JPS60198038A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS60198038A JPS60198038A JP5214784A JP5214784A JPS60198038A JP S60198038 A JPS60198038 A JP S60198038A JP 5214784 A JP5214784 A JP 5214784A JP 5214784 A JP5214784 A JP 5214784A JP S60198038 A JPS60198038 A JP S60198038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoconductive film
- tube
- film target
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Arrangements for removing or diverting unwanted particles, e.g. for negative ions or fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/60—Mirrors
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野〕
本発明は静電集束形撮像管に係り、特に戻りビームによ
る偽信号発生を抑えた撮像管に関する。
る偽信号発生を抑えた撮像管に関する。
従来の静電集束形撮像管番；おいては、集束レンズによ
って細くしぼりこんだ電子ビームで光導電膜ターゲット
を走査することにより光信号を電気信号に変換して読み
出している。従来のこのよう ゛な撮像管の構造は、基
本的には２つに分けることができる。すなわち（１）電
子ビーム発生部と、（２）電子ビーム集束レンズ部（主
レンズ部りである。第１図は、特開昭５８−１０３７５
１に示された電子ビーム集束レンズを用いた撮像管の断
面図である。
って細くしぼりこんだ電子ビームで光導電膜ターゲット
を走査することにより光信号を電気信号に変換して読み
出している。従来のこのよう ゛な撮像管の構造は、基
本的には２つに分けることができる。すなわち（１）電
子ビーム発生部と、（２）電子ビーム集束レンズ部（主
レンズ部りである。第１図は、特開昭５８−１０３７５
１に示された電子ビーム集束レンズを用いた撮像管の断
面図である。
ｌは真空容器、Ｋは陰極、Ｇ１は第１ｆｌ極、Ｇ、は第
２電極で、Ｋ、Ｇ、、Ｇ、で電子ビーム発生部である３
極部主を構成しており、Ｇ３．’Ｇ４は電子ビーム集束
レンズ（主レンズ）を形成するそれぞれ第３．第４電極
で、Ｇ６はメツシュ電極で。
２電極で、Ｋ、Ｇ、、Ｇ、で電子ビーム発生部である３
極部主を構成しており、Ｇ３．’Ｇ４は電子ビーム集束
レンズ（主レンズ）を形成するそれぞれ第３．第４電極
で、Ｇ６はメツシュ電極で。
電極Ｇ３ 、Ｇａ 、Ｇｅｓで主レンズ部Ｊを構成して
いる。４は光導電膜ターゲットであり、５は撮像管外部
に配置された偏向コイルである。陰極により出た電子ビ
ームは３極部主で形成されるレンズで集束し、一度クロ
スオーバーをつくった後、第２電極Ｇ、に設けられたビ
ーム制限孔−６−を通過し。
いる。４は光導電膜ターゲットであり、５は撮像管外部
に配置された偏向コイルである。陰極により出た電子ビ
ームは３極部主で形成されるレンズで集束し、一度クロ
スオーバーをつくった後、第２電極Ｇ、に設けられたビ
ーム制限孔−６−を通過し。
Ｇｚ−Ｇａで形成される集束レンズ（主レンズ）で集束
され、同時に外部に設けた偏向コイルｉの磁場により偏
向され光導電膜ターゲット土を走査する。ｆ’ｌ 極Ｃ
； ４とメソシュ電極Ｇ５とで形成される＝１リメーシ
ョユ７レンズにより偏向した電子ビー・ｌ、を光導電膜
ターゲット土へ垂直にランディングするようにしている
。通常このような撮像管では。
され、同時に外部に設けた偏向コイルｉの磁場により偏
向され光導電膜ターゲット土を走査する。ｆ’ｌ 極Ｃ
； ４とメソシュ電極Ｇ５とで形成される＝１リメーシ
ョユ７レンズにより偏向した電子ビー・ｌ、を光導電膜
ターゲット土へ垂直にランディングするようにしている
。通常このような撮像管では。
陰極ト；に対する各電極の電圧値は、電極Ｇ、が約−４
０Ｖ程＋Ｉｌ’Ｃ１ｍ ｔｉ Ｇ Ｑが３００ｖ、電ｆ
ｌＡ Ｃ； ３が約８０Ｖ程度、’Ｋｉ ４！’４ Ｇ
４ カ６００ Ｖ、メツシュ電極Ｇ ！ｌが１４００Ｖ
テある。
０Ｖ程＋Ｉｌ’Ｃ１ｍ ｔｉ Ｇ Ｑが３００ｖ、電ｆ
ｌＡ Ｃ； ３が約８０Ｖ程度、’Ｋｉ ４！’４ Ｇ
４ カ６００ Ｖ、メツシュ電極Ｇ ！ｌが１４００Ｖ
テある。
従来、」−健した枯造の撮像管では、戻りビームにより
出力信号中に偽信−号が入り、特番ユ低照度の撮影時に
カメラの感度を上げた場合顕著となり画質を低下させる
という欠点がある。
出力信号中に偽信−号が入り、特番ユ低照度の撮影時に
カメラの感度を上げた場合顕著となり画質を低下させる
という欠点がある。
この原因は、メツシュｆｌ！ｆｉあるいは光導電膜ター
ゲット・でおし返された戻りビームが電極Ｇ２で反射し
て再び光導電膜ターゲットへ向かう反射ビームとなり、
この反射ビームが光導電膜ターゲットに到達し、正規の
信号以外の偽信号を発生するためと考えられる。すなわ
ち、第１図においてビーム制限孔Ｊ−から出た電子ビー
ム（１次ビーム）工は光導電膜ターゲット４を走査する
が、その一部はメツシュ電極あるいは光導電膜ターゲッ
トでおし返される戻りビーム８となり陰極に側へ向かう
。この戻りビームは最終的に電極Ｇ、！上のビーム制限
孔６の周りに衝突し、光導電膜ターゲットへ到達するこ
とになる。この時、特定の走査期間に発生する反射ビー
ムは光導電膜ターゲットとの非走査領域Ｂ（走査領域Ａ
の外の領域）に到達する。領域Ｂは１次ビーム７による
走査をうけず、その面電位は、ターゲット印加電圧にほ
ぼ等しく、数１．ＯＶの高い電位となっており、反射ビ
ーｌｘ ９の入射により偽信号を発生する。この偽信号
により、画面中央部に画面の約３分の１の大きさで画面
に相似な黒い偽像が発生する。
ゲット・でおし返された戻りビームが電極Ｇ２で反射し
て再び光導電膜ターゲットへ向かう反射ビームとなり、
この反射ビームが光導電膜ターゲットに到達し、正規の
信号以外の偽信号を発生するためと考えられる。すなわ
ち、第１図においてビーム制限孔Ｊ−から出た電子ビー
ム（１次ビーム）工は光導電膜ターゲット４を走査する
が、その一部はメツシュ電極あるいは光導電膜ターゲッ
トでおし返される戻りビーム８となり陰極に側へ向かう
。この戻りビームは最終的に電極Ｇ、！上のビーム制限
孔６の周りに衝突し、光導電膜ターゲットへ到達するこ
とになる。この時、特定の走査期間に発生する反射ビー
ムは光導電膜ターゲットとの非走査領域Ｂ（走査領域Ａ
の外の領域）に到達する。領域Ｂは１次ビーム７による
走査をうけず、その面電位は、ターゲット印加電圧にほ
ぼ等しく、数１．ＯＶの高い電位となっており、反射ビ
ーｌｘ ９の入射により偽信号を発生する。この偽信号
により、画面中央部に画面の約３分の１の大きさで画面
に相似な黒い偽像が発生する。
本発明の目的は、このような戻りビームにより生ずる偽
信号像を取り除いた静電集束形撮像管を提供することに
ある。
信号像を取り除いた静電集束形撮像管を提供することに
ある。
本発明は、静電レンズを構成する円筒状電極内部に戻り
ビームを管軸に対して直角に反射させる曲面（回転双曲
線正接函数面）を有した電極を設け、ちょうど戻りビー
ム軌道を管軸１・：二対しており返した＠道ｔ： ３ｍ
るように反射させ、反射した電子ビームがすべて光導電
膜ターゲット上の走査領域内に到達するようになし、反
射ビームが非走査領域に入射するため発り＝する偽信号
の発生按阻止しようどするものである。
ビームを管軸に対して直角に反射させる曲面（回転双曲
線正接函数面）を有した電極を設け、ちょうど戻りビー
ム軌道を管軸１・：二対しており返した＠道ｔ： ３ｍ
るように反射させ、反射した電子ビームがすべて光導電
膜ターゲット上の走査領域内に到達するようになし、反
射ビームが非走査領域に入射するため発り＝する偽信号
の発生按阻止しようどするものである。
以下、本発明を実施例を′＃照【・て詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例を示す図で、第１図と同じ部分
４′−は同一記号を付している。第２図においてメツシ
ュ電極あるいは先導１１暎ターゲツトでおし返された戻
りビーム８は、＠極Ｇ４１ＧＢで形成されるコリメーシ
ョンレンズの作用で管軸ＩＯを横切り、電極Ｇ ：ｌに
設けた反射電極１２の回転双曲線正接函数面に当たり管
軸１０に対して直角に反射される。反射された電子ビー
ムは上記回転双曲線正接面数面に再び当ると、光導電膜
ターゲット方向に反射されるが、その軌道１１は戻すビ
ーム８の軌道をちょうど管軸に対し、て折り返した形に
なる。従って、電子ビームは戻された位ｒとちょうど管
軸をはさんで反対側の位置に到達するから、走査領域の
外の領域Ｂへ飛び込むことはない。
４′−は同一記号を付している。第２図においてメツシ
ュ電極あるいは先導１１暎ターゲツトでおし返された戻
りビーム８は、＠極Ｇ４１ＧＢで形成されるコリメーシ
ョンレンズの作用で管軸ＩＯを横切り、電極Ｇ ：ｌに
設けた反射電極１２の回転双曲線正接函数面に当たり管
軸１０に対して直角に反射される。反射された電子ビー
ムは上記回転双曲線正接面数面に再び当ると、光導電膜
ターゲット方向に反射されるが、その軌道１１は戻すビ
ーム８の軌道をちょうど管軸に対し、て折り返した形に
なる。従って、電子ビームは戻された位ｒとちょうど管
軸をはさんで反対側の位置に到達するから、走査領域の
外の領域Ｂへ飛び込むことはない。
上述のように本実施例では、光導電膜ターゲットに対向
し、た面を回転双曲線正接函数面にした電極を設けるこ
とにより、反射した電子ビームを全て走査領域Ａ内へ向
かわせ、領域Ｂに反射ビームが入射することによる偽信
号の発生を抑えている。
し、た面を回転双曲線正接函数面にした電極を設けるこ
とにより、反射した電子ビームを全て走査領域Ａ内へ向
かわせ、領域Ｂに反射ビームが入射することによる偽信
号の発生を抑えている。
以上説明したごとく本発明によれば、第３電極Ｆ３に回
転双曲線正接面数の戻りビーム反射面を設け、反射ビー
ムが走査域の外へ飛び込むことを防ぎ、反射ビームが走
査領域外へ当たることによる余計な偽信号をなくすこと
ができ、撮像管の画なお、本発明はここで示した２つの
電極で構成される集束レンズを用いた撮像管に限らず、
一般に良く知られた３つ以上の円筒電極で構成された集
束１ノンズを用いた扱＃！管に適用できることは言うま
でもない。
転双曲線正接面数の戻りビーム反射面を設け、反射ビー
ムが走査域の外へ飛び込むことを防ぎ、反射ビームが走
査領域外へ当たることによる余計な偽信号をなくすこと
ができ、撮像管の画なお、本発明はここで示した２つの
電極で構成される集束レンズを用いた撮像管に限らず、
一般に良く知られた３つ以上の円筒電極で構成された集
束１ノンズを用いた扱＃！管に適用できることは言うま
でもない。
第１ｒＡは従来のｅ電集束型撮像管の断面図、第２図は
本発明によ−る撮像管の実施例を示す電極断面図である
。
本発明によ−る撮像管の実施例を示す電極断面図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、陰極と第１電極とビーム電流を制限するビーム制限
孔をその上に設けた第２電極とを有する電子ビーム発生
部と、第３電極に続く複数個の電極により形成される電
子ビーム集束レンズ部と、メツシュ電極と光導電膜ター
ゲットを有し。 上記第３堪柩に光導電膜ターゲット側から陰極へ向かう
戻りビームの反射面として回転双曲線正接面数で表わさ
れる曲面を具備した電極を有してなることを特徴とする
撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5214784A JPS60198038A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5214784A JPS60198038A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198038A true JPS60198038A (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=12906759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5214784A Pending JPS60198038A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198038A (ja) |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP5214784A patent/JPS60198038A/ja active Pending
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