JPH0770371B2 - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPH0770371B2 JPH0770371B2 JP60165258A JP16525885A JPH0770371B2 JP H0770371 B2 JPH0770371 B2 JP H0770371B2 JP 60165258 A JP60165258 A JP 60165258A JP 16525885 A JP16525885 A JP 16525885A JP H0770371 B2 JPH0770371 B2 JP H0770371B2
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- JP
- Japan
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- resistance film
- heating resistance
- film
- thermal head
- heating
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- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は感熱記録を行うために使用されるサーマルヘッ
ドに関するものである。
ドに関するものである。
（従来の技術） サーマルヘッドはファクシミリやプリンタ等の装置の記
録デバイスとして、その装置の小型軽量化、無保守化、
高信頼化、低価格化を大きく促進し、その進長に大きく
寄与している。
録デバイスとして、その装置の小型軽量化、無保守化、
高信頼化、低価格化を大きく促進し、その進長に大きく
寄与している。
従来のサーマルヘッドはアルミナ、ガラス等の電気絶縁
材料から成る基板上に窒化タンタル（Ta2N）から成る発
熱抵抗膜及びアルミニウム（Al），銅（Cu）等から成る
電極を順次積層した構造を有しており、電極を介して発
熱抵抗膜に一定電力を印加し、発熱抵抗膜にジュール発
熱を起こさせることによってサーマルヘッドとして機能
する。
材料から成る基板上に窒化タンタル（Ta2N）から成る発
熱抵抗膜及びアルミニウム（Al），銅（Cu）等から成る
電極を順次積層した構造を有しており、電極を介して発
熱抵抗膜に一定電力を印加し、発熱抵抗膜にジュール発
熱を起こさせることによってサーマルヘッドとして機能
する。
尚、この従来のサーマルヘッドは通常、発熱抵抗膜及び
電極を感熱記録紙もしくは熱転写リボンによる接触摩耗
及び大気中の酸素の接触による酸化から保護するために
発熱抵抗膜及び電極の外表面に酸化シリコン（SiO2）と
五酸化タンタル（Ta2O5）の二層構造から成る保護膜あ
るいは酸窒化ケイ素（SiNXOY:X≠0,Y≠０）の一層構造
から成る保護膜が被着形成されている。
電極を感熱記録紙もしくは熱転写リボンによる接触摩耗
及び大気中の酸素の接触による酸化から保護するために
発熱抵抗膜及び電極の外表面に酸化シリコン（SiO2）と
五酸化タンタル（Ta2O5）の二層構造から成る保護膜あ
るいは酸窒化ケイ素（SiNXOY:X≠0,Y≠０）の一層構造
から成る保護膜が被着形成されている。
（発明が解決しようとする問題点） この従来のサーマルヘッドは、発熱抵抗膜を構成する窒
化タンタルの比抵抗が約250μΩcmと比較的小さく、発
熱抵抗膜を瞬時に所望温度に発熱させるためには必然的
に発熱抵抗膜の膜厚を50Å程度に薄くするか、膜の幅を
細くして抵抗値を大としなければならない。しかし乍
ら、ライン型サーマルヘッドの如き多数の発熱抵抗膜を
有するサーマルヘッドにおいてはすべての発熱抵抗膜を
同一膜厚、同一膜幅とすることは極めて困難で、各発熱
抵抗膜はその抵抗値にバラツキを有するものとなり、そ
の結果、各発熱抵抗膜のジュール発熱量に差異を生じて
印字不良を発生するという欠点を有していた。
化タンタルの比抵抗が約250μΩcmと比較的小さく、発
熱抵抗膜を瞬時に所望温度に発熱させるためには必然的
に発熱抵抗膜の膜厚を50Å程度に薄くするか、膜の幅を
細くして抵抗値を大としなければならない。しかし乍
ら、ライン型サーマルヘッドの如き多数の発熱抵抗膜を
有するサーマルヘッドにおいてはすべての発熱抵抗膜を
同一膜厚、同一膜幅とすることは極めて困難で、各発熱
抵抗膜はその抵抗値にバラツキを有するものとなり、そ
の結果、各発熱抵抗膜のジュール発熱量に差異を生じて
印字不良を発生するという欠点を有していた。
また、この従来のサーマルヘッドは発熱抵抗膜の材料で
ある窒化タンタルと電極の材料であるアルミニウム、銅
等となじみが悪いため、発熱抵抗膜と電極の接合強度が
極めて弱く、作動時等に外力が印加されると電極が発熱
抵抗膜より容易に剥離し、発熱抵抗膜に規定電力を印加
できなくなる。そのため、このサーマルヘッドでは発熱
抵抗膜を所望温度にジュール発熱させることができずサ
ーマルヘッドとして機能しなかったり、印字不良を発生
したりするという欠点も有していた。
ある窒化タンタルと電極の材料であるアルミニウム、銅
等となじみが悪いため、発熱抵抗膜と電極の接合強度が
極めて弱く、作動時等に外力が印加されると電極が発熱
抵抗膜より容易に剥離し、発熱抵抗膜に規定電力を印加
できなくなる。そのため、このサーマルヘッドでは発熱
抵抗膜を所望温度にジュール発熱させることができずサ
ーマルヘッドとして機能しなかったり、印字不良を発生
したりするという欠点も有していた。
（発明の目的） 本発明者等は上述の諸欠点に鑑み種々実験した結果、発
熱抵抗膜としてTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜
Ｚ≦２）を用い、かつ該発熱抵抗膜に通電する電極とし
て活性な金属材料であるアルミニウムを用いることによ
り極めて比抵抗の高い発熱抵抗膜を得ることができると
ともに電極の材料であるアルミニウムと極めてなじみが
よく発熱抵抗膜と電極とを強固に接合させることがで
き、更には発熱抵抗膜の結晶化による抵抗値の変化及び
発熱抵抗膜の熱損を有効に防止し得ることを知見するに
至った。
熱抵抗膜としてTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜
Ｚ≦２）を用い、かつ該発熱抵抗膜に通電する電極とし
て活性な金属材料であるアルミニウムを用いることによ
り極めて比抵抗の高い発熱抵抗膜を得ることができると
ともに電極の材料であるアルミニウムと極めてなじみが
よく発熱抵抗膜と電極とを強固に接合させることがで
き、更には発熱抵抗膜の結晶化による抵抗値の変化及び
発熱抵抗膜の熱損を有効に防止し得ることを知見するに
至った。
本発明は上記知見に基づき、発熱抵抗膜の材料として比
抵抗が大きく、かつ電極となじみがよい材料を用いるこ
とによって印字ムラを解消するとともに長期間にわたっ
て安定した印字が得られる信頼性の高いサーマルヘッド
を提供することをその目的とするものである。
抵抗が大きく、かつ電極となじみがよい材料を用いるこ
とによって印字ムラを解消するとともに長期間にわたっ
て安定した印字が得られる信頼性の高いサーマルヘッド
を提供することをその目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明のサーマルヘッドは、絶縁基板上にTaXSiNYO
Z（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）から成る発熱抵
抗膜と、該発熱抵抗膜に通電すべくアルミニウムから成
る電極とを具備して成ることを特徴とするものである。
Z（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）から成る発熱抵
抗膜と、該発熱抵抗膜に通電すべくアルミニウムから成
る電極とを具備して成ることを特徴とするものである。
本発明のサーマルヘッドの発熱抵抗膜に使用されるタン
タル（Ta）は発熱抵抗膜に導電性を付与し、所定の比抵
抗をもたすための成分であり、Taの原子比であるＸ値が
Ｘ≦１であると所望の前記性質は付与されず、またＸ≧
９であると発熱抵抗膜の比抵抗が小となり発熱抵抗膜を
所望の温度に発熱させることができないことからＸ値は
１＜Ｘ＜９の範囲に特定される。
タル（Ta）は発熱抵抗膜に導電性を付与し、所定の比抵
抗をもたすための成分であり、Taの原子比であるＸ値が
Ｘ≦１であると所望の前記性質は付与されず、またＸ≧
９であると発熱抵抗膜の比抵抗が小となり発熱抵抗膜を
所望の温度に発熱させることができないことからＸ値は
１＜Ｘ＜９の範囲に特定される。
また、窒素（Ｎ）は発熱抵抗膜の結晶化を抑制するため
の成分であり、Ｎの原子比であるＹ値がＹ≦３であると
所望の前記性質は付与されず、またＹ≧８であると発熱
抵抗膜の耐電力性が劣化し：発熱抵抗膜に電力が印加さ
れると、該抵抗膜が熱損し、サーマルヘッドとしての機
能を喪失することからＹ値は３＜Ｙ＜８の範囲に特定さ
れる。
の成分であり、Ｎの原子比であるＹ値がＹ≦３であると
所望の前記性質は付与されず、またＹ≧８であると発熱
抵抗膜の耐電力性が劣化し：発熱抵抗膜に電力が印加さ
れると、該抵抗膜が熱損し、サーマルヘッドとしての機
能を喪失することからＹ値は３＜Ｙ＜８の範囲に特定さ
れる。
更に、酸素（Ｏ）は発熱抵抗膜とアルミニウムから成る
電極との密着性を向上させるための成分であり、Ｏの原
子比であるＺ値がＺ≦0.3であると所望の前記性質は付
与されず、またＺ＞２であると発熱抵抗膜に電力が印加
されると該抵抗膜が熱損し、サーマルヘッドとしての機
能を喪失することからＺ値は0.3＜Ｚ≦２の範囲に特定
される。
電極との密着性を向上させるための成分であり、Ｏの原
子比であるＺ値がＺ≦0.3であると所望の前記性質は付
与されず、またＺ＞２であると発熱抵抗膜に電力が印加
されると該抵抗膜が熱損し、サーマルヘッドとしての機
能を喪失することからＺ値は0.3＜Ｚ≦２の範囲に特定
される。
尚、シリコン（Si）はTaとＮとＯの化合物の比抵抗が高
温時にバラツキを生じ、発熱抵抗膜の発熱温度が不安定
となるのを防止する成分である。
温時にバラツキを生じ、発熱抵抗膜の発熱温度が不安定
となるのを防止する成分である。
（実施例） 次に、本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明のサーマルヘッドの一実施例を示し、１
はアルミナ等の電気絶縁材料から成る基板である。
はアルミナ等の電気絶縁材料から成る基板である。
前記絶縁基板１上には発熱抵抗膜２が取着されており、
該発熱抵抗膜２上には電極３が取着されている。
該発熱抵抗膜２上には電極３が取着されている。
前記発熱抵抗膜２はTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.
3＜Ｚ≦２）から成り、該発熱抵抗膜２はシリコン（S
i）に対するタンタル（Ta）と窒素（Ｎ）と酸素（Ｏ）
の原子比を変更することによって発熱抵抗膜２の比抵抗
を1000〜5000μΩcmとなすことができる。
3＜Ｚ≦２）から成り、該発熱抵抗膜２はシリコン（S
i）に対するタンタル（Ta）と窒素（Ｎ）と酸素（Ｏ）
の原子比を変更することによって発熱抵抗膜２の比抵抗
を1000〜5000μΩcmとなすことができる。
前記発熱抵抗膜２は所定の電気抵抗を有しているため一
定の電力が印加された場合、ジュール発熱を起こし印字
に必要な温度、例えば300〜500℃の温度に発熱する。
定の電力が印加された場合、ジュール発熱を起こし印字
に必要な温度、例えば300〜500℃の温度に発熱する。
尚、前記発熱抵抗膜２の比抵抗はTaxSiNyOzのＸ値、Ｙ
値及びＺ値を変えることによって任意の値に調整するこ
とができるため発熱抵抗膜２の発熱温度を所望の値に調
整でき、サーマルヘッドの適用範囲を広くすることが可
能となる。
値及びＺ値を変えることによって任意の値に調整するこ
とができるため発熱抵抗膜２の発熱温度を所望の値に調
整でき、サーマルヘッドの適用範囲を広くすることが可
能となる。
また、前記発熱抵抗膜２は、該抵抗膜２を構成するTaxS
iNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）の比抵抗が1
000〜5000μΩcmと大きいことから、膜厚を薄くするこ
とによって抵抗膜２の抵抗値を上げる必要は一切なく、
すべての発熱抵抗膜２の膜厚を実質的に均一となし得る
厚みとなすことができる。これによってすべての発熱抵
抗膜２はその抵抗値が実質的に同一となり、各抵抗膜２
のジュール発熱量を均等として印字品質を極めて優れた
ものとなすことが可能となる。特に、発熱抵抗膜２の膜
厚を200〜1000Åとしておくとすべての発熱抵抗膜２の
膜厚を均一として各発熱抵抗膜２が発生するジュール発
熱量を実質的に同一となすことができることから膜厚は
200〜1000Åの範囲とすることが好ましい。
iNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）の比抵抗が1
000〜5000μΩcmと大きいことから、膜厚を薄くするこ
とによって抵抗膜２の抵抗値を上げる必要は一切なく、
すべての発熱抵抗膜２の膜厚を実質的に均一となし得る
厚みとなすことができる。これによってすべての発熱抵
抗膜２はその抵抗値が実質的に同一となり、各抵抗膜２
のジュール発熱量を均等として印字品質を極めて優れた
ものとなすことが可能となる。特に、発熱抵抗膜２の膜
厚を200〜1000Åとしておくとすべての発熱抵抗膜２の
膜厚を均一として各発熱抵抗膜２が発生するジュール発
熱量を実質的に同一となすことができることから膜厚は
200〜1000Åの範囲とすることが好ましい。
前記発熱抵抗膜２上の電極３は活性な金属材料であるア
ルミニウム（Al）から成り、該電極３は発熱抵抗膜２に
ジュール発熱を起こさせるための電力を印加する。
ルミニウム（Al）から成り、該電極３は発熱抵抗膜２に
ジュール発熱を起こさせるための電力を印加する。
前記発熱抵抗膜２の材料であるTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3
＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）は電極３の材料であるアルミニ
ウム（Al）と極めてなじみが良く、両者は強固に接合す
ることから作動時等において外力が印加されたとしても
発熱抵抗膜２と電極３との間には剥離を発生することは
ない。
＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）は電極３の材料であるアルミニ
ウム（Al）と極めてなじみが良く、両者は強固に接合す
ることから作動時等において外力が印加されたとしても
発熱抵抗膜２と電極３との間には剥離を発生することは
ない。
尚、前記TaxSiNyOzから成る発熱抵抗膜２はＸ値を３〜
７、Ｙ値を４〜６、Ｚ値を0.6〜1.5とすると発熱抵抗膜
２のジュール発熱温度が約400℃となり、印字品質が極
めて良好となるとともに電極３との接合強度も極めて大
となることからＸ値は３〜７に、Ｙ値は４〜６に、Ｚ値
は0.6〜1.5にすることが好ましい。
７、Ｙ値を４〜６、Ｚ値を0.6〜1.5とすると発熱抵抗膜
２のジュール発熱温度が約400℃となり、印字品質が極
めて良好となるとともに電極３との接合強度も極めて大
となることからＸ値は３〜７に、Ｙ値は４〜６に、Ｚ値
は0.6〜1.5にすることが好ましい。
また、前記発熱抵抗膜２及び電極３上には該発熱抵抗膜
２等が感熱紙との接触により摩耗するのを防止するため
に耐摩耗性に優れた五酸化タンタル（Ta2O5）等から成
る保護膜４が形成されている。
２等が感熱紙との接触により摩耗するのを防止するため
に耐摩耗性に優れた五酸化タンタル（Ta2O5）等から成
る保護膜４が形成されている。
前記発熱抵抗膜２は後述するスパッタリング法あるいは
電子ビーム蒸着法によって形成され、また電極３及び保
護膜４は従来周知の真空蒸着法あるいはスパッタリング
法によって形成される。
電子ビーム蒸着法によって形成され、また電極３及び保
護膜４は従来周知の真空蒸着法あるいはスパッタリング
法によって形成される。
次に、本発明のサーマルヘッドにおける発熱抵抗膜の形
成方法について詳述する。
成方法について詳述する。
本発明のサーマルヘッドにおける発熱抵抗膜２は高周波
スパッタリング法により形成され、具体的には第２図に
示すような高周波スパッタリング装置を使用することに
より形成される。この高周波スパッタリング装置は真空
容器11内に２つの陰極12a,12bと陽極13を配した構造を
有している。
スパッタリング法により形成され、具体的には第２図に
示すような高周波スパッタリング装置を使用することに
より形成される。この高周波スパッタリング装置は真空
容器11内に２つの陰極12a,12bと陽極13を配した構造を
有している。
前記高周波スパッタリング装置により発熱抵抗膜２を形
成するには、まず２つの電極12a,12bのそれぞれに第１
表で示す組成から成るターゲット14,15を取着するとと
もに陽極13に絶縁基板１を取着する。次に、真空容器11
内の真空度を10-2〜10-3Torrとするともにアルゴンガス
もしくはO2，N2を含むアルゴンガスを充填し、陰極12a,
12bと陽極13間に、高周波電力（5MHz,3KW）を印加して
アルゴンイオン，酸素イオン及び窒素イオンを放出させ
る。そしてこのアルゴンイオン等をターゲット14,15に
衝突させ、該ターゲット14及び15の一部を飛散させてTa
xSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）を生成
し、絶縁基板１表面に被着させる。これによって絶縁基
板１上に発熱抵抗膜２が被着形成される。
成するには、まず２つの電極12a,12bのそれぞれに第１
表で示す組成から成るターゲット14,15を取着するとと
もに陽極13に絶縁基板１を取着する。次に、真空容器11
内の真空度を10-2〜10-3Torrとするともにアルゴンガス
もしくはO2，N2を含むアルゴンガスを充填し、陰極12a,
12bと陽極13間に、高周波電力（5MHz,3KW）を印加して
アルゴンイオン，酸素イオン及び窒素イオンを放出させ
る。そしてこのアルゴンイオン等をターゲット14,15に
衝突させ、該ターゲット14及び15の一部を飛散させてTa
xSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）を生成
し、絶縁基板１表面に被着させる。これによって絶縁基
板１上に発熱抵抗膜２が被着形成される。
尚、前記高周波スパッタリング法等により発熱抵抗膜を
絶縁基板表面に形成する場合、基板の温度を200〜500℃
の温度となるように加熱しておくと基板と発熱抵抗膜と
の密着性を向上せしめることが可能となり、基板を200
〜500℃の温度に加熱しておくことが望ましい。また発
熱抵抗膜の成膜速度は通常、100Å/min程度で行われ
る。
絶縁基板表面に形成する場合、基板の温度を200〜500℃
の温度となるように加熱しておくと基板と発熱抵抗膜と
の密着性を向上せしめることが可能となり、基板を200
〜500℃の温度に加熱しておくことが望ましい。また発
熱抵抗膜の成膜速度は通常、100Å/min程度で行われ
る。
次に、本発明の実施例品及び従来例品の各種実験結果に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、第１図に示す断面のサーマルヘッドにおいて下記
第２表に示す組成の抵抗体を使用して、幅100μｍ、長
さ200μｍ、抵抗値1000Ωの発熱抵抗膜試料を作成し
た。
第２表に示す組成の抵抗体を使用して、幅100μｍ、長
さ200μｍ、抵抗値1000Ωの発熱抵抗膜試料を作成し
た。
これら各試料についてパルス幅1.0ms,パルス周期10msで
発熱抵抗膜の表面温度が500℃となるように1.0〔W/do
t〕の電力を印加し、感熱紙への実印字寿命試験を行っ
た。その結果を第３図に示す。
発熱抵抗膜の表面温度が500℃となるように1.0〔W/do
t〕の電力を印加し、感熱紙への実印字寿命試験を行っ
た。その結果を第３図に示す。
この結果から、窒化タンタル（Ta2N）を発熱抵抗膜とす
る従来品は感熱紙を約70km連続走行給紙させた時に電極
との間に剥離を発生し、サーマルヘッドとしての機能を
喪失してしまうのに対し、本発明組成範囲のTaxSiNyOz
を発熱抵抗膜として使用したものは感熱紙を150km以上
連続走行給紙させても電極との間に剥離を生じることは
なく、抵抗値の変化率４％以内として極めて安定した印
字を可能としている。
る従来品は感熱紙を約70km連続走行給紙させた時に電極
との間に剥離を発生し、サーマルヘッドとしての機能を
喪失してしまうのに対し、本発明組成範囲のTaxSiNyOz
を発熱抵抗膜として使用したものは感熱紙を150km以上
連続走行給紙させても電極との間に剥離を生じることは
なく、抵抗値の変化率４％以内として極めて安定した印
字を可能としている。
また、上記各試料についてパルス幅1.0ms,パルス周期10
msでステップストレステストも行った。その結果を第４
図に示す。
msでステップストレステストも行った。その結果を第４
図に示す。
この結果から従来品である窒化タンタル（Ta2N）を発熱
抵抗膜として使用したものは1.4〔W/dot〕の印化電力で
抵抗値に大きなバラツキを生じ、印字品質が低下してし
まうのに対し、本発明組成範囲内のTaxSiNyOzを使用し
たものは1.7〔W/dot〕の印加電力まで抵抗値に大きな変
化はなく、印字品質を高いものになし得ることが判る。
抵抗膜として使用したものは1.4〔W/dot〕の印化電力で
抵抗値に大きなバラツキを生じ、印字品質が低下してし
まうのに対し、本発明組成範囲内のTaxSiNyOzを使用し
たものは1.7〔W/dot〕の印加電力まで抵抗値に大きな変
化はなく、印字品質を高いものになし得ることが判る。
（発明の効果） かくして、本発明のサーマルヘッドによれば発熱抵抗膜
の材料として比抵抗の高いTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ
＜8,0.3＜Ｚ≦２）を用いたことにより発熱抵抗膜の抵
抗値を膜厚を薄くしたり、膜幅を細くしたりすることな
く大となすことができ、膜厚を均一として、すべての発
熱抵抗膜の抵抗値を実質的に同一となし、印字濃度にバ
ラツキのない極めて高印字品質のサーマルヘッドが得ら
れる。
の材料として比抵抗の高いTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ
＜8,0.3＜Ｚ≦２）を用いたことにより発熱抵抗膜の抵
抗値を膜厚を薄くしたり、膜幅を細くしたりすることな
く大となすことができ、膜厚を均一として、すべての発
熱抵抗膜の抵抗値を実質的に同一となし、印字濃度にバ
ラツキのない極めて高印字品質のサーマルヘッドが得ら
れる。
また、本発明のサーマルヘッドによれば、発熱抵抗膜の
材料としてアルミニウムから成る電極と極めてなじみが
よいTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）を
用いたことから発熱抵抗膜と電極とを強固に接合させる
ことができ、更には発熱抵抗膜の結晶化による抵抗値の
変化及び発熱抵抗膜の熱損を有効に防止することができ
る。そのため作動時等に外力が印加されても電極は発熱
抵抗膜から剥離することが一切なく、常に発熱抵抗膜に
規定電力を印加し、全ての発熱抵抗膜を所定温度にジュ
ール発熱させることができる。よって長期間にわたり安
定した印字が可能となる。
材料としてアルミニウムから成る電極と極めてなじみが
よいTaxSiNyOz（１＜Ｘ＜9,3＜Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）を
用いたことから発熱抵抗膜と電極とを強固に接合させる
ことができ、更には発熱抵抗膜の結晶化による抵抗値の
変化及び発熱抵抗膜の熱損を有効に防止することができ
る。そのため作動時等に外力が印加されても電極は発熱
抵抗膜から剥離することが一切なく、常に発熱抵抗膜に
規定電力を印加し、全ての発熱抵抗膜を所定温度にジュ
ール発熱させることができる。よって長期間にわたり安
定した印字が可能となる。
第１図は本発明のサーマルヘッドの要部断面図、第２図
は本発明のサーマルヘッドにおいて発熱抵抗膜を形成す
るための高周波スパッタリング装置の断面図、第３図は
本発明実施例品及び従来例品の実印字寿命テストの結果
を示す特性図、第４図は本発明実施例品及び従来例品の
ステップストレステストの結果を示す特性図である。 １……絶縁基板、２……発熱抵抗膜 ３……電極
は本発明のサーマルヘッドにおいて発熱抵抗膜を形成す
るための高周波スパッタリング装置の断面図、第３図は
本発明実施例品及び従来例品の実印字寿命テストの結果
を示す特性図、第４図は本発明実施例品及び従来例品の
ステップストレステストの結果を示す特性図である。 １……絶縁基板、２……発熱抵抗膜 ３……電極
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に、TaXSiNYOZ（１＜Ｘ＜9,3＜
Ｙ＜8,0.3＜Ｚ≦２）から成る発熱抵抗膜と、該発熱抵
抗膜に通電すべくアルミニウムから成る電極とを具備し
て成るサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165258A JPH0770371B2 (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165258A JPH0770371B2 (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225401A JPS6225401A (ja) | 1987-02-03 |
| JPH0770371B2 true JPH0770371B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15808901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165258A Expired - Fee Related JPH0770371B2 (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770371B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150575A (en) * | 1980-07-11 | 1981-11-21 | Toshiba Corp | Production of thin film thermal head |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60165258A patent/JPH0770371B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6225401A (ja) | 1987-02-03 |
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