JPH0658727B2 - 磁気ヘツド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気ギャ
ップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されてなる、いわゆ
る複合型の磁気ヘッドに関するものである。

〔従来の技術〕

例えばＶＴＲ（ビデオテープレコード）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属の粉末を用いた、
いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸着により
ベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープ等が
使用されるようになっている。そして、この種の磁気記
録媒体は高い抗磁力Hcを有するために、記録再生に用い
る磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束密度Bsを有
することが要求されている。例えば、従来磁気ヘッド材
料として多用されているフェライト材では飽和磁束密度
Bsが低く、またパーマロイでは耐摩耗性に問題がある。

一方、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体に記
録される記録トラックの狭小化も進められており、これ
に対応して磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いものが
要求されている。

そこで従来、例えばセラミックス等の非磁性基板上に飽
和磁束密度の高い強磁性金属薄膜を被着形成し、これを
トラック部分とした複合型磁気ヘッドが提案されている
が、この種の磁気ヘッドでは磁路が膜厚の薄い強磁性金
属薄膜のみにより構成されるので、磁気抵抗が大きく効
率上好ましくなく、また上記強磁性金属薄膜の膜形成を
膜成長速度の極めて遅い真空薄膜形成技術で行うため、
磁気ヘッド作製に時間を要する等の問題があった。

あるいは、磁気コア部がフェライト等の強磁性酸化物か
らなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ形成面に強
磁性金属薄膜を被着した複合型磁気ヘッドも提案されて
いるが、この場合には磁路と上記金属薄膜とが直交する
方向に位置するため渦電流損失が発生し再生出力の低下
を招く虞れがあり、また上記磁気コア部と上記金属薄膜
間に凝似ギャップが形成され、充分な信頼性が得られな
い等の問題がある。

そこで本願出願人は、先に特願昭58−250988号明細書に
おいて、例えばメタルテープ等の高い抗磁力を有する磁
気テープに高密度記録するのに適した複合型磁気ヘッド
を提案した。この磁気ヘッドは、第１９図に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物により形成
される一対の磁気コア半体(101),(102) に突き合わせ面
をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁性金属薄膜形成面(10
3),(104) を形成し、この強磁性金属薄膜形成面(103),
(104) 上に真空薄膜形成技術によりＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
合金（いわゆるセンダスト）等の強磁性金属薄膜(105),
(106) を被着形成し、これら強磁性金属薄膜(105),(10
6) を当接することにより磁気ギャップ(107) を構成
し、さらにトラック幅規制溝内にテープ摺接面を確保し
強磁性金属薄膜(105),(106) の摩耗を防止するために低
融点ガラス(108),(109) あるいは高融点ガラス(110),(1
11) を充填して構成されるものであって、信頼性や磁気
特性、耐摩耗性等の点で優れた特性を有するものであ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、このように構成される磁気ヘッドにおいて
は、上記高融点ガラス(110),(111) が充填されるトラッ
ク幅規制棒(101a),(102a) の形状が問題で、例えばこの
トラック幅規制溝(101a),(102a) が単に磁気コア半体(1
01),(102) を斜めに切り欠くことにより形成されたもの
では、この部分で対向する強磁性酸化物と強磁性金属薄
膜との距離があまり大きくないので、特に磁気ギャップ
がアジマス記録を行うようにアジマス角度で形成されて
いる場合、隣接又は隣々接トラックの信号を拾い長波長
域においてクロストークを生じる虞れがある。

あるいは、上記強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距離
を大きくするために、上記トラック幅規制溝(101a),(10
2a) の形状を磁気テープ対接面から見た時に中途部で屈
折する多角形状にすることも考えられるが、この場合に
は、加工時の材料に対するストレス（歪）が大きくな
り、屈折部においてマイクロクラックを生じたり、溝の
縁の部分においてカケ（チッピング）を誘発したりする
虞れがある。さらに、溝形状の非対称性から、ガラス充
填時の熱膨張の違いからくる応力差やガラス流れ・ヌレ
特性が悪くなり、この応力のアンバランスから生ずる要
因等により上記高融点ガラス(110),(111) にクラックを
生じる虞れもある。

したがって、出力等の記録再生特性が低下し、また、溝
形状の非対称性に起因して溝入れ加工時に溝幅および溝
入れピッチのバラツキが生じること、使用する砥石に対
して２段階以上の成形を必要としその寸法精度も厳しい
こと、砥石の摩耗が大きいこと等、生産性の点でも不利
である。

そこで本発明は、上述の従来のものの有する欠点を解消
するために提案されたものであって、クロストークを解
消するとともに材料ストレスや加工ストレス等の低減を
図り、マイクロクラックやヒビ等の発生が少なく記録再
生特性に優れ、さらに生産性の点でも優れた磁気ヘッド
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記の目的を達成するために、強磁性酸化物よ
りなる磁気コア半体とこの磁気コア半体の強磁性薄膜形
成面上に真空薄膜形成技術により形成される強磁性金属
薄膜と磁気ギャップ近傍部に充填される非磁性材とから
なり、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせることによ
り磁気ギャップが構成され、テープ対接面から見たとき
に上記強磁性薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所定
角度で傾斜するとともに上記突き合わされた強磁性金属
薄膜が略一直線状に連なり、上記強磁性金属薄膜と非磁
性材の界面が直線とされるとともに、上記強磁性酸化物
と非磁性材の界面が単一もしくは複数の曲面とされ、強
磁性金属薄膜を挟んで非磁性材充填部の形状が左右非対
称とされていることを特徴とするものである。

〔作用〕

このように、強磁性酸化物と非磁性材との界面を単一も
しくは複数の曲面とすることにより、この部分で対向す
る強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距離が大きいもの
となり、クロストークが防止される。また、トラック幅
規制溝の形状が略円弧状であるため、この溝内に充填さ
れる非磁性材の流れ・ヌレ等が良くなり気泡の発生も抑
えられ、さらにたとえ応力差があったとしても全面均一
な歪分散が図られ、強磁性酸化物や非磁性材等にヒビや
クラックが発生し難くなる。

さらに、この曲面からなるトラック幅規制溝は、対称性
を有する溝であるので、加工バランスに優れ、溝入れ精
度も確保され、加工時の砥石の摩耗もバラツキが少ない
ものとなる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

先ず、ヘッドのテープ対接面である前端部よりバックギ
ャップを構成する後端部まで連続して強磁性金属薄膜を
形成した本発明の一実施例について説明する。

第１図は本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一例を示
す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ対接面を
示す要部拡大平面図である。

この磁気ヘッドにおいては、磁気コア半体(11),(12) が
強磁性酸化物、たとえばＭｎ−Ｚｎ系フェライトで形成
され、これら磁気コア半体(11),(12) の接合面を斜めに
切り欠いた強磁性薄膜形成面(11a),(12a) には、フロン
トギャップ形成面からバックギャップ形成面に至るまで
連続して高透磁率合金、たとえばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金膜である強磁性金属薄膜(13)が真空薄膜形成技術によ
り被着形成されている。そして、これら一対の磁気コア
半体(11),(12) をＳｉＯ_２等をギャップ材を介して突き
合わせ、上記強磁性金属薄膜(13)の当接面がトラック幅
Ｔｗの磁気ギャップｇとなるように構成されている。こ
こで、上記各磁気コア半体(11),(12) に被着形成される
強磁性金属薄膜(13)は、磁気テープ対接面から見たとき
に、一直線状に連なっており、磁気コア半体(11),(12)
の突き合わせ面である接合面、すなわち磁気ギャップ形
成面(10)に対してθなる角度で傾斜している。

そして、磁気ギャップｇの形成面近傍、すなわち磁気テ
ープ対接面における磁気ギャップｇの両側部には、トラ
ック幅を規制し上記強磁性金属薄膜(13)の摩耗を防止す
るための非磁性材(14),(15) が溶融充填されている。

ここで、上記磁気コア半体(11),(12) に形成されるトラ
ック幅規制溝(11b),(12b) は、上記非磁性材(15)と強磁
性酸化物との界面の形状がこの磁気ヘッドを磁気テープ
対接面から見たときに略円弧状となるような曲面をもっ
て切削加工され、このトラック幅規制溝(11b),(12b) に
臨む強磁性酸化物とこれに対向する強磁性金属薄膜(13)
との距離が確保されている。したがって、アジマス記録
を行う磁気ヘッドであっても、隣接又は隣々接トラック
の信号を拾うことはなく、この部分でクロストークが発
生することはない。

