JPH077027A - ハイブリッド回路中の熱制御および電流搬送性能を得るための超厚厚膜 - Google Patents

ハイブリッド回路中の熱制御および電流搬送性能を得るための超厚厚膜

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JPH077027A
JPH077027A JP6059212A JP5921294A JPH077027A JP H077027 A JPH077027 A JP H077027A JP 6059212 A JP6059212 A JP 6059212A JP 5921294 A JP5921294 A JP 5921294A JP H077027 A JPH077027 A JP H077027A
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JP
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ultra
thick film
heat
alumina substrate
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JP6059212A
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English (en)
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Bruce A Myers
ブルース・アラン・マイヤーズ
Dwadasi H R Sarma
ドワダシ・ハレ・ラマ・サーマ
Anil K Kollipara
アニル・カマー・コリパラ
Ponnusamy Palanisamy
ポニュサミー・パラニサミー
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Original Assignee
Delco Electronics LLC
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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板（３２）に沿って、横方向、すなわちｘ
およびｙ方向に熱を拡散させるのに用いられる銅または
銀もしくは他の適当な導体材料の超厚膜（３０）を開示
する。半導体チップ（２６）のような熱を発生する成分
の下方に、垂直、すなわちｚ方向に熱を放散させるのに
適当な厚さの基板（３２）を選択する。超厚厚膜（３
０）は、約５０．８μｍ（２ミル）から約１２７μｍ
（５ミル）に及ぶ厚さを有し、平均粒径が約１マイクロ
メートルから３マイクロメートルに及ぶ金属粉から調製
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】この発明は熱伝導性フィルムを含有する微
小形電子デバイス、とくにたとえばＵＳ−Ａ−５，１２
１，２９８に開示されているように、請求項１の前文に
明記されている熱拡散性および高度の電流伝導性を得る
ために用いられる熱伝導性フィルムに関する。
【０００２】半導体デバイス中の熱を放散させるための
種々の方法が公知となっている。既存の熱放散方法は、
熱伝導率の極めて高い酸化ベリリウム（ＢｅＯ）基板を
使用する。さらに、ＢｅＯ基板上の耐火物メタライゼー
ションおよび半田によって、電流を伝導させることもで
きる。該系の欠点には、製作費の比較的高いこと、Ｂｅ
Ｏの毒性、および耐火物メタライゼーションの比較的高
い電気抵抗がある。実際問題として、ＢｅＯの使用は予
想される環境規制によって近い将来には実用には供され
なくなるであろう。
【０００３】熱を発生するデバイスの下方、「ｚ方向」
