JPH0117809Y2 - - Google Patents
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- JPH0117809Y2 JPH0117809Y2 JP4219583U JP4219583U JPH0117809Y2 JP H0117809 Y2 JPH0117809 Y2 JP H0117809Y2 JP 4219583 U JP4219583 U JP 4219583U JP 4219583 U JP4219583 U JP 4219583U JP H0117809 Y2 JPH0117809 Y2 JP H0117809Y2
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- grid electrode
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
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- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は、撮像管の改良に関する。
従来、撮像管は第１図に示すように構成され、
有底簡状のガラス製真空外囲器５の開口端には、
面板構体４がインジウム金属層１３を介して気密
封着され、このインジウム金属層１３の外周部に
は非磁性体からなる金属リング１４が圧接されて
信号電極１５が形成されている。上記面板構体４
は、透明ガラス材などの透光材料からなる透明板
１の内面上にSnO2又はIn2O3等の透明導電膜２が
被着形成され、更にこの透明導電膜２上に
Sb2S3、CdSe等を主成分とする光導電膜３が被着
形成されてなつている。そして、この光導電膜３
に上記インジウム金属層１３が電気的に接続され
ており、透明導電膜２上に映出された画像信号を
上記信号電極１５を介して外部に取出す構成とな
つている。又、上記真空外囲器５内には、光導電
膜３側から網状電極６、加速及び集束電極となる
円筒電極７、第２グリツド電極８、第１グリツド
電極９、カソード１０、及びヒータ１１を同一軸
上に所定間隔で配列してなる電子銃構体１２が収
納されている。更に真空外囲器５のステム部に
は、上記内部電極群にそれぞれ信号、電源を供給
する複数本の電極端子１６が貫通植設され、その
中央部には真空外囲器５内を10-6〜10-7Torrの
高真空度に排気する排気部１７が設けられてい
る。又、真空外囲器５の外周面側には、カソード
１０から放射された電子ビーム１８を集束、偏向
させる集束・偏向コイル１９が配設されている。
有底簡状のガラス製真空外囲器５の開口端には、
面板構体４がインジウム金属層１３を介して気密
封着され、このインジウム金属層１３の外周部に
は非磁性体からなる金属リング１４が圧接されて
信号電極１５が形成されている。上記面板構体４
は、透明ガラス材などの透光材料からなる透明板
１の内面上にSnO2又はIn2O3等の透明導電膜２が
被着形成され、更にこの透明導電膜２上に
Sb2S3、CdSe等を主成分とする光導電膜３が被着
形成されてなつている。そして、この光導電膜３
に上記インジウム金属層１３が電気的に接続され
ており、透明導電膜２上に映出された画像信号を
上記信号電極１５を介して外部に取出す構成とな
つている。又、上記真空外囲器５内には、光導電
膜３側から網状電極６、加速及び集束電極となる
円筒電極７、第２グリツド電極８、第１グリツド
電極９、カソード１０、及びヒータ１１を同一軸
上に所定間隔で配列してなる電子銃構体１２が収
納されている。更に真空外囲器５のステム部に
は、上記内部電極群にそれぞれ信号、電源を供給
する複数本の電極端子１６が貫通植設され、その
中央部には真空外囲器５内を10-6〜10-7Torrの
高真空度に排気する排気部１７が設けられてい
る。又、真空外囲器５の外周面側には、カソード
１０から放射された電子ビーム１８を集束、偏向
させる集束・偏向コイル１９が配設されている。
このように構成された撮像管において、ヒータ
ー１１により加熱されたカソード１０から発生す
る電子ビーム１８は、第１グリツド電極９により
ビーム量を制御され、第２グリツド電極８によつ
てビーム形状を整形され、更に円筒電極７により
加速・集束されて、集束・偏向コイル１９との作
用により光導電膜３上に集束されて走査する。
ー１１により加熱されたカソード１０から発生す
る電子ビーム１８は、第１グリツド電極９により
ビーム量を制御され、第２グリツド電極８によつ
てビーム形状を整形され、更に円筒電極７により
加速・集束されて、集束・偏向コイル１９との作
用により光導電膜３上に集束されて走査する。
ところが上記のような撮像管においては、戻り
ビーム２０が第２グリツド電極８に集束し、更に
反射して光導電膜３上に再入射するいわゆる疑似
信号を生じる。そこで従来、第２グリツド電極８
の表面を粗面にして戻りビーム２０を乱反射させ
たり、第２図に示すように円筒電極７の途中に円
板状の電極反射防止板２１を取付けて戻りビーム
２０の集束点と反射点をずらせるなどの方法で、
面板構体４に疑似信号が生じるのを防いでいる。
ビーム２０が第２グリツド電極８に集束し、更に
反射して光導電膜３上に再入射するいわゆる疑似
信号を生じる。そこで従来、第２グリツド電極８
の表面を粗面にして戻りビーム２０を乱反射させ
たり、第２図に示すように円筒電極７の途中に円
板状の電極反射防止板２１を取付けて戻りビーム
２０の集束点と反射点をずらせるなどの方法で、
面板構体４に疑似信号が生じるのを防いでいる。
ところで疑似信号をよく調べてみると、例えば
第３図に示すような真空外囲器５の側壁内面に導
電層よりなる２対の静電偏向電極２２を設けた静
電偏向、電磁集束方式で電子ビームを走査させる
撮像管と、第１図に示した電磁偏向、電磁集束方
式及び電磁偏向、静電集束方式の撮像管では、疑
似信号の発生の様態が異なることが判つた。即
ち、静電偏向、電磁集束方式の撮像管の疑似信号
は、第４図に示すように、疑似信号像２４の中央
付近に無疑似信号領域２５が必ず存在することで
ある。この現像から言えることは、上記の戻りビ
ームが電極又はその他の物質に衝突することによ
つて電子の反射、２次電子放出等が疑似信号の原
因となり得るが、この領域に相応する場所に電極
又はその他の物質の不連続性もしくは形状変化が
あつても、疑似信号として映像中に現われないこ
とになる。そして、無疑似信号の領域は、経験的
には撮像管の光導電膜を走査する電子ビームの水
平走査距離の約1/2以下、垂直走査距離の約1/2以
下のほぼ矩形に近い。
第３図に示すような真空外囲器５の側壁内面に導
電層よりなる２対の静電偏向電極２２を設けた静
電偏向、電磁集束方式で電子ビームを走査させる
撮像管と、第１図に示した電磁偏向、電磁集束方
式及び電磁偏向、静電集束方式の撮像管では、疑
似信号の発生の様態が異なることが判つた。即
ち、静電偏向、電磁集束方式の撮像管の疑似信号
は、第４図に示すように、疑似信号像２４の中央
付近に無疑似信号領域２５が必ず存在することで
ある。この現像から言えることは、上記の戻りビ
ームが電極又はその他の物質に衝突することによ
つて電子の反射、２次電子放出等が疑似信号の原
因となり得るが、この領域に相応する場所に電極
又はその他の物質の不連続性もしくは形状変化が
あつても、疑似信号として映像中に現われないこ
とになる。そして、無疑似信号の領域は、経験的
には撮像管の光導電膜を走査する電子ビームの水
平走査距離の約1/2以下、垂直走査距離の約1/2以
下のほぼ矩形に近い。
又、静電偏向、電磁集束方式の撮像管におい
て、光導電膜からの戻りビームに起因する疑似信
号の防止のために、無疑似信号領域に相応する場
所以外に、いかなる均一な電極を設けても、戻り
ビームの反射又は２次電子放出がある限り、無疑
似信号領域との映像上のコントラスト差により、
事実上第５図に示すごとく映像全体には支障を生
じる。従つて、第２図に示す方式での疑似信号防
止策では、静電偏向、電磁集束方式の撮像管にお
いては、その効果が不充分であると考えられる。
て、光導電膜からの戻りビームに起因する疑似信
号の防止のために、無疑似信号領域に相応する場
所以外に、いかなる均一な電極を設けても、戻り
ビームの反射又は２次電子放出がある限り、無疑
似信号領域との映像上のコントラスト差により、
事実上第５図に示すごとく映像全体には支障を生
じる。従つて、第２図に示す方式での疑似信号防
止策では、静電偏向、電磁集束方式の撮像管にお
いては、その効果が不充分であると考えられる。
この考案の目的は、戻りビームによる疑似信号
の発生を防止した撮像管を提供することである。
の発生を防止した撮像管を提供することである。
この考案は、第２グリツド電極の出口側に、内
部空間横断面積が上記光導電膜上における電子ビ
ームの水平走査距離の約1/2以下、垂直走査距離
の約1/2以下の無疑似信号領域よりも小さく設定
され、長さが第２グリツド電極の最大径の1/2以
上に設定されている筒状電極を取付けた撮像管で
ある。
部空間横断面積が上記光導電膜上における電子ビ
ームの水平走査距離の約1/2以下、垂直走査距離
の約1/2以下の無疑似信号領域よりも小さく設定
され、長さが第２グリツド電極の最大径の1/2以
上に設定されている筒状電極を取付けた撮像管で
ある。
この考案による静電偏向、電磁集束方式の撮像
管の要部は、第６図に示すように構成され、従来
例（第１図）と同一箇所は同一符号を付すことに
する。即ち、この考案では第２グリツド電極（リ
ミツテイングアパーチヤ電極）８の出口側（網状
電極側）に、筒状電極２３が取付けられている。
この場合、第２グリツド電極８は入口側部分８ａ
と出口側部分８ｂとからなつているが、筒状電極
２３は出口側部分８ｂに取付けられ、電気的に一
体化されている。又、筒状電極２３は、その内部
空間横断面積が、光導電膜３上における電子ビー
ム１８の水平走査距離の約1/2以下、垂直走査距
離の約1/2以下の無疑似信号領域よりも小さく設
定され、更にその長さは第２グリツド電極８の最
大径の1/2以上に設定されている。又、この考案
の撮像管は静電偏向方式のため、第１図のような
円筒電極７を設けず、真空外囲器５の側壁内面に
は、網状電極６から第２グリツド電極８附近まで
導電層からなる２対の静電偏向電極２２が形成さ
れている。そして、図示していないが、真空外囲
器５の外周には集束コイルが配設されている。
尚、面板構体附近は第１図と同様構成ゆえ、図示
及び説明を省略してある。
管の要部は、第６図に示すように構成され、従来
例（第１図）と同一箇所は同一符号を付すことに
する。即ち、この考案では第２グリツド電極（リ
ミツテイングアパーチヤ電極）８の出口側（網状
電極側）に、筒状電極２３が取付けられている。
この場合、第２グリツド電極８は入口側部分８ａ
と出口側部分８ｂとからなつているが、筒状電極
２３は出口側部分８ｂに取付けられ、電気的に一
体化されている。又、筒状電極２３は、その内部
空間横断面積が、光導電膜３上における電子ビー
ム１８の水平走査距離の約1/2以下、垂直走査距
離の約1/2以下の無疑似信号領域よりも小さく設
定され、更にその長さは第２グリツド電極８の最
大径の1/2以上に設定されている。又、この考案
の撮像管は静電偏向方式のため、第１図のような
円筒電極７を設けず、真空外囲器５の側壁内面に
は、網状電極６から第２グリツド電極８附近まで
導電層からなる２対の静電偏向電極２２が形成さ
れている。そして、図示していないが、真空外囲
器５の外周には集束コイルが配設されている。
尚、面板構体附近は第１図と同様構成ゆえ、図示
及び説明を省略してある。
さて、動作時には、第２グリツド電極８に筒状
電極２３を取付け、その内部空間横断面積を無疑
似信号領域よりも小さく設定しているので、第７
図に示すような戻りビーム２６と戻りビーム２７
の影響では疑似信号は生じない。更に、筒状電極
２３の長さは第２グリツド電極８の最大径の1/2
以上に設定されているので、第２グリツド電極８
の電圧Ec2が静電偏向電極２２の電圧Edefより低
い場合は、第８図に示すように戻りビーム２０は
真空外囲器５の方向に曲げられるため、集束点が
ずれて光導電膜３に疑似信号を生じない。又、逆
にEc2がEdefより高い場合は、第９図に示すよう
に筒状電極２３の方向に曲げられるため、集束点
がずれて光導電膜３に疑似信号を生じなくなる。
電極２３を取付け、その内部空間横断面積を無疑
似信号領域よりも小さく設定しているので、第７
図に示すような戻りビーム２６と戻りビーム２７
の影響では疑似信号は生じない。更に、筒状電極
２３の長さは第２グリツド電極８の最大径の1/2
以上に設定されているので、第２グリツド電極８
の電圧Ec2が静電偏向電極２２の電圧Edefより低
い場合は、第８図に示すように戻りビーム２０は
真空外囲器５の方向に曲げられるため、集束点が
ずれて光導電膜３に疑似信号を生じない。又、逆
にEc2がEdefより高い場合は、第９図に示すよう
に筒状電極２３の方向に曲げられるため、集束点
がずれて光導電膜３に疑似信号を生じなくなる。
尚、第８図及び第９図では、カソード１０、ヒ
ータ１１は省略してある。
ータ１１は省略してある。
この考案によれば、戻りビームによる疑似信号
の発生を防止することができ、画質の良い撮像管
が得られる。
の発生を防止することができ、画質の良い撮像管
が得られる。
尚、第１０図はこの考案の変形例を示したもの
で、筒状電極２４は第２グリツド電極８と完全に
一体形成されている。つまり上記実施例では、第
２グリツド電極８は入口側部分８ａと出口側部分
８ｂとからなり、この出口側部分８ｂに筒状電極
２３が取付けられていたが、この変形例では、筒
状電極２４の一端は鍔状部２４ａとなり、この鍔
状部２４ａが第２グリツド電極８の出口側部分を
兼ねている。便宜上、第１０図には、第１グリツ
ド９、カソード１０、ヒータ１１は省略してあ
る。
で、筒状電極２４は第２グリツド電極８と完全に
一体形成されている。つまり上記実施例では、第
２グリツド電極８は入口側部分８ａと出口側部分
８ｂとからなり、この出口側部分８ｂに筒状電極
２３が取付けられていたが、この変形例では、筒
状電極２４の一端は鍔状部２４ａとなり、この鍔
状部２４ａが第２グリツド電極８の出口側部分を
兼ねている。便宜上、第１０図には、第１グリツ
ド９、カソード１０、ヒータ１１は省略してあ
る。
又、筒状電極２３，２４は光導電膜３上の無疑
似信号領域よりも小さな内部空間横断面積を有し
ていれば、その断面形状が円形だけに限らず、三
角形でも矩形でもかまわない。
似信号領域よりも小さな内部空間横断面積を有し
ていれば、その断面形状が円形だけに限らず、三
角形でも矩形でもかまわない。
第１図は従来の撮像管を示す断面図、第２図は
同じく別の撮像管を示す断面図、第３図は静電偏
向電極の一例を示す斜視図、第４図は静電偏向、
電磁集束方式の撮像管における疑似信号を示す平
面図、第５図は静電偏向、電磁集束方式の撮像管
における疑似信号領域の場所以外に均一な電極を
設けた場合の疑似信号を示す平面図、第６図はこ
の考案の一実施例に係る撮像管を示す断面図、第
７図はこの考案で用いる筒状電極附近の戻りビー
ム軌道を示す断面図、第８図はEc2＜Edefの場合
の戻りビーム軌道を示す断面図、第９図はEc2＞
Edefの場合の戻りビーム軌道を示す断面図、第
１０図はこの考案の変形例を示す断面図である。 １……面板、２……透明導電膜、３……光導電
膜、４……面板構体、５……真空外囲器、６……
網状電極、８……第２グリツド電極、９……第１
グリツド電極、１０……カソード、１１……ヒー
ター、１８……電子ビーム、２０……戻りビー
ム、２２……静電偏向電極、２３……筒状電極。
同じく別の撮像管を示す断面図、第３図は静電偏
向電極の一例を示す斜視図、第４図は静電偏向、
電磁集束方式の撮像管における疑似信号を示す平
面図、第５図は静電偏向、電磁集束方式の撮像管
における疑似信号領域の場所以外に均一な電極を
設けた場合の疑似信号を示す平面図、第６図はこ
の考案の一実施例に係る撮像管を示す断面図、第
７図はこの考案で用いる筒状電極附近の戻りビー
ム軌道を示す断面図、第８図はEc2＜Edefの場合
の戻りビーム軌道を示す断面図、第９図はEc2＞
Edefの場合の戻りビーム軌道を示す断面図、第
１０図はこの考案の変形例を示す断面図である。 １……面板、２……透明導電膜、３……光導電
膜、４……面板構体、５……真空外囲器、６……
網状電極、８……第２グリツド電極、９……第１
グリツド電極、１０……カソード、１１……ヒー
ター、１８……電子ビーム、２０……戻りビー
ム、２２……静電偏向電極、２３……筒状電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 面板内面に透明導電膜、光導電膜を順次形成
してなる面板構体を、有底筒状の真空外囲器の
開口端に気密封着し、更に真空外囲器内に上記
光導電膜側から網状電極、第２グリツド電極、
第１グリツド電極、カソード、ヒータを同軸的
に所定間隔で配設し、且つ真空外囲器の側壁内
面に静電偏向電極をほぼ上記網状電極から第２
グリツド電極にかけて形成してなる撮像管にお
いて、 上記第２グリツド電極の出口側に、内部空間
横断面積が上記光導電膜上における電子ビーム
の水平走査距離の約1/2以下、垂直走査距離の
約1/2以下の無疑似信号領域よりも小さく設定
され、長さが上記第２グリツド電極の最大径の
１／２以上に設定されている筒状電極を取付けた
ことを特徴とする撮像管。 (2) 上記筒状電極は、上記第２グリツド電極と一
体になつている実用新案登録請求の範囲第１項
記載の撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219583U JPS59148059U (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219583U JPS59148059U (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148059U JPS59148059U (ja) | 1984-10-03 |
| JPH0117809Y2 true JPH0117809Y2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=30172753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4219583U Granted JPS59148059U (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148059U (ja) |
-
1983
- 1983-03-24 JP JP4219583U patent/JPS59148059U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59148059U (ja) | 1984-10-03 |
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