JPH0770379B2 - 抵抗器の抵抗値調整法 - Google Patents
抵抗器の抵抗値調整法Info
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- JPH0770379B2 JPH0770379B2 JP62004315A JP431587A JPH0770379B2 JP H0770379 B2 JPH0770379 B2 JP H0770379B2 JP 62004315 A JP62004315 A JP 62004315A JP 431587 A JP431587 A JP 431587A JP H0770379 B2 JPH0770379 B2 JP H0770379B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は抵抗器の抵抗値調整法に関し、特に厚膜抵抗器
の抵抗値を調整する場合に利用されるものである。
の抵抗値を調整する場合に利用されるものである。
従来の技術 従来、この種の抵抗値調整法は、第５図に示すようにト
リミングステージ９の基板位置決め装置上に抵抗値修正
すべき抵抗素子を形成した基板１が準備され、基板１上
の抵抗素子に向けて直交方向からレーザービーム５をレ
ーザービーム照射手段（図示せず）により照射・スキャ
ンしながら抵抗値を修正し、修正が終了した時点でレー
ザービーム５を停止させる。基板１上に抵抗素子が複数
個ある場合は、複数個全部抵抗値調整を行なう。基板１
内の抵抗値調整が終了した時点で、基板１を自動収納装
置６にて、トリミングステージ９上から抵抗値調整済基
板８を収納する収納ストッカー７へ運ぶ。収納が終了す
ると、自動供給装置２で抵抗値未調整基板４が収納して
ある供給ストッカー３から抵抗値未調整基板４をトリミ
ングステージ９へ供給し、抵抗値調整を開始する。同一
抵抗パターンを形成する基板が全て終了した時点で、自
動的に品種を切り替えて抵抗値を調整する方法が一般的
である。
リミングステージ９の基板位置決め装置上に抵抗値修正
すべき抵抗素子を形成した基板１が準備され、基板１上
の抵抗素子に向けて直交方向からレーザービーム５をレ
ーザービーム照射手段（図示せず）により照射・スキャ
ンしながら抵抗値を修正し、修正が終了した時点でレー
ザービーム５を停止させる。基板１上に抵抗素子が複数
個ある場合は、複数個全部抵抗値調整を行なう。基板１
内の抵抗値調整が終了した時点で、基板１を自動収納装
置６にて、トリミングステージ９上から抵抗値調整済基
板８を収納する収納ストッカー７へ運ぶ。収納が終了す
ると、自動供給装置２で抵抗値未調整基板４が収納して
ある供給ストッカー３から抵抗値未調整基板４をトリミ
ングステージ９へ供給し、抵抗値調整を開始する。同一
抵抗パターンを形成する基板が全て終了した時点で、自
動的に品種を切り替えて抵抗値を調整する方法が一般的
である。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、抵抗値修正に必要な情報を
全てコンピューターメモリー部に記憶させ、無人状態で
自動的に抵抗値修正を行なうため、途中でレーザービー
ムの出力が低下した場合、目的とする抵抗値に修正がで
きない。また、レーザービームの出力を停止させた状態
（Ｑ−sw OFF）にもかかわらず、レーザービームがレ
ーザー発振器から漏れていた場合には、抵抗素子上をレ
ーザービームがスキャンし、抵抗修正してしまい、レー
ザービームが停止（Ｑ−sw OFF）となった直後は目的
とする抵抗値に修正されているが、レーザービームの光
軸が次の抵抗素子に移動する時に抵抗素子上に漏れたレ
ーザービームが照射され、抵抗素子が高くなり、大量の
抵抗値不良品、あるいは特性不良品を生産してしまうと
いう問題点があった。
全てコンピューターメモリー部に記憶させ、無人状態で
自動的に抵抗値修正を行なうため、途中でレーザービー
ムの出力が低下した場合、目的とする抵抗値に修正がで
きない。また、レーザービームの出力を停止させた状態
（Ｑ−sw OFF）にもかかわらず、レーザービームがレ
ーザー発振器から漏れていた場合には、抵抗素子上をレ
ーザービームがスキャンし、抵抗修正してしまい、レー
ザービームが停止（Ｑ−sw OFF）となった直後は目的
とする抵抗値に修正されているが、レーザービームの光
軸が次の抵抗素子に移動する時に抵抗素子上に漏れたレ
ーザービームが照射され、抵抗素子が高くなり、大量の
