JPH077014A - ベース・バラストを備えた半導体装置 - Google Patents
ベース・バラストを備えた半導体装置Info
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- JPH077014A JPH077014A JP5278516A JP27851693A JPH077014A JP H077014 A JPH077014 A JP H077014A JP 5278516 A JP5278516 A JP 5278516A JP 27851693 A JP27851693 A JP 27851693A JP H077014 A JPH077014 A JP H077014A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
- H10D84/121—BJTs having built-in components
- H10D84/125—BJTs having built-in components the built-in components being resistive elements, e.g. BJT having a built-in ballasting resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/80—Heterojunction BJTs
- H10D10/821—Vertical heterojunction BJTs
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度分布が比較的均一で、熱的暴走が起こら
なく、信頼性をもって動作する、半導体装置を提供す
る。 【構成】 本発明の１つの形式における半導体装置は、
エミッタ・フィンガおよびベース・フィンガを備えたト
ランジスタと、前記ベース・フィンガに接続されたバラ
スト・インピーダンスと、を有する。
なく、信頼性をもって動作する、半導体装置を提供す
る。 【構成】 本発明の１つの形式における半導体装置は、
エミッタ・フィンガおよびベース・フィンガを備えたト
ランジスタと、前記ベース・フィンガに接続されたバラ
スト・インピーダンスと、を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全体的にいえば、トラ
ンジスタのベース・バラスト・インピーダンスに関す
る。
ンジスタのベース・バラスト・インピーダンスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】ヘテロ接合バイポーラ
・トランジスタ（ＨＢＴ）を例に取り上げて、本発明の
背景を説明する。この説明は、本発明の範囲がそれに限
定されることを意味するものではない。
・トランジスタ（ＨＢＴ）を例に取り上げて、本発明の
背景を説明する。この説明は、本発明の範囲がそれに限
定されることを意味するものではない。
【０００３】電力用ＨＢＴの設計には、電気的考察と熱
的考察とが必要である。電力用ＨＢＴの熱設計は、装置
が信頼性をもって動作するために、非常に重要である。
Ｓｉバイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ接合
電圧ＶBEは負の温度係数を有する。このＨＢＴは、Ｓｉ
バイポーラ・トランジスタと似た特性を有する。
的考察とが必要である。電力用ＨＢＴの熱設計は、装置
が信頼性をもって動作するために、非常に重要である。
Ｓｉバイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ接合
電圧ＶBEは負の温度係数を有する。このＨＢＴは、Ｓｉ
バイポーラ・トランジスタと似た特性を有する。
【０００４】ＶBEが負の温度係数を有することは、「熱
的暴走」条件（これはまた「電流ホッピング」または
「ホット・スポット」生成として知られている）の可能
性を生ずる。この条件が生じた場合、エミッタ接触体の
不均一性により、または、不均一温度分布により、１つ
のエミッタ・フィンガを流れる電流の大きさが次第に増
大する。ホット・スポットの生成は、信頼性の観点から
好ましくない。
的暴走」条件（これはまた「電流ホッピング」または
「ホット・スポット」生成として知られている）の可能
性を生ずる。この条件が生じた場合、エミッタ接触体の
不均一性により、または、不均一温度分布により、１つ
のエミッタ・フィンガを流れる電流の大きさが次第に増
大する。ホット・スポットの生成は、信頼性の観点から
好ましくない。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】全体的にいえば、およ
び、本発明の１つの形式の半導体装置は、エミッタ・フ
ィンガおよびベース・フィンガとを備えたトランジスタ
と、前記ベース・フィンガに接続されたバラスト・イン
ピーダンスとを有する。
び、本発明の１つの形式の半導体装置は、エミッタ・フ
ィンガおよびベース・フィンガとを備えたトランジスタ
と、前記ベース・フィンガに接続されたバラスト・イン
ピーダンスとを有する。
【０００６】半導体装置は、この半導体装置のエミッタ
・フィンガの温度分布が比較的均一であるような、複数
個のトランジスタおよびバラスト・インピーダンスを有
することが好ましい。これらのバラスト・インピーダン
スは、事実上、同じインピーダンス値であることができ
る、すなわち、均一なインピーダンス値であることがで
きる。前記トランジスタはヘテロ接合バイポーラ・トラ
ンジスタであることができ、そして、前記インピーダン
スは抵抗器であることができる。前記半導体装置は増幅
器であることができる、例えば、大電力用増幅器である
ことができる。前記半導体装置は、セルラ方式電話に用
いることができる。
・フィンガの温度分布が比較的均一であるような、複数
個のトランジスタおよびバラスト・インピーダンスを有
することが好ましい。これらのバラスト・インピーダン
スは、事実上、同じインピーダンス値であることができ
る、すなわち、均一なインピーダンス値であることがで
きる。前記トランジスタはヘテロ接合バイポーラ・トラ
ンジスタであることができ、そして、前記インピーダン
スは抵抗器であることができる。前記半導体装置は増幅
器であることができる、例えば、大電力用増幅器である
ことができる。前記半導体装置は、セルラ方式電話に用
いることができる。
【０００７】
【実施例】添付図面を参照しての下記説明において、図
面は異なっても対応する部品には、特に断らない限り、
対応する番号および対応する記号が用いられる。
面は異なっても対応する部品には、特に断らない限り、
対応する番号および対応する記号が用いられる。
【０００８】大電力用バイポーラ・トランジスタは、全
出力電力を増大させるために、多数個のフィンガ構造体
を用いることが多い。典型的には、複数個のエミッタ・
フィンガが配置され、そして、そのフィンガのおのおの
のには一定量の電流が流れる。したがって、装置１２は
相互に接続された、それぞれが１個のエミッタ・フィン
ガ１０を有する、多数個の部分装置１４で構成されると
考えることができる。図１は、装置１２の等価回路図で
ある。トランジスタ（部分装置）１４が動作している
間、フィンガ１０の近傍で電力が熱エネルギとして放散
され、それにより、フィンガ１０のおのおのの温度が上
昇する。
出力電力を増大させるために、多数個のフィンガ構造体
を用いることが多い。典型的には、複数個のエミッタ・
フィンガが配置され、そして、そのフィンガのおのおの
のには一定量の電流が流れる。したがって、装置１２は
相互に接続された、それぞれが１個のエミッタ・フィン
ガ１０を有する、多数個の部分装置１４で構成されると
考えることができる。図１は、装置１２の等価回路図で
ある。トランジスタ（部分装置）１４が動作している
間、フィンガ１０の近傍で電力が熱エネルギとして放散
され、それにより、フィンガ１０のおのおのの温度が上
昇する。
【０００９】図２は、ウエハの端部から２００μｍ，２
１５μｍ，２３０，２４５μｍ，２６０μｍの位置に配
置されたフィンガ１０を備えた、５フィンガ装置の典型
的な温度分布の図である。この温度分布は、装置の全電
流１３（図１を見よ）の関数として示されている。図２
を見ると分かるように、中央のフィンガの温度が最も高
く、最も外側のフィンガの温度は低い。この傾向は、装
置の電流１３が大きい時、特に顕著である。温度がフィ
ンガ１０毎に変わるこの温度分布は、好ましくない。温
度が高くなって、温度による故障（例えば、電流ホッピ
ング）が起こる程度になると、特定のフィンガ１０で故
障が起こり始め、それにより、装置全体１２が動作しな
くなる。より好ましい温度分布は、すべてのフィンガ１
０の温度がほぼ一定である温度分布である。
１５μｍ，２３０，２４５μｍ，２６０μｍの位置に配
置されたフィンガ１０を備えた、５フィンガ装置の典型
的な温度分布の図である。この温度分布は、装置の全電
流１３（図１を見よ）の関数として示されている。図２
を見ると分かるように、中央のフィンガの温度が最も高
く、最も外側のフィンガの温度は低い。この傾向は、装
置の電流１３が大きい時、特に顕著である。温度がフィ
ンガ１０毎に変わるこの温度分布は、好ましくない。温
度が高くなって、温度による故障（例えば、電流ホッピ
ング）が起こる程度になると、特定のフィンガ１０で故
障が起こり始め、それにより、装置全体１２が動作しな
くなる。より好ましい温度分布は、すべてのフィンガ１
０の温度がほぼ一定である温度分布である。
【００１０】比較的均一な温度分布を保持するための技
術の１つの好ましい実施例は、ベース・バラスト作用を
利用することである。この場合には、図３に示されてい
るように、ベース１８のおのおのに、抵抗器１６のよう
なバラスト・インピーダンスが付加されることが好まし
い。特定のエミッタ・フィンガ１０を備えたトランジス
タ１４のベース１８に、インピーダンス１６が接続され
る時、フィンガ電流１５が増加すると、バラスト・イン
ピーダンス１６の両端の電圧降下が増大し、そしてそれ
により、そのフィンガ１０に対するベース・エミッタ接
合電圧が減少する。したがって、そのフィンガ１０のフ
ィンガ電流１５は減少するであろう。その結果得られる
ネガティブ・フィードバック作用は、個々のフィンガ１
０に安定性をもたらす。したがって、トランジスタ１４
が安定に動作し、したがって、装置全体１４の安定性が
得られる。
術の１つの好ましい実施例は、ベース・バラスト作用を
利用することである。この場合には、図３に示されてい
るように、ベース１８のおのおのに、抵抗器１６のよう
なバラスト・インピーダンスが付加されることが好まし
い。特定のエミッタ・フィンガ１０を備えたトランジス
タ１４のベース１８に、インピーダンス１６が接続され
る時、フィンガ電流１５が増加すると、バラスト・イン
ピーダンス１６の両端の電圧降下が増大し、そしてそれ
により、そのフィンガ１０に対するベース・エミッタ接
合電圧が減少する。したがって、そのフィンガ１０のフ
ィンガ電流１５は減少するであろう。その結果得られる
ネガティブ・フィードバック作用は、個々のフィンガ１
０に安定性をもたらす。したがって、トランジスタ１４
が安定に動作し、したがって、装置全体１４の安定性が
得られる。
【００１１】熱的暴走の始まりに対応する電流は、下記
の式で与えられる。
の式で与えられる。
【００１２】
【数１】
【００１３】
【数２】ここで である。
【００１４】ここで ＲTH＝１個のフィンガ当りの熱的インピーダンス Ｎ ＝エミッタ・フィンガの数 ＶCE＝コレクタ・エミッタ電圧 ＴA ＝雰囲気温度 β ＝電流利得 ＲB ＝１個のフィンガ当りのベース抵抗値 である。
【００１５】好ましい第２実施例では、比較的均一な温
度分布を保持するために、ベース・フィンガのおのおの
に、変動するインピーダンスを有するベース・バラスト
・インピーダンス１６を用いることができる。自然の状
態では、中央のフィンガは外側のフィンガよりも温度が
高くなるから、中央のフィンガの抵抗値を外側のフィン
ガの抵抗値よりもより大幅に増大させると、好結果が得
られる。このことを実施する１つの方法は、ウエハの上
に、または、ウエハとは別に、フィンガのおのおのに適
切な抵抗材料体を接続することである。したがって、ト
ランジスタ１４の温度分布の均一性を改善するために、
ベース・バラスト・インピーダンス１６の大きさは、フ
ィンガ１８の全部に対して同じにすることができる、ま
たは、傾斜させることができる。
度分布を保持するために、ベース・フィンガのおのおの
に、変動するインピーダンスを有するベース・バラスト
・インピーダンス１６を用いることができる。自然の状
態では、中央のフィンガは外側のフィンガよりも温度が
高くなるから、中央のフィンガの抵抗値を外側のフィン
ガの抵抗値よりもより大幅に増大させると、好結果が得
られる。このことを実施する１つの方法は、ウエハの上
に、または、ウエハとは別に、フィンガのおのおのに適
切な抵抗材料体を接続することである。したがって、ト
ランジスタ１４の温度分布の均一性を改善するために、
ベース・バラスト・インピーダンス１６の大きさは、フ
ィンガ１８の全部に対して同じにすることができる、ま
たは、傾斜させることができる。
【００１６】シリコン・バイポーラ・トランジスタで
は、従来、バラスト抵抗器はエミッタに接続されてい
た。ベース・バラストは、通常、シリコン・バイポーラ
・トランジスタに対しては用いられない。それは、ベー
スは、通常、単一の拡散形Ｐタブで構成されるからであ
る。したがって、ベース・フィンガは電気的に分離され
ない。ＨＢＴでは、通常、ベース・フィンガは電気的に
分離され、それにより、ベース・バラストの接続が可能
である。
は、従来、バラスト抵抗器はエミッタに接続されてい
た。ベース・バラストは、通常、シリコン・バイポーラ
・トランジスタに対しては用いられない。それは、ベー
スは、通常、単一の拡散形Ｐタブで構成されるからであ
る。したがって、ベース・フィンガは電気的に分離され
ない。ＨＢＴでは、通常、ベース・フィンガは電気的に
分離され、それにより、ベース・バラストの接続が可能
である。
【００１７】本発明のベース・バラスト技術により、多
くの利点が得られる。ＨＢＴにおいて、ベース・バラス
トにより得られる利点のいくつかが、特にエミッタ・バ
ラストよりも優れた利点が、下記で説明される。例え
ば、ベース電流はエミッタ電流よりもはるかに小さく、
したがって、ベース・バラスト抵抗器の中の電力消費
は、エミッタ・バラスト抵抗器の中の電力消費よりも、
（１＋β）の因子だけ小さい。ここで、βはＨＢＴの電
流利得である。このことにより、ベース・バラスト抵抗
器の面積領域は同じ因子だけ小さくなり、したがって、
配置設計を小型にすることができる。
くの利点が得られる。ＨＢＴにおいて、ベース・バラス
トにより得られる利点のいくつかが、特にエミッタ・バ
ラストよりも優れた利点が、下記で説明される。例え
ば、ベース電流はエミッタ電流よりもはるかに小さく、
したがって、ベース・バラスト抵抗器の中の電力消費
は、エミッタ・バラスト抵抗器の中の電力消費よりも、
（１＋β）の因子だけ小さい。ここで、βはＨＢＴの電
流利得である。このことにより、ベース・バラスト抵抗
器の面積領域は同じ因子だけ小さくなり、したがって、
配置設計を小型にすることができる。
【００１８】ベース・バラスト抵抗器の大きさは、等価
なエミッタ・バラスト抵抗器の大きさよりも、（１＋
β）の因子だけ大きく、したがってそれらは、薄膜抵抗
器のような、例えば、ＧａＡｓ ＩＣ処理工程に通常用
いられるＴａＮ抵抗器のような、現在の技術とさらに両
立可能である。ＲB の抵抗値を有するベース・バラスト
抵抗器は、ＲE ＝ＲB ／（１＋β）の抵抗値のエミッタ
・バラスト抵抗器と等価である。ＨＢＴでは、βは負の
温度係数を有することが知られているから、１つのエミ
ッタの温度が高くなればなる程、ますますその電流利得
（β）が低下し、したがって、その実効バラスト抵抗値
がますます高くなる。このことは、バラスト抵抗器のバ
ラスト作用（安定化作用）を増大させる。ベース・バラ
スト抵抗器の重要性は、等価なエミッタ・バラスト抵抗
器より高いから、他の部品の寸法を小さくすることがで
きる。例えば、トランジスタの中の最小利得損失を確実
に得るために用いられるバイパス・コンデンサは、それ
に比例して低容量になる。このことは、例えば、図４に
示されているように、ＧａＡｓ ＩＣ処理工程に通常用
いられるＳｉＮ誘電体で作成されるような、金属・絶縁
体・金属（ＭＩＭ）コンデンサの使用を可能にする。こ
のことはまた、非常に小型の配置設計を可能にする。例
えば、２００オームのバラスト抵抗値を有し、Ｘバンド
（８ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ）で動作するように設計された
ベース・バラストの電力用ＨＢＴは、エミッタ・フィン
ガ当り０．４ｐＦの対応するバイパス・コンデンサを有
することができる。抵抗器の抵抗値とコンデンサの静電
容量値との両方が、それらを非常に小型の配置設計にす
ることを可能にする。等価なエミッタ・バラストＨＢＴ
（β＝２０を仮定して）は、１０オームのエミッタ・バ
ラスト抵抗器と、エミッタ・フィンガ当り８．０ｐＦの
対応するコンデンサとを要求するであろう。このような
値は、ＧａＡｓ ＩＣ処理工程を用いて、ＸバンドＨＢ
Ｔを実施することを不可能にするであろう。
なエミッタ・バラスト抵抗器の大きさよりも、（１＋
β）の因子だけ大きく、したがってそれらは、薄膜抵抗
器のような、例えば、ＧａＡｓ ＩＣ処理工程に通常用
いられるＴａＮ抵抗器のような、現在の技術とさらに両
立可能である。ＲB の抵抗値を有するベース・バラスト
抵抗器は、ＲE ＝ＲB ／（１＋β）の抵抗値のエミッタ
・バラスト抵抗器と等価である。ＨＢＴでは、βは負の
温度係数を有することが知られているから、１つのエミ
ッタの温度が高くなればなる程、ますますその電流利得
（β）が低下し、したがって、その実効バラスト抵抗値
がますます高くなる。このことは、バラスト抵抗器のバ
ラスト作用（安定化作用）を増大させる。ベース・バラ
スト抵抗器の重要性は、等価なエミッタ・バラスト抵抗
器より高いから、他の部品の寸法を小さくすることがで
きる。例えば、トランジスタの中の最小利得損失を確実
に得るために用いられるバイパス・コンデンサは、それ
に比例して低容量になる。このことは、例えば、図４に
示されているように、ＧａＡｓ ＩＣ処理工程に通常用
いられるＳｉＮ誘電体で作成されるような、金属・絶縁
体・金属（ＭＩＭ）コンデンサの使用を可能にする。こ
のことはまた、非常に小型の配置設計を可能にする。例
えば、２００オームのバラスト抵抗値を有し、Ｘバンド
（８ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ）で動作するように設計された
ベース・バラストの電力用ＨＢＴは、エミッタ・フィン
ガ当り０．４ｐＦの対応するバイパス・コンデンサを有
することができる。抵抗器の抵抗値とコンデンサの静電
容量値との両方が、それらを非常に小型の配置設計にす
ることを可能にする。等価なエミッタ・バラストＨＢＴ
（β＝２０を仮定して）は、１０オームのエミッタ・バ
ラスト抵抗器と、エミッタ・フィンガ当り８．０ｐＦの
対応するコンデンサとを要求するであろう。このような
値は、ＧａＡｓ ＩＣ処理工程を用いて、ＸバンドＨＢ
Ｔを実施することを不可能にするであろう。
【００１９】ベース・バラストのＨＢＴは、低調波を発
生する傾向が小さいことを示した。ベース・バラスト
は、低調波振動数において、明らかに、負性抵抗を発生
する傾向が小さい。増幅器の低調波は、通常、偽信号で
あると考えられる。多くの応用では、偽信号を明確に処
理することは困難である。ベース・バラストのＨＢＴに
より、これらを明確に処理する性能が改善される。ベー
ス・バラストのＨＢＴは、低周波数の電気的安定性を改
善する。このことは、回路設計の観点から好ましいこと
である。
生する傾向が小さいことを示した。ベース・バラスト
は、低調波振動数において、明らかに、負性抵抗を発生
する傾向が小さい。増幅器の低調波は、通常、偽信号で
あると考えられる。多くの応用では、偽信号を明確に処
理することは困難である。ベース・バラストのＨＢＴに
より、これらを明確に処理する性能が改善される。ベー
ス・バラストのＨＢＴは、低周波数の電気的安定性を改
善する。このことは、回路設計の観点から好ましいこと
である。
【００２０】ベース・バラストのＨＢＴは、小さな高調
波および相互変調における小さな歪みの点で、ＨＢＴの
線形性を改善する。このことは、マイクロ波の電力用へ
の応用の場合、特に本質的である。ベース・バラスト抵
抗器を備えないＨＢＴに比べて、ベース・バラスト抵抗
器を備えたＨＢＴの場合、高調波レベルが５ｄＢないし
１０ｄＢ減少することが測定された。ベース・バラスト
は、ＨＢＴの非線形性の主要な原因であるベース・エミ
ッタ接合特性を、線形化する。
波および相互変調における小さな歪みの点で、ＨＢＴの
線形性を改善する。このことは、マイクロ波の電力用へ
の応用の場合、特に本質的である。ベース・バラスト抵
抗器を備えないＨＢＴに比べて、ベース・バラスト抵抗
器を備えたＨＢＴの場合、高調波レベルが５ｄＢないし
１０ｄＢ減少することが測定された。ベース・バラスト
は、ＨＢＴの非線形性の主要な原因であるベース・エミ
ッタ接合特性を、線形化する。
【００２１】図５は、Ｘバンドのベース・バラストを備
えた電力用トランジスタ１４の配置設計の１つの実施例
の図面である。この特定の実施例では、１０個のエミッ
タ・フィンガ１０があり、そして、バラスト抵抗器１６
の抵抗値は３００オームであり、そして、バイパス・コ
ンデンサ２０の静電容量値は０．４ｐＦである。これら
の抵抗器はＴａＮで作成することができ、および、これ
らのコンデンサは、例えば、２０００オングストローム
の窒化物ＭＩＭ処理工程を用いて作成することができ
る。図５にはまた、コレクタ２２と、個々のエミッタ・
フィンガ１０を接続する共通エミッタ２４と、個々のベ
ース・フィンガ１８を接続する共通ベース２６とが示さ
れている。
えた電力用トランジスタ１４の配置設計の１つの実施例
の図面である。この特定の実施例では、１０個のエミッ
タ・フィンガ１０があり、そして、バラスト抵抗器１６
の抵抗値は３００オームであり、そして、バイパス・コ
ンデンサ２０の静電容量値は０．４ｐＦである。これら
の抵抗器はＴａＮで作成することができ、および、これ
らのコンデンサは、例えば、２０００オングストローム
の窒化物ＭＩＭ処理工程を用いて作成することができ
る。図５にはまた、コレクタ２２と、個々のエミッタ・
フィンガ１０を接続する共通エミッタ２４と、個々のベ
ース・フィンガ１８を接続する共通ベース２６とが示さ
れている。
【００２２】このベース・バラスト方式は、例えば、セ
ルラ方式電話の電力用増幅器への応用に対するＨＢＴの
安定性の問題点を解決するのに用いることができる。こ
の技術は、多重フィンガの電力用ＨＢＴを使用する他の
装置にも応用することができる。本発明の具体的な応用
の例としては、Ｘバンドの電力用増幅器、および、Ｘバ
ンドの位相が調整されたアレイの応用がある。
ルラ方式電話の電力用増幅器への応用に対するＨＢＴの
安定性の問題点を解決するのに用いることができる。こ
の技術は、多重フィンガの電力用ＨＢＴを使用する他の
装置にも応用することができる。本発明の具体的な応用
の例としては、Ｘバンドの電力用増幅器、および、Ｘバ
ンドの位相が調整されたアレイの応用がある。
【００２３】ベース・バラスト・インピーダンスによ
り、コレクタ効率を劣化させることなく、ＨＢＴフィン
ガの中を熱的に均一にすることを一斉に達成することが
できる。このことは、セルラ方式電話および他の無線装
置における、高効率ＨＢＴの電力用増幅器への応用に対
し、非常に重要である。バラスト方式の他の方法（エミ
ッタ・バラスト方式）は、効率に悪い影響を与えること
がある。
り、コレクタ効率を劣化させることなく、ＨＢＴフィン
ガの中を熱的に均一にすることを一斉に達成することが
できる。このことは、セルラ方式電話および他の無線装
置における、高効率ＨＢＴの電力用増幅器への応用に対
し、非常に重要である。バラスト方式の他の方法（エミ
ッタ・バラスト方式）は、効率に悪い影響を与えること
がある。
【００２４】好ましい実施例が、前記において詳細に説
明された。本発明の範囲はまた、前記で説明された実施
例とは異なるがしかし請求項に含まれる実施例を、すべ
て包含するものと理解されるべきである。この包含とい
う用語は、本発明の範囲を考察する際、非網羅的である
と解釈されるべきである。
明された。本発明の範囲はまた、前記で説明された実施
例とは異なるがしかし請求項に含まれる実施例を、すべ
て包含するものと理解されるべきである。この包含とい
う用語は、本発明の範囲を考察する際、非網羅的である
と解釈されるべきである。
【００２５】本発明が例示された実施例に基づいて説明
されたけれども、これらの説明は、本発明がそれらに限
定されることを意味するものではない。本発明の例示さ
れた実施例を種々に変更した実施例、および、種々に組
み合わせた実施例、および、その他の実施例、の可能で
あることは、当業者には前記説明からすぐに理解される
であろう。したがって、本発明の範囲には、このような
実施例はすべて包含されると理解しなければならない。
されたけれども、これらの説明は、本発明がそれらに限
定されることを意味するものではない。本発明の例示さ
れた実施例を種々に変更した実施例、および、種々に組
み合わせた実施例、および、その他の実施例、の可能で
あることは、当業者には前記説明からすぐに理解される
であろう。したがって、本発明の範囲には、このような
実施例はすべて包含されると理解しなければならない。
【００２６】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） （イ） エミッタ・フィンガおよびベース・フ
ィンガを備えたトランジスタと、（ロ） 前記ベース・
フィンガに接続されたバラスト・インピーダンスと、を
有する、半導体装置。 （２） 第１項記載の半導体装置において、前記半導体
装置の前記エミッタ・フィンガの温度分布が比較的均一
であるように、前記半導体装置が複数個の前記トランジ
スタおよび前記バラスト・インピーダンスを備えた、前
記半導体装置。
る。 （１） （イ） エミッタ・フィンガおよびベース・フ
ィンガを備えたトランジスタと、（ロ） 前記ベース・
フィンガに接続されたバラスト・インピーダンスと、を
有する、半導体装置。 （２） 第１項記載の半導体装置において、前記半導体
装置の前記エミッタ・フィンガの温度分布が比較的均一
であるように、前記半導体装置が複数個の前記トランジ
スタおよび前記バラスト・インピーダンスを備えた、前
記半導体装置。
【００２７】（３） 第２項記載の半導体装置におい
て、前記バラスト・インピーダンスが事実上同じインピ
ーダンス値を有する、前記半導体装置。 （４） 第２項記載の半導体装置において、前記バラス
ト・インピーダンスが均一なインピーダンス値を有して
いない、前記半導体装置。 （５） 第１項記載の半導体装置において、前記トラン
ジスタがヘテロ接合バイポーラ・トランジスタである、
前記半導体装置。
て、前記バラスト・インピーダンスが事実上同じインピ
ーダンス値を有する、前記半導体装置。 （４） 第２項記載の半導体装置において、前記バラス
ト・インピーダンスが均一なインピーダンス値を有して
いない、前記半導体装置。 （５） 第１項記載の半導体装置において、前記トラン
ジスタがヘテロ接合バイポーラ・トランジスタである、
前記半導体装置。
【００２８】（６） 第２項記載の半導体装置におい
て、前記バラスト・インピーダンスが抵抗器である、前
記半導体装置。 （７） 第６項記載の半導体装置において、前記バラス
ト・インピーダンスがＴａＮである、前記半導体装置。 （８） 第２項記載の半導体装置において、前記バラス
ト・インピーダンスがコンデンサと並列に接続された抵
抗器である、前記半導体装置。
て、前記バラスト・インピーダンスが抵抗器である、前
記半導体装置。 （７） 第６項記載の半導体装置において、前記バラス
ト・インピーダンスがＴａＮである、前記半導体装置。 （８） 第２項記載の半導体装置において、前記バラス
ト・インピーダンスがコンデンサと並列に接続された抵
抗器である、前記半導体装置。
【００２９】（９） 第１項記載の半導体装置におい
て、前記半導体装置が増幅器である、前記半導体装置。 （１０） 第９項記載の半導体装置において、前記増幅
器が大電力用増幅器である、前記半導体装置。 （１１） 第１項記載の半導体装置において、前記半導
体装置がセルラ方式電話の一部分である、前記半導体装
置。
て、前記半導体装置が増幅器である、前記半導体装置。 （１０） 第９項記載の半導体装置において、前記増幅
器が大電力用増幅器である、前記半導体装置。 （１１） 第１項記載の半導体装置において、前記半導
体装置がセルラ方式電話の一部分である、前記半導体装
置。
【００３０】（１２） 全体的にいえば、および、本発
明の１つの形式における半導体装置は、エミッタ・フィ
ンガ１０とベース・フィンガ１８とを備えたトランジス
タと、前記ベース・フィンガ１８に接続されたバラスト
・インピーダンス１６と、を有する。その他の装置およ
びその他の方法も開示される。
明の１つの形式における半導体装置は、エミッタ・フィ
ンガ１０とベース・フィンガ１８とを備えたトランジス
タと、前記ベース・フィンガ１８に接続されたバラスト
・インピーダンス１６と、を有する。その他の装置およ
びその他の方法も開示される。
【図１】先行技術による電気回路の部分図。
【図２】図１に示されたのと同様な装置に対する典型的
な温度分布図。
な温度分布図。
【図３】本発明の好ましい１つの実施例による電気回路
の部分図。
の部分図。
【図４】本発明の別の１つの実施例による電気回路の部
分図。
分図。
【図５】本発明を取り込んだ装置の１つの実施例の配置
設計図。
設計図。
１０ エミッタ・フィンガ １４ トランジスタ １６ バラスト・インピーダンス １８ ベース・フィンガ
Claims (1)
- 【請求項１】（イ） エミッタ・フィンガおよびベース
・フィンガを備えたトランジスタと、 （ロ） 前記ベース・フィンガに接続されたバラスト・
インピーダンスと、 を有する、半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/973,520 US5321279A (en) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | Base ballasting |
| US973520 | 1992-11-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077014A true JPH077014A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=25521003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5278516A Pending JPH077014A (ja) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | ベース・バラストを備えた半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5321279A (ja) |
| EP (1) | EP0597397A3 (ja) |
| JP (1) | JPH077014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6403991B1 (en) | 1999-08-19 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
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1992
- 1992-11-09 US US07/973,520 patent/US5321279A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-05 EP EP93117975A patent/EP0597397A3/en not_active Withdrawn
- 1993-11-08 JP JP5278516A patent/JPH077014A/ja active Pending
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|---|---|
| US5321279A (en) | 1994-06-14 |
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