JPH0770022B2 - 磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに係り、特に磁気ギャップと対向す
る方の側面が磁気ギャップ面に対して傾斜してなるコア
基体と、そのコア基体の磁気ギャップと対向する方の側
面に被着された高飽和磁束密度を有する磁性材料よりな
る磁性薄膜とを備えるコア半体を備えた磁気ヘッドに関
する。

〔従来の技術〕

磁気記録の高密度化にともない、磁気記録媒体の保磁力
が高められ、この磁気記録媒体に記録可能な磁気ヘッド
として、少なくとも磁気ギャップと対向する部分を高飽
和磁束密度を有する磁性材料で構成した磁気ヘッドの開
発が進められている。

本発明者らもこの種の磁気ヘッドについて種々検討した
結果、先に、磁気ギャップと対向する方の側面が磁気ギ
ャップ面に対して傾斜しているコア基体と、そのコア基
体の磁気ギャップと対向する側面に被着された高飽和磁
束密度を有する磁性材料よりなる磁性薄膜とを備えたコ
ア半体を用いた磁気ヘッドを提案した（特開昭58-15551
3号参照）。

第７図および第８図はこの提案された磁気ヘッドの一部
平面図および一部断面図、第９図ないし第15図はこの磁
気ヘッドの製造工程を示す説明図である。

この磁気ヘッドは、第１コア半体１と第２コア半体２
と、第１コア半体１に巻装された励磁コイル３とから主
に構成されている。第１コア半体１ならびに第２コア半
体２は、フェライトなどからなり磁気ギャップと対向す
る側面のほぼ中央に山形の突出部を有するコア基体５
と、そのコア基体５の前記側面に被着された高飽和磁束
密度を有する磁性薄膜６とから構成されている。第７図
に示すように第１コア半体１側の突出部４と磁性薄膜６
ならびに第２コア半体２側の突出部４と磁性薄膜６と
は、接合部近傍の形状が磁気ギャップを介してほぼ左右
対称になっている。

次にこの磁気ヘッドのおおまかな製造工程について説明
する。第９図に示すようにコア基体５を構成するフェラ
イトブロック７の片面に、接近して一対の溝8,8を平行
に設け、この溝８の間に尖った先端部（頂部）を有する
突条９が形成される。次にこの溝８や突条９を形成した
側の表面に蒸着やスパッタリングなどの薄膜製造技術を
もって高飽和磁束密度で透磁率の高い磁性材料よりなる
磁性薄膜６を一様に形成する（第10図参照）。

ついで第11図に示すように磁性薄膜６の上にガタスなど
の非磁性体からなる補強層８を比較的厚めに設け、しか
るのち同図に一点鎖線で示す位置まで研磨する。この状
態を示すのが第12図および第13図で、突条９の尖端部上
にある磁性薄膜６の一部がフラットに研磨されて平坦部
11が形成される。

このように形成されたブロックのうち一部は、第14図に
示すように突条９と直交する方向にコイル溝12が所定の
深さ切削によって形成される。ついでこのコイル溝12を
形成したブロックとコイル溝12を形成していないブロッ
ク（第13図参照）とを、第15図に示す如く補強層10が互
いに対向するようにしてガラスボンディングによって一
体に接合する。そして同図に記した一点鎖線に沿ってス
ライスすることにより、磁気ヘッドを組立てる。

この従来提案された磁気ヘッドは、主にVTR用などのよ
うにトラック幅が10μｍ程度の狭いトラック幅を有する
磁気ヘッドを考慮したものである。このように狭いトラ
ック幅を有する磁気ヘッドを造るため、第７図に示すコ
ア基体５の突出部４の頂角θ１は45°〜90°程度の比較
的小さい角度に設計されている。このように突出部４の
頂角θ１を鋭角にすると、磁性薄膜６の尖端部を研磨す
るときに、研磨代が多少ばらついてもトラック幅に相当
する平坦部11（第12図参照）の幅寸法のばらつきが小さ
く抑えられ、常に狭いトラック幅を有する磁気ヘッドが
得られる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところがこの磁気ヘッドを、例えば磁気ディスク用記録
再生装置などのようにトラック幅が40〜200μｍ程度の
広いものに適用する場合には、次のような問題点があ
る。

すなわち、トラック幅を広くするためには、それに相当
する磁性薄膜６の平坦部11の幅を広くする必要があり、
そのためには磁性薄膜６を厚く付けなければならない。
ところで、前述のようにコア基体５の突出部４の頂角θ
１が鋭角になっていると、磁性薄膜６を厚く付けるのに
時間がかかり過ぎて生産性が悪く、コスト高になる。一
方、磁性薄膜６を薄いままにすると、所望の記録トラッ
ク幅が得られない。

またこの提案された磁気ヘッドの場合、フェライトブロ
ック７上に磁性薄膜６を被着したのち、その上からコイ
ル溝12を形成するため、第８図に示すようにコイル溝12
を設けた個所の磁性薄膜６はコア基体５から排除されて
いる。従って励磁コイル３への通電によって生じる励磁
磁束は、常にコア基体５（フェライト製）を通ってから
磁性薄膜６に導かれるため、コア半体としての透磁効率
が悪い。さらに、切削などの機械加工によってコイル溝
12を形成する際、切削外力によって磁性薄膜６がコア基
体５から剥がれてしまうことがあり、歩留りが悪く生産
性が悪い。

この提案された磁気ヘッドは、第７図に示すように磁性
薄膜６の膜厚Ｔが、トラック幅に相当する磁性薄膜６の
先端平坦部の幅の1/2以下に規制している。このように
すると、磁性薄膜６の膜厚Ｔが実質的に極めて薄いもの
（トラック幅10μｍであれば磁性薄膜６の膜厚Ｔは５μ
ｍ以下）となり、そのために磁気ギャップ部（先端平坦
部の近傍）が磁気的に飽和するより先に、磁性薄膜６の
磁気ギャップ部より離れた部分が磁気的に飽和してしま
い、高飽和磁束密度を有する磁性薄膜６を用いた特長が
十分に発揮されない。

さらに、例えばVTR用としてトラック幅を10μｍとした
場合、磁性薄膜６の膜厚は５μｍ以下に規制されること
になり、このように磁性薄膜６が極めて薄いと、一様な
膜を形成することが難しく、ピンホールなどの欠陥のあ
る磁性薄膜６が形成された場合には、前述の磁気飽和の
原因となる。

本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を解消し、優
れた磁気特性を有する磁気ヘッドを提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

この目的を達成するため、本発明は、磁気ギャップを介
して第１コア半体と第２コア半体を接合してなる磁気ヘ
ッドを対象とするものである。

そして前記第１コア半体が、磁気ギャップと対向する方
の側面に磁気ギャップ面に対して傾斜した両側面をもつ
突出部とコイル溝を有する第１コア基体と、その第１コ
ア基体の前記突出部の両側面ならびにコイル溝から磁気
ギャップと反対側の端部に沿って連続して被着された高
透磁率で高飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる第１
磁性薄膜とを備え、 前記突出部の両側面の鎖交する角度θ２が90°を越え15
0°までの範囲に規制され、 前記磁気ギャップの一端から第１コア基体における突出
部の一方の傾斜側面に対して垂直に引いた仮想線Ａに沿
って切断した個所の断面積をS₁、磁気ギャップの他端か
ら第１コア基体における突出部の他方の傾斜側面に対し
て垂直に引いた仮想線Ｂに沿って切断した個所の断面積
をS₂、仮想線Ａの一端と仮想線Ｂの一端を結ぶ仮想線Ｃ
に沿って切断した個所の断面積をS₃、仮想線Ｃの位置か
ら磁気ギャップ面に対して平行に降ろした仮想線Ｄに沿
って切断した個所の断面積磁性薄膜の磁気ギャップ対向
面積をS_G、第１コア基体の飽和磁束密度をB_S1、第１磁
性薄膜の飽和磁束密度をB_S2としたとき、下記の関係式
が成立するように第１コア基体と第１磁性薄膜が構成さ
れ、 （S₁+S₂+S₃）B_S2+S₄・B_S1≧S_G・B_S2 前記第２コア半体が、第２コア基体と、その第２コア基
体の前記磁気ギャップ面と対向する方の側面に沿って連
続して被着された高飽和磁束密度を有する磁性材料より
なる第２磁性薄膜とを備え、 第１コア基体のコイル溝に巻装された励磁コイルによっ
て第１磁性薄膜の中間部分を押圧し、 第１コア半体と第２コア半体を一体に接合することによ
り、第１磁性薄膜と第２磁性薄膜の磁気ギャップ側端部
ならびに磁気ギャップ側端部と反対側の端部とを互いに
押圧したことを特徴とするものである。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について図とともに説明する。第１
図は第１実施例に係る複合磁気ヘッドの平面図、第２図
は第１図イ−イ線上の断面図である。

この複合磁気ヘッドは磁気ディスク記録再生装置に用い
られるもので、記録再生ヘッド21と、消去ヘッド22と、
両磁気ヘッド間の磁気的な影響を阻止するための非磁性
体23とから主に構成されている。磁気記録媒体（磁気デ
ィスク）の走行方向の上流側に記録再生ヘッド21が、そ
の下流側に消去ヘッド22が配置されるように、これら一
体物がヘッド保持体（図示せず）に取り付けられる。

記録再生ヘッド21は、第１コア半体24と、それと対向す
る第２コア半体25と、第１コア半体24に設けたコイル溝
26に巻装される励磁コイル27とから主に構成されてい
る。28はガラスなどの非磁性体からなる補強層で、第１
コア半体24と第２コア半体25の接合部近傍に設けられて
いる。

第１コア半体24は、磁気ギャップ35と対向する側面のほ
ぼ中央に山形の突出部29を有する第１コア基体30と、前
記側面の全面に被着された第１磁性薄膜31とから構成さ
れている。

前記第１コア基体30には、例えばマンガン−亜鉛フェラ
イトやニッケル−亜鉛フェライトのような高透磁率を有
するフェライトが用いられる。

前記第１磁性薄膜31には、高飽和磁束密度ならびに高透
磁率を有する結晶質合金や非晶質合金が用いられる。こ
の結晶質合金としては鉄−アルミニウム−ケイ素合金，
鉄−ケイ素系合金ならびに鉄−ニッケル系合金などがあ
る。また非晶質合金としては、鉄，ニッケル，コバルト
のグループから選択された１種以上の元素と、リン，炭
素，ホウ素，ケイ素のグループから選択された１種以上
の元素とからなる合金、またはこれを主成分として、ア
ルミニウム，ゲルマニウム，ベリリウム，スズ，モリブ
デン，インジュウム，タングステン，チタン，マンガ
ン，クロム，ジルコニウム，ハフニウム，ニオブなどの
元素を添加した合金、あるいはコバルト，ジルコニウム
を主成分として、前述の添加元素を含んだ合金などがあ
る。

第２コア半体25も第１コア半体24と同様に、磁気ギャッ
プ35と対向する側面のほぼ中央に山形の突出部32を有す
る高透磁率のフェライトからなる第２コア基体33と、そ
れの前記側面に被着された高飽和磁束密度と高透磁率を
有する金属磁性材よりなる第２磁性薄膜34とから構成さ
れている。

第１図に示すように第１コア半体24側の突出部29ならび
に第１磁性薄膜31と、第２コア半体25側の突出部32なら
びに第２磁性薄膜34とは、接合部近傍の形状が磁気ギャ
ップ35を介してほぼ左右対称になっている。この磁気ギ
ャップ35は、約100〜140μｍ程度の長さを有している。

一方、消去ヘッド22は、第１コア半体36と、それと対向
する第２コア半体37と、第２コア半体37に設けたコイル
溝38に巻装される励磁コイル39とから主に構成されてい
る。40はガラスなどの非磁性体からなる補強層で、第１
コア半体36と第２コア半体37の接合部近傍に設けられて
いる。

第１コア半体36は、磁気ギャップ41と対向する側面に所
定の間隔をおいて２つの山形の突出部42を有する高透磁
率のフェライトからなる第１コア基体43と、それの前記
側面に被着された高飽和磁束密度と高透磁率を有する金
属磁性材よりなる第１磁性薄膜44とから構成されてい
る。

第２コア半体37も第１コア半体36と同様に、磁気ギャッ
プ41と対向する側面に所定の間隔をおいて２つの山形の
突出部42を有する高透磁率のフェライトからなる第２コ
ア基体46と、それの前記側面に被着された高飽和磁束密
度と高透磁率を有する金属磁性材よりなる第２磁性薄膜
47とから構成されている。従って第１図に示すように、
第１コア半体36側の突出部42ならびに第１磁性薄膜44
と、第２コア半体37側の突出部45ならびに第２磁性薄膜
47とは、接合部近傍の形状が磁気ギャップ35を介してほ
ぼ左右対称になっている。

記録再生ヘッド21の磁気ギャップ35と消去ヘッド22の２
つの磁気ギャップ41とは第１図に示すような位置関係に
なっており、記録再生ヘッド21によって磁気記録媒体に
記録トラックが形成され、その直後に消去ヘッド22によ
って前記記録トラックの両端が一部消去されてトラック
幅の規制がなされる。

第１図に示す如く第１コア基体30における突部29の両方
の傾斜側面が交差する角度、すなわち頂角θ２は、90°
を超え150°までの範囲に規制されている。この頂角θ
２が90°以下、すなわち鋭角であると、蒸着やスパッタ
リングなどで突部29の両側傾斜面に磁性薄膜31を被着す
る際に、磁性薄膜31を形成する原料ターゲットに対する
突部29の両側傾斜面の傾斜角が大き過ぎる。そのため厚
い磁性薄膜31を形成する場合に時間がかかり過ぎて、生
産性が悪い。また、頂角θ２が鋭角であると、切削によ
っ突部29を形成する際にそれの尖端部に欠けなどが生じ
易くなり、歩留りが悪い。

一方、頂角θ２が150°を超えて大きくなると、突部29
の先端部近くが平面状に近づき、その先端部近傍が擬似
的な磁気ギャップを構成することになり特性上好ましく
ない。従って突部29の尖端部に欠けがなく、所定の厚さ
を有する磁性薄膜31を生産性よく形成し、しかも突部29
の先端部近傍に擬似ギャップが形成されないようにする
には、突部29の頂角θ２を約90°を超え150°までの範
囲に規制する必要がある。

この突部における頂角の規制は、記録再生ヘッド21の第
１コア半体24だけでなく、それの第２コア半体25ならび
に消去ヘッド22の第１コア半体36、第２コア半体37にお
いても同様に適用されることである。

第２図に示すように記録再生ヘッド21の第１コア半体24
ならびに消去ヘッド22の第２コア半体37にはそれぞれコ
イル溝26,38が形成される訳であるが、前述の従来提案
された磁気ヘッドの場合と順序が異なる。すなわち磁性
薄膜31,47を被着する前にコア基体30,46に磁性薄膜31,4
7の膜厚を見込んでコイル溝26,38を形成し、しかるのち
に磁性薄膜31,47を被着する。そのため、同図に示す如
く磁性薄膜31,47はコイル溝26,38によって途中で分断さ
れることなく、上部から下部に向けて連続して形成され
ている。

またコイル溝26,38に励磁コイル27,39を巻装することに
より、励磁コイル27,39の真下に高透磁率を有する磁性
薄膜31,47が存在しており、そのために励磁コイル27,39
とコアとの間における電磁変換特性が良好である。

また、第１コア半体24,36と第２コア半体25,37とを一体
に接合することにより、第１磁性薄膜31,44と第２磁性
薄膜34,47の磁気ギャップ側端部ならびにそれと反対側
の端部とを互いに押圧している。このようなことから、
第１磁性薄膜31,44を第１コア基体30,43側に、第２磁性
薄膜34,47を第２コア基体33,46側に、それぞれ機械的に
密着させることができ、温度変化に伴う磁気抵抗の増加
が抑制できる。

第３図は記録再生ヘッド21における磁気ギャップ35近傍
の平面説明図、第４図は第３図ロ−ロ線上で切断した断
面説明図である。

第１コア半体24における磁気ギャップ対向面以外の磁路
で、第１コア基体30に流れる磁束の方向に対してほぼ垂
直な断面積とその第１コア基体30の飽和磁束密度の積
と、第１磁性薄膜31に流れる磁束の方向に対してほぼ垂
直な断面積とその第１磁性薄膜31の飽和磁束密度の積と
の総和が最も小さくなる個所について検討した結果、第
３図および第４図において仮想線で示すA,B,C,D,Eの位
置であることを解明した。

すなわち、磁気ギャップ35の一端から第１コア基体30に
おける突出部29の一方の傾斜側面に対して垂直に引いた
仮想線Ａ、磁気ギャップ35の他端から突出部29の他方の
傾斜側面に対して垂直に引いた仮想線B,前記仮想線Ａの
一端と仮想線Ｂの一端を結ぶ仮想線C,仮想線Ｃの位置か
ら磁気ヘッド面に対して平行に降ろした仮想線D,その仮
想線Ｄの一端から傾斜面48側の第１磁性薄膜31に向けて
垂直に降ろした仮想線Ｅで示される位置である。

本発明者らは、この第１コア基体30の表面に被着される
磁性薄膜31の特性が十分に発揮できる磁性薄膜31の厚さ
について種々検討した結果、後述のような関係式を満足
するように構成すれば、高飽和磁束密度を有する磁性薄
膜31を用いた効果が十分に発揮できることを見出した。

すなわち第３図および第４図に示す仮想線Ａに沿って切
断した個所の断面積をS₁，仮想線Ｂに沿って切断した個
所の断面積をS₂，仮想線Ｅに沿って切断した個所の断面
積をS₃，仮想線Ｃならびに仮想線Ｄに沿って切断した個
所の断面積をS₄，磁性薄膜31の磁気ギャップ対向面積を
S_G，第１コア基体30の飽和磁束密度をB_S1，磁性薄膜31
の飽和磁束密度をB_S2と定義した場合、 （S₁+S₂+S₃）B_S2+S₄・B_S1≧S_G・B_S2 ……（１） となるように、第１コア基体30ならびに第１磁性薄膜31
を構成する。

このように磁性薄膜31の各部に流れる磁束の方向に対し
てほぼ垂直な断面積とその磁性薄膜31の飽和磁束密度の
積〔（S₁+S₂+S₃）B_S2〕と、コア基体30に流れる磁束の
方向に対してほぼ垂直な断面積とそのコア基体30の飽和
磁束密度の積〔S₄・B_S1〕との総和値が最も小さくなる
位置においても、その総和値が磁性薄膜31の磁気ギャッ
プ対向面積とその磁性薄膜31の飽和磁束密度との積〔S_G
・B_S2〕以上になるように、コア基体30ならびに磁性薄
膜31を構成すれば、従来提案されたように磁気ギャップ
部近傍よりも先に、磁性薄膜の磁気ギャップから離れた
個所が磁気的に飽和してしまうようなことがなく、高飽
和磁束密度を有する磁性薄膜31を用いた効果が十分に発
揮でき、優れた磁気特性が得られる。

なお、前記断面積と飽和磁束密度の積は、その断面の部
分において磁気飽和しないで磁束を通し得る最大の磁束
量を意味する。

そしてコア半体の磁気回路を形成する磁路の磁気ギャッ
プ部以外の部分としては、本実施例の磁気ヘッドの場合
は前記断面積S₁，S₂，S₃，S₄の部分がある。従ってそれ
らの部分のトータルの磁束量、すなわちコア半体の磁路
の磁気ギャップ部以外の部分のトータルの磁束量が、前
記断面積と飽和磁束密度の積の総和となる。

さらにその総和の最小値が、磁気ギャップ部の面積と飽
和磁束密度の積以上にするということは、コア半体の磁
気回路を形成する磁路の磁気ギャップ部以外の部分のト
ータルの磁束量が、磁気ギャップ面の磁束量よりも大き
いことを意味している。換言すれば、磁気ギャップ部以
外の部分が磁気ギャップ部よりも先に磁気飽和しないこ
とを意味している。

第５図および第６図は第２実施例を説明するための図で
ある。この実施例は磁気ギャップ35の長さ、換言すれば
記録トラック幅を長くするのに好適で、第１コア基体30
の突出部29ならびに第２コア基体33の突出部32が２つ以
上並設されており、その上に第１磁性薄膜31ならびに第
２磁性薄膜34が被着されている。

この実施例の場合も第１コア半体24における磁気ギャッ
プ対向面以外の磁路で、第１コア基体30に流れる磁束の
方向に対してほぼ垂直な断面積とその第１コア半体30の
飽和磁束密度の積と、第１磁性薄膜31に流れる磁束の方
向に対してほぼ垂直な断面積とその第１磁性薄膜31の飽
和磁束密度の積との総和が最も小さくなるのは、第５図
および第６図で仮想線A,B,C,Dで示した位置である。

同図に示す仮想線Ａに沿って切断した個所の断面積を
S₁，仮想線Ｂに沿って切断した個所の断面積をS₂，仮想
線Ｅに沿って切断した個所の断面積をS₃，仮想線Ｃに沿
って切断した突出部29の断面積をS₅，S₇，仮想線Ｃに沿
って切断した磁性薄膜31の断面積をS₆，磁性薄膜31の磁
気ギャップ対向面積をS_G，コア基体30の飽和磁束密度を
B_S1、磁性薄膜31の飽和磁束密度をB_S2と定義した場合、 （S₁+S₂+S₃+S₆）B_S2＋（S₅+S₇）B_S1≧S_G・B_S2 ……
（２） となるように、第１コア基体30ならびに第１磁性薄膜31
を構成する。

前述の（１）式あるいは（２）式の条件を満足する磁気
ヘッドを造るためには、前述のようにコア基体における
突出部の頂角θ２を90°を超え150°までの範囲に規制
すれば、容易に作成することができる。

前記実施例では、マンガン−亜鉛フェライトなどの磁性
体からなるコア基体上に磁性薄膜を形成した場合につい
て説明したが、コア基体が非磁性フェライトあるいはセ
ラミックなどの非磁性体からなり、その表面に磁性薄膜
を形成する磁気ヘッドについても本発明は適用可能であ
り、この場合は前記（１）式，（２）式におけるB_S1は
零になる。

また前記実施例では記録再生ヘッドの第１コア半体につ
いて説明したが、本発明は他のコア半体についても適用
できることは説明するまでもない。

〔発明の効果〕

本発明は以下のような作用効果を有している。

．本発明では、磁気ギャップと対向する方の側面に磁
気ギャップ面に対して傾斜した両側面をもつ突出部を有
する第１コア基体と、その第１コア基体の前記突出部の
両側面ならびに磁気ギャップと反対側の端部に沿って被
着した第１磁性薄膜を備えた構造のコア半体において、 第１コア基体に流れる磁束の方向に対して垂直な断面積
とその第１コア基体の飽和磁束密度の積と、第１磁性薄
膜に流れる磁束の方向に対して垂直な断面積とその第１
磁性薄膜の飽和磁束密度の積との総和が最も小さくなる
のが、前記仮想線A,B,C,D,Eの位置であることを特定し
た。

そして、磁気ヘッドの製造時に前述のような関係式が成
立するように前記仮想線Ａ〜Ｅの位置でのコア基体なら
びに磁性薄膜の厚み等を監視することにより、磁気ギャ
ップ近傍よりも先に、磁性薄膜の磁気ギャップから離れ
た個所が磁気的に飽和してしまうことがなく、高飽和磁
束密度を有する磁性薄膜を用いた効果が十分に発揮でき
る磁気ヘッドがばらつきなく安定して量産することがで
き、品質的に一定している。

．磁気ギャップと対向する方の側面が磁気ギャップ面
に対して傾斜している突出部とコイル溝を有するコア基
体を用いて、そのコア基体の表面に高飽和磁束密度を有
する磁性材料よりなる磁性薄膜を被着してなる磁気ヘッ
ドにおいても、幅狭トラックのものと幅広トラックのも
のとがある。

トラック幅が20μｍ程度の幅狭トラックのものにおいて
は、換言すれば、突出部の両側面に形成された磁性薄膜
が極めて薄く、両磁性薄膜の接合部の平坦面が20μｍと
狭いため、突出部の両側面に磁性薄膜を形成するだけ
で、磁気ギャップ近傍を磁性薄膜の他の部分よりも先に
磁気飽和させることができる。

一方、トラック幅が40〜200μｍの幅広トラックのもの
においては、突出部の両側面に磁性薄膜を形成するだけ
では、その両側面の磁性薄膜の膜厚をかなり厚くしない
と磁気ギャップ近傍を磁性薄膜の他の部分よりも先に磁
気飽和させることができず、そのために磁気ヘッドの寿
命が短い。

また、磁性薄膜をかなり厚くするには、例えばスパッタ
リングや蒸着などによる製膜時間がかかり、生産性が悪
い。

この幅広トラックのものにおいて、本発明のように突出
部の両側面以外に、コイル溝から磁気ギャップ部とは反
対側の端部まで連続して磁性薄膜を形成すれば、磁気ギ
ャップ近傍を十分に飽和させることができ、しかも各磁
性薄膜の膜厚をさほど厚くする必要がなく、そのために
生産性の向上が図れる。

．コア基体と磁性薄膜とでは線膨張係数が異なり、そ
のため温度変化を受けると磁性薄膜がコア基体から剥が
れ易くなり、両者の接触面での磁気抵抗が増加する傾向
にある。

その点本発明では、第１コア半体と第２コア半体とを一
体に接合することにより、第１磁性薄膜と第２磁性薄膜
の磁気ギャップ側端部ならびにそれと反対側の端部とを
互いに押圧した構造になっている。そのため磁性薄膜と
コア基体の密着が図れ、温度変化にともなう両者間の磁
気抵抗の増加が抑制される。

．励磁コイルの真下に高透磁率を有する磁性薄膜の中
間部が存在しているから、励磁コイルとコアとの間にお
ける電磁変換効率が良好である。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１実施例に係る複合磁気ヘッドの平面図、第
２図は第１図イ−イ線上の断面図、第３図はこの複合磁
気ヘッドの記録再生ヘッドにおける磁気ギャップ近傍の
平面説明図、第４図は第３図ロ−ロ線上の断面説明図、
第５図は第２実施例に係る磁気ヘッドの磁気ギャップ近
傍の平面説明図、第６図は第５図ハ−ハ線上の断面説明
図、第７図および第８図は従来提案された磁気ヘッドの
一部平面図および一部断面図，第９図ないし第15図はそ
の磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。 21……記録再生ヘッド、22……消去ヘッド、24,36……
第１コア半体、25,37……第２コア半体、26……コイル
溝、27……励磁コイル、28,40……補強層、29,32,42…
…突出部、30,43……第１コア基体、31,44……第１磁性
薄膜、33,46……第２コア基体、34,47……第２磁性薄
膜、35,41……磁気ギャップ、48……下側傾斜面、θ２
……突出部の両側面の鎖交する角度、Ａ……磁気ギャッ
プの一端から突出部の一方の傾斜側面に対して垂直に引
いた仮想線、Ｂ……磁気ギャップの他端から突出部の他
方の傾斜側面に対して垂直に引いた仮想線、Ｃ……仮想
線Ａの一端と仮想線Ｂの一端を結ぶ仮想線、Ｄ……仮想
線Ｃの位置から磁気ヘッド面に対して平行に降ろした仮
想線、Ｅ……仮想線Ｄの一端から傾斜面側の第１磁性薄
膜に向けて垂直に降ろした仮想線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 英夫 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 山野 稔 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 鳥取 猛志 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 熊坂 登行 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大友 茂一 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 工藤 實弘 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 森川 寿一 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所東海工場内 (56)参考文献 特開 昭56−169214（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−155513（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−220232（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−207415（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気ギャップ（35）を介して第１コア半体
   （24）と第２コア半体（25）を接合してなる磁気ヘッド
   で、 前記第１コア半体（24）が、磁気ギャップ（35）と対向
   する方の側面に磁気ギャップ面に対して傾斜した両側面
   をもつ突出部（29）とコイル溝（26）を有する第１コア
   基体（30）と、その第１コア基体（30）の前記突出部
   （29）の両側面ならびにコイル溝（26）から磁気ギャッ
   プ（35）と反対側の端部に沿って連続して被着された高
   透磁率で高飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる第１
   磁性薄膜（31）とを備え、 前記突出部（29）の両側面の鎖交する角度θ２が90°を
   越え150°までの範囲に規制され、 前記磁気ギャップ（35）の一端から第１コア基体（30）
   における突出部（29）の一方の傾斜側面に対して垂直に
   引いた仮想線Ａに沿って切断した個所の断面積をS₁、磁
   気ギャップ（35）の他端から第１コア基体（30）におけ
   る突出部（29）の他方の傾斜側面に対して垂直に引いた
   仮想線Ｂに沿って切断した個所の断面積をS₂、仮想線Ａ
   の一端と仮想線Ｂの一端を結ぶ仮想線Ｃに沿って切断し
   た個所の断面積をS₃、仮想線Ｃの位置から磁気ギャップ
   面に対して平行に降ろした仮想線Ｄに沿って切断した個
   所の断面積をS₄、仮想線Ｄの一端から突出部（29）の下
   側傾斜面（48）上に形成されている第１磁性薄膜（31）
   に向けて垂直に降ろした仮想線Ｅに沿って切断した個所
   の断面積をS₅、第１磁性薄膜（31）の磁気ギャップ対向
   面積をS_G、第１コア基体（30）の飽和磁束密度をB_S1、
   第１磁性薄膜（31）の飽和磁束密度をB_S2としたとき、
   下記の関係式が成立するように第１コア基体（30）と第
   １磁性薄膜（31）が構成され、 （S₁+S₂+S₃）B_S2+S₄・B_S1≧S_G・B_S2 前記第２コア半体（25）が、第２コア基体（33）と、そ
   の第２コア基体（33）の前記磁気ギャップ面と対向する
   方の側面に沿って連続して被着された高飽和磁束密度を
   有する磁性材料よりなる第２磁性薄膜（34）とを備え、 第１コア半体（24）と第２コア半体（25）を一体に接合
   することにより、第１磁性薄膜（31）と第２磁性薄膜
   （34）の磁気ギャップ側端部ならびに磁気ギャップ側端
   部と反対側の端部とを互いに押圧したことを特徴とする
   磁気ヘッド。