JPS63122573A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS63122573A JPS63122573A JP61270524A JP27052486A JPS63122573A JP S63122573 A JPS63122573 A JP S63122573A JP 61270524 A JP61270524 A JP 61270524A JP 27052486 A JP27052486 A JP 27052486A JP S63122573 A JPS63122573 A JP S63122573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resistor
- electrode
- heating resistor
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、熱印字記録装置に用いられるサーマルヘッド
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
一般に、サーマルヘッドは例えばガラスグレーズ処理し
たセラミック基板上に多数の発熱抵抗体とこれらの発熱
抵抗体に電力を供給するための電気導体とを配設して形
成されている。そして、記録すべき情報にしたがって必
要な発熱抵抗体に電流を流して発熱させ、記録媒体にそ
の熱量を与えて記録を行っているものである。
たセラミック基板上に多数の発熱抵抗体とこれらの発熱
抵抗体に電力を供給するための電気導体とを配設して形
成されている。そして、記録すべき情報にしたがって必
要な発熱抵抗体に電流を流して発熱させ、記録媒体にそ
の熱量を与えて記録を行っているものである。
しかして、熱印字記録装置としては、感熱紙を用いる形
式のもの、インクリボンを用いて普通紙にインクを熱転
写する形式のもの、昇華性染料を用いてインク蒸気によ
り記録する形式のもの等の種々のものが存する。これら
の熱印字記録装置において、高密度化、カラー化、多重
記録化、階調記録化等が進んでいる。このような高機能
化のためには、サーマルヘッドの高速化が必要なもので
ある。このサーマルヘッドの高速化の為には、ヘッドの
発熱抵抗体への通電時間を短くして印加電圧を増大し、
ヘッド温度を高温にしなければなら ２ないものである
。
式のもの、インクリボンを用いて普通紙にインクを熱転
写する形式のもの、昇華性染料を用いてインク蒸気によ
り記録する形式のもの等の種々のものが存する。これら
の熱印字記録装置において、高密度化、カラー化、多重
記録化、階調記録化等が進んでいる。このような高機能
化のためには、サーマルヘッドの高速化が必要なもので
ある。このサーマルヘッドの高速化の為には、ヘッドの
発熱抵抗体への通電時間を短くして印加電圧を増大し、
ヘッド温度を高温にしなければなら ２ないものである
。
しかしながら、従来の一般のサーマルヘッドは第２図に
示す構造のものであり、前述の高速化の要望に応えるこ
とができないものである。すなわち、アルミナ基板ｌの
表面にガラスグレーズ層２が形成され、このガラスグレ
ーズ層２の上に発熱抵抗体Ｍ３が形成されている。この
発熱抵抗体層３は一般にＮ ｉ Ｃｒ、Ｔ ａ、−Ｎ、
Ｃｒ−５Ｌ−０等が用いられている。このような発熱
抵抗体層３の上にＣｒ層４及びＡｕ層５等の２層構造よ
りなる電極層６が形成され、この電極層６の上にはＳｉ
Ｏ３等よりなる酸化防止層７とＴａ、Ｏ６等による耐摩
耗層８とが順次積層されている。
示す構造のものであり、前述の高速化の要望に応えるこ
とができないものである。すなわち、アルミナ基板ｌの
表面にガラスグレーズ層２が形成され、このガラスグレ
ーズ層２の上に発熱抵抗体Ｍ３が形成されている。この
発熱抵抗体層３は一般にＮ ｉ Ｃｒ、Ｔ ａ、−Ｎ、
Ｃｒ−５Ｌ−０等が用いられている。このような発熱
抵抗体層３の上にＣｒ層４及びＡｕ層５等の２層構造よ
りなる電極層６が形成され、この電極層６の上にはＳｉ
Ｏ３等よりなる酸化防止層７とＴａ、Ｏ６等による耐摩
耗層８とが順次積層されている。
このような構造のサーマルヘッドにおいて、酸化防止層
７が設けられてはいるものの、その酸化防止機能は充分
ではなく、高速印字を行うと発熱抵抗体層３のＮｉＣｒ
、Ｔａ、−Ｎ、Ｃｒ−３Ｌ−０等が酸化し、抵抗値が増
大すると云う欠点を有する。
７が設けられてはいるものの、その酸化防止機能は充分
ではなく、高速印字を行うと発熱抵抗体層３のＮｉＣｒ
、Ｔａ、−Ｎ、Ｃｒ−３Ｌ−０等が酸化し、抵抗値が増
大すると云う欠点を有する。
二のようなことから本発明者等の研究により、酸化防止
層の性能とは別個に発熱抵抗体層の材質に着目し、Ｒｕ
Ｏ２系の薄膜抵抗体が耐酸化性を有し、高温における高
速駆動が可能であることが見出された。その具体的な構
造としては、第３図に示すようにガラスグレーズ層２を
有するアルミナ基板１にＲｕｂ、系の薄膜抵抗体による
発熱抵抗体層９と電極層６と耐摩耗層８とを順次積層し
て形成しているものである。
層の性能とは別個に発熱抵抗体層の材質に着目し、Ｒｕ
Ｏ２系の薄膜抵抗体が耐酸化性を有し、高温における高
速駆動が可能であることが見出された。その具体的な構
造としては、第３図に示すようにガラスグレーズ層２を
有するアルミナ基板１にＲｕｂ、系の薄膜抵抗体による
発熱抵抗体層９と電極層６と耐摩耗層８とを順次積層し
て形成しているものである。
発明が解決しようとする問題点
このようにＲｕｂ、系の薄膜抵抗体による発熱抵抗体層
９を用いることにより発熱抵抗体Ｍ９自体の耐酸化性は
向上し、これにより、酸化防止層７を不用として耐摩耗
Ｍ８のみを設ければ良いものであるが、このような構造
においては別に新たな問題が生じてきた。すなわち、電
極層６は通常、前述のようにＣｒとＡｕとの２層構造で
あることが一般的であるが、Ｒｕｂ、系の薄膜抵抗体の
上にＣｒ層を接触させて積層すると、経時的に抵抗値が
増大してしまうという状態が発生した。その原因は高温
時においては、ＣｒとＲｕｂ、系の薄膜抵抗体とが反応
を起すためと考えられる。
９を用いることにより発熱抵抗体Ｍ９自体の耐酸化性は
向上し、これにより、酸化防止層７を不用として耐摩耗
Ｍ８のみを設ければ良いものであるが、このような構造
においては別に新たな問題が生じてきた。すなわち、電
極層６は通常、前述のようにＣｒとＡｕとの２層構造で
あることが一般的であるが、Ｒｕｂ、系の薄膜抵抗体の
上にＣｒ層を接触させて積層すると、経時的に抵抗値が
増大してしまうという状態が発生した。その原因は高温
時においては、ＣｒとＲｕｂ、系の薄膜抵抗体とが反応
を起すためと考えられる。
このような経時的な抵抗値の変動は、所望の発熱量を得
ることが困難となり、サーマルヘッドの正常な動作を期
待することができないと云う問題がある。
ることが困難となり、サーマルヘッドの正常な動作を期
待することができないと云う問題がある。
さらに、種々検討した結果、ＮｉがＲｕｂ、系薄膜抵抗
体と反応がなく、高温で安定であることが確認された。
体と反応がなく、高温で安定であることが確認された。
したがって、Ｎｉを使用することが好ましいと判断され
る。しかしながら、ＮｉはＲｕｂ、系薄膜抵抗体と密着
性が悪く、印字中にＮｉ電極層が剥離すると云う問題が
ある。この場合、電極形成後に熱処理をして密着性を強
化しても十分な密着性を得ることができず、その工程も
複雑化する欠点を有する。
る。しかしながら、ＮｉはＲｕｂ、系薄膜抵抗体と密着
性が悪く、印字中にＮｉ電極層が剥離すると云う問題が
ある。この場合、電極形成後に熱処理をして密着性を強
化しても十分な密着性を得ることができず、その工程も
複雑化する欠点を有する。
問題点を解決するための手段
基板上に発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次積層し
て形成したサーマルヘッドにおいて、酸化ルテニウムを
第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱抵抗体層
を形成し、前記電極層の少なくとも一部を前記発熱抵抗
体層の上に直接積層されたＮｉを主成分とする合金層と
する。
て形成したサーマルヘッドにおいて、酸化ルテニウムを
第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱抵抗体層
を形成し、前記電極層の少なくとも一部を前記発熱抵抗
体層の上に直接積層されたＮｉを主成分とする合金層と
する。
作用
酸化ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物により
形成された発熱抵抗体層にＮｉを主成分とする合金層が
接触して積層されているため、高温のもとにおいても両
者が反応することがなく、これにより、経時的な抵抗変
化が低減され、しがも、電極層が剥離する問題もなく、
長時間にわたっての信頼性が向上するものである。なお
、Ｎｉとの合金を作る金属としては、Ａ１、Ｔｉ、Ｃｕ
、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ等が適用される。
形成された発熱抵抗体層にＮｉを主成分とする合金層が
接触して積層されているため、高温のもとにおいても両
者が反応することがなく、これにより、経時的な抵抗変
化が低減され、しがも、電極層が剥離する問題もなく、
長時間にわたっての信頼性が向上するものである。なお
、Ｎｉとの合金を作る金属としては、Ａ１、Ｔｉ、Ｃｕ
、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ等が適用される。
しかして、Ｎｉを主成分とする合金層の形成は、通常用
いられる抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ
リング法等によるものである。そして、Ｎｉを主成分と
する合金層の厚さは余り厚いと発熱抵抗体で生じた熱が
逃げてしまい、効率が悪いヘッドとなる。また、Ｎｉを
主成分とする合金層の厚さが余り薄いと電極のリード抵
抗が高くなって実際に発熱抵抗体に印加される電力が小
さくなり、余計に電力を印加しなければならず、効率が
悪くなってしまうものである。したがって、その厚さに
ついて見れば、１００人〜３０００人がよく、さらに好
ましくは５００人〜１５００人がよい。
いられる抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ
リング法等によるものである。そして、Ｎｉを主成分と
する合金層の厚さは余り厚いと発熱抵抗体で生じた熱が
逃げてしまい、効率が悪いヘッドとなる。また、Ｎｉを
主成分とする合金層の厚さが余り薄いと電極のリード抵
抗が高くなって実際に発熱抵抗体に印加される電力が小
さくなり、余計に電力を印加しなければならず、効率が
悪くなってしまうものである。したがって、その厚さに
ついて見れば、１００人〜３０００人がよく、さらに好
ましくは５００人〜１５００人がよい。
また、Ｒｕｂ、系の薄膜抵抗体は、Ｒｕｂ、の他に多種
の添加成分を加えてもよい。Ｒｕ Ｏ，は単独の場合に
比べＭ （Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれた少なくとも一
種）の酸化物と併用することにより耐湿性が増す。実質
的にＭ ／ Ｒｕ ＝ １であれば、ＣａＲｕ０．．５
ｒＲｕＯ，、ＢａＲｕ０．等の安定な構造となる。しか
して、多少比率がずれても問題はないが、Ｍの酸化物が
Ｍ ／ Ｒｕの比率で０．６より少なくなると、析出す
るＲｕｂ、の影響で耐湿性が劣化し、Ｍ ／ Ｒｕの比
率で２より多くなると抵抗値が高くなって負の抵抗温度
係数を有するようになり、また、Ｍ ／ Ｒｕの比率で
４以上では絶縁体に近くなる。従って、Ｍ／Ｒｕは０．
８〜２の範囲であることが望ましい。
の添加成分を加えてもよい。Ｒｕ Ｏ，は単独の場合に
比べＭ （Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれた少なくとも一
種）の酸化物と併用することにより耐湿性が増す。実質
的にＭ ／ Ｒｕ ＝ １であれば、ＣａＲｕ０．．５
ｒＲｕＯ，、ＢａＲｕ０．等の安定な構造となる。しか
して、多少比率がずれても問題はないが、Ｍの酸化物が
Ｍ ／ Ｒｕの比率で０．６より少なくなると、析出す
るＲｕｂ、の影響で耐湿性が劣化し、Ｍ ／ Ｒｕの比
率で２より多くなると抵抗値が高くなって負の抵抗温度
係数を有するようになり、また、Ｍ ／ Ｒｕの比率で
４以上では絶縁体に近くなる。従って、Ｍ／Ｒｕは０．
８〜２の範囲であることが望ましい。
このようなＲｕｂ、系の薄膜抵抗体による発熱抵抗体層
の形成は、酸化物をターゲットとしたスパッタリング法
、金属をターゲットとしてスパッタ中に酸化させる、所
謂、反応性スパッタリング法、抵抗加熱や電子ビームに
よる蒸着法等の通常の方法が採用される。
の形成は、酸化物をターゲットとしたスパッタリング法
、金属をターゲットとしてスパッタ中に酸化させる、所
謂、反応性スパッタリング法、抵抗加熱や電子ビームに
よる蒸着法等の通常の方法が採用される。
実施例
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
まず、Ａｌ、Ｏ，等のセラミックによる基板１０上にグ
レーズ層１１を形成し、このグレーズ層１１を洗浄して
その上にＲｕＯ２系の薄膜抵抗体による発熱抵抗体層１
２が形成されている。この発熱抵抗体層１２の上にはリ
ード電極１３とＡｕによるリード層１４との２層構造の
電極層１５が積層され、この電極層１５の上に保護層と
しての耐摩耗層１６が形成されている。
レーズ層１１を形成し、このグレーズ層１１を洗浄して
その上にＲｕＯ２系の薄膜抵抗体による発熱抵抗体層１
２が形成されている。この発熱抵抗体層１２の上にはリ
ード電極１３とＡｕによるリード層１４との２層構造の
電極層１５が積層され、この電極層１５の上に保護層と
しての耐摩耗層１６が形成されている。
これらの各層の作製は次のようにして行われている。ま
ず、ＭＲｕＯ，（ＭはＣａ％ Ｓｒ、Ｂａ）をターゲッ
トとし、ＲＦスパッタリングによりグレーズ層１１が形
成されたアルミナ基板１０上に１０００人着膜した。次
いで、基板温度２２０℃において、Ｎｉ−Ｆｅ重量比で
８５：１５のＮｉ・Ｆｅ １２００人、Ａｕが１μの厚
さを電子ビーム蒸着法により順次形成した。その後、所
謂微細加工技術により１００μ×１２０μサイズの抵抗
体をパターニングした。さらに、耐摩耗層１６としてＡ
ｌ、Ｏ，をＲＦスパッタリングにより５μ厚さに形成し
た。
ず、ＭＲｕＯ，（ＭはＣａ％ Ｓｒ、Ｂａ）をターゲッ
トとし、ＲＦスパッタリングによりグレーズ層１１が形
成されたアルミナ基板１０上に１０００人着膜した。次
いで、基板温度２２０℃において、Ｎｉ−Ｆｅ重量比で
８５：１５のＮｉ・Ｆｅ １２００人、Ａｕが１μの厚
さを電子ビーム蒸着法により順次形成した。その後、所
謂微細加工技術により１００μ×１２０μサイズの抵抗
体をパターニングした。さらに、耐摩耗層１６としてＡ
ｌ、Ｏ，をＲＦスパッタリングにより５μ厚さに形成し
た。
また、比較のために第２図に示す構造で発熱抵抗体層に
ＢａＲｕ０．を１０００人、電極としてＣｒが１２００
人、Ａｕが１μ、耐摩耗層としてＡｌ、Ｏ，を５μのも
のを作製した。
ＢａＲｕ０．を１０００人、電極としてＣｒが１２００
人、Ａｕが１μ、耐摩耗層としてＡｌ、Ｏ，を５μのも
のを作製した。
さらに、従来の一般構造のものとして、第３図に示す構
造で発熱抵抗体層にＴａ、Ｎ を３００人、電極として
Ｃｒが１２００人、Ａｕが１μ、酸化防止層としてＳｉ
ｎ、が２μ、耐摩耗層としてＴａ、Ｏ，を５μのものを
作製した。
造で発熱抵抗体層にＴａ、Ｎ を３００人、電極として
Ｃｒが１２００人、Ａｕが１μ、酸化防止層としてＳｉ
ｎ、が２μ、耐摩耗層としてＴａ、Ｏ，を５μのものを
作製した。
このようなサンプルに対し、始めに、所謂ステップスト
レステストを実施し、抵抗体がどの程度の印加電力に耐
えるか検討した。試験条件はパルス周期３ ｍ５ｅｃ、
パルス幅１ ｍ５ｅｃの繰返し電圧を５０００パルス印
加し、ｌＯワット／ａｍ”づつ増加させると云う方法で
ある。その結果は第１表に示す通りである。
レステストを実施し、抵抗体がどの程度の印加電力に耐
えるか検討した。試験条件はパルス周期３ ｍ５ｅｃ、
パルス幅１ ｍ５ｅｃの繰返し電圧を５０００パルス印
加し、ｌＯワット／ａｍ”づつ増加させると云う方法で
ある。その結果は第１表に示す通りである。
第１表
★はｒｌｏｏ以上」を意味する。
しかして、抵抗変化率が±１０％で寿命であるとすると
、従来一般に用いられているＣｒ、Ａｕ電極では印加電
力が５０Ｗ／ｍｍ” で既に１０％を越えているのに対
し、本実施例では９０Ｗ／ａｍ”を越えても抵抗変化率
は±１０％以下であった。
、従来一般に用いられているＣｒ、Ａｕ電極では印加電
力が５０Ｗ／ｍｍ” で既に１０％を越えているのに対
し、本実施例では９０Ｗ／ａｍ”を越えても抵抗変化率
は±１０％以下であった。
二〇印加電力を高くしても抵抗変化が少ないことは抵抗
体に大きな電力を供給することができ、従って、高速印
字を行うことができるものである。
体に大きな電力を供給することができ、従って、高速印
字を行うことができるものである。
ついで、長時間の安定性を検討した。パルス周期３ ｍ
５ｅｃ、パルス幅１ ｍ５ｅｃの繰返パルスを使用電力
である４０Ｗ／ｍｍ” で印加した。その時の抵抗変化
率を第２表に示す。
５ｅｃ、パルス幅１ ｍ５ｅｃの繰返パルスを使用電力
である４０Ｗ／ｍｍ” で印加した。その時の抵抗変化
率を第２表に示す。
第２表
★はｒｌｏｏ以上」を意味する。
このような試験結果から見て、本実施例に関するものは
抵抗値の変化率が小さく、長時間にわたって安定である
。
抵抗値の変化率が小さく、長時間にわたって安定である
。
また、Ｎｉ−Ｆｅ層に代えてＮｉ合金層として■Ｎｉ、
Ａ１重量比で ９５： ５ ■Ｎｉ、Ｔｉ重量比で ９ｏ：ｌ。
Ａ１重量比で ９５： ５ ■Ｎｉ、Ｔｉ重量比で ９ｏ：ｌ。
■Ｎｉ、Ｃｕ重量比で ９５＝ ５
■Ｎｉ、Ｍｏ重量比で ９０：１０
■Ｎｉ、Ｗ 重量比で ９０：１０
の合金をそれぞれ電子ビーム蒸着法で作製して同様な測
定をしたところ、はぼ同様な結果が得られた。
定をしたところ、はぼ同様な結果が得られた。
なお、電極層としては抵抗体と接する部分がＮｉを主成
分とする合金層であれば、リード抵抗を低減するために
リード引き回し部はＡｕに限らず他の金属、例えばＡｌ
、Ｃｕ等により形成することも可能である。
分とする合金層であれば、リード抵抗を低減するために
リード引き回し部はＡｕに限らず他の金属、例えばＡｌ
、Ｃｕ等により形成することも可能である。
発明の効果
本発明は、上述のように基板上に発熱抵抗体層と電極層
と保護層とを順次積層して形成したサーマルヘッドにお
いて１発熱抵抗体層を酸化ルテニウムを第一の主成分と
する薄膜酸化物により形成したので、発熱抵抗体層自体
の耐酸化が高く、また、電極層の少なくとも一部を前記
発熱抵抗層の上に直接積層されたＮｉを主成分とする合
金層としたので、高温においても発熱抵抗体層と反応す
ることがなく、ヘッドを高速駆動することができ、また
、電極層が剥離することがなく、長期間にわたって抵抗
変化の少ない安定した駆動を行うことができるものであ
る。
と保護層とを順次積層して形成したサーマルヘッドにお
いて１発熱抵抗体層を酸化ルテニウムを第一の主成分と
する薄膜酸化物により形成したので、発熱抵抗体層自体
の耐酸化が高く、また、電極層の少なくとも一部を前記
発熱抵抗層の上に直接積層されたＮｉを主成分とする合
金層としたので、高温においても発熱抵抗体層と反応す
ることがなく、ヘッドを高速駆動することができ、また
、電極層が剥離することがなく、長期間にわたって抵抗
変化の少ない安定した駆動を行うことができるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す一部の縦断側面図、第
２図は従来の一例を示す一部の縦断側面図、第３図は発
熱抵抗体層の材質を酸化ルテニウムに変えた状態の一部
の縦断側面図である。 １０・・・基板、１２・・・発熱抵抗体層、１５・・・
電極層、１６・・・耐摩耗層（保護層） 出 願 人 東京電気株式会社 株式会社 東 芝 −軍 」 図 ３２習□□□建） 、ｌ Ｚ３ ３）０図（ω） 」乙ｑ
２図は従来の一例を示す一部の縦断側面図、第３図は発
熱抵抗体層の材質を酸化ルテニウムに変えた状態の一部
の縦断側面図である。 １０・・・基板、１２・・・発熱抵抗体層、１５・・・
電極層、１６・・・耐摩耗層（保護層） 出 願 人 東京電気株式会社 株式会社 東 芝 −軍 」 図 ３２習□□□建） 、ｌ Ｚ３ ３）０図（ω） 」乙ｑ
Claims (1)
- 基板上に発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次積層し
て形成したサーマルヘツドにおいて、酸化ルテニウムを
第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱抵抗体層
を形成し、前記電極層の少なくとも一部を前記発熱抵抗
体層の上に直接積層されたＮｉを主成分とする合金層と
したことを特徴とするサーマルヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61270524A JPS63122573A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61270524A JPS63122573A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122573A true JPS63122573A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17487421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61270524A Pending JPS63122573A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016054168A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP61270524A patent/JPS63122573A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016054168A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
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