と呼ぶ垂直方向に、主として熱を放散させるための半導
体用の多くの熱制御法が考案されている。たとえば、熱
を発生する半導体チップの下部にはアルミナ基板が配設
されることが多い。アルミナ基板は熱を発生するチップ
から垂直のｚ方向に熱を放散させる。このような考案は
熱を、横方向、すなわちｘおよびｙ方向に放散させる可
能性という点で限界がある。これはアルミナ基板の熱伝
導率が金属材料に比べて低く、また横方向の伝導に有効
な基体の断面積（厚さ）が、チップ下部のｚ方向の熱伝
導に有効な面積よりも小さいからである。横方向、すな
わちｘおよびｙ方向にも熱を放散させることができる系
は、垂直、すなわちｚ方向のみに熱を放散させることが
できる系よりも有利な利点がある。ｘおよびｙ方向に熱
を放散させるのが有利であるのは、熱を発散するデバイ
ス直下のデバイスの熱抵抗の総体的な低下を生じる径路
のほかに熱抵抗の低い径路をもたらすからである。
【０００４】多くの半導体の放熱システムは、熱を放散
させるために、主に、大きな基板すなわち金属コアを使
用する。熱を放散させるために厚膜を採用するというこ
とは、これまで真剣に考えられたことはなかった。通常
の厚膜は約１２．７μｍないし２５．４μｍ（０．５ミ
ルないし１．０ミル）の範囲内の厚さを有している。１
２．７μｍないし２５．４μｍ（０．５ミルないし１．
０ミル）というこのフィルムの厚さを意図する用途に対
して最適なものとするのが通常賢明である。過度の厚さ
が、不適切な結合剤の焼切れをもたらし、かつ、はんだ
付け適性および／または付着強度に悪影響を及ぼすこと
のある窒素雰囲気中で焼成可能な銅導体フィルムの場合
には、とくに、厚膜は不利と考えられる。しかし、横方
向（すなわち、ｘおよびｙ方向）に熱を拡散させること
ができる厚膜を用いる放熱および電流伝導システムを開
発することは望ましいと思われる。
【０００５】この発明による微小形電子デバイスは、請
求項１の権利範囲指定部分に明記されている特質を特徴
とする。
【０００６】概して、この発明は、熱を発生する半導体
デバイスの下部で、下層の基板の面に沿って、横方向、
すなわちｘおよびｙ方向に熱を拡散させるために、銅ま
たは銀もしくは他の適当な導電体材料の超厚厚膜（ＵＴ
ＴＦ）を使用する。基板はｚ方向、すなわち垂直方向に
熱を放散させるように、適当に選んだ厚さを有してい
る。ＵＴＴＦは、横方向の熱拡散のために、通常のメタ
ライゼーション被覆よりも大きな断面積を有している。
また、ＵＴＴＦはセラミック基板上に、最高７５アンペ
アの高過渡電流および最高３５アンペアの定常電流のた
めに、電気抵抗の低い径路を与える。これは厚膜材料の
場合に達成され、かつ、それ自体、特別な別個の電力母
線、高価な金属コア基板材料、または高価なメタライゼ
ーション技術を不要にする。高熱伝導率と高電気伝導率
との兼備は、高出力用途に用いられるアルミナ系厚膜回
路の性能を実質的に高める。ＵＴＴＦは、０．０２５４
ｍｍ（０．００１”）を上回りさらに０．１２７（０．
００５”）に及ぶ厚さを有する。
【０００７】ＵＴＴＦは単層または多層の印刷フィルム
を用いて調製することができる。多層印刷層の場合に
は、高付着性組成物の第１層および高はんだ付け適性組
成物の最上層を用いるのが好ましい。高付着性組成物は
無機結合剤を含有し、高はんだ付け適性組成物は無機結
合剤を全くといってよいほど含まない。多層ＵＴＴＦの
場合には、存在する有機物質を完全に除去するために、
各層を別々に焼成するのが好ましい。
【０００８】この発明およびその実施方法を、添付図面
を参照しながら、以下に詳細に説明する。
【０００９】図１は、従来技術の放熱システムを有する
半導体デバイスを示す。従来技術のデバイスには、熱を
発散する半導体チップのような高出力デバイス１０があ
る。高出力デバイスの直下に、重量比がそれぞれ２５／
７５のスズ／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ）の第１層１２がある。ス
ズ／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ）の第１層の下部に、モリブデン／
マンガン（Ｍｏ／Ｍｎ）の第１メタライゼーション層１
４がある。第１メタライゼーション層の下部にベリリア
（ＢｅＯ）層１６がある。モリブデン／マンガン（Ｍｏ
／Ｍｎ）の第２メタライゼーション層１８がベリリア層
の直下にある。第２メタライゼーション層の下に重量比
がそれぞれ６０／４０のスズ／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ）の第２
層２０がある。スズ／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ）の第２層の下に
銅バッファ２２がある。最後に、アルミニウム背板２４
が銅バッファの直下にある。このデバイスの特徴は、高
出力電源デバイスの下方で、実質的に垂直、すなわちｚ
方向のみに熱を放散させることである。このシステム
は、横方向、すなわち、ｘおよびｙ方向には、大して熱
を放散させない。この発明は該欠点を克服する。
【００１０】この発明の一つの態様を図２に示す。該態
様は、熱を発散する半導体チップのような高出力デバイ
ス２６を含んでいる。高出力デバイスの直下に、重量比
がそれぞれ２５／７５のスズ／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ）層２８
がある。この発明によるＵＴＴＦ３０はＳｎ／Ｐｂ層の
下部に配設される。ＵＴＴＦの下部にアルミナ層３２が
ある。熱伝導性接着剤３４がアルミナ層の下部に配設さ
れる。接着剤の下部にアルミニウム背板３６がある。こ
の発明のこの態様において、Ｓｎ／Ｐｂ層の厚さは、典
型的に約０．０２５４ｍｍ（０．００１”）から約０．
１７８ｍｍ（０．００７”）にわたる。Ｓｎ／Ｐｂ層を
形成させる適切な組成物は米国のＤｅｌｃｏ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎで製造され
る。類似の組成物が市販されている。アルミナ層は米国
のＣｏｏｒｓ ＣｅｒａｍｉｃｓＣｏｍｐａｎｙから入
手可能な９６％酸化アルミニウム（残りの部分（４％）
は結合剤）である。アルミナ層の厚さは約０．２５４ｍ
ｍ（０．０１０”）から約０．８８９ｍｍ（０．０３
５”）、好ましくは０．３８１ｍｍから０．８８９ｍｍ
（０．０１５”から０．０３５”）にわたることができ
る。アルミナ層の厚さは、良好な熱的性能を保ちなが
ら、機械的および電気的分離を最適にするように選ばれ
る。
【００１１】熱伝導性接着剤はシリコーン樹脂を含有す
る。適当な接着剤はぼ米国のＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ Ｃ
ｏｍｐａｎｙからＤＣ６８４３またはＤＣ６３２５とい
う商品名で入手可能である。接着剤は約０．０５１ｍｍ
（０．００２”）から約０．１７８ｍｍ（０．００
７”）にわたる厚さ、好ましくは０．１２７ｍｍ（０．
００５”）の厚さに適用することができる。接着剤のこ
の厚さは、接着剤が機械的結合、アルミナ層３２とアル
ミニウム背板３６との間のＴＣＥ応力除去および最小の
伝熱抵抗を満足させるように選ばれる。アルミニウム背
板３６の厚さは、典型的に約１．２７ｍｍ（０．０
５”）から約６．３５ｍｍ（０．２５”）にわたる。
【００１２】図２に示すように、ＵＴＴＦ３０は銅また
は銀もしくは他の導電材料の金属粉を含む組成物から形
成される。組成物中に存在する金属粉の量は約８０重量
パーセントから約９０重量パーセントにわたることがで
きる。銅ＵＴＴＦは、粒径が約１マイクロメートルから
約３マイクロメートル、好ましくは１マイクロメートル
から約２マイクロメートルにわたる銅粉を含む組成物か
ら調製される。組成物は約８１％の銅粉、約７％の無機
結合剤を含み、残りはしゃへい剤である。適当な銅粉は
米国、ペンシルベニア州，ＢｅｒｗｙｎのＧｒｅｚｅ
ｓ，Ｉｎｃ．からＣｕIIIという商品名で入手可能であ
る。適当な銀インキは米国、デラウェア州、Ｗｉｌｍｉ
ｎｇｔｕｎのＤｕＰｏｎｔ Ｅｌｅｃｔｏｎｉｃｓから
Ｄｕｐｏｎｔ ６１６０という商品名で入手可能であ
る。ＵＴＴＦフィルムを形成させるのに用いられる組成
物は、約６．０重量パーセントから約７．０重量パーセ
ントに及ぶ量で存在する無機酸化物結合剤を含有するの
が好ましい。適当な酸化物結合剤は酸化ビスマス粉末お
よび酸化銅粉末である。ＵＴＴＦ組成物は当業者にとっ
ては公知の通常の方法を用いて配合される。
【００１３】ＵＴＴＦはＵＴＴＦ組成物の多層印刷によ
って形成させるのが好ましい。フィルムはスクリーン印
刷を用いて印刷することができる。スクリーン印刷は、
金網スクリーンとともに適当な厚さの真鍮板を用いる方
法である。ステンシルはステンシル上でエマルション塗
料の代りに用いられる。ＵＴＴＦは、約２５．４μｍ
（１ミル）から約１２７μｍ（５ミル）、好ましくは約
５０．８μｍ（２ミル）から約１０１．６μｍ（４ミ
ル）にわたる厚さに形成される。
【００１４】銅ＵＴＴＦは窒素雰囲気中で、約９００℃
から約９２５℃にわたる温度、好ましくは最高温度約９
００℃において焼成される。銀ＵＴＴＦは、空気中で、
約８２５℃から約８７５℃にわたる温度、好ましくは最
高温度８５０℃において焼成される。
【００１５】好ましい態様においては、ＵＴＴＦはアル
ミナ基板上に形成される高付着性組成物の底部層によっ
て作り上げられる。高付着性組成物は８１．３重量％の
銅粉、６．８重量％の無機結合剤および約１２重量％の
しゃへい剤を含む。高付着性層の厚さは約０．０１２７
ｍｍ（０．０００５”）から約０．０７６２ｍｍ（０．
００３”）にわたり、好ましくは約０．０５０８ｍｍ
（０．００２”）の厚さであることができる。高はんだ
付け適性組成物の最上部ＵＴＴＦ層が底部ＵＴＴＦ層の
上方に形成される。高はんだ付け適性組成物は９１．８
重量％の銅粉および８．２重量％のしゃへい剤を含み、
酸化物結合剤は含まない。特定のしゃへい剤は約９０重
量％の溶剤、典型的にはＴＥＸＡＮＯＬTM（２，２，４
−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチ
レートと思われる）と残りの樹脂、典型的にはエチルセ
ルロースグレードのＮ−５０との混合物であって、これ
らはいずれも市販されている。高はんだ付け適性組成物
層の厚さは約０．０１２７ｍｍ（０．０００５”）から
約０．０７６２ｍｍ（０．００３”）にわたり、好まし
くは約０．０５０８ｍｍ（０．００２”）の厚さである
ことができる。銅ＵＴＴＦ組成物には高付着性組成物と
高はんだ付け適性組成物との多層ＵＴＴＦ構造が有利で
ある。
【００１６】図３はこの発明の別の態様を示す。この態
様は、次の順序で相互に下方に配設される下記要素を含
む：熱を発生する集積回路チップのような高出力デバイ
ス３８；重量比がそれぞれ２５／７５の第１Ｓｎ／Ｐｂ
層４０；第１ＵＴＴＦ層４２；アルミナ層４４；第２Ｕ
ＴＴＦ層４６；重量比がそれぞれ６０／４０の第２Ｓｎ
／Ｐｂ層４８；銅バッファ５０；およびアルミニウム背
板５２。
【００１７】図３は図１に示した従来技術のデバイスに
幾分類似した構造を有している。しかし、従来技術のデ
バイスは、すぐれた熱伝導率があるため、酸化ベリリウ
ム層を用いている。通常、この発明で用いられるアルミ
ナ層（図３）は熱伝導率が劣るために敬遠されると思わ
れる。しかし、ＵＴＴＦ層の採用が、熱を横方向に拡散
させ、かつ大面積のアルミナ基板を通して熱を垂直に放
散させることによって、これらの欠点を克服する。
【００１８】図３に示すように、横方向、すなわち、ｘ
およびｙ方向に多大の放熱を可能とするだけのＵＴＴＦ
層の長さ、幅および厚さが選ばれる。たとえば、長さお
よび幅が、それぞれ約５．０８ｍｍ（０．２００”）お
よび５．０８ｍｍ（０．２００”）の半導体チップのよ
うな高出力デバイスの場合には、ＵＴＴＦは約０．１０
１６ｍｍ（０．００４”）の厚さ約８．３８２ｍｍ
（０．３３０”）の幅および約１２．１９２ｍｍ（０．
４８０”）の長さを有することができる。
【００１９】図４は、図３のデバイスと同様に配列され
た半導体チップ５４、はんだ層５６、はんだ層の下部の
パラジウム−銀ＵＴＴＦ層５８、銀ＵＴＴＦ層８０、ア
ルミナ基板６０、銀ＵＴＴＦ層６２、熱伝導性シリコー
ン接着剤層６４、およびアルミニウムハウジング背板６
６を含むこの発明の別の態様を示す。この態様は、さら
に、チップ５４および基板６０に接合されたアルミニウ
ム線６８を含んでいる。銀−パラジウムＵＴＴＦ層７０
は、接合部位において、アルミニウム線６８と基板６０
との間に介在している。使用した銀−パラジウム組成物
は米国のＤｕＰｏｎｔ ＣｏｍｐａｎｙからＤｕＰｏｎ
ｔ ７４８４という商品名で入手可能であり、重量比が
３：１の銀およびパラジウムを含んでいる。銀−パラジ
ウムＵＴＴＦ層７０はアルミニウム線６８から熱を放散
させるのに役立ち、かつ信頼性のある付着面を与える。
ＵＴＴＦ層５８，８０および６２は、比較的熱伝導性の
低い基板および接着剤層を通る熱伝導（ｚ方向）よりも
先に横方向に熱伝導させる。ＵＴＴＦ層５８，８０およ
び７０も高回路電流に電気抵抗の低い径路をもたらす。
ＵＴＴＦ層６２は、また熱を発散するデバイスの下の部
分の比較的熱伝導性の低い接着剤層を薄くすることによ
って、全体構造的熱伝導率を向上させる。アルミナ基板
６０の下部のＵＴＴＦ層６２は、アルミナ基板６０と背
板６６との間の熱伝導性接着剤６４の量を薄くして、そ
の間の熱伝達を向上させるのに役立つ。熱伝導性接着剤
６４の残りの部分は、ＵＴＴＦ層６２の下の部分よりも
厚くて、基板６０と背板６６との間の応力除去の向上を
もたらす。
【００２０】表１，２および３に示す下記実施例はこの
発明の特徴および利点を示す。
【００２１】実施例１−４においては、銅粉を用いてＵ
ＴＴＦ配合物を調製した。ＵＴＴＦは表１に示すよう
に、ＵＴＴＦ組成物の単層または多層印刷によって形成
させた。いずれの場合にも、１層を印刷後、フィルムを
乾燥させ、さらに、各印刷後焼成した。多層ＵＴＴＦ構
造体は二種類の銅ＵＴＴＦ組成物を用いた。第１の銅組
成物（ＢＣ−１２）は約８１．２重量パーセントの銅
粉、約６．８重量パーセントの無機結合剤および約１
２．０重量％のしゃへい剤を包含した。第２の銅組成物
（ＰＣ−２）は約９１．８重量パーセントの銅粉、ゼロ
重量パーセントの無機結合剤、および約８．２重量パー
セントのしゃへい剤を包含した。表１は種々のＵＴＴＦ
ならびにそれぞれそれらの面積抵抗および固有抵抗を示
す。「操作説明」欄中８０メッシュという用語は印刷に
使用したスクリーンのメッシュを指す。
【００２２】
【表１】 下記の表２および３の実施例は、この発明によるＵＴＴ
Ｆを用いて得られた耐熱性の値を示す。表２中の実施例
Ａ−Ｇでは、銅粉を用いて銅ＵＴＴＦを調製した。実施
例Ａ−Ｇの相互の相違は印刷方法および使用した銅イン
キ組成物であった。これらの相違は表２に記載してあ
り、その中にある「２ミルのステンシル」は５０．８μ
ｍ（２ミル）の真鍮製ステンシルを有するスクリーンを
使用したことを意味し、また「４ミルのステンシル」は
１０１．６μｍ（４ミル）の真鍮製ステンシルを有する
スクリーンを使用したことを意味する。実施例Ｆおよび
Ｇでは、ＵＴＴＦ配合物の２つの層をそれぞれ印刷し、
乾燥し、さらに焼成して、最終の焼成厚さを得た。
【００２３】
【表２】 市販のＤｕＰｏｎｔ ６１６０を用いて、銀ＵＴＴＦを
調製した。銀フィルムの印刷方法は表３の実施例Ｈ−Ｎ
に記載してある。
【００２４】銀ＵＴＴＦは、底部に高付着性（はんだ付
け可能またははんだ付け不能）フィルムを、また頂部に
はんだ付け可能な（高付着性または低付着性）フィルム
を用いて作ることができることに注意しなければならな
い。実験室で用いていた系は底部のフィルムとして、Ｄ
ｅｌｃｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏａｔｉ
ｏｎで入手可能な銀導体および頂部のフィルムとしてＤ
ｕＰｏｎｔ ６１６０導体を含有した。白金−銀のよう
な他の類似の導電性厚膜組成物もＵＴＴＦに使用するこ
とができる。
【００２５】米国特許出願第０３８，３７９号が優先権
を主張する該出願および該出願に付随する要約書の開示
を参考資料として本明細書に収録する。
【００２６】
【表３】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の半導体デバイスの図である。
【図２】この発明の一つの態様の図であって、ＵＴＴＦ
が高出力デバイスと熱を放散させる基板との間に介在す
る。
【図３】この発明の別の態様の図であって、高出力デバ
イスからの熱を放散させるために、ＵＴＴＦが系内の種
々の位置に介在する。
【図４】この発明の他の態様の図であって、半導体デバ
イスの下部に結合された線を含む該デバイスを用いる高
出力セラミック回路の種々の位置にＵＴＴＦが用いられ
ている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドワダシ・ハレ・ラマ・サーマ アメリカ合衆国インディアナ州46902，コ コモ，サウス・ウエブスター 5028，アパ ートメント キュー (72)発明者 アニル・カマー・コリパラ アメリカ合衆国インディアナ州46902，コ コモ，マシュー・ドライブ 3020 (72)発明者 ポニュサミー・パラニサミー アメリカ合衆国ペンシルバニア州19446, ランズデール，クラレモント・ドライブ 133

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱発生成分（２６；３８；５４）；前記
    成分の下部にあるはんだ層（２８；４０；５６）；およ
    び該はんだ層（２８；４０；５６）とアルミナ基板（３
    ２；４４；６０）との間に介在する熱伝導性フィルム
    （３０；４２；５８；８０）を含む微小形電子デバイス
    において、前記熱伝導性フィルムが、約５０．８μｍ
    （２ミル）から約１２７μｍ（５ミル）にわたる厚さを
    有する超厚厚膜（３０；４２；５８；８０）であること
    を特徴とする微小形電子デバイス。
  2. 【請求項２】 該デバイスが、さらに金属背板（３６；
    ６６）および前記背板（３６；６６）と前記アルミナ基
    板（３２；６０）との間に介在する熱伝導性接着剤（３
    ４；６４）を含むことを特徴とする請求項１の微小形電
    子デバイス。
  3. 【請求項３】 前記超厚厚膜（３０；４２；５８；８
    ０）が銅、銀、パラジウム−銀および白金−銀より成る
    群から選ばれる金属材料を含むことを特徴とする請求項
    １の微小形電子デバイス。
  4. 【請求項４】 前記超厚厚膜（３０）が前記アルミナ基
    板（３２）に付着し、さらに無機結合剤を含む組成物か
    ら調製される第１の高付着性層、および前記第１層に固
    着され、かつ前記はんだ層（２８）に隣接する第２の高
    はんだ付け適性層を含み、かつ前記第２層が無機結合剤
    を実質的に含まないことを特徴とする請求項３の微小形
    電子デバイス。
  5. 【請求項５】 前記金属材料が銅より成ることを特徴と
    する請求項４の微小形電子デバイス。
  6. 【請求項６】 前記デバイスが、さらに、前記アルミナ
    基板（４４）の下にある厚さが約５０．８μｍ（２ミ
    ル）から約１２７μｍ（５ミル）にわたる超厚厚膜（４
    ６）；第２超厚厚膜（４６）の下にあるはんだ層（４
    ８）；および第２はんだ層（４８）の下にあるヒートシ
    ンク（５０，５２）を含むことを特徴とする請求項１の
    微小形電子デバイス。
  7. 【請求項７】 前記ヒートシンク（５０）が前記第２は
    んだ層（４８）の下にある銅基板および前記銅基板（５
    ０）に付着するアルミニウム背板（５２）を含むことを
    特徴とする請求項６の微小形電子デバイス。
  8. 【請求項８】 前記第１超厚厚膜（４０）が、前記アル
    ミナ基板（４４）に隣接し、無機結合剤をさらに含む組
    成物から調製される第１高付着性層、および前記第１は
    んだ層（４０）に隣接して、無機結合剤を実質的に含ま
    ない第２高はんだ付け適性層を含み、かつ前記第２超厚
    厚膜（４６）が前記アルミナ基板（４４）に隣接し、無
    機結合剤をさらに含む組成物から調製される第１高付着
    性層、および前記第２はんだ層（４８）に隣接して、無
    機結合剤を実質的に含まない第２高はんだ付け適性層を
    含むことを特徴とする請求項６の微小形電子デバイス。
  9. 【請求項９】 前記第１および第２超厚厚膜（４２，４
    ６）がそれぞれ銅を含む材料から調製されることを特徴
    とする請求項６の微小形電子デバイス。
  10. 【請求項１０】 該熱発生デバイスが集積回路チップ
    （５４）であり；前記アルミナ基板（６０）が集積回路
    チップ（５４）よりも実質的に大きい長さおよび幅を有
    し；前記アルミナ基板（６０）の下部に、厚さが約５
    ０．８μｍ（２ミル）から約１２７μｍ（５ミル）にわ
    たり、長さと幅が集積回路チップ（５４）よりも若干大
    きい超厚厚膜（６２）があり；前記アルミナ基板（６
    ０）および前記第２超厚厚膜（６２）の下部に熱伝導性
    接着剤層（６４）があり；さらに該接着剤層（６４）に
    付着する背板（６６）があることを特徴とする請求項１
    の微小形電子デバイス。
  11. 【請求項１１】 一端で電子部品（５４）に接続され、
    他端に、厚さが約１２．７μｍ（０．５ミル）から約７
    ６．２μｍ（３ミル）にわたる超厚厚膜（７０）に付着
    された脚部を有する線（６８）があり、該超厚厚膜（７
    ０）の下部に前記アルミナ基板（６０）を有することを
    特徴とする請求項１０の微小形電子デバイス。
  12. 【請求項１２】 前記アルミナ基板（６０）の下部にあ
    る前記熱伝導性接着剤層（６４）が集積回路チップ（５
    ４）よりも大きな長さおよび幅を有し、さらに集積回路
    チップ（５４）下部の部分では、熱伝達をよくするため
    に、熱伝導性接着剤層（６４）が比較的薄く、かつ、熱
    伝導性接着剤層（６４）の残りの部分が、基板（６０）
    と背板（６６）との間で応力を除去するように、比較的
    厚いように、超厚厚膜（６２）が熱伝導性接着剤層（６
    ４）によって包囲されていることを特徴とする請求項１
    ０の微小形電子デバイス。
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