JPS6122445B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6122445B2 JPS6122445B2 JP55164340A JP16434080A JPS6122445B2 JP S6122445 B2 JPS6122445 B2 JP S6122445B2 JP 55164340 A JP55164340 A JP 55164340A JP 16434080 A JP16434080 A JP 16434080A JP S6122445 B2 JPS6122445 B2 JP S6122445B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cut
- resistance value
- length
- trimming
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗素子の調整方法にかかり、特に薄
膜又は厚膜の矩形抵抗素子をＬ字形にレーザ・ト
リミングする調整方法に関する。
膜又は厚膜の矩形抵抗素子をＬ字形にレーザ・ト
リミングする調整方法に関する。
一般に薄膜又な厚膜の矩形抵抗素子をレーザ・
トリミングして抵抗値を調整するには、第１図Ａ
乃至第１図Ｃに示すような方法が行なわれる。第
１図ＡはＬカツトと呼ばれる電極２に取付けられ
た抵抗素子１に、Ｌ字形の切欠き３を入れたもの
である。同図Ｂは同様に抵抗素子１に１本の直線
の切欠き３を入れたストレートカツト、同図Ｃは
抵抗素子１に直線の切欠き３を入れたＳカツトと
呼ばれるものである。通常、抵抗素子は電流の局
所的な集中が少なく、又調整時の感度が低い方が
良いことから、矩形抵抗素子の調整はＬカツトに
よつて行なわれる。
トリミングして抵抗値を調整するには、第１図Ａ
乃至第１図Ｃに示すような方法が行なわれる。第
１図ＡはＬカツトと呼ばれる電極２に取付けられ
た抵抗素子１に、Ｌ字形の切欠き３を入れたもの
である。同図Ｂは同様に抵抗素子１に１本の直線
の切欠き３を入れたストレートカツト、同図Ｃは
抵抗素子１に直線の切欠き３を入れたＳカツトと
呼ばれるものである。通常、抵抗素子は電流の局
所的な集中が少なく、又調整時の感度が低い方が
良いことから、矩形抵抗素子の調整はＬカツトに
よつて行なわれる。
このカツトによる抵抗値調整方法を第１図Ａを
参照して説明すると、、Ｗは抵抗素子１の幅、Ｌ
は長さ、Ａはカツトの垂直部分（以下Ａカツト）
の長さ、Ｂは水平部分（以下Ｂカツト）の長さ、
Ｃは電極２からＬカツト開始地点までの距離、Ｗ
はレーザ光線による切欠き幅である。Ｌカツトに
おいては、トリミング方向90゜の転換地点（以下
折点）を決めるのは重要な問題で、従来、 (1) 折点までのＡカツトの長さを、Ａ＝αＷ（α
＝0.2〜0.6）の式で表わされるように、抵抗素
子１の幅から決める方法と、 (2) 目標抵抗値Ro、Ｌカツトの折点の抵抗値を
Rtとして、RtがRoの50〜70％に達する地点を
折点とする方法とがある。
参照して説明すると、、Ｗは抵抗素子１の幅、Ｌ
は長さ、Ａはカツトの垂直部分（以下Ａカツト）
の長さ、Ｂは水平部分（以下Ｂカツト）の長さ、
Ｃは電極２からＬカツト開始地点までの距離、Ｗ
はレーザ光線による切欠き幅である。Ｌカツトに
おいては、トリミング方向90゜の転換地点（以下
折点）を決めるのは重要な問題で、従来、 (1) 折点までのＡカツトの長さを、Ａ＝αＷ（α
＝0.2〜0.6）の式で表わされるように、抵抗素
子１の幅から決める方法と、 (2) 目標抵抗値Ro、Ｌカツトの折点の抵抗値を
Rtとして、RtがRoの50〜70％に達する地点を
折点とする方法とがある。
しかしながら、抵抗素子１の初期抵抗値Riは
抵抗膜の比抵抗、膜厚、パターン形成時のバラツ
キ等によりそれぞれ異なつた値を示すので、前者
の方法のようにＡカツトの長さを抵抗素子１の幅
Ｗから、Ａ＝αＷ（α＝0.2〜0.6）に固定する
と、例えば、初期抵抗値Riは目標抵抗値Roに近
い抵抗素子では、トリミングの方向転換が行なわ
れる前に、低抗値Rtが目標値Roに達してしまつ
て、単なるストレートカツトになり、トリミング
終了地点付近での電流の集中を生じて、素子の劣
化を招く恐れがある。又、初期抵抗値Riが目標
抵抗値Roよりかなり低い抵抗素子では、目標抵
抗値Roに達する前にＢカツトが電極部２に到達
してしまい、トリミングが終了しない場合があ
る。
抵抗膜の比抵抗、膜厚、パターン形成時のバラツ
キ等によりそれぞれ異なつた値を示すので、前者
の方法のようにＡカツトの長さを抵抗素子１の幅
Ｗから、Ａ＝αＷ（α＝0.2〜0.6）に固定する
と、例えば、初期抵抗値Riは目標抵抗値Roに近
い抵抗素子では、トリミングの方向転換が行なわ
れる前に、低抗値Rtが目標値Roに達してしまつ
て、単なるストレートカツトになり、トリミング
終了地点付近での電流の集中を生じて、素子の劣
化を招く恐れがある。又、初期抵抗値Riが目標
抵抗値Roよりかなり低い抵抗素子では、目標抵
抗値Roに達する前にＢカツトが電極部２に到達
してしまい、トリミングが終了しない場合があ
る。
後者の方法では、折点の抵抗値Rtを目標抵抗
値Roの50〜70％に設定すると、例えば初期抵抗
値Riが折点の抵抗値Rtより大きい抵抗素子で
は、ストレートカツトとなりＬカツトは行なわれ
ない。
値Roの50〜70％に設定すると、例えば初期抵抗
値Riが折点の抵抗値Rtより大きい抵抗素子で
は、ストレートカツトとなりＬカツトは行なわれ
ない。
従つて、本発明の目的は、従来のＬカツトによ
る抵抗素子の調整方法では、ストレートカツトと
なつて、抵抗素子に局所的な電流の集中を生じた
り、抵抗値の末調整を招いたりする欠点を除去し
て、確実にＬカツトが行なわれ、しかもＢカツト
の長さを、初期抵抗にかかわらず一定の長さとす
ることの出来る調整方法を提供することにある。
る抵抗素子の調整方法では、ストレートカツトと
なつて、抵抗素子に局所的な電流の集中を生じた
り、抵抗値の末調整を招いたりする欠点を除去し
て、確実にＬカツトが行なわれ、しかもＢカツト
の長さを、初期抵抗にかかわらず一定の長さとす
ることの出来る調整方法を提供することにある。
一般に、カツトされた抵抗素子の抵抗値は、数
値解析の手法としてよく知られた「緩和法」と呼
ばれる電界分布の計算手段によつて求めることが
出来る。
値解析の手法としてよく知られた「緩和法」と呼
ばれる電界分布の計算手段によつて求めることが
出来る。
本発明の抵抗素子の調整方法は、薄膜又は厚膜
の矩形抵抗素子に、Ｂカツトの長さが常に一定と
なるようにＬカツトを施した場合、目標抵抗値
Roから、緩和法により計算された初期抵抗値Ri
とＡカツトの長さＡとの間には、 Ａ＝αRi＋β（α，βは定数） なる直線関係が成立するという性質に基づき、
抵抗素子の初期抵抗値Riから、Ａカツトの長さ
を求め、Ａカツトのトリミングがこの長さに達し
た時、トリミンゲ方向を転換してＬカツトを行な
うことを特徴とする。
の矩形抵抗素子に、Ｂカツトの長さが常に一定と
なるようにＬカツトを施した場合、目標抵抗値
Roから、緩和法により計算された初期抵抗値Ri
とＡカツトの長さＡとの間には、 Ａ＝αRi＋β（α，βは定数） なる直線関係が成立するという性質に基づき、
抵抗素子の初期抵抗値Riから、Ａカツトの長さ
を求め、Ａカツトのトリミングがこの長さに達し
た時、トリミンゲ方向を転換してＬカツトを行な
うことを特徴とする。
次に本発明による実施例を図面を参照して説明
する。第２図Ａ乃至第２図Ｄに本発明の第１の実
施例を示す。第２図Ａに示すように、長さＬが
2.35mm幅Ｗが1.7mm、目標抵抗値Roが300Ωの抵抗
素子１に、Ｂカツトの長さがＢが一定値0.9mmに
なるように、電極２からトリミング開始地点まで
の距離Ｃを0.475mm、レーザ光線による切欠き幅
Ｗを0.05mmでＬカツトを施す場合、前記抵抗素子
１の初期抵抗RiとＡカツトの長さＡとの間に
は、第２図Ｂに示すように、 Ａ＝−0.006055Ri＋1.9085（mm） なる直線関係がある。従つて、トリミングはま
ず前記抵抗素子１の初期抵抗値Riを測定し、Ａ
カツトを上式から算出した長さＡだけ行なつた。
次に、トリミング方向を90゜転換し、前記抵抗素
子１の抵抗値を検出しながらＢカツトのトリミン
グを行い、抵抗値が前記目標抵抗値300Ωになつ
た時点でトリミングを停止させた。第２図Ｃに前
記抵抗素子１の初記抵抗値Riが108.8Ωの場合の
Ｌカツトの軌跡を示す。このときのＡカツトの長
さＡは1.25mmであつた。第２図Ｄは前記抵抗素子
１の初期抵抗値Riが232.6Ωの場合のＬカツトの
軌跡で、Ａカツトの長さＡは0.50mmであつた。Ｂ
カツトの長さはいずれの場合も約0.9mmと一定値
が得られ、調整後の抵抗値も前記目標抵抗値300
Ωの±0.1％内に入つた。
する。第２図Ａ乃至第２図Ｄに本発明の第１の実
施例を示す。第２図Ａに示すように、長さＬが
2.35mm幅Ｗが1.7mm、目標抵抗値Roが300Ωの抵抗
素子１に、Ｂカツトの長さがＢが一定値0.9mmに
なるように、電極２からトリミング開始地点まで
の距離Ｃを0.475mm、レーザ光線による切欠き幅
Ｗを0.05mmでＬカツトを施す場合、前記抵抗素子
１の初期抵抗RiとＡカツトの長さＡとの間に
は、第２図Ｂに示すように、 Ａ＝−0.006055Ri＋1.9085（mm） なる直線関係がある。従つて、トリミングはま
ず前記抵抗素子１の初期抵抗値Riを測定し、Ａ
カツトを上式から算出した長さＡだけ行なつた。
次に、トリミング方向を90゜転換し、前記抵抗素
子１の抵抗値を検出しながらＢカツトのトリミン
グを行い、抵抗値が前記目標抵抗値300Ωになつ
た時点でトリミングを停止させた。第２図Ｃに前
記抵抗素子１の初記抵抗値Riが108.8Ωの場合の
Ｌカツトの軌跡を示す。このときのＡカツトの長
さＡは1.25mmであつた。第２図Ｄは前記抵抗素子
１の初期抵抗値Riが232.6Ωの場合のＬカツトの
軌跡で、Ａカツトの長さＡは0.50mmであつた。Ｂ
カツトの長さはいずれの場合も約0.9mmと一定値
が得られ、調整後の抵抗値も前記目標抵抗値300
Ωの±0.1％内に入つた。
第３図Ａ乃至第３図Ｄに本発明による第２の実
施例を示す。第３図Ａに示すように、長さＬが
1.5mm、幅Ｗが2.5mm、目標抵抗値Roが39Ωの抵抗
素子１に、Ｂカツトの長さが一定値0.5mmとなる
ように、電極２からトリミング開始地点までの距
離Ｃを0.3mmレーザ光線による切欠き幅Ｗを0.05
mmでＬカツトを施す場合、前記抵抗素子１の初期
抵抗値Riと、Ａカツトの長さＡとの間には、第
３図Ｂに示すように、 Ａ＝−0.0658Ri＋2.655（mm） なる直線関係がある。本実施例のトリミング
は、第１の実施例と同様な方法で行なつた。第３
図Ｃに前記抵抗素子１の初期抵抗値Riが13.8Ωの
場合のＬカツトの軌跡を示す。このときのＡカツ
トの長さＡは1.75mmであつた。第３図Ｄは前記抵
抗素子１の初期抵抗値Riが、32.8Ωの場合のＬカ
ツトの軌跡で、Ａカツトの長さＡは0.5mmであつ
た。これらいずれの場合をＢカツトの長さＢは約
0.5mmと一定値が得られ、調整後の抵抗値も前記
目標抵抗値39Ωの±0.5％内に入つた。
施例を示す。第３図Ａに示すように、長さＬが
1.5mm、幅Ｗが2.5mm、目標抵抗値Roが39Ωの抵抗
素子１に、Ｂカツトの長さが一定値0.5mmとなる
ように、電極２からトリミング開始地点までの距
離Ｃを0.3mmレーザ光線による切欠き幅Ｗを0.05
mmでＬカツトを施す場合、前記抵抗素子１の初期
抵抗値Riと、Ａカツトの長さＡとの間には、第
３図Ｂに示すように、 Ａ＝−0.0658Ri＋2.655（mm） なる直線関係がある。本実施例のトリミング
は、第１の実施例と同様な方法で行なつた。第３
図Ｃに前記抵抗素子１の初期抵抗値Riが13.8Ωの
場合のＬカツトの軌跡を示す。このときのＡカツ
トの長さＡは1.75mmであつた。第３図Ｄは前記抵
抗素子１の初期抵抗値Riが、32.8Ωの場合のＬカ
ツトの軌跡で、Ａカツトの長さＡは0.5mmであつ
た。これらいずれの場合をＢカツトの長さＢは約
0.5mmと一定値が得られ、調整後の抵抗値も前記
目標抵抗値39Ωの±0.5％内に入つた。
各実施例におけるＢカツトの長さは、抵抗素子
のパターン形成時のバラツキ、レーザ・トリミン
グ装置の位置合せ誤差、抵抗測定器の誤差等の原
因によつて、設定値からのズルを生じたが、いず
れの場合においても、Ｂカツトの長さに対して無
視出来る範囲内のズレであつた。
のパターン形成時のバラツキ、レーザ・トリミン
グ装置の位置合せ誤差、抵抗測定器の誤差等の原
因によつて、設定値からのズルを生じたが、いず
れの場合においても、Ｂカツトの長さに対して無
視出来る範囲内のズレであつた。
かかる方法で調整された抵抗素子は、不完全な
Ｌカツトによる局所的な電流の集中や、トリミン
グ末終了等がなく、確実にＬカツトが行なわれ、
しかもＢカツトの長さが、初期抵抗値にかかわら
ず一定であつた。これは本発明のＬカツトによる
抵抗値の調整方法が、薄膜又は厚膜の矩形抵抗素
子に、Ｂカツトの長さが一定となるようにＬカツ
トを施した場合、初期抵抗値RiとＡカツトの長
さＡとの間には、 Ａ＝αRi＋Ｂ（α，βは定数） なる直線関係があるという性質を応用して行な
われたための効果と考えられる。
Ｌカツトによる局所的な電流の集中や、トリミン
グ末終了等がなく、確実にＬカツトが行なわれ、
しかもＢカツトの長さが、初期抵抗値にかかわら
ず一定であつた。これは本発明のＬカツトによる
抵抗値の調整方法が、薄膜又は厚膜の矩形抵抗素
子に、Ｂカツトの長さが一定となるようにＬカツ
トを施した場合、初期抵抗値RiとＡカツトの長
さＡとの間には、 Ａ＝αRi＋Ｂ（α，βは定数） なる直線関係があるという性質を応用して行な
われたための効果と考えられる。
本発明のＬカツトによる抵抗素子の調整方法で
は、Ｂカツトの長さを初期抵抗値によらず一定と
することが出来るから、Ｂカツトが電極に達しな
いようなバラツキの許容範囲内で、Ｂカツトの長
さを長くすれば、そのとき、その初期抵抗値にお
ける最も残り幅の広いＬカツトを行うことが可能
である。従つて、本発明はレーザ光線の抵抗素子
に及ぼす熱的な影響が最も少なくて、経済的に安
定な抵抗素子を製造出来る調整方法である。又、
抵抗素子の面積を最も広くとることが出来るの
で、本発明が許容消費電力の最大な抵抗素子の調
整方法を提供出来るのはもちろんである。
は、Ｂカツトの長さを初期抵抗値によらず一定と
することが出来るから、Ｂカツトが電極に達しな
いようなバラツキの許容範囲内で、Ｂカツトの長
さを長くすれば、そのとき、その初期抵抗値にお
ける最も残り幅の広いＬカツトを行うことが可能
である。従つて、本発明はレーザ光線の抵抗素子
に及ぼす熱的な影響が最も少なくて、経済的に安
定な抵抗素子を製造出来る調整方法である。又、
抵抗素子の面積を最も広くとることが出来るの
で、本発明が許容消費電力の最大な抵抗素子の調
整方法を提供出来るのはもちろんである。
第１図Ａ乃至第１図Ｃは抵抗値調整を行う各種
のカツト方法を説明する平面図であり、第２図Ａ
乃至Ｄは本発明による第１の実施例を示す平面図
及び特性図であり、第３図Ａ乃至第３図Ｄは本発
明の第２の実施例を示す平面図及び特性図であ
る。 尚、図において、１……抵抗素子、２……電
極、３……Ｌカツトの軌跡である。
のカツト方法を説明する平面図であり、第２図Ａ
乃至Ｄは本発明による第１の実施例を示す平面図
及び特性図であり、第３図Ａ乃至第３図Ｄは本発
明の第２の実施例を示す平面図及び特性図であ
る。 尚、図において、１……抵抗素子、２……電
極、３……Ｌカツトの軌跡である。
Claims (1)
- １ 薄膜又は厚膜の矩形抵抗素子を、Ｌ字形にレ
ーザ・トリミングして抵抗値を調整する方法にお
いて、前記Ｌ字形トリミングにおけるトリミング
方向転換地点から、トリミング終了地点までの距
離が、予め定められた一定の値となるように、前
記抵抗素子の初期抵抗値から前記方向転換地点を
求め、この地点でトリミング方向を転換してトリ
ミングすることを特徴とする抵抗素子の調整方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55164340A JPS5788704A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Method of controlling resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55164340A JPS5788704A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Method of controlling resistance element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5788704A JPS5788704A (en) | 1982-06-02 |
| JPS6122445B2 true JPS6122445B2 (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=15791306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55164340A Granted JPS5788704A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Method of controlling resistance element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5788704A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130007A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗体のトリミング方法 |
| JPS6130006A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗体のトリミング方法 |
| US4772774A (en) * | 1987-06-02 | 1988-09-20 | Teradyne, Inc. | Laser trimming of electrical components |
-
1980
- 1980-11-21 JP JP55164340A patent/JPS5788704A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5788704A (en) | 1982-06-02 |
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