JPH0770292B2 - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPH0770292B2 JPH0770292B2 JP13810586A JP13810586A JPH0770292B2 JP H0770292 B2 JPH0770292 B2 JP H0770292B2 JP 13810586 A JP13810586 A JP 13810586A JP 13810586 A JP13810586 A JP 13810586A JP H0770292 B2 JPH0770292 B2 JP H0770292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- return beam
- grid
- tube
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、いわゆる戻りビームを吸収抑制することによ
り、偽信号の発生を防止した、しかも量産し易い撮像管
に関する。
り、偽信号の発生を防止した、しかも量産し易い撮像管
に関する。
電磁集束、静電偏向形撮像管（以後Ｍ−Ｓ管と略称）
は、加工法の進歩により偏向電極が製造し易くなったこ
ともあって、偏向収差やランディングエラーが少ないな
どの利点が見直されているが、いわゆる戻りビームによ
って、偽信号が発生しゴーストが現れるという問題は他
の光導電形撮像管と同様依然解決されずに残っていた。
は、加工法の進歩により偏向電極が製造し易くなったこ
ともあって、偏向収差やランディングエラーが少ないな
どの利点が見直されているが、いわゆる戻りビームによ
って、偽信号が発生しゴーストが現れるという問題は他
の光導電形撮像管と同様依然解決されずに残っていた。
第２図は、従来のＭ−Ｓ管の概略側断面図で、１は陰極
加熱用のヒータ、２は電子を放出する陰極、３は電子ビ
ーム量を所望値に制御する第１グリッド、４は電子流を
加速し、細い電子ビームを形成するためのビーム制限孔
をターゲット側に設けた第２グリッド、５はガラスバル
ブ、６はバルブ内壁面に被着形成された静電偏向電極、
７は高い正電圧が印加され電子ビームをターゲットの方
へ加速するメッシュ電極、８はターゲットを設けたガラ
ス面板とガラスバルブとを封着するインジウムリング、
９は内面（陰極側）に透明電極膜や光導電膜よりなり光
電変換機能を有するターゲッド9aを形成した面板、10は
ターゲットを走査し、ターゲットの陰極側の表面に其の
部分の画素への入射光量に応じて導電蓄積された正電荷
を中和して信号電流を生ずる走査ビーム、11は前記正電
荷を中和した走査ビームの残余の電子が低電圧のターゲ
ットから追い返されメッシュ電極に引かれて更にメッシ
ュ電極を通り抜けて第２グリッド側へ戻ってきた戻りビ
ーム、12は戻りビームが第２グリッドに衝突反射して再
びターゲット側へ向かう反射ビームである。Ｍ−Ｓ管の
ような光導電形撮像管は所謂低速走査形でターゲットは
低電位に保持されており、走査ビーム10に対して、メッ
シュ電極とターゲット間の電界は減速電界として作用す
る。入射光量が少なくターゲットの（メッシュに面する
側の）表面における正電荷の蓄積が少ない個所では、走
査ビーム10による走査、正電荷の中和後に、多くの電子
が余り、これらの電子がメッシュ電極７の高電圧に引か
れメッシュ電極を通り抜けて電子ビーム形成部側へ戻っ
て、顕著な戻りビーム11となるのである。この戻りビー
ム11がターゲット9aと対向する第２グリッド４の面に衝
突し其の一部が反射されて再びターゲットに向かう反射
ビーム12となり、これがターゲット9aに達すると偽信号
として読み出され、表示面にゴーストとなって現れる。
前記した戻りビームの成因からも判るように、被写体か
ら入射光量が少ないときに偽信号の影響は特に顕著に生
ずる。
加熱用のヒータ、２は電子を放出する陰極、３は電子ビ
ーム量を所望値に制御する第１グリッド、４は電子流を
加速し、細い電子ビームを形成するためのビーム制限孔
をターゲット側に設けた第２グリッド、５はガラスバル
ブ、６はバルブ内壁面に被着形成された静電偏向電極、
７は高い正電圧が印加され電子ビームをターゲットの方
へ加速するメッシュ電極、８はターゲットを設けたガラ
ス面板とガラスバルブとを封着するインジウムリング、
９は内面（陰極側）に透明電極膜や光導電膜よりなり光
電変換機能を有するターゲッド9aを形成した面板、10は
ターゲットを走査し、ターゲットの陰極側の表面に其の
部分の画素への入射光量に応じて導電蓄積された正電荷
を中和して信号電流を生ずる走査ビーム、11は前記正電
荷を中和した走査ビームの残余の電子が低電圧のターゲ
ットから追い返されメッシュ電極に引かれて更にメッシ
ュ電極を通り抜けて第２グリッド側へ戻ってきた戻りビ
ーム、12は戻りビームが第２グリッドに衝突反射して再
びターゲット側へ向かう反射ビームである。Ｍ−Ｓ管の
ような光導電形撮像管は所謂低速走査形でターゲットは
低電位に保持されており、走査ビーム10に対して、メッ
シュ電極とターゲット間の電界は減速電界として作用す
る。入射光量が少なくターゲットの（メッシュに面する
側の）表面における正電荷の蓄積が少ない個所では、走
査ビーム10による走査、正電荷の中和後に、多くの電子
が余り、これらの電子がメッシュ電極７の高電圧に引か
れメッシュ電極を通り抜けて電子ビーム形成部側へ戻っ
て、顕著な戻りビーム11となるのである。この戻りビー
ム11がターゲット9aと対向する第２グリッド４の面に衝
突し其の一部が反射されて再びターゲットに向かう反射
ビーム12となり、これがターゲット9aに達すると偽信号
として読み出され、表示面にゴーストとなって現れる。
前記した戻りビームの成因からも判るように、被写体か
ら入射光量が少ないときに偽信号の影響は特に顕著に生
ずる。
従来から、この戻りビームによる偽信号の発生を抑制す
るために、例えば、電子ビーム走査領域の幅の2/3以上
の加速電極板上の位置に向う戻りビームを吸収ないしは
再びターゲット外周の方へ向うことを阻止するための手
法が特開昭56−38742号、特開昭56−38743号公報に開示
されているが、これは第２グリッド電極板を小径化して
走査領域の幅の2/3以下にするので機械的強度が劣化す
るという問題がある。またメッシュ電極のまわりを走査
領域の形状に合わせた角窓状の開口を持った円板電極で
覆い、走査領域外に向う反射ビームを阻止する方法が提
案されているが角窓の形状、配置に困難がある。更にそ
の他、加速電極（第２グリッド）に近接して、径の小さ
い円筒電極を配置して、走査ビームと戻りビームの偏向
感度を異ならしめて、反射ビームをターゲット上の領域
以外に向わせる方法や、戻りビームが衝突する電極板表
面に戻りビームを吸収あるいは散乱させる物質層ないし
は表面処理層を施す方法など多くの方法が提案されてお
り、いずれもある程度の効果はあるが、たとえば表面層
の剥落による新たな事故につながるなど、問題の完全解
決は困難である。
るために、例えば、電子ビーム走査領域の幅の2/3以上
の加速電極板上の位置に向う戻りビームを吸収ないしは
再びターゲット外周の方へ向うことを阻止するための手
法が特開昭56−38742号、特開昭56−38743号公報に開示
されているが、これは第２グリッド電極板を小径化して
走査領域の幅の2/3以下にするので機械的強度が劣化す
るという問題がある。またメッシュ電極のまわりを走査
領域の形状に合わせた角窓状の開口を持った円板電極で
覆い、走査領域外に向う反射ビームを阻止する方法が提
案されているが角窓の形状、配置に困難がある。更にそ
の他、加速電極（第２グリッド）に近接して、径の小さ
い円筒電極を配置して、走査ビームと戻りビームの偏向
感度を異ならしめて、反射ビームをターゲット上の領域
以外に向わせる方法や、戻りビームが衝突する電極板表
面に戻りビームを吸収あるいは散乱させる物質層ないし
は表面処理層を施す方法など多くの方法が提案されてお
り、いずれもある程度の効果はあるが、たとえば表面層
の剥落による新たな事故につながるなど、問題の完全解
決は困難である。
本発明は上記従来のＭ−Ｓ管の問題点を解決するため
に、構造が簡単な量産容易な手段で戻りビームを吸収し
反射ビームを抑制するようにしたＭ−Ｓ管を提供するこ
とを目的とする。
に、構造が簡単な量産容易な手段で戻りビームを吸収し
反射ビームを抑制するようにしたＭ−Ｓ管を提供するこ
とを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明においては、電子ビ
ーム形成部の、第２グリッド（加速電極）のターゲット
側に、管軸と同心に、第２グリッドとの間に円筒状絶縁
物を挟んで、第２グリッドよりも高い正の電圧を印加し
た円環状金属板製の戻りビーム吸収用電極を配設し、こ
の戻りビーム吸収用電極を、前記円筒状絶縁物と、この
絶縁物の外周円筒面の孔に一端の直角折曲げ部を挿入
し、他端の上記折曲げ方向と逆向き直角折曲げ部を、第
２グリッドの面または戻りビーム吸収用電極面のそれぞ
れに到達させて溶接固着させた複数個の折り曲げ金具と
によって、第２グリッドに支持させることとした。
ーム形成部の、第２グリッド（加速電極）のターゲット
側に、管軸と同心に、第２グリッドとの間に円筒状絶縁
物を挟んで、第２グリッドよりも高い正の電圧を印加し
た円環状金属板製の戻りビーム吸収用電極を配設し、こ
の戻りビーム吸収用電極を、前記円筒状絶縁物と、この
絶縁物の外周円筒面の孔に一端の直角折曲げ部を挿入
し、他端の上記折曲げ方向と逆向き直角折曲げ部を、第
２グリッドの面または戻りビーム吸収用電極面のそれぞ
れに到達させて溶接固着させた複数個の折り曲げ金具と
によって、第２グリッドに支持させることとした。
戻りビームや反射ビームを完全に吸収除去することは極
めて困難であるから、本発明では、上記両不要ビームに
対する抑制効果が比較的大きく、しかも量産容易な、い
わゆる副作用のない方法で、不要ビームによる不都合を
実質的に殆ど問題にならない程度に抑え込むこととし
た。
めて困難であるから、本発明では、上記両不要ビームに
対する抑制効果が比較的大きく、しかも量産容易な、い
わゆる副作用のない方法で、不要ビームによる不都合を
実質的に殆ど問題にならない程度に抑え込むこととし
た。
上記のような構造にすれば戻りビーム吸収用電極には其
の目的に合致した十分高い電圧を印加できるので仮令反
射ビームが生じてもターゲットに到達する前に吸収でき
る。前記の如く、戻りビームを吸収する目的で、ガラス
バルブ内壁面に形成した静電偏向用電極の更にステム側
に、高い正電圧を印加した電極を配設することが提案さ
れていた。しかし、この構造では戻りビームの軌道をか
なり曲げなければならない。これに対し、本発明に係る
戻りビーム吸収用電極は、戻りビームの軌道を大きく曲
げる必要がないから、それほど高い電圧を印加する必要
はなく、管内の電界分布の変化は少ない。なお、走査ビ
ームが戻りビーム吸収用電極を通過する際、この電極の
電界に影響されないように、第２グリドの中央部分に、
戻りビーム吸収用電極の電界から走査ビームを遮蔽する
ために、吸収用電極中央の孔を通過してターゲット側に
抜ける短く細い突出管状部を設ける。尤も、本発明に係
る戻りビーム吸収用電極に印加する正電位はそれほど高
くないから、戻りビーム吸収用電極の中央の孔を大きく
して済ますことも出来る。従来の様にガラスバルブ内壁
面下方に戻りビーム吸収電極を設ける場合は、管内の電
界の乱れが大きいので、この突出管状部をターゲット側
へかなり長く突出させるが、本発明の場合はそれほど長
くする必要はない。
の目的に合致した十分高い電圧を印加できるので仮令反
射ビームが生じてもターゲットに到達する前に吸収でき
る。前記の如く、戻りビームを吸収する目的で、ガラス
バルブ内壁面に形成した静電偏向用電極の更にステム側
に、高い正電圧を印加した電極を配設することが提案さ
れていた。しかし、この構造では戻りビームの軌道をか
なり曲げなければならない。これに対し、本発明に係る
戻りビーム吸収用電極は、戻りビームの軌道を大きく曲
げる必要がないから、それほど高い電圧を印加する必要
はなく、管内の電界分布の変化は少ない。なお、走査ビ
ームが戻りビーム吸収用電極を通過する際、この電極の
電界に影響されないように、第２グリドの中央部分に、
戻りビーム吸収用電極の電界から走査ビームを遮蔽する
ために、吸収用電極中央の孔を通過してターゲット側に
抜ける短く細い突出管状部を設ける。尤も、本発明に係
る戻りビーム吸収用電極に印加する正電位はそれほど高
くないから、戻りビーム吸収用電極の中央の孔を大きく
して済ますことも出来る。従来の様にガラスバルブ内壁
面下方に戻りビーム吸収電極を設ける場合は、管内の電
界の乱れが大きいので、この突出管状部をターゲット側
へかなり長く突出させるが、本発明の場合はそれほど長
くする必要はない。
上記戻りビーム吸収様電極の取付支持法は、種々考えら
れるが、本発明者の試作結果によると、前記本発明に係
る折り曲げ金具による方法が比較的容易で量産し易い。
第２グリッドと第１グリッドの相対位置は厳密に調整し
て固定する必要があり、戻りビーム吸収用電極はその調
整固定後に、第２グリッドに前記位置調整を狂わせない
ように取付けなければならない。なお、円筒状絶縁物に
戻りビーム吸収用電極を直接溶着することは、外見とは
裏腹に、実際には折り曲げ金具を溶接するよりも遥かに
複雑困難な作業となる。
れるが、本発明者の試作結果によると、前記本発明に係
る折り曲げ金具による方法が比較的容易で量産し易い。
第２グリッドと第１グリッドの相対位置は厳密に調整し
て固定する必要があり、戻りビーム吸収用電極はその調
整固定後に、第２グリッドに前記位置調整を狂わせない
ように取付けなければならない。なお、円筒状絶縁物に
戻りビーム吸収用電極を直接溶着することは、外見とは
裏腹に、実際には折り曲げ金具を溶接するよりも遥かに
複雑困難な作業となる。
第１図（ａ）は本発明に係る戻りビーム吸収用電極を説
明する概略側断面図で、図中、4aは第２グリッド４の中
央に設けた前記環状突出部、13は戻りビーム吸収用電
極、14は円筒状絶縁物で、その他の符号は第２図の場合
と同様である。管状突出部4aや戻りビーム吸収用電極13
の作用はこの図から自明であろう。前記のように、第１
グリッド３と第２グリッド４の相対位置合わせ（中心の
孔が全て正確に同軸上にあり、また管軸方向の距離も正
確に所定値になっているように）は極めて厳密に行わね
ばならないので予め特別な治具を用いて位置決め調整を
行って固定する。戻りビーム吸収用電極の位置固定は上
記第１、第２グリッド間の位置決めほど厳密に行う必要
はなく、むしろ戻りビーム吸収用電極の取付けに際し、
第１、第２グリッドの精密な位置決め状態を狂わさない
ことが大切である。
明する概略側断面図で、図中、4aは第２グリッド４の中
央に設けた前記環状突出部、13は戻りビーム吸収用電
極、14は円筒状絶縁物で、その他の符号は第２図の場合
と同様である。管状突出部4aや戻りビーム吸収用電極13
の作用はこの図から自明であろう。前記のように、第１
グリッド３と第２グリッド４の相対位置合わせ（中心の
孔が全て正確に同軸上にあり、また管軸方向の距離も正
確に所定値になっているように）は極めて厳密に行わね
ばならないので予め特別な治具を用いて位置決め調整を
行って固定する。戻りビーム吸収用電極の位置固定は上
記第１、第２グリッド間の位置決めほど厳密に行う必要
はなく、むしろ戻りビーム吸収用電極の取付けに際し、
第１、第２グリッドの精密な位置決め状態を狂わさない
ことが大切である。
本発明に係る戻りビーム吸収用電極13の取付け法を第１
図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）により説明する。第１図
（ｂ）は円筒状絶縁物14の外周円筒面の孔に折り曲げ金
具15の一端を挿入し、金具の他端を、後の工程で戻りビ
ーム吸収用電極または第２グリッドの面に溶接し易い位
置においた状態を示す平面図、第１図（ｃ）は同状態の
側断面図である。この図は円筒状絶縁物の円筒軸方向の
高さの中心に折り曲げ金具挿入用の孔が穿たれている
が、別の位置たとえば円筒軸方向の同一直線上に二つの
孔をあけても良い。また、折り曲げ金具の両端間の部分
は、この図に示した場合は、管軸にほぼ平行になってい
るが、平行になっていなくても溶接してしまえば、円筒
状絶縁物とそれを挟む相手方の金具との相対位置は固定
される。なお、折り曲げ金具は、戻りビーム吸収用電極
との固定用、第２グリッドとの固定用に夫々複数個、好
ましくは３個以上を、円筒状絶縁物の外周円筒面に夫々
等距離ずつ離して配置するのが良い。
図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）により説明する。第１図
（ｂ）は円筒状絶縁物14の外周円筒面の孔に折り曲げ金
具15の一端を挿入し、金具の他端を、後の工程で戻りビ
ーム吸収用電極または第２グリッドの面に溶接し易い位
置においた状態を示す平面図、第１図（ｃ）は同状態の
側断面図である。この図は円筒状絶縁物の円筒軸方向の
高さの中心に折り曲げ金具挿入用の孔が穿たれている
が、別の位置たとえば円筒軸方向の同一直線上に二つの
孔をあけても良い。また、折り曲げ金具の両端間の部分
は、この図に示した場合は、管軸にほぼ平行になってい
るが、平行になっていなくても溶接してしまえば、円筒
状絶縁物とそれを挟む相手方の金具との相対位置は固定
される。なお、折り曲げ金具は、戻りビーム吸収用電極
との固定用、第２グリッドとの固定用に夫々複数個、好
ましくは３個以上を、円筒状絶縁物の外周円筒面に夫々
等距離ずつ離して配置するのが良い。
以上説明したように本発明よれば、戻りビーム吸収用電
極を容易に第２グリッドに取付けることが可能となり、
戻りビームに起因する偽信号の発生、従って画面にゴー
ストが現れることを抑制したＭ−Ｓ管を量産することが
出来る。
極を容易に第２グリッドに取付けることが可能となり、
戻りビームに起因する偽信号の発生、従って画面にゴー
ストが現れることを抑制したＭ−Ｓ管を量産することが
出来る。
第１図（ａ）は本発明に係る戻りビーム吸収用電極を説
明する概略側断面図、第１図（ｂ）〜（ｄ）は戻りビー
ム吸収用電極の取付法説明図、第２図は従来のＭ−Ｓ管
の概略側断面図である。 １……ヒータ、２……陰極、３……第１グリッド、４…
…第２グリッド、4a……管状突出部、５……バルブ、６
……静電偏向電極、７……メッシュ電極、８……インジ
ウムリング、９……面板、9a……ターゲット、10……走
査ビーム、11……戻りビーム、12……反射ビーム、13…
…戻りビーム吸収用電極、14……円筒状絶縁体、15……
折り曲げ金具。
明する概略側断面図、第１図（ｂ）〜（ｄ）は戻りビー
ム吸収用電極の取付法説明図、第２図は従来のＭ−Ｓ管
の概略側断面図である。 １……ヒータ、２……陰極、３……第１グリッド、４…
…第２グリッド、4a……管状突出部、５……バルブ、６
……静電偏向電極、７……メッシュ電極、８……インジ
ウムリング、９……面板、9a……ターゲット、10……走
査ビーム、11……戻りビーム、12……反射ビーム、13…
…戻りビーム吸収用電極、14……円筒状絶縁体、15……
折り曲げ金具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森谷 雅道 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 加藤 真一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭61−74245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−126643（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】電子ビーム形成部の加速電極のターゲット
側に管軸と同心に配置され前記加速電極より高い正電圧
を印加された金属板製で円環状の戻りビーム吸収用電極
を、前記加速電極との間に介在し管軸と同心に配置され
た円筒状絶縁物と、この絶縁物の外周円筒面の孔に一端
の直角折曲げ部を挿入し、他端の上記折曲げ方向と逆向
きに直角折曲げ部を、前記加速電極面または戻りビーム
吸収用電極面のそれぞれに到達させて溶接固着させた複
数個の折り曲げ金具とによって、前記加速電極に支持さ
せたことを特徴とする撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810586A JPH0770292B2 (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810586A JPH0770292B2 (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296343A JPS62296343A (ja) | 1987-12-23 |
| JPH0770292B2 true JPH0770292B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15214062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13810586A Expired - Lifetime JPH0770292B2 (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770292B2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP13810586A patent/JPH0770292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62296343A (ja) | 1987-12-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |