JPH0770826B2 - 不活性ガス流によるｉｃ実装法 - Google Patents
不活性ガス流によるｉｃ実装法Info
- Publication number
- JPH0770826B2 JPH0770826B2 JP59180503A JP18050384A JPH0770826B2 JP H0770826 B2 JPH0770826 B2 JP H0770826B2 JP 59180503 A JP59180503 A JP 59180503A JP 18050384 A JP18050384 A JP 18050384A JP H0770826 B2 JPH0770826 B2 JP H0770826B2
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- JP
- Japan
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- inert gas
- heating
- cooling
- nozzle
- solder connection
- Prior art date
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子と共通のガラス基板などへ、液
晶の劣化や、基板のクラック等を生ずることなく、ICを
実装接続する方法に関する。
晶の劣化や、基板のクラック等を生ずることなく、ICを
実装接続する方法に関する。
従来から、ICなどを基板に取付ける際に、例えば「電子
材料のはんだ付技術」（大澤 直著、工業調査会刊）15
9〜161頁に記載されているように、赤外線照射や熱風吹
付けによる局部的加熱によって半田接続することが行わ
れていた。
材料のはんだ付技術」（大澤 直著、工業調査会刊）15
9〜161頁に記載されているように、赤外線照射や熱風吹
付けによる局部的加熱によって半田接続することが行わ
れていた。
しかし、赤外線照射法には、（イ）熱歪クラックを生じ
易いガラス基板等にICを半田付けするには不向き、
（ロ）液晶などの様に耐熱温度の低い（120℃）ものの
近傍にICを接続する場合、液晶を耐熱温度以下に保持す
ることが困難、（ハ）フラックスの酸化焼付を防止する
ために不活性ガス吹付機構を加熱部に付属設置する必要
があり加熱部全体の構造が複雑になる、（ニ）赤外線ヒ
ータには効率変化があり赤外線照射温度を検出して高精
度にフィードバック制御することが困難、などの難点が
ある。
易いガラス基板等にICを半田付けするには不向き、
（ロ）液晶などの様に耐熱温度の低い（120℃）ものの
近傍にICを接続する場合、液晶を耐熱温度以下に保持す
ることが困難、（ハ）フラックスの酸化焼付を防止する
ために不活性ガス吹付機構を加熱部に付属設置する必要
があり加熱部全体の構造が複雑になる、（ニ）赤外線ヒ
ータには効率変化があり赤外線照射温度を検出して高精
度にフィードバック制御することが困難、などの難点が
ある。
また従来の熱風吹付加熱法では、熱風が基板片面に吹付
けられ、吹付量および吹付タイミングの高度な制御は行
われず、且つプラテン（金属板）による基板の予備加熱
なども行わないので、炉中半田付け法などに比べて小さ
い設備で間に合うが、半田接続時間の短縮、接続個所周
辺を耐熱温度以下に保持すること、及び基板クラック防
止等の重要事項が何れも困難などの問題があった。
けられ、吹付量および吹付タイミングの高度な制御は行
われず、且つプラテン（金属板）による基板の予備加熱
なども行わないので、炉中半田付け法などに比べて小さ
い設備で間に合うが、半田接続時間の短縮、接続個所周
辺を耐熱温度以下に保持すること、及び基板クラック防
止等の重要事項が何れも困難などの問題があった。
本発明の目的は、ICを半田接続する個所の基板に熱歪に
よるクラックを発生させずに、半田接続個所近傍の耐熱
温度の低い物質を冷却保護しながら、高融点半田により
ICを基板に短時間で実装接続できる不活性ガス流による
IC実装法を提供することにある。
よるクラックを発生させずに、半田接続個所近傍の耐熱
温度の低い物質を冷却保護しながら、高融点半田により
ICを基板に短時間で実装接続できる不活性ガス流による
IC実装法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、基板上に
形成させた配線パターンの接続部に対応させて、予め接
続用半田を盛った接続端子を有するICを配置し、半田接
続個所には高温に加熱した不活性ガス流を、接続個所の
周辺部には常温の冷却用不活性ガス流を、基板の表裏両
面に、それぞれ局部的に吹付け、半田接続終了後は直ち
に当該個所にも常温の冷却用不活性ガス流を吹付ける一
連の操作により、基板の半田接続局部の周辺は常に耐熱
温度以下に保持したまま、半田接続局部のみに対して、
半田を溶融させ電気的接続を実現するのに十分な高温ま
での加熱処理および接続終了後の常温への復帰冷却処理
を極めて短時間に終らせるようにした。なお、半田接続
の信頼性を向上させるために高融点半田を使用するの
