためであって、実際
にはこのような直線的な段差とはならず、顕像化手段の
特性により滑らかとなり、実用上、何んら支障はない。
つづいて、本発明の第六の実施例を第17図により説明す
る。本実施例は、ラスタスキャン方式なるレーザビーム
走査光学系を用いて画像を形成する装置の光量制御に関
するもので、P1は着目画素の信号を示す。P2,P3はP1に
対して主走査方向に先行して隣接（連続）する非着目画
素の信号を示す、P4,P5はP1に対して副走査方向に先行
して隣接（連続）する非着目画素の信号を示す。
いま、画像信号がシフトレジスタ（SR1）31（このシフ
トレジスタは必ずしも必要ではないため、破線で示す）
に入力され、その後、順次シフトレジスタ（SR2,SR3）3
2,33に入力される。これらの３つのシフトレジスタ31,3
2,33から５つの画素信号P1,P2,P3,P4,P5が光量制御部34
に入力されると、光量制御部34ではこれらの５個の画素
信号P1〜P5の組合せにより光ビームの制御信号（基準
値、弱、オフの何れか）を出力する。
第８表はこれらの画素信号P1〜P5と光量制御との関係を
示す。表中、“1"は発光オン、“0"は発光オフを示し、
制御のケースとしてはａ〜ｑで示す17種類となるが、基
本的には前記実施例の場合と同様である。
第８表から判るように、光量制御信号が「弱」となって
いるのは、ケースc,g,ij,k,l,oの７ケースである。即
ち、光量が「弱」に制御される場合は、着目画素信号P1
が１（発光）の状態であり、この着目画素に隣接する画
素の内、主走査方向の隣接画素信号P2もしくは副走査方
向の隣接画素信号P4の少なくとも１個が０（非発光）で
あり、その非発光画素に隣接する画素信号P3又はP5が１
（発光）なる状態のケースである。
以下の制御は前記実施例の場合と同様であり、第15図及
び第16図に示したような結果が得られる。
なお、これらの実施例においては、着目画素信号をL1又
はP1として説明したが、L3又はP3を着目画素信号として
扱ってもよい。要は、主、副走査方向に連続する３個の
画素信号を用い、その交点に位置する画素を着目画素と
し、残りの２画素ずつの情報との関係に基づき光量制御
するものであればよい。
なお、これらの第一〜六の実施例では、予め、非画像部
（白部）における黒画素となるドットを太めに印字する
ような特性にておき、画像部（黒部）における白画素が
太めとなるように制御する（即ち、白画素に隣接する光
ビームのスポット径を小さくするか、又は光ビーム強度
を弱くする）例で説明したが、逆に、予め細目に印字す
るような特性に設定しておき、画像部（黒部）における
白画素を細目とするように制御する（即ち、白画素に隣
接するスポット径を大きくし、又は、ビーム強度を強く
する）ようにしてもよい。もっとも、前者によれば、基
準値から下げる方向のみの制御でよいので、基準値にお
ける印字能力（印字速度、印字濃度等）を最大限に設定
できる可能性があるため、特に、光ビーム強度を強くで
きない（例えば、光ビーム強度が基本的に強められない
ものや、強めると短寿命となってしまうような場合）記
録用光源を用いたものには効果的である。
また、露光状態を制御するために、光ビームのスポット
径を小さくするか、又は、光ビーム強度を基準値より弱
くする、というように２段階の制御として説明したが、
画像パターンに依存する印字品質特性に基づき、３段階
以上の制御とし、より細部にわたって画質を向上させる
ようにしてもよい。
さらに、これらの実施例では、イメージ露光方式で説明
したが、バックグランド露光方式であっても同様に適用
し得ることは明らかである。
発明の効果 本発明は、上述したように請求項１記載の発明では、主
走査方向に連続する３画素に着目し、着目画素が光ビー
ムの露光部であって、この着目画素の主走査方向に隣接
する２つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、こ
の非露光部画素の主走査方向に隣接する非着目画素が露
光部である時には、前記着目画素に対する光ビームのス
ポット径又は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値と
異なるように制御して露光するようにしたので、主走査
方向のみの画素情報であって、連続する３個の画素情報
のみを扱えばよいため、簡単な処理にして実用上支障な
い程度に画質を向上させることができる。
同様に、請求項３記載の発明によれば、副走査方向のみ
の画素情報であって、連続する３個の画素情報のみを扱
えばよいため、簡単な処理にして実用上支障ない程度に
画質を向上させることができ、特に、この請求項３記載
の発明による場合、副走査方向のみの画素情報を用いる
ため、LEDアレイのような固体走査型光ヘッドを用いて
記録を行なうものでは、その集積化実装を利用して低コ
ストにて実現しやすいものとなる。
また、請求項５記載の発明による場合も、主、副走査方
向に各々連続する３個の画素情報に着目し、その交点に
位置する画素を着目画素として各方向に２個ずつの画素
情報を扱えばよいため、簡単な処理にして実用上支障な
い程度に画質を向上させることができ、この場合も請求
項３記載の発明と同様に、固体走査型光ヘッドを用いて
記録を行なうものでは、その集積化実装を利用して低コ
ストにて実現しやすいものとなる。
加えて、請求項２、４又は６記載の発明によれば、基準
値が太め設定であり、基準値から下げる方向のみの制御
でよいため、基準値において印字能力を最大限に設定す
ることが可能であり、特に光ビーム強度を強くできない
記録用光源を用いたものにおいて効果的なものとするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第一の実施例を示す光量制御系ブロッ
ク図、第２図及び第３図は本実施例による画像パターン
印字例を模式的に示す説明図、第４図及び第５図は本実
施例の前提とする画像パターン印字例を模式的に示す説
明図、第６図は本発明の第二の実施例を示す光量制御系
ブロック図、第７図はその動作タイミングを示すタイミ
ングチャート、第８図は本発明の第三の実施例を示す光
量制御系ブロック図、第９図はその動作タイミングを示
すタイミングチャート、第10図及び第11図は本実施例に
よる画像パターン印字例を模式的に示す説明図、第12図
は本発明の第四の実施例を示す光量制御系ブロック図、
第13図は本発明の第五の実施例を示す光量制御系ブロッ
ク図、第14図はその動作タイミングを示すタイミングチ
ャート、第15図及び第16図は本実施例による画像パター
ン印字例を模式的に示す説明図、第17図は本発明の第六
の実施例を示す光量制御系ブロック図、第18図及び第19
図は無処理の画像パターン印字例を模式的に示す説明図
である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】画像情報に基づいてスポット状の光ビーム
    を記録媒体上に露光走査させて画像を形成するようにし
    た画像形成方法において、着目画素が光ビームの露光部
    であって、この着目画素の主走査方向に隣接する２つの
    画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露光部
    画素の主走査方向に隣接する非着目画素が露光部である
    時には、前記着目画素に対する光ビームのスポット径又
    は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値と異なるよう
    に制御して露光するようにしたことを特徴とする画像形
    成方法。
  2. 【請求項２】画像情報に基づいてスポット状の光ビーム
    を記録媒体上に露光走査させて画像を形成するようにし
    た画像形成方法において、光ビームのスポット径を所望
    値より大きく又は光ビーム強度を所望値より強くするよ
    うに設定された基準値を用い、着目画素が光ビームの露
    光部であって、この着目画素の主走査方向に隣接する２
    つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露
    光部画素の主走査方向に隣接する非着目画素が露光部で
    ある時には、前記着目画素に対する光ビームの前記スポ
    ット径又は光ビーム強度の少なくとも一方を前記基準値
    より小さくし、又は前記基準値より弱くするように制御
    して露光するようにしたことを特徴とする画像形成方
    法。
  3. 【請求項３】画像情報に基づいてスポット状の光ビーム
    を記録媒体上に露光走査させて画像を形成するようにし
    た画像形成方法において、着目画素が光ビームの露光部
    であって、この着目画素の副走査方向に隣接する２つの
    画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露光部
    画素の副走査方向に隣接する非着目画素が露光部である
    時には、前記着目画素に対する光ビームのスポット径又
    は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値と異なるよう
    に制御して露光するようにしたことを特徴とする画像形
    成方法。
  4. 【請求項４】画像情報に基づいてスポット状の光ビーム
    を記録媒体上に露光走査させて画像を形成するようにし
    た画像形成方法において、光ビームのスポット径を所望
    値より大きく又は光ビーム強度を所望値より強くするよ
    うに設定された基準値を用い、着目画素が光ビームの露
    光部であって、この着目画素の副走査方向に隣接する２
    つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露
    光部画素の副走査方向に隣接する非着目画素が露光部で
    ある時には、前記着目画素に対する光ビームの前記スポ
    ット径又は光ビーム強度の少なくとも一方を前記基準値
    より小さくし、又は前記基準値より弱くするように制御
    して露光するようにしたことを特徴とする画像形成方
    法。
  5. 【請求項５】画像情報に基づいてスポット状の光ビーム
    を記録媒体上に露光走査させて画像を形成するようにし
    た画像形成方法において、着目画素が光ビームの露光部
    であって、この着目画素の主走査方向に隣接する２つの
    画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露光部
    画素の主走査方向に隣接する非着目画素が露光部である
    時、又は、前記着目画素の副走査方向に隣接する２つの
    画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露光部
    画素の副走査方向に隣接する非着目画素が露光部である
    時には、前記着目画素に対する光ビームのスポット径又
    は光ビーム強度の少なくとも一方を所定値と異なるよう
    に制御して露光するようにしたことを特徴とする画像形
    成方法。
  6. 【請求項６】画像情報に基づいてスポット状の光ビーム
    を記録媒体上に露光走査させて画像を形成するようにし
    た画像形成方法において、光ビームのスポット径を所望
    値より大きく又は光ビーム強度を所望値より強くするよ
    うに設定された基準値を用い、着目画素が光ビームの露
    光部であって、この着目画素の主走査方向に隣接する２
    つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露
    光部画素の主走査方向に隣接する非着目画素が露光部で
    ある時、又は、前記着目画素の副走査方向に隣接する２
    つの画素の少なくとも一方が非露光部であり、この非露
    光部画素の副走査方向に隣接する非着目画素が露光部で
    ある時には、前記着目画素に対する光ビームの前記スポ
    ット径又は光ビーム強度の少なくとも一方を前記基準値
    より小さくし、又は前記基準値より弱くするように制御
    して露光するようにしたことを特徴とする画像形成方
    法。
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