また、上記トラック幅規制溝(11b),(12b) の形状が断面
略円弧状の、いわゆる円形溝であるため、この溝の対称
バランスによって加工時の強磁性酸化物に対するストレ
スが小さなものとなり、磁気コア半体(11),(12) のマイ
クロクラックの発生が皆無となり、チッピングやヒビ等
を誘発する確率は非常に少なくなっている。さらに、こ
のトラック幅規制溝(11b),(12b) の形状に起因して、高
融点ガラス等からなる非磁性材(15)のヌレ・流れが良好
になり、この非磁性材(15)に気泡が発生することもなく
なっている。そして、上記トラック幅規制溝(11b),(12
b) 中に上記非磁性材(15)を流し込んだ時に応力差が発
生したとしても、上記トラック幅規制溝(11b),(12b) の
曲面性により、全面均一な歪分散が図られ、磁気コア半
体(11),(12) を構成する強磁性酸化物や非磁性材(15)に
ヒビやクラックが発生し難くなっている。

なお、上記トラック幅規制溝(11b),(12b) の形状として
は、上述のような単一の曲面形状ばかりでなく、第３図
に示すように複数の、この例では２つの円弧状の曲面(1
1c),(11d) および(12c),(12d) が連なるような２段形状
としてもよく、さらには第４図に示すように小径の円弧
状曲面(11e),(12e) と大径の円弧状曲面(11f),(12f) が
連なる２段形状としてもよい。

一方、上記強磁性薄膜形成面(11a),(12a) と磁気ギャッ
プ形成面(10)とがなす角θは、２０゜〜８０゜の範囲内
に設定することが好ましい。ここで２０゜以下の角度で
あると隣接トラックからのクロストークが大きくなり、
望ましくは３０゜以上の角度を持たせるのがよい。ま
た、上記傾斜角度を９０゜にした場合は、耐摩耗性が劣
ることから、８０゜程度以下とするのがよい。また、傾
斜角度を９０゜にすると、磁気ギャップｇの近傍部に形
成される上述の強磁性金属薄膜(13)の膜厚をトラック幅
Ｔｗに等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を
用いて薄膜を形成するにあたって、多くの時間を要して
しまうことや、膜構造が不均一化してしまう点で好まし
くない。

すなわち、上記磁気コア半体(11),(12) に被着形成され
る強磁性金属薄膜(13)の膜厚ｔは、 ｔ＝Ｔｗsin θ でよいことから、トラック幅Ｔｗに相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここで、Ｔｗはトラック幅であり、θは
上記強磁性薄膜形成面(11a),(12a) と磁気ギャップ形成
面(10)とのなす角度である。

また、上記強磁性金属薄膜(13)の材質としては、強磁性
非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金（例えばＦ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｏの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの
１つ以上の元素とからなる合金、またはこれを主成分と
しＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等をメタル
−メタロイド系アモルファス合金、あるいはＣｏ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素を主成分とするメタ
ル−メタル系アモルファス合金）、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
合金であるセンダスト合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−
Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、パーマロイ等が
使用可能であり、その膜付け方法としても、フラッシュ
蒸着，真空蒸着，イオンプレーティング，スパッタリン
グ，クラスター・イオンビーム法等に代表される真空薄
膜形成技術が採用される。

上記Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金を使用する場合に、その主
成分であるＦｅ，Ａｌ，Ｓｉの組成範囲としては、Ａｌ
の含有量が２〜１０重量％、Ｓｉの含有量が４〜１５
％、残部がＦｅであることが好ましい。すなわち、上記
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金を Ｆｅ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ （ａ，ｂ，ｃは各成分の重量比を表す。） で表したときに、その組成範囲が ７０≦ａ＜９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦ｃ≦１５ であることが望ましい。上記ＡｌやＳｉが少なすぎて
も、また逆に多すぎてもＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の磁気
特性が劣化してしまう。

また、上記Ｆｅの一部をＣｏあるいはＮｉのうち少なく
とも１種と置換することも可能である。

上記Ｆｅの一部をＣｏと置換することにより飽和磁束密
度を上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％をＣ
ｏで置換したもので最大の飽和磁束密度が得られる。こ
のＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６０重量％
の範囲内であることが好ましい。

上記Ｆｅの一部をＮｉと置換することにより、飽和磁束
密度を減少することなく透磁率を高い状態の保つことが
できる。このＮｉの置換量としては、Ｆｅに対して０〜
４０重量％の範囲内であることが好ましい。

さらに、上述のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金には、耐蝕性や
耐摩耗性を改善するために各種元素を添加剤として加え
てもよい。上記添加剤として使用される元素としては、
Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｇｄ等のランタン系列を
含むIIIａ族元素、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等のIVａ族元素、
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等のＶａ族元素、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等のVI
ａ族元素、Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ等のVIIａ族元素、Ｃｕ，
Ａｇ，Ａｕ等のＩｂ族元素、Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，
Ｓｂ等が挙げられる。

ところで、上述のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金を用いる場合
に、強磁性金属薄膜(13)は、その柱状構造の成長方向が
磁気コア半体(11),(12) の強磁性薄膜形成面(11a),(12
a) の法線方向に対して所定の角度λ、すなわち５゜〜
４５゜の角度で傾斜するように被着することが好まし
い。

このように、強磁性金属薄膜(13)を強磁性薄膜形成面(1
1a),(12a) の法線方向に対して所定の角度をもって傾斜
して成長させることにより、得られる強磁性金属薄膜(1
3)の磁気特性は安定かつ優れたものとなり、したがって
得られる磁気ヘッドの品質や性能も向上するのである。

ところで、上記強磁性金属薄膜(13)は、この例では真空
薄膜形成技術により単層として形成しているが、例えば
ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄等の
高耐摩耗性絶縁膜を介して複数層積層形成してもよい。
この場合、強磁性金属薄膜の積層数は任意に設定するこ
とができる。

次に、上記実施例の磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。

上記実施例の磁気ヘッドを作製するには、先ず、第５図
に示すように、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁
性酸化物基板(20)の上面(20a) 、すなわちこの強磁性酸
化物基板(20)における磁気コア半体突き合わせ等の接合
面に、回転砥石等により断面略Ｖ字状の第１の切溝(21)
を全幅に亘って複数平行に形成し、強磁性薄膜形成面(2
1a) を形成する。なお、上記強磁性薄膜形成面(21a)
は、上記強磁性酸化物基板(20)の磁気ギャップ形成面に
対応する上面(20a) と所定角度θで傾斜するように斜面
として形成され、その角度θは、ここではおよそ４５゜
に設定されている。

次に、第６図に示すように、上記強磁性薄膜形成面(21
a) を含む基板(20)の上面(20a) 全面に亘ってＦｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金や非晶質合金等をスパッタリング、イオ
ンプレーティング、蒸着等の真空薄膜形成技術を用いて
被着し、強磁性金属薄膜(22)を形成する。

次いで、第７図に示すように、強磁性金属薄膜(22)が被
着形成された第１の切溝(21)内に、非磁性材(23)を充填
した後、上記基板(20)の上面(20a) を平面研削し、平滑
度良く面出しを行い、上記基板(20)の上面(20a) に上記
強磁性薄膜形成面(21a) 上に被着される強磁性金属薄膜
(22)の端面を露出させる。

次に、第８図に示すように、上記強磁性金属薄膜(23)が
被着形成された強磁性薄膜形成面(21a) に隣接して、上
記第１の切溝(21)の一側縁(21b) と若干オーバーラップ
するように第１の切溝(21)と平行に第２の切溝(24)を切
削加工し、上記基板(20)の上面(20a) に対して鏡面加工
を施す。この結果、上記強磁性金属薄膜(22)のみにより
磁気ギャップが構成されるようにトラック幅が規制され
る。

ここで、上記第２の切溝(24)の形状は、単なるＶ字状で
はなく、例えば断面略半円形状のような、いわゆるカマ
ボコ形の曲面とし、磁気ヘッドのテープ対接面から見た
時に、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距離を確保す
るようにする。このような溝形状とすることにより、強
磁性酸化物と強磁性金属薄膜の接合面積を大きくしたま
まで、長波長成分の信号を再生することによるクロスト
ーク成分を低減することができる。さらに、上記のよう
な形状とすることにより、上記強磁性酸化物の端面が磁
気ギャップのアジマス角と異なる方向で傾斜され、アジ
マス損失によって隣接又は隣々接トラックからの信号の
ピックアップ量、すなわちクロストークを減少させるこ
とができる。

また、上記第２の切溝(24)は、対称性を有する溝である
ので、垂直性が良く加工バランスに優れ、溝入れ精度を
良好なものとすることができるとともに、加工性の砥石
の摩耗もバラツキが少ないものとなる。さらに、この第
２の切溝(24)の切削加工に使用する砥石は、砥石角度の
成形の必要はなく、砥石先端を円弧状ドレッサを１度通
すだけで済む。

さらにまた、上記強磁性薄膜形成面(21a) 上に強磁性金
属薄膜(22)を被着形成した後、トラック幅を規制するた
めの第２の切溝(24)を形成するという工程となっている
ため、この第２の切溝(24)の切削位置を調節することに
よりトラック幅を精度良く製造することが可能となり、
強磁性金属薄膜のみで構成された磁気ギャップ部から最
短距離を通って強磁性酸化物に磁束を通す形状の磁気ヘ
ッドを歩留り良く製造できるとともに、出力も大きくな
り、生産性や信頼性、製造コストの点で有利である。

上述のような工程により作製される一対の強磁性酸化物
基板(20)のうち、一方の基板(20)に対して、第９図に示
すように、上記第１の切溝(21)及び第２の切溝(24)と直
交する方向に溝加工を施し、巻線溝(25)を形成し強磁性
酸化物基板(30)を得る。

続いて、上記基板(20)の上面(20a) か上記基板(30)の上
面(30a) 上の少なくともいずれか一方にギャップスペー
サを被着し、第１０図に示すように、これら基板(20),
(30) を上記強磁性金属薄膜(22)同士が突き合わされる
ように接合配置する。そして、これら基板(20)及び(30)
をガラスにより融着すると同時に、上記第２の切溝(24)
内に上記非磁性材(26)を充填する。なお、上記ギャップ
スペーサとしては、ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ
等が使用される。また、この製造工程において、上記第
２の切溝(24)への非磁性材(26)の充填は、基板(20),(3
0) の融着と同時でなく、例えば第９図に示す工程であ
らかじめ第２の切溝(24)内に非磁性材(26)を充填し、第
１０図に示す工程ではガラス融着のみとしてもよい。

そして、第１０図中Ａ−Ａ線及びＡ′−Ａ′線の位置で
スライシング加工し、複数個のヘッドチップを切り出し
た後、磁気テープ摺接面を円筒研磨して第１図に示す磁
気ヘッドを完成する。なお、このとき基板(20)及び(30)
に対するスライシング方向を突き合わせ面に対して傾斜
させることにより、アジマス記録用の磁気ヘッドを作製
することができる。

ここで、この磁気ヘッドの一方の磁気コア半体(11)は強
磁性酸化物基板(20)を母材としており、他方の磁気コア
半体(12)は強磁性酸化物基板(30)を母材としている。ま
た、強磁性金属薄膜(13)は強磁性金属薄膜(22)に、非磁
性材(14)は非磁性材(23)に、非磁性材(15)は非磁性材(2
6)にそれぞれ対応している。また、トラック幅規制溝(1
1b),(12b) の曲面形状は、第２の切溝(24)の形状に由来
している。

このような製造工程により製造される磁気ヘッドにおい
ては、強磁性金属薄膜(22)の膜構造の不均一な部分が第
７図で説明した研磨工程、すなわちギャップ面研磨加工
時に削り取られてしまうため、磁気ギャップが一平面上
に形成され磁路に沿ってその各部が高透磁率を示す強磁
性金属薄膜(22)のみによって構成され、安定した高出力
が得られるようになる。

次に、強磁性金属薄膜を磁気ギャップ近傍部のみに形成
した実施例につて説明する。

第１１図は、磁気ギャップ近傍部にのみ強磁性金属薄膜
を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである。この磁
気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体(40),(41) が
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸化物で形成され、
磁気ギャップｇ近傍のフロントデプス側にのみ強磁性金
属薄膜(42)が、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の高透
磁率合金をスパッタリング等の真空薄膜形成技術で被着
することにより設けられている。また、非磁性材(43),
(44) が磁気ギャップｇの形成面近傍に溶融充填されて
いる。そして、磁気テープ対接面から見た時の上記磁気
コア半体(40),(41) と非磁性材(44)との界面、すなわち
上記磁気コア半体(40),(41) に形成されたトラック幅規
制溝(40a),(41a) の形状は、先の実施例と同様に円弧状
の曲面となっており、クロストークの防止が図られてい
る。なお、上記強磁性金属薄膜(42)が磁気テープ形成面
から見た時に磁気ギャップ形成面に対して所定の角度θ
で傾斜していることは先の実施例と同様である。

このような磁気ヘッドは、例えば第１２図ないし第１８
図に示す工程を経て製造される。

すなわち、先ず、第１２図に示すように、例えばＭｎ−
Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物基板(50)の長手方向一
稜部に断面半円形の円錐状の複数の切溝(51)を、回転砥
石等により形成する。ここで上記基板(50)の上面(50a)
は磁気ギャップ形成面に対応し、上記切溝(51)は基板(5
0)の磁気ギャップ形成位置近傍に相当する部分に形成さ
れる。この切溝(51)の切削加工に先の実施例の製造工程
で用いられたのと同様の砥石が使用可能であることは言
うまでもない。

次に、第１３図に示すように、上記切溝(51)に非磁性材
(52)を溶融充填した後、上面(50a) と前面(50b) とを平
面研磨する。

次いで、第１４図に示すように、上記酸化物ガラス(52)
を溶融充填した上記切溝(51)の一側縁若干オーバーラッ
プするように上記一稜部に切溝(51)と隣り合う複数の切
溝(53)を形成する。この時、形成される切溝(53)の内壁
面(53a) には、上記非磁性材(52)の一部が露出してい
る。また、この内壁面(53a) と上記上面(50a) との交線
(54)は、上記基板(50)の前面(50b) と直角をなしてい
る。また、この内壁面(53a) と上面(50a) とのなす直角
は、所要角度、例えば４５゜となっている。

続いて、第１５図に示すように、スパッタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて、上記基板(50)の少なくとも上
記切溝(53)を覆うようにスパッタリング等の真空薄膜形
成技術を用いて高透磁率合金の例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金を被着し、強磁性金属薄膜(55)を形成する。この
強磁性金属薄膜(55)の形成において、切溝(53)の一方の
内壁面(53a) 上に強磁性金属が効率良く被着するよう
に、上記基板(50)を傾斜させてスパッタリング装置内に
配置するようにしてもよい。

そして、第１６図に示すように、強磁性金属薄膜(55)が
被着された切溝(53)に、上記非磁性材(52)よりも低融点
の非磁性材(56)を溶融充填した後、基板(50)の上面(50
a) と前面(50b) とを平面研磨し鏡面仕上げを行う。

また、巻線溝側の磁気コア半体を形成するために、第１
６図に示すような加工を施した強磁性酸化物基板(50)
に、巻線溝(57)を形成する溝加工を行い、第１７図に示
す強磁性酸化物基板(60)を得る。

さらに、上記基板(50)の磁気ギャップ形成面となる上面
(50a) と上記基板(60)の磁気ギャップ形成面となる上面
(60a) とを、これら上面(50a),(60a) の少なくともいず
れか一方に膜付けされたギャップスペーサを介して第１
８図に示すように突き合わせ、ガラス融着を行う。その
後、基板(50)と基板(60)とを合体させたブロックを、第
１８図中Ｂ−Ｂ線及びＢ′−Ｂ′線の位置でスライシン
グ加工し、複数のヘッドチップを得る。このスライシン
グ加工は場合によってはアジマス角だけ傾けて行う。

最後に、切り出した各ヘッドチップに対し、磁気テープ
摺接面の円筒研磨を施し、第１１図に示す磁気ヘッドを
完成する。

ここで、第１１図に示す磁気ヘッドの一方の磁気コア半
体(41)は上記一方の強磁性酸化物基板(50)を母材として
おり、他方の磁気コア半体(40)は他方の強磁性酸化物基
板(60)を母材としている。また、強磁性金属薄膜(42)は
強磁性金属薄膜(55)に、非磁性材(43)は非磁性材(56)
に、非磁性材(44)は非磁性材(52)にそれぞれ対応してい
る。また、磁気コア半体(40),(41) を構成する強磁性酸
化物と非磁性材(44)の界面の形状、すなわちトラック幅
規制溝(40a),(41a) の形状は、上記切溝(51)の形状に由
来し、テープ対接面から見たときに円弧状に湾曲してい
る。

このように構成される磁気ヘッドにおいては、先の実施
例と同様に、強磁性金属薄膜(42)の各部がヘッドの磁路
方向に沿って高い透磁率を示すようになり、安定に高出
力を得ることができ、また、強磁性酸化物と非磁性材(4
4)の界面が曲面となっているのでひび、割れ等が発生す
ることなく安定したものとなる。

さらに加えて、この実施例の磁気ヘッドにおいては、ヘ
ッドの後部側の接合面、すなわちバックギャップ面にお
いて強磁性酸化物同士が直接ガラス融着されていること
から、ヘッドチップ耐破壊強度が大きく製造し易いヘッ
ドとなっており、強磁性金属薄膜の安定とあいまって歩
留りの向上を図ることができる。また、上記磁気ヘッド
では、強磁性金属薄膜(42)は磁気ギャップｇの近傍部の
みに形成されているため、この強磁性金属薄膜(42)の形
成面積が少なくて済み、例えばスパッタリング装置で一
括処理可能な個数を大幅に増やせることで量産性の向上
を図ることができる。

以上、本発明の具体的な実施例について説明したが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ヘッド
においては、強磁性酸化物と非磁性材との界面の形状を
単一もしくは複数の曲面となるようにしているので、磁
気ギャップ以外の部分における強磁性酸化物と強磁性金
属薄膜との距離が十分に確保され、クロストークが防止
され、良好な記録再生特性を示す磁気ヘッドとなってい
る。

また、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜の界面を曲面とし
たことで、加工時の材料に対するストレスによる歪がこ
の界面において全面均一に分散され、マイクロクラック
の発生は皆無となり、チッピングやヒビ等の誘発する確
率も極めて少なくなっている。さらには、非磁性材のヌ
レ性や流れ等も良好なものとなり、気泡等も発生し難く
なっている。

したがって、強磁性金属薄膜の安定化を図ることがで
き、安定した磁気特性を得ることが可能となり、強度的
にも信頼性が高く、高抗磁力な磁気記録媒体に適用して
好適な磁気ヘッドが得られる。

さらに、本発明の磁気ヘッドは、加工時の歩留まりも良
好で、生産性の点でも優れた磁気ヘッドとなっている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ対接面を示
す要部拡大平面図、第３図は強磁性酸化物と非磁性材と
の界面の形状の他の例を示す要部拡大平面図、第４図は
上記界面の形状のさらに他の例を示す要部拡大平面図で
ある。 第５図ないし第１０図は第１図の磁気ヘッドを作製する
ための製造工程を示す概略的な斜視図であり、第５図は
第１の切溝加工工程、第６図は強磁性金属薄膜形成工
程、第７図はガラス充填及び平面研磨工程、第８図は第
２の切溝加工工程、第９図は巻線溝加工工程、第１０図
はガラス融着工程をそれぞれ示す。 第１１図は本発明の他の実施例を示す外観斜視図であ
る。第１２図ないし第１８図はその製造工程を工程順に
示す概略斜視図であり、第１２図は溝加工工程、第１３
図は非磁性材充填工程、第１４図は第２の溝加工工程、
第１５図は強磁性金属薄膜形成工程、第１６図は非磁性
材充填及び平面研磨工程、第１７図は巻線溝加工工程、
第１８図はガラス融着工程をそれぞれ示す。 第１９図は従来の磁気ヘッドを示す外観斜視図である。 11,12,40,41……磁気コア半体 11a,12a……強磁性薄膜形成面 11b,12b,40a,41a……トラック幅規制溝 13,42……強磁性金属薄膜 15,44……非磁性材

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】強磁性酸化物よりなる磁気コア半体とこの
   磁気コア半体の強磁性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術
   により形成される強磁性金属薄膜と磁気ギャップ近傍部
   に充填される非磁性材とからなり、 前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせることにより磁気
   ギャップが構成され、 テープ対接面から見たときに上記強磁性薄膜形成面と磁
   気ギャップ形成面とが所定角度で傾斜するとともに上記
   突き合わされた強磁性金属薄膜が略一直線状に連なり、 上記強磁性金属薄膜と非磁性材の界面が直線とされると
   ともに、上記強磁性酸化物と非磁性材の界面が単一もし
   くは複数の曲面とされ、強磁性金属薄膜を挟んで非磁性
   材充填部の形状が左右非対称とされていることを特徴と
   する磁気ヘッド。