で、高温の不活性ガスを流量を段階的に切換えながら連
続的に吹出させて、吹付ける高温不活性ガスの温度を安
定して所定値に保持させた。
形成させた配線パターンの接続部に対応させて、予め接
続用半田を盛った接続端子を有するICを配置し、半田接
続個所には高温に加熱した不活性ガス流を、接続個所の
周辺部には常温の冷却用不活性ガス流を、基板の表裏両
面に、それぞれ局部的に吹付け、半田接続終了後は直ち
に当該個所にも常温の冷却用不活性ガス流を吹付ける一
連の操作により、基板の半田接続局部の周辺は常に耐熱
温度以下に保持したまま、半田接続局部のみに対して、
半田を溶融させ電気的接続を実現するのに十分な高温ま
での加熱処理および接続終了後の常温への復帰冷却処理
を極めて短時間に終らせるようにした。なお、半田接続
の信頼性を向上させるために高融点半田を使用するの
で、高温の不活性ガスを流量を段階的に切換えながら連
続的に吹出させて、吹付ける高温不活性ガスの温度を安
定して所定値に保持させた。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の要部断面図である。
液晶表示素子１の液晶封入部1a近傍のガラス基板1b上
に、LSIチップ２を、フラックス2aで仮固定してある。
液晶表示素子１の上下には、それぞれ加熱および冷却用
の不活性ガス流吹付穴を設けた金属製マスク（上）3a、
金属製マスク（下）3bが設置してある。さらに、上記金
属製マスク（上）3aの上部と、金属製マスク（下）3bの
下部とに、それぞれ、加熱用ノズル（上）4a、冷却用ノ
ズル（上）4bと、加熱用ノズル（下）4c、冷却用ノズル
（下）4dとが設けてある。加熱温度、吹付ガス流量は、
それぞれ温調器5a、5bと、流量レギュレータ6a、6bとに
より制御する。また、加熱用ノズル（上）4a、冷却用ノ
ズル（上）4bと、加熱用ノズル（下）4c、冷却用ノズル
（下）4dとは、それぞれ、パルスコントローラ７により
位置決め可能になっている。なお、液晶表示素子１は、
通常、プラテン８上に固定された状態でコンベイア等に
搭載されて、この半田接続部に搬入、搬出される。
液晶表示素子１の液晶封入部1a近傍のガラス基板1b上
に、LSIチップ２を、フラックス2aで仮固定してある。
液晶表示素子１の上下には、それぞれ加熱および冷却用
の不活性ガス流吹付穴を設けた金属製マスク（上）3a、
金属製マスク（下）3bが設置してある。さらに、上記金
属製マスク（上）3aの上部と、金属製マスク（下）3bの
下部とに、それぞれ、加熱用ノズル（上）4a、冷却用ノ
ズル（上）4bと、加熱用ノズル（下）4c、冷却用ノズル
（下）4dとが設けてある。加熱温度、吹付ガス流量は、
それぞれ温調器5a、5bと、流量レギュレータ6a、6bとに
より制御する。また、加熱用ノズル（上）4a、冷却用ノ
ズル（上）4bと、加熱用ノズル（下）4c、冷却用ノズル
（下）4dとは、それぞれ、パルスコントローラ７により
位置決め可能になっている。なお、液晶表示素子１は、
通常、プラテン８上に固定された状態でコンベイア等に
搭載されて、この半田接続部に搬入、搬出される。
次ぎに、LSIチップの半田接続加熱と液晶封入部冷却の
ための高温、低温の不活性ガスの吹付タイムチャートを
第１図（ｂ）により説明する。タイミングＡでは、加熱
用ノズルで高温（例えば600℃）ガスを吹付け、同時に
冷却用ノズルで少量の低温（例えば20℃）ガスを吹付け
る。タイミングＢでは、加熱用ノズルを半田接続部外に
移動させ、吹付温度の安定のため少量の高温ガスを出し
ておき、冷却用ノズルを半田接続部内に移動させ、大量
の低温ガスを吹付ける。本実施例では、（イ）LSIチッ
プの半田接続部のガラス基板（金属膜配線部）を均一な
温度分布で加熱できるので、ガラス基板に熱歪によるク
ラックが発生しない、（ロ）半田接続部近傍における液
晶封入部を液晶の耐熱温度以下に保持可能なので、液晶
の劣化が防止される、（ハ）高温の不活性ガス（N2）を
半田接続部に吹付け加熱するので、フラックスの焼付き
防止、半田接続時間の短縮が可能、などの効果が得られ
た。
ための高温、低温の不活性ガスの吹付タイムチャートを
第１図（ｂ）により説明する。タイミングＡでは、加熱
用ノズルで高温（例えば600℃）ガスを吹付け、同時に
冷却用ノズルで少量の低温（例えば20℃）ガスを吹付け
る。タイミングＢでは、加熱用ノズルを半田接続部外に
移動させ、吹付温度の安定のため少量の高温ガスを出し
ておき、冷却用ノズルを半田接続部内に移動させ、大量
の低温ガスを吹付ける。本実施例では、（イ）LSIチッ
プの半田接続部のガラス基板（金属膜配線部）を均一な
温度分布で加熱できるので、ガラス基板に熱歪によるク
ラックが発生しない、（ロ）半田接続部近傍における液
晶封入部を液晶の耐熱温度以下に保持可能なので、液晶
の劣化が防止される、（ハ）高温の不活性ガス（N2）を
半田接続部に吹付け加熱するので、フラックスの焼付き
防止、半田接続時間の短縮が可能、などの効果が得られ
た。
以上説明したように本発明によれば、（ａ）加熱および
冷却用の吹付けノズルを併用することにより、局部の加
熱と其の周辺の冷却とを同時に実行できる、（ｂ）加熱
ガスと冷却ガスの流量の切換え及び吹付けタイミングの
設定を任意に制御し、加熱条件の最適化、加熱時間の短
縮化ができる、（ｃ）吹付けノズルと金属マスクによる
基本的に機構が簡単で、しかも安価な方法で、ICを半田
接続できる。
冷却用の吹付けノズルを併用することにより、局部の加
熱と其の周辺の冷却とを同時に実行できる、（ｂ）加熱
ガスと冷却ガスの流量の切換え及び吹付けタイミングの
設定を任意に制御し、加熱条件の最適化、加熱時間の短
縮化ができる、（ｃ）吹付けノズルと金属マスクによる
基本的に機構が簡単で、しかも安価な方法で、ICを半田
接続できる。
第１図（ａ）は本発明一実施例の要部断面図、第１図
（ｂ）は高温、低温の不活性ガスの吹付けタイムチャー
トである。 １……液晶表示素子、２……LSIチップ、2a……フラッ
クス、3a……金属製マスク（上）、3b……金属製マスク
（下）、4a……加熱用ノズル（上）、4b……冷却用ノズ
ル（上）、4c……加熱用ノズル（下）、4d……冷却用ノ
ズル（下）、5a、5b……温調器、6a、6b……流量レギュ
レータ、７……パルスコントローラ、８……プラテン、
Ａ……加熱のタイミング、Ｂ……冷却のタイミング。
（ｂ）は高温、低温の不活性ガスの吹付けタイムチャー
トである。 １……液晶表示素子、２……LSIチップ、2a……フラッ
クス、3a……金属製マスク（上）、3b……金属製マスク
（下）、4a……加熱用ノズル（上）、4b……冷却用ノズ
ル（上）、4c……加熱用ノズル（下）、4d……冷却用ノ
ズル（下）、5a、5b……温調器、6a、6b……流量レギュ
レータ、７……パルスコントローラ、８……プラテン、
Ａ……加熱のタイミング、Ｂ……冷却のタイミング。
Claims (2)
- 【請求項１】配線パターンを有するガラス基板に、ICを
半田付け実装する方法において、上記ガラス基板の表裏
両面側に、加熱用不活性ガスを吹付ける第１、第２のノ
ズル及び、不活性ガス吹付穴を有するマスクを設け、加
熱用不活性ガスを上記第１のノズルにより半田接続部に
吹付けると同時に、上記第２のノズルにより半田接続部
裏面にも吹付けることを特徴とする不活性ガス流による
IC実装法。 - 【請求項２】上記ガラス基板の表裏両面側に冷却用不活
性ガスを吹き付ける第３及び、第４のノズルを設け、上
記第１及び、第２のノズルにより加熱用不活性ガスを半
田接続部に吹付けると同時に、上記第３及び、第４のノ
ズルにより冷却用不活性ガスを上記ガラス基板に吹付け
る第１の工程と、上記第３及び、第４のノズルにより冷
却用不活性ガスを半田接続部に吹付ける第２の工程から
なり、第１の工程と第２の工程とで、冷却用不活性ガス
及び加熱用不活性ガスの流量を変化させることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の不活性ガス流による
IC実装法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180503A JPH0770826B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 不活性ガス流によるｉｃ実装法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180503A JPH0770826B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 不活性ガス流によるｉｃ実装法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159894A JPS6159894A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0770826B2 true JPH0770826B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16084378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180503A Expired - Lifetime JPH0770826B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 不活性ガス流によるｉｃ実装法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770826B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT412603B (de) * | 2003-03-12 | 2005-04-25 | Datacon Semiconductor Equip | Einrichtung zum verbinden von elektronischen schaltungen |
| US7619936B2 (en) * | 2006-11-16 | