JPH0770514B2 - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0770514B2 JPH0770514B2 JP60132240A JP13224085A JPH0770514B2 JP H0770514 B2 JPH0770514 B2 JP H0770514B2 JP 60132240 A JP60132240 A JP 60132240A JP 13224085 A JP13224085 A JP 13224085A JP H0770514 B2 JPH0770514 B2 JP H0770514B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- polymer
- reaction chamber
- present
- sample
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラズマを用いたドライエッチング方法に関す
る。
る。
従来の技術 従来シリコン酸化膜（SiO2膜）やリンシリカガラス膜
（PSG膜）はCF4,C2F6,CHF3等のガスを用いて平行平板型
ドライエッチング装置でエッチングが行なわれていた。
（PSG膜）はCF4,C2F6,CHF3等のガスを用いて平行平板型
ドライエッチング装置でエッチングが行なわれていた。
発明が解決しようとする問題点 しかし、エッチング中に電極表面及び反応室内壁にポリ
マーが生成し、エッチング速度が徐々に低下するという
問題や、生成したポリマーが試料表面に落下して汚染の
原因になるという問題があった。さらに、生成したポリ
マーを除去するためのクリーニングに多くの時間を要し
生産性を低下させ、クリーニング後しばらくはダスト量
が多いという問題があった。
マーが生成し、エッチング速度が徐々に低下するという
問題や、生成したポリマーが試料表面に落下して汚染の
原因になるという問題があった。さらに、生成したポリ
マーを除去するためのクリーニングに多くの時間を要し
生産性を低下させ、クリーニング後しばらくはダスト量
が多いという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、ポリマーの
生成を極めて少なくしてエッチング速度の低下を防ぎ、
クリーニング頻度を少なくするドライエッチング方法を
提供するものである。
生成を極めて少なくしてエッチング速度の低下を防ぎ、
クリーニング頻度を少なくするドライエッチング方法を
提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明のドライエッチング
方法は平行平板電極の一方に試料を載置し、電極上の試
料外周部あるいは外周部と反応室内壁をアルミナ材で被
覆し、エッチングガスを流しつつ両電極間にプラズマを
発生させて試料をドライエッチングするものである。
方法は平行平板電極の一方に試料を載置し、電極上の試
料外周部あるいは外周部と反応室内壁をアルミナ材で被
覆し、エッチングガスを流しつつ両電極間にプラズマを
発生させて試料をドライエッチングするものである。
作用 本発明者らは、フッ素炭素系ガスあるいは水素を分子内
に含むガスでSiO2膜やPSG膜をドライエッチングする検
討中、アルミナ材の上にはポリマーがほとんど生成しな
い事を見い出し本発明に致ったものである。即ち、本発
明は試料外周部の電極をアルミナ材で被覆することによ
り、試料外周部にポリマーが生成するのを防ぐことがで
きる。さらに、反応室内壁をアルミナ材で被覆すること
により、反応室内壁へのポリマー生成を防ぐことができ
る。
に含むガスでSiO2膜やPSG膜をドライエッチングする検
討中、アルミナ材の上にはポリマーがほとんど生成しな
い事を見い出し本発明に致ったものである。即ち、本発
明は試料外周部の電極をアルミナ材で被覆することによ
り、試料外周部にポリマーが生成するのを防ぐことがで
きる。さらに、反応室内壁をアルミナ材で被覆すること
により、反応室内壁へのポリマー生成を防ぐことができ
る。
実 施 例 以下本発明の一実施例について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例において使用したドライ
エッチング装置である。反応室１、上部電極２、下部電
極３、ガス導入口４、13 56MHzの高周波電源５および真
空排気口６から成っている。下部電極３上にSi基板上に
PSG膜を厚さ7,000Å形成したシリコン基板７を置き、そ
の外周部にアルミナリング（厚さ3mm）を置いた。上下
電極共にアルミニウムを硬質アルマイト処理したものを
用い、上部電極にはガス導入のため直径0.3mmの細孔を
多数設けてある。まず、反応室を１×10-3Torrまで真空
排気した後、ガス導入口４からC2F6ガスを20SCCMとCHF3
ガスを30SCCM流し、圧力を0.5Torrに保った。高周波電
力を500W印加しプラズマを発生させてPSG膜のエッチン
グを２分間行なった。合計100枚の基板をエッチングし
た時のエッチング速度の変化を第２図に示した。曲線ａ
は本発明のアルミナリングを設けた場合の結果であり、
エッチング速度の低下が少ない。反応室内部の下部電極
上のアルミナリング表面にはポリマーはほとんど生成し
ていなかった。比較のため、アルミナリングを使用せず
に前記実施例と同一条件でPSG膜のドライエッチングを
行なった結果を第２図の曲線ｂに示した。エッチング速
度の低下が大きく、下部電極上のシリコン基板外周部に
ポリマーが厚さ10μｍ以上生成していた。アルミナリン
グを置いた時の下地（Poly Si膜）との選択比は8/1,エ
ッチング速度のばらつきは±５％以内であり、アルミナ
リングを用いない場合と同等の値が得られた。
エッチング装置である。反応室１、上部電極２、下部電
極３、ガス導入口４、13 56MHzの高周波電源５および真
空排気口６から成っている。下部電極３上にSi基板上に
PSG膜を厚さ7,000Å形成したシリコン基板７を置き、そ
の外周部にアルミナリング（厚さ3mm）を置いた。上下
電極共にアルミニウムを硬質アルマイト処理したものを
用い、上部電極にはガス導入のため直径0.3mmの細孔を
多数設けてある。まず、反応室を１×10-3Torrまで真空
排気した後、ガス導入口４からC2F6ガスを20SCCMとCHF3
ガスを30SCCM流し、圧力を0.5Torrに保った。高周波電
力を500W印加しプラズマを発生させてPSG膜のエッチン
グを２分間行なった。合計100枚の基板をエッチングし
た時のエッチング速度の変化を第２図に示した。曲線ａ
は本発明のアルミナリングを設けた場合の結果であり、
エッチング速度の低下が少ない。反応室内部の下部電極
上のアルミナリング表面にはポリマーはほとんど生成し
ていなかった。比較のため、アルミナリングを使用せず
に前記実施例と同一条件でPSG膜のドライエッチングを
行なった結果を第２図の曲線ｂに示した。エッチング速
度の低下が大きく、下部電極上のシリコン基板外周部に
ポリマーが厚さ10μｍ以上生成していた。アルミナリン
グを置いた時の下地（Poly Si膜）との選択比は8/1,エ
ッチング速度のばらつきは±５％以内であり、アルミナ
リングを用いない場合と同等の値が得られた。
以上のように本実施例によれば電極上のシリコン基板外
周部にアルミナリングを設けることにより、電極上への
ポリマーの生成を抑制することができ、エッチング速度
の低下を防ぐことができ、したがってクリーニングの頻
度も少なくできる。
周部にアルミナリングを設けることにより、電極上への
ポリマーの生成を抑制することができ、エッチング速度
の低下を防ぐことができ、したがってクリーニングの頻
度も少なくできる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第３図は本発明の第２の実施例を示すドライエッチング
装置の概略図である。
装置の概略図である。
同図において第１図と異なるのはアルミナ材９を反応室
１の内壁に設けた事である。上記ドライエッチング装置
を用い、実施例と同一条件でPSG膜のドライエッチング
を行なった。実施例１に比べてエッチング速度は少し低
下（3,500Å／分）するが、エッチングする基板の枚数
が増えてもエッチング速度はほとんど低下しなかった。
実施例１に比べて反応室内壁へのポリマーの生成が少な
かった。
１の内壁に設けた事である。上記ドライエッチング装置
を用い、実施例と同一条件でPSG膜のドライエッチング
を行なった。実施例１に比べてエッチング速度は少し低
下（3,500Å／分）するが、エッチングする基板の枚数
が増えてもエッチング速度はほとんど低下しなかった。
実施例１に比べて反応室内壁へのポリマーの生成が少な
かった。
以上のように、反応室内壁もアルミナ材で被覆すること
により、反応室内壁へのポリマーの生成を防ぎ、それに
よってクリーニング頻度をより少なくすることができ
る。
により、反応室内壁へのポリマーの生成を防ぎ、それに
よってクリーニング頻度をより少なくすることができ
る。
なお、実施例1,2ではエッチングガスとしてC2F6とCHF3
を用いたが、C3F8とCHF3,C2F6とC2H4F2等の混合ガスを
用いた場合にも同様の効果が確認された。
を用いたが、C3F8とCHF3,C2F6とC2H4F2等の混合ガスを
用いた場合にも同様の効果が確認された。
またPSG膜と同様にSiO2膜をエッチングする場合にも実
施例1,2と同じ効果が得られた。
施例1,2と同じ効果が得られた。
さらに、ドライエッチング装置で、上下電極間に中間電
極を有する場合にも実施例1,2と同じ効果が得られた。
極を有する場合にも実施例1,2と同じ効果が得られた。
発明の効果 以上のように本発明は、電極上の試料の外周部または試
料の外周部と反応室内壁をアルミナ材で被覆することに
よりポリマーの生成を抑制し、それによってエッチング
速度の経時的な低下を防ぎ、再現性の良いエッチングが
可能である。またポリマーの生成が少ないことからクリ
ーニングの頻度を少なくし、生産性を高めると共に、ダ
ストの生成を少なくすることができる。
料の外周部と反応室内壁をアルミナ材で被覆することに
よりポリマーの生成を抑制し、それによってエッチング
速度の経時的な低下を防ぎ、再現性の良いエッチングが
可能である。またポリマーの生成が少ないことからクリ
ーニングの頻度を少なくし、生産性を高めると共に、ダ
ストの生成を少なくすることができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエッチン
グ装置の概略図、第２図は同実施例のエッチング特性
図、第３図は本発明の第２の実施例におけるドライエッ
チング装置の概略図である。 ４……ガス導入口、６……排気口、９……アルミナ材。
グ装置の概略図、第２図は同実施例のエッチング特性
図、第３図は本発明の第２の実施例におけるドライエッ
チング装置の概略図である。 ４……ガス導入口、６……排気口、９……アルミナ材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−178731（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−11818（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−99848（ＪＰ，Ｕ) 特表 昭57−500399（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】平行平板電極を使用するドライエッチング
方法において、電極上の試料外周部にアルミナリングを
設置し、さらに反応室内壁をアルミナ材で被覆し、電極
間にプラズマを発生させて試料をエッチングするドライ
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132240A JPH0770514B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132240A JPH0770514B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289634A JPS61289634A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0770514B2 true JPH0770514B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15076640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132240A Expired - Lifetime JPH0770514B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770514B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03232226A (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-16 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
| US5411624A (en) * | 1991-07-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| KR100720989B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2007-05-28 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 멀티 챔버 플라즈마 프로세스 시스템 |
| JP5740447B2 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511818U (ja) * | 1978-07-03 | 1980-01-25 | ||
| JPS5699848U (ja) * | 1979-12-27 | 1981-08-06 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132240A patent/JPH0770514B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61289634A (ja) | 1986-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |