JPS627268B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS627268B2 JPS627268B2 JP6313179A JP6313179A JPS627268B2 JP S627268 B2 JPS627268 B2 JP S627268B2 JP 6313179 A JP6313179 A JP 6313179A JP 6313179 A JP6313179 A JP 6313179A JP S627268 B2 JPS627268 B2 JP S627268B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- etching
- gas plasma
- sio
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 42
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 25
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 fluorine radicals Chemical class 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010057249 Phagocytosis Diseases 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008782 phagocytosis Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層構造からなる被加工物を平行平板
形ガスプラズマ食刻装置で食刻する方法およびそ
の装置に関する。
形ガスプラズマ食刻装置で食刻する方法およびそ
の装置に関する。
酸化シリコン被膜等の材料をガスプラズマで食
刻する場合、より精密な加工が可能であることか
ら平行平板形ガスプラズマ食刻装置が用いられて
おり、その電極材料にはステンレススチール、石
英、アルミニウムまたは酸化アルミニウム等が採
用されている。一方、多層構造からなる被加工物
の被食刻層をガスプラズマで食刻する場合、被食
刻層の食刻速度Ｅ（Ｅ）が実用上十分な大きさで
あり、かつ、下地層の食刻速度Ｅ（ｕ）との比Ｒ
（Ｅ／ｕ）＝Ｅ（Ｅ）／Ｅ（ｕ）が十分大きいこと
が要求される。しかも、平行平板形ガスプラズマ
食刻装置の場合、通常、被加工物の周縁の方が中
央より速く食刻され、結果として食刻は被食刻物
の周縁から中央へと進んでいくことが多い。従つ
て、下地層の食刻速度が大きいと被加工物の周縁
の方が中央より深く食刻され、下地層への損傷等
が大きくなり好ましくない。
刻する場合、より精密な加工が可能であることか
ら平行平板形ガスプラズマ食刻装置が用いられて
おり、その電極材料にはステンレススチール、石
英、アルミニウムまたは酸化アルミニウム等が採
用されている。一方、多層構造からなる被加工物
の被食刻層をガスプラズマで食刻する場合、被食
刻層の食刻速度Ｅ（Ｅ）が実用上十分な大きさで
あり、かつ、下地層の食刻速度Ｅ（ｕ）との比Ｒ
（Ｅ／ｕ）＝Ｅ（Ｅ）／Ｅ（ｕ）が十分大きいこと
が要求される。しかも、平行平板形ガスプラズマ
食刻装置の場合、通常、被加工物の周縁の方が中
央より速く食刻され、結果として食刻は被食刻物
の周縁から中央へと進んでいくことが多い。従つ
て、下地層の食刻速度が大きいと被加工物の周縁
の方が中央より深く食刻され、下地層への損傷等
が大きくなり好ましくない。
本発明の目的は、多層構造からなる被加工物を
平行平板形ガスプラズマ食刻装置で食刻する場合
の上記の要求、すなわちＲ（Ｅ／ｕ）を大きくす
ることならびに上述の欠点すなわち被加工物内の
食刻速度の不均一性を改善するための改良手段を
提供することにある。
平行平板形ガスプラズマ食刻装置で食刻する場合
の上記の要求、すなわちＲ（Ｅ／ｕ）を大きくす
ることならびに上述の欠点すなわち被加工物内の
食刻速度の不均一性を改善するための改良手段を
提供することにある。
次に、本発明の内容を被食刻層が酸化シリコン
（SiO2）被膜、下地層がシリコン（Si）からなる多
層構造の被加工物を例にとつて、より具体的に説
明する。
（SiO2）被膜、下地層がシリコン（Si）からなる多
層構造の被加工物を例にとつて、より具体的に説
明する。
文献（Solid State Electronics；vol 18、
pp1146〜1147、1975）等から推察すれば、従
来、ガスプラズマ食刻に使用されているフツ素化
合物、例えば四フツ化炭素（CF4）ガスのプラズ
マ状態においてフツ素ラジカル（Ｆ*）や三フツ
化炭素ラジカル（CF3 *）等が解離されるが、該
フツ素ラジカルはSiとの反応性が大きく、該三フ
ツ化炭素ラジカルはSiO2との反応性が大きい。
従つて、フツ素ラジカルを何らかの方法で減少さ
せればSiの食刻速度は低下し、結果としてSiO2と
Siとの食刻速度比Ｒ（SiO2／Si）が大きくなり、
SiO2被膜の選択食刻が可能となる。
pp1146〜1147、1975）等から推察すれば、従
来、ガスプラズマ食刻に使用されているフツ素化
合物、例えば四フツ化炭素（CF4）ガスのプラズ
マ状態においてフツ素ラジカル（Ｆ*）や三フツ
化炭素ラジカル（CF3 *）等が解離されるが、該
フツ素ラジカルはSiとの反応性が大きく、該三フ
ツ化炭素ラジカルはSiO2との反応性が大きい。
従つて、フツ素ラジカルを何らかの方法で減少さ
せればSiの食刻速度は低下し、結果としてSiO2と
Siとの食刻速度比Ｒ（SiO2／Si）が大きくなり、
SiO2被膜の選択食刻が可能となる。
このような考察のもとに種々の方法が提案され
ているが、含水素フツ素化合物や水素とフツ素化
合物ガスとの混合ガスのガスプラズマを用いる方
法もその１つである。しかし、これらの食刻ガス
を用いても前記ステンレススチール製平板状電極
等を用いた平行平板形ガスプラズマ食刻装置で食
刻した場合にはSiO2とSiとの食刻速度比Ｒ
（SiO2／Si）はあまり大きな値は得られず、高々
Ｒ（SiO2／Si）＝10程度である。
ているが、含水素フツ素化合物や水素とフツ素化
合物ガスとの混合ガスのガスプラズマを用いる方
法もその１つである。しかし、これらの食刻ガス
を用いても前記ステンレススチール製平板状電極
等を用いた平行平板形ガスプラズマ食刻装置で食
刻した場合にはSiO2とSiとの食刻速度比Ｒ
（SiO2／Si）はあまり大きな値は得られず、高々
Ｒ（SiO2／Si）＝10程度である。
しかるに、本発明による平行平板形ガスプラズ
マ食刻装置およびガスプラズマ食刻法を用いれ
ば、SiO2の食刻速度Ｅ（SiO2）は実用上十分に大
きな値が得られ、SiO2とSiとの食刻速度比Ｒ
（SiO2／Si）も非常に大きく、かつ、被加工物内
における各々の食刻速度の不均一性も改善され、
本発明の目的を達成することができる。
マ食刻装置およびガスプラズマ食刻法を用いれ
ば、SiO2の食刻速度Ｅ（SiO2）は実用上十分に大
きな値が得られ、SiO2とSiとの食刻速度比Ｒ
（SiO2／Si）も非常に大きく、かつ、被加工物内
における各々の食刻速度の不均一性も改善され、
本発明の目的を達成することができる。
以下実施例によつて詳細に説明するが、本発明
はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。
はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。
実施例 １
第１図にその一例を示した平行平板形ガスプラ
ズマ食刻装置の反応槽１内に設置した平板状の
上、下電極２，３の表面材料４，５を多結晶シリ
コンとし、該下部電極３の表面材料５上に、Si基
板６の表面に選択的に形成したSiO2被膜７を有
する被加工物８を設置し、真空ポンプ９で該反応
槽１内を排気してガス圧を0.1ｍTorr以下にした
後、ガス導入管１０を通してCHF3ガスを一定の
流量で導入、反応槽１と真空ポンプ９の途中にあ
る排気速度調節弁１１を用いて反応槽１内のガス
圧を20から100ｍTorrの間で調節する。高周波電
源１２の高圧側を被加工物８が配置してある下部
電極３に接続し、対向電極（上部電極２）は接地
した後、下部電極３側から高周波電力を印加して
該CHF3ガスをプラズマ化して食刻処理を行つ
た。その結果、被加工物８において表出している
Si基板６部分およびSi基板上のSiO2被膜７部分
は、それぞれ第２図に示すようなSiの食刻速度曲
線１３およびSiO2の食刻速度曲線１４をもつて
食刻された。また、一枚の被加工物８中のSiおよ
びSiO2の食刻速度分布をガス圧50ｍTorrにおけ
る結果で例示すると、それぞれ、第３図の食刻速
度分布曲線１５および１６となる。
ズマ食刻装置の反応槽１内に設置した平板状の
上、下電極２，３の表面材料４，５を多結晶シリ
コンとし、該下部電極３の表面材料５上に、Si基
板６の表面に選択的に形成したSiO2被膜７を有
する被加工物８を設置し、真空ポンプ９で該反応
槽１内を排気してガス圧を0.1ｍTorr以下にした
後、ガス導入管１０を通してCHF3ガスを一定の
流量で導入、反応槽１と真空ポンプ９の途中にあ
る排気速度調節弁１１を用いて反応槽１内のガス
圧を20から100ｍTorrの間で調節する。高周波電
源１２の高圧側を被加工物８が配置してある下部
電極３に接続し、対向電極（上部電極２）は接地
した後、下部電極３側から高周波電力を印加して
該CHF3ガスをプラズマ化して食刻処理を行つ
た。その結果、被加工物８において表出している
Si基板６部分およびSi基板上のSiO2被膜７部分
は、それぞれ第２図に示すようなSiの食刻速度曲
線１３およびSiO2の食刻速度曲線１４をもつて
食刻された。また、一枚の被加工物８中のSiおよ
びSiO2の食刻速度分布をガス圧50ｍTorrにおけ
る結果で例示すると、それぞれ、第３図の食刻速
度分布曲線１５および１６となる。
一方、第１図に示した平行平板形ガスプラズマ
食刻装置において、上、下電極２，３の表面材料
４，５をアルミニウムにかえ、以下上記と同様な
方法で被加工物８をCHF3ガスプラズマで食刻し
た結果、それぞれ、第２図のSiの食刻速度曲線１
７およびSiO2の食刻速度曲線１８、および第３
図のSiの食刻速度分布曲線１９およびSiO2の食刻
速度分布曲線２０を得た。
食刻装置において、上、下電極２，３の表面材料
４，５をアルミニウムにかえ、以下上記と同様な
方法で被加工物８をCHF3ガスプラズマで食刻し
た結果、それぞれ、第２図のSiの食刻速度曲線１
７およびSiO2の食刻速度曲線１８、および第３
図のSiの食刻速度分布曲線１９およびSiO2の食刻
速度分布曲線２０を得た。
これらの結果から明瞭なように、平板状電極の
表面材料４，５に多結晶シリコンを用いるとSiの
食刻速度が抑えられ、結果としてSiO2とSiとの食
刻速度比Ｒ（SiO2／Si）の値が非常に大きくな
り、かつ、一枚の被加工物中の食刻速度分布も改
良され、より均一となることがわかる。
表面材料４，５に多結晶シリコンを用いるとSiの
食刻速度が抑えられ、結果としてSiO2とSiとの食
刻速度比Ｒ（SiO2／Si）の値が非常に大きくな
り、かつ、一枚の被加工物中の食刻速度分布も改
良され、より均一となることがわかる。
実施例 ２
実施例１で用いた平行平板形ガスプラズマ食刻
装置で、表面材料４，５が多結晶シリコンからな
る上、下電極２，３のうち、上部電極２の表面材
料４をステンレススチールにかえたのち、実施例
１と同じ方法で被加工物８をCHF3ガスでプラズ
マ食刻した結果、第２図に示したSiおよびSiO2の
食刻速度曲線１３および１４と同様な曲線を得
た。これに反し、下部電極３の表面材料５もステ
ンレススチールにかえて食刻した結果は、第２図
に示したSiおよびSiO2の食刻速度曲線１７および
１８とほぼ同じであつた。
装置で、表面材料４，５が多結晶シリコンからな
る上、下電極２，３のうち、上部電極２の表面材
料４をステンレススチールにかえたのち、実施例
１と同じ方法で被加工物８をCHF3ガスでプラズ
マ食刻した結果、第２図に示したSiおよびSiO2の
食刻速度曲線１３および１４と同様な曲線を得
た。これに反し、下部電極３の表面材料５もステ
ンレススチールにかえて食刻した結果は、第２図
に示したSiおよびSiO2の食刻速度曲線１７および
１８とほぼ同じであつた。
その他、第４図乃至第７図に示すように構成し
ても実施例１と類似の結果を得た。即ち、第４図
は下部電極３表面の被加工物に覆われていない部
分の一部をシリコンからなる表面材料５で形成し
たものである。第５図は下部電極３表面の被加工
物で覆われていない部分の、一部をシリコンから
なる表面材料５で形成し、他の一部を酸化シリコ
ンからなる表面材料５ａで形成したものである。
第６図は実施例１に於ける多結晶シリコンからな
る表面材料５の一部を、酸化シリコンからなる表
面材料５ａで覆つたものである。第７図は下部電
極３表面を酸化シリコンからなる表面材料５ａで
形成し、この表面材料５ａの被加工物で覆われて
いない部分の一部をシリコンからなる表面材料５
で被覆したものである。
ても実施例１と類似の結果を得た。即ち、第４図
は下部電極３表面の被加工物に覆われていない部
分の一部をシリコンからなる表面材料５で形成し
たものである。第５図は下部電極３表面の被加工
物で覆われていない部分の、一部をシリコンから
なる表面材料５で形成し、他の一部を酸化シリコ
ンからなる表面材料５ａで形成したものである。
第６図は実施例１に於ける多結晶シリコンからな
る表面材料５の一部を、酸化シリコンからなる表
面材料５ａで覆つたものである。第７図は下部電
極３表面を酸化シリコンからなる表面材料５ａで
形成し、この表面材料５ａの被加工物で覆われて
いない部分の一部をシリコンからなる表面材料５
で被覆したものである。
上、下電極２，３の表面材料４，５を多結晶シ
リコン環や多結晶シリコンと石英を交互に配列し
た板等にかえたり、石英板上に多数の小孔を有す
る多結晶シリコンを配置したりして実施例１およ
び２と同様な方法で食刻してみたが、すべて実施
例１と類似の結果を得た。また、食刻ガスとして
CF4とH2の混合ガスを用いて実施例１および２と
同様な方法で食刻したところ、実施例１と類似の
結果を得た。なお、CF4とH2の混合ガスにおい
て、CF4ガスに対するH2の添加量は５〜20％の範
囲が好ましい。添加量が５％以下の場合は、Siの
食刻速度があまり小さくならず、20％以上になる
とプラズマ重合反応がおこり易く、プラズマ重合
による反応生成物が被加工物表面に堆積し、プラ
ズマによる食刻作用を妨害する。
リコン環や多結晶シリコンと石英を交互に配列し
た板等にかえたり、石英板上に多数の小孔を有す
る多結晶シリコンを配置したりして実施例１およ
び２と同様な方法で食刻してみたが、すべて実施
例１と類似の結果を得た。また、食刻ガスとして
CF4とH2の混合ガスを用いて実施例１および２と
同様な方法で食刻したところ、実施例１と類似の
結果を得た。なお、CF4とH2の混合ガスにおい
て、CF4ガスに対するH2の添加量は５〜20％の範
囲が好ましい。添加量が５％以下の場合は、Siの
食刻速度があまり小さくならず、20％以上になる
とプラズマ重合反応がおこり易く、プラズマ重合
による反応生成物が被加工物表面に堆積し、プラ
ズマによる食刻作用を妨害する。
以上のように下地層６の食刻速度が低下するの
はプラズマ中の活性ラジカルが下地層６と同一材
料からなる表面材料５と反応し、下地層６との反
応を抑制するためと考えられる。従つて表面材料
５の少なくとも一部を下地層６と同一材料で形成
すれば、他の材料からなる被加工物８に適用して
も同等の効果を奏し得る。
はプラズマ中の活性ラジカルが下地層６と同一材
料からなる表面材料５と反応し、下地層６との反
応を抑制するためと考えられる。従つて表面材料
５の少なくとも一部を下地層６と同一材料で形成
すれば、他の材料からなる被加工物８に適用して
も同等の効果を奏し得る。
以上詳述したように、本発明によれば平行平板
形ガスプラズマ食刻装置の平板状電極のうち、少
なくとも被加工物を配置する側の電極表面物質と
して、被食刻層の下地層の物質と同じ物質を用
い、含水素フツ素化合物ガスまたは水素とフツ素
化合物ガスの混合ガスを食刻ガスとして使用し、
該被加工物を配置した電極側から高周波電力を印
加してプラズマを発生させ、食刻処理を行うこと
により被食刻層の食刻速度を実用上十分な大きさ
で保ちながら、被食刻層と下地層の食刻速度比を
大きくし、かつ、均一に食刻できることは明らか
である。なお、実施例では含水素フツ素化合物ガ
スとしてCHF3、水素とフツ素化合物ガスの混合
ガスとしてH2／CF4を用いたが、上記主旨に反し
ないガスであれば他のガスも適用できることは云
うまでもない。
形ガスプラズマ食刻装置の平板状電極のうち、少
なくとも被加工物を配置する側の電極表面物質と
して、被食刻層の下地層の物質と同じ物質を用
い、含水素フツ素化合物ガスまたは水素とフツ素
化合物ガスの混合ガスを食刻ガスとして使用し、
該被加工物を配置した電極側から高周波電力を印
加してプラズマを発生させ、食刻処理を行うこと
により被食刻層の食刻速度を実用上十分な大きさ
で保ちながら、被食刻層と下地層の食刻速度比を
大きくし、かつ、均一に食刻できることは明らか
である。なお、実施例では含水素フツ素化合物ガ
スとしてCHF3、水素とフツ素化合物ガスの混合
ガスとしてH2／CF4を用いたが、上記主旨に反し
ないガスであれば他のガスも適用できることは云
うまでもない。
第１図は、本発明の一実施例を説明するために
用いた平行平板形ガスプラズマ食刻装置の概略図
第２図は上、下電極の表面材料に多結晶シリコン
およびアルミニウムを用い、食刻ガスとして
CHF3ガスを用いた時のSiおよびSiO2食刻速度の
CHF3動作ガス圧依存性を示す図、第３図は、同
じく、上、下電極の表面材料に多結晶シリコンお
よびアルミニウムを用いた時のCHF3動作ガス圧
50ｍTorrにおける被加工物一枚中のSiおよび
SiO2食刻速度分布を示す図、第４図乃至第７図
は本発明の他の実施例を示す部分構成図である。 １……反応槽、２，３……平板状電極、４，５
……平板状電極の表面材料、６……下地層、７…
…被食刻層、８……被加工物、９……真空ポン
プ、１０……ガス導入管、１１……排気速度調節
弁、１２……高周波電源、１３，１７……Siの食
刻速度曲線、１４，１８……SiO2の食刻速度曲
線、１５，１９……Siの食刻速度分布曲線、１
６，２０……SiO2の食刻速度分布曲線。
用いた平行平板形ガスプラズマ食刻装置の概略図
第２図は上、下電極の表面材料に多結晶シリコン
およびアルミニウムを用い、食刻ガスとして
CHF3ガスを用いた時のSiおよびSiO2食刻速度の
CHF3動作ガス圧依存性を示す図、第３図は、同
じく、上、下電極の表面材料に多結晶シリコンお
よびアルミニウムを用いた時のCHF3動作ガス圧
50ｍTorrにおける被加工物一枚中のSiおよび
SiO2食刻速度分布を示す図、第４図乃至第７図
は本発明の他の実施例を示す部分構成図である。 １……反応槽、２，３……平板状電極、４，５
……平板状電極の表面材料、６……下地層、７…
…被食刻層、８……被加工物、９……真空ポン
プ、１０……ガス導入管、１１……排気速度調節
弁、１２……高周波電源、１３，１７……Siの食
刻速度曲線、１４，１８……SiO2の食刻速度曲
線、１５，１９……Siの食刻速度分布曲線、１
６，２０……SiO2の食刻速度分布曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応槽内に一対の平板状電極を互いに並行に
設け、上記電極間に於ける一方の電極の表面上に
被加工物を設置し、上記反応槽内を所定ガス圧に
し上記電極間に高周波電力を印加してガスプラズ
マを発生させ、上記被加工物を食刻するものに於
て、上記被加工物として下地層と、この下地層上
に形成された被食刻層とを有する多層構造のもの
を使用し、少なくとも被加工物を設置する側の電
極表面に於ける少なくとも一部を上記下地層と同
一材料で形成したことを特徴とするガスプラズマ
食刻法。 ２ 被加工物を設置する側の電極表面全体を被加
工物の下地層と同一材料で形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のガスプラズマ食
刻法。 ３ 被加工物を設置する側の電極表面に於ける他
の一部を被加工物の被食刻層と同一材料で形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ガスプラズマ食刻法。 ４ 被加工物を設置する側の電極に高周波電力の
高圧側を接続することを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第３項の何れかに記載のガスプラズ
マ食刻法。 ５ 被加工物の下地層がシリコン、被食刻層が酸
化シリコンからなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第４項の何れかに記載のガスプラ
ズマ食刻法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6313179A JPS55154582A (en) | 1979-05-21 | 1979-05-21 | Gas plasma etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6313179A JPS55154582A (en) | 1979-05-21 | 1979-05-21 | Gas plasma etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154582A JPS55154582A (en) | 1980-12-02 |
| JPS627268B2 true JPS627268B2 (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=13220401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6313179A Granted JPS55154582A (en) | 1979-05-21 | 1979-05-21 | Gas plasma etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154582A (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100683A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマエツチング方法 |
| JPS58209111A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| US4451349A (en) * | 1983-04-20 | 1984-05-29 | International Business Machines Corporation | Electrode treatment for plasma patterning of polymers |
| JPS60201632A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH0740567B2 (ja) * | 1985-07-25 | 1995-05-01 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | プラズマ処理の方法と装置 |
| JPH089787B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1996-01-31 | 日本電信電話株式会社 | プラズマエツチング装置 |
| US6068784A (en) * | 1989-10-03 | 2000-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process used in an RF coupled plasma reactor |
| JP2797667B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1998-09-17 | 住友金属工業株式会社 | プラズマエッチング装置 |
| US6251792B1 (en) | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
| US6444137B1 (en) | 1990-07-31 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method for processing substrates using gaseous silicon scavenger |
| US6518195B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
| US6090303A (en) * | 1991-06-27 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus |
| US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
| US6514376B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6036877A (en) | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| US6024826A (en) * | 1996-05-13 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US5888414A (en) * | 1991-06-27 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control |
| US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6238588B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process |
| US6074512A (en) | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
| US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
| JP2997142B2 (ja) * | 1992-01-24 | 2000-01-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 集積回路構造の選択性の高い酸化物エッチングプロセス |
| TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
| US6036878A (en) | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
| US6054013A (en) | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
| US6132551A (en) * | 1997-09-20 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil |
| US6589437B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Active species control with time-modulated plasma |
| US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
-
1979
- 1979-05-21 JP JP6313179A patent/JPS55154582A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154582A (en) | 1980-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4615764A (en) | SF6/nitriding gas/oxidizer plasma etch system | |
| JPS5813625B2 (ja) | ガスプラズマ食刻法 | |
| EP0004285B1 (en) | A method of plasma etching silica at a faster rate than silicon in an article comprising both | |
| JP3275043B2 (ja) | エッチングの後処理方法 | |
| JPS6225757B2 (ja) | ||
| US4341593A (en) | Plasma etching method for aluminum-based films | |
| JPH04233731A (ja) | 集積回路用の可溶性酸化物 | |
| JP3002496B2 (ja) | 半導体ウェハのドライエッチング方法 | |
| JPS59222933A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH0770514B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS60126835A (ja) | エッチング方法 | |
| JPS6328995B2 (ja) | ||
| JP3124599B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2594967B2 (ja) | プラズマ洗浄方法 | |
| JPS5855568A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JPS6316467B2 (ja) | ||
| JPH0241167B2 (ja) | ||
| JPH02281730A (ja) | プラズマエッチング法 | |
| JPS6030098B2 (ja) | スパツタエツチング方法 | |
| JPS5511167A (en) | Dry etching method | |
| JPS58100683A (ja) | プラズマエツチング方法 | |
| JPH01223733A (ja) | 炭化チタン系膜及び窒化チタン系膜のエッチング方法 | |
| JPS6032972B2 (ja) | エツチング装置 | |
| JP2516099B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS61246382A (ja) | ドライエツチング装置 |