抵抗値不良品、あるいは特性不良品を生産してしまうと
いう問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、少なく
とも抵抗値修正する前にレーザー照射手段であるレーザ
ービーム制御部（Ｑ−sw,反射ミラーなど）に不具合は
ないかをチェックし、抵抗値不良を低減させることを目
的とするものである。
とも抵抗値修正する前にレーザー照射手段であるレーザ
ービーム制御部（Ｑ−sw,反射ミラーなど）に不具合は
ないかをチェックし、抵抗値不良を低減させることを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段 絶縁基板上に形成した抵抗素子と、この抵抗素子の両端
に抵抗素子の一部と重なるように形成した一対の電極と
を有する抵抗体からなる抵抗器の前記抵抗素子にレーザ
ービームを照射して切り込みを施して抵抗値を調整する
抵抗器の抵抗値調整法において、少なくとも抵抗素子に
レーザービームを照射して切り込みを施して抵抗値を調
整する前に、前記レーザービームの出力を停止させた状
態で、レーザービームを出力させた時に、前記抵抗素子
の前記電極間の方向に直交する方向にレーザービームが
前記抵抗素子をまたぐように前記抵抗素子幅よりも大き
くスキャンさせるのに相当する作動を前記レーザービー
ムの照射手段に行わせた後、前記作動前後の前記抵抗素
子の抵抗値を比較して、前記レーザービームの出力を停
止させた状態での前記レーザービームの照射手段のレー
ザービームの漏れの有・無を判定し、更に、前記レーザ
ービームを連続出力させた状態で、前記レーザービーム
を前記抵抗素子の電極間の方向に直交する方向にこの抵
抗素子をまたぐように抵抗素子幅より大きくスキャンさ
せた後、この抵抗素子の抵抗値を計測して前記レーザー
ビームの照射の良・否を判定して、少なくとも事前に前
記レーザービームが使用に耐えうるかどうか判定するこ
とを特徴とするものである。
に抵抗素子の一部と重なるように形成した一対の電極と
を有する抵抗体からなる抵抗器の前記抵抗素子にレーザ
ービームを照射して切り込みを施して抵抗値を調整する
抵抗器の抵抗値調整法において、少なくとも抵抗素子に
レーザービームを照射して切り込みを施して抵抗値を調
整する前に、前記レーザービームの出力を停止させた状
態で、レーザービームを出力させた時に、前記抵抗素子
の前記電極間の方向に直交する方向にレーザービームが
前記抵抗素子をまたぐように前記抵抗素子幅よりも大き
くスキャンさせるのに相当する作動を前記レーザービー
ムの照射手段に行わせた後、前記作動前後の前記抵抗素
子の抵抗値を比較して、前記レーザービームの出力を停
止させた状態での前記レーザービームの照射手段のレー
ザービームの漏れの有・無を判定し、更に、前記レーザ
ービームを連続出力させた状態で、前記レーザービーム
を前記抵抗素子の電極間の方向に直交する方向にこの抵
抗素子をまたぐように抵抗素子幅より大きくスキャンさ
せた後、この抵抗素子の抵抗値を計測して前記レーザー
ビームの照射の良・否を判定して、少なくとも事前に前
記レーザービームが使用に耐えうるかどうか判定するこ
とを特徴とするものである。
作用 この構成により、正確な抵抗値修正が可能となり、ま
た、万一レーザー発振器系統の異常が発生しても、最小
限の不良数に抑えることが可能となる。
た、万一レーザー発振器系統の異常が発生しても、最小
限の不良数に抑えることが可能となる。
実施例 第１図は、本発明の一実施例による抵抗値修正法のレー
ザービームスキャン状態図であり、第２図は断面図であ
り、同図において、11は絶縁性基板、12は抵抗素子13の
一部に重なるように形成した一対の電極、13は抵抗素
子、14は照射手段（図示せず）から照射されたレーザー
ビーム、15はレーザービーム14により絶縁基板11を切除
して形成した溝である。ビームを停止（Ｑ−sw OFF）
の状態でレーザービーム14の光軸を抵抗素子13をまたぐ
ように抵抗素子13幅よりも大きい距離間、すなわち抵抗
素子13を挟むＡ点からＢ点まで移動させ、移動する直前
と直後の抵抗値を比較し抵抗値が同一であれば照射手段
はレーザービーム14に漏れがない正常なものであると判
定して、次のステップに進み、同一でない場合はレーザ
ービームが漏れているため、第１図のＣ方向から見た断
面図である第２図の抵抗素子13表面の漏れたビームが照
射された部分には溝15ができる。この時点で、ある目的
値に抵抗修正を連続で行なっても不良品を製造するもの
であり火災の危険性もあるため、照射手段であるレーザ
ー発振器内にあるメカニカルシャッターでビーム経路を
遮断し設備を停止させ、修理される。レーザービームが
漏れていない場合、次のステップとして、前記抵抗素子
の第１図の抵抗素子13を挟むＡ点からＢ点までをレーザ
ービームが連続出力（Ｑ−sw ON）の状態で光軸をスキ
ャンし、スキャンが終了した時点で抵抗値を計測する適
正なパワーが出力されている場合、第１図のＣ方向から
見た断面である第３図のように、レーザービームによる
溝が完全に基板11まで届いており、抵抗素子は基板11の
溝間の高抵抗値（断線状態）で抵抗素子としては機能し
ない状態となる。
ザービームスキャン状態図であり、第２図は断面図であ
り、同図において、11は絶縁性基板、12は抵抗素子13の
一部に重なるように形成した一対の電極、13は抵抗素
子、14は照射手段（図示せず）から照射されたレーザー
ビーム、15はレーザービーム14により絶縁基板11を切除
して形成した溝である。ビームを停止（Ｑ−sw OFF）
の状態でレーザービーム14の光軸を抵抗素子13をまたぐ
ように抵抗素子13幅よりも大きい距離間、すなわち抵抗
素子13を挟むＡ点からＢ点まで移動させ、移動する直前
と直後の抵抗値を比較し抵抗値が同一であれば照射手段
はレーザービーム14に漏れがない正常なものであると判
定して、次のステップに進み、同一でない場合はレーザ
ービームが漏れているため、第１図のＣ方向から見た断
面図である第２図の抵抗素子13表面の漏れたビームが照
射された部分には溝15ができる。この時点で、ある目的
値に抵抗修正を連続で行なっても不良品を製造するもの
であり火災の危険性もあるため、照射手段であるレーザ
ー発振器内にあるメカニカルシャッターでビーム経路を
遮断し設備を停止させ、修理される。レーザービームが
漏れていない場合、次のステップとして、前記抵抗素子
の第１図の抵抗素子13を挟むＡ点からＢ点までをレーザ
ービームが連続出力（Ｑ−sw ON）の状態で光軸をスキ
ャンし、スキャンが終了した時点で抵抗値を計測する適
正なパワーが出力されている場合、第１図のＣ方向から
見た断面である第３図のように、レーザービームによる
溝が完全に基板11まで届いており、抵抗素子は基板11の
溝間の高抵抗値（断線状態）で抵抗素子としては機能し
ない状態となる。
上記高抵抗値より極めて低い抵抗値が計測された場合は
第４図のようにレーザービームによる溝が完全に基板ま
で届いていないため、適正なレーザービーム出力が得ら
れておらず、ある目的値の抵抗修正を連続で行なっても
目的値に修正されないと判断し、設備稼動を停止し、修
理される。
第４図のようにレーザービームによる溝が完全に基板ま
で届いていないため、適正なレーザービーム出力が得ら
れておらず、ある目的値の抵抗修正を連続で行なっても
目的値に修正されないと判断し、設備稼動を停止し、修
理される。
このような、レーザービーム漏れおよびレーザービーム
のパワーの適正チェックの判定が良となれば、実際の抵
抗素子へのトリミング作業に入る。
のパワーの適正チェックの判定が良となれば、実際の抵
抗素子へのトリミング作業に入る。
なお、チェックされる素子は同一抵抗パターンを形成す
る基板の最初の抵抗体を用いることが効率的である。
る基板の最初の抵抗体を用いることが効率的である。
発明の効果 以上のように本発明によれば、レーザービームの出力を
停止させた状態で、抵抗素子上にレーザービームをスキ
ャンさせたのと同様の作動をレーザービーム照射手段に
させて、スキャン前後の抵抗素子の抵抗値を比較するこ
とにより、レーザービームの漏れの有・無を判定し、レ
ーザービームを連続出力させた状態で、抵抗素子上にレ
ーザービームをスキャンさせた後、抵抗素子の抵抗値を
計測して、レーザービームの照射の良・否を判定して、
前記レーザービームが使用に耐えうるかどうかの判定を
少なくとも事前に行なうことによって、素子の特性を完
全に保証するものである。
停止させた状態で、抵抗素子上にレーザービームをスキ
ャンさせたのと同様の作動をレーザービーム照射手段に
させて、スキャン前後の抵抗素子の抵抗値を比較するこ
とにより、レーザービームの漏れの有・無を判定し、レ
ーザービームを連続出力させた状態で、抵抗素子上にレ
ーザービームをスキャンさせた後、抵抗素子の抵抗値を
計測して、レーザービームの照射の良・否を判定して、
前記レーザービームが使用に耐えうるかどうかの判定を
少なくとも事前に行なうことによって、素子の特性を完
全に保証するものである。
第１図は本発明の一実施例による抵抗値修正法を示す状
態図で、第２図，第３図，第４図は第１図の断面図、第
５図は従来の抵抗値修正法を示すブロック図である。 11……絶縁性基板、12……電極、13……抵抗素子、14…
…レーザービーム、15……レーザービームによる溝。
態図で、第２図，第３図，第４図は第１図の断面図、第
５図は従来の抵抗値修正法を示すブロック図である。 11……絶縁性基板、12……電極、13……抵抗素子、14…
…レーザービーム、15……レーザービームによる溝。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に形成した抵抗素子と、この抵
抗素子の両端に抵抗素子の一部と重なるように形成した
一対の電極とを有する抵抗体からなる抵抗器の前記抵抗
素子にレーザービームを照射して切り込みを施して抵抗
値を調整する抵抗器の抵抗値調整法において、少なくと
も抵抗素子にレーザービームを照射して切り込みを施し
て抵抗値を調整する前に、前記レーザービームの出力を
停止させた状態で、レーザービームを出力させた時に、
前記抵抗素子の前記電極間の方向に直交する方向にレー
ザービームが前記抵抗素子をまたぐように前記抵抗素子
幅よりも大きくスキャンさせるのに相当する作動を前記
レーザービームの照射手段に行わせた後、前記作動前後
の前記抵抗素子の抵抗値を比較して、前記レーザービー
ムの出力を停止させた状態での前記レーザービームの照
射手段のレーザービームの漏れの有・無を判定し、更
に、前記レーザービームを連続出力させた状態で、前記
レーザービームを前記抵抗素子の電極間方向に直交する
方向にこの抵抗素子をまたぐように抵抗素子幅より大き
くスキャンさせた後、この抵抗素子の抵抗値を計測して
前記レーザービームの照射の良・否を判定して、前記レ
ーザービームが使用に耐えうるかどうか判定することを
特徴とする抵抗器の抵抗値調整法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004315A JPH0770379B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 抵抗器の抵抗値調整法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004315A JPH0770379B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 抵抗器の抵抗値調整法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63172406A JPS63172406A (ja) | 1988-07-16 |
| JPH0770379B2 true JPH0770379B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=11581041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62004315A Expired - Fee Related JPH0770379B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 抵抗器の抵抗値調整法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770379B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK0471898T3 (da) | 1990-08-22 | 1999-09-06 | Nellcor Puritan Bennett Inc | Apparat til foster-pulsoximetri |
| JP4508023B2 (ja) | 2005-07-21 | 2010-07-21 | 株式会社デンソー | レーザトリミング評価方法およびレーザトリミング用レーザ強度設定方法 |
-
1987
- 1987-01-12 JP JP62004315A patent/JPH0770379B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63172406A (ja) | 1988-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |