JPH0770373B2 - 積層型チツプバリスタの製造方法 - Google Patents
積層型チツプバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH0770373B2 JPH0770373B2 JP61107101A JP10710186A JPH0770373B2 JP H0770373 B2 JPH0770373 B2 JP H0770373B2 JP 61107101 A JP61107101 A JP 61107101A JP 10710186 A JP10710186 A JP 10710186A JP H0770373 B2 JPH0770373 B2 JP H0770373B2
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- Japan
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- chip varistor
- varistor
- laminated chip
- zinc oxide
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、酸化亜鉛を主成分とする積層型チップバリス
タの製造方法に関するものである。
タの製造方法に関するものである。
従来の技術 酸化亜鉛系バリスタは、電圧非直線抵抗特性を有し、現
在の半導体素子を主軸とする電子機器において、その半
導体素子を保護するためのサージアブソーバとして重要
な役割を果たしている。
在の半導体素子を主軸とする電子機器において、その半
導体素子を保護するためのサージアブソーバとして重要
な役割を果たしている。
しかし、最近の機器においては軽薄短小化および低電圧
化が進み、低バリスタ電圧，高サージ耐量の特性を有す
るサージアブソーバが必要とされている。これに対応す
るものとして、積層型の酸化亜鉛系チップバリスタが実
用化されてきた。
化が進み、低バリスタ電圧，高サージ耐量の特性を有す
るサージアブソーバが必要とされている。これに対応す
るものとして、積層型の酸化亜鉛系チップバリスタが実
用化されてきた。
従来、この種のチップバリスタの製造方法は、酸化亜鉛
系粉末と有機溶剤とからなるスラリーをシート状に成形
し、グリーンシートをつくり、乾燥後、白金，パラジウ
ム，銀などの高温で安定な貴金属ペーストを、前記グリ
ーンシートに交互に印刷積層することによって内部電極
をつくり、これを焼成し、焼結体の両端に銀−パラジウ
ムの合金からなる外部電極を形成するものであった。
系粉末と有機溶剤とからなるスラリーをシート状に成形
し、グリーンシートをつくり、乾燥後、白金，パラジウ
ム，銀などの高温で安定な貴金属ペーストを、前記グリ
ーンシートに交互に印刷積層することによって内部電極
をつくり、これを焼成し、焼結体の両端に銀−パラジウ
ムの合金からなる外部電極を形成するものであった。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、外部電極に銀−パラジウム
の合金を使用しているが、これは銀だけではマイブレー
ションの発生や、ハンダ付け性が悪くなるためで、これ
を防ぐため、20％前後のパラジウムを含有したパラジウ
ムと銀との合金を使用している。しかし、パラジウムは
高価であり、素子のコストを上げてしまう欠点がある。
そこで、銀電極にニッケルメッキを施し、さらに半田メ
ッキを施すことにより、半田付け性を向上させ銀の半田
への拡散を防ぐことができる。しかし、酸化亜鉛系バリ
スタはセラミックス表面や内部に気孔が多く、メッキ処
理時にメッキ液がセラミックス内部に浸透し、バリスタ
電圧，サージ耐量等の電気的諸特性の劣化を生じさせる
という問題があった。
の合金を使用しているが、これは銀だけではマイブレー
ションの発生や、ハンダ付け性が悪くなるためで、これ
を防ぐため、20％前後のパラジウムを含有したパラジウ
ムと銀との合金を使用している。しかし、パラジウムは
高価であり、素子のコストを上げてしまう欠点がある。
そこで、銀電極にニッケルメッキを施し、さらに半田メ
ッキを施すことにより、半田付け性を向上させ銀の半田
への拡散を防ぐことができる。しかし、酸化亜鉛系バリ
スタはセラミックス表面や内部に気孔が多く、メッキ処
理時にメッキ液がセラミックス内部に浸透し、バリスタ
電圧，サージ耐量等の電気的諸特性の劣化を生じさせる
という問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、メッキ液
が素子内に浸透することがなく、電気特性の低下を防ぐ
ことを目的とするものである。
が素子内に浸透することがなく、電気特性の低下を防ぐ
ことを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、積層型のチップ
バリスタの焼結体にシリコンオイルをディップさせ、こ
れを高温で処理することにより、ガラス成分を拡散させ
るとともに、セラミックス表面にガラス成分層を形成さ
せるものである。
バリスタの焼結体にシリコンオイルをディップさせ、こ
れを高温で処理することにより、ガラス成分を拡散させ
るとともに、セラミックス表面にガラス成分層を形成さ
せるものである。
作用 この方法により、ガラス成分が素子内に浸透して、表面
および表面近傍の気孔をふさぎ、メッキ液の侵入を防
ぎ、電気特性の劣化を防ぐ。そして、メッキが可能なた
め、半田付け性も向上し、外部電極にパラジウムを使う
必要性がなくなり、素子のコストダウンが図れることと
なる。
および表面近傍の気孔をふさぎ、メッキ液の侵入を防
ぎ、電気特性の劣化を防ぐ。そして、メッキが可能なた
め、半田付け性も向上し、外部電極にパラジウムを使う
必要性がなくなり、素子のコストダウンが図れることと
なる。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
まず、酸化亜鉛を主成分とするバリスタ粉末に対し、バ
インダー，可塑剤，分散剤，有機溶媒を加え、スラリー
化し、ドクターブレード法により、任意の厚みのグリー
ン・シートを作成する。これを所定の大きさに切断し、
これに白金ペーストを印刷したものを積層し、圧着後、
規定の大きさに切断する。こうして得られた素子は脱脂
後、1100〜1300℃で焼成し、素子の面取りを行う。この
面取り後、素子を十分乾燥させた。次に、メチルフェニ
ルシリコンオイル（信越化学（株）製のKF−45品番）等
のシリコンオイルをトリクロルエタンで希釈し、40％,6
0％,80％,100％の濃度のシリコンオイルを上記積層型焼
結体にディップさせ、30分間の真空脱泡を行った。その
後150〜200℃で３時間乾燥させ、800〜1000℃で熱処量
を行い、このようにして得られた積層型チップバリスタ
の両端に銀の外部電極を塗布，焼付けし、さらに銀の外
部電極の上に、ニッケルメッキ，ハンダメッキと重ねて
形成した。
インダー，可塑剤，分散剤，有機溶媒を加え、スラリー
化し、ドクターブレード法により、任意の厚みのグリー
ン・シートを作成する。これを所定の大きさに切断し、
これに白金ペーストを印刷したものを積層し、圧着後、
規定の大きさに切断する。こうして得られた素子は脱脂
後、1100〜1300℃で焼成し、素子の面取りを行う。この
面取り後、素子を十分乾燥させた。次に、メチルフェニ
ルシリコンオイル（信越化学（株）製のKF−45品番）等
のシリコンオイルをトリクロルエタンで希釈し、40％,6
0％,80％,100％の濃度のシリコンオイルを上記積層型焼
結体にディップさせ、30分間の真空脱泡を行った。その
後150〜200℃で３時間乾燥させ、800〜1000℃で熱処量
を行い、このようにして得られた積層型チップバリスタ
の両端に銀の外部電極を塗布，焼付けし、さらに銀の外
部電極の上に、ニッケルメッキ，ハンダメッキと重ねて
形成した。
第１図はこの本発明を用いた製造方法によって得られた
積層型チップバリスタの断面図である。図において、１
は酸化亜鉛系のセラミックス、２は白金電極、３は銀電
極、４はニッケルメッキ、５はハンダメッキである。
積層型チップバリスタの断面図である。図において、１
は酸化亜鉛系のセラミックス、２は白金電極、３は銀電
極、４はニッケルメッキ、５はハンダメッキである。
下記の表にシリコンオイル濃度と熱処理温度を検討した
結果を示す。
結果を示す。
なお、湿中負荷の条件は、60℃,90〜95％R.H,課電率90
％PC,1000Hrである。ここで、シリコンオイルは上述し
たようにトリクロルエタンである程度希釈した方が浸透
性が良くなるが、希釈しすぎるとシリコンオイルの塗着
量が少なくなり、内部までガラス成分が浸透しなくな
る。また、熱処理温度についても900℃付近が良好であ
る。
％PC,1000Hrである。ここで、シリコンオイルは上述し
たようにトリクロルエタンである程度希釈した方が浸透
性が良くなるが、希釈しすぎるとシリコンオイルの塗着
量が少なくなり、内部までガラス成分が浸透しなくな
る。また、熱処理温度についても900℃付近が良好であ
る。
発明の効果 以上のように本発明によれば、シリコンオイルを高温で
熱処理することにより、メッキ液が素子内に浸透するこ
とを防ぎ、電気特性の低下を防ぐことになる。以上のこ
とより、本発明は産業上で非常に利用価値のあるもので
ある。
熱処理することにより、メッキ液が素子内に浸透するこ
とを防ぎ、電気特性の低下を防ぐことになる。以上のこ
とより、本発明は産業上で非常に利用価値のあるもので
ある。
図は本発明の積層型チップバリスタの製造方法により得
られた積層型チップバリスタの断面図である。 １……酸化亜鉛系のセラミックス、２……白金電極、３
……銀電極、４……ニッケルメッキ、５……半田メッ
キ。
られた積層型チップバリスタの断面図である。 １……酸化亜鉛系のセラミックス、２……白金電極、３
……銀電極、４……ニッケルメッキ、５……半田メッ
キ。
Claims (1)
- 【請求項１】酸化亜鉛系バリスタの積層型焼結体にシリ
コンオイルをディップし、高温で熱処理することにより
焼結体内部にガラス成分を拡散させた積層型チップバリ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61107101A JPH0770373B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61107101A JPH0770373B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62263609A JPS62263609A (ja) | 1987-11-16 |
| JPH0770373B2 true JPH0770373B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14450483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61107101A Expired - Fee Related JPH0770373B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770373B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02220403A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Ube Ind Ltd | 積層セラミックバリスタの製造法 |
| JP2682259B2 (ja) * | 1991-04-03 | 1997-11-26 | 株式会社村田製作所 | 積層型バリスタの製造方法 |
| JPH06231906A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-19 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
| WO2007119281A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61107101A patent/JPH0770373B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62263609A (ja) | 1987-11-16 |
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Legal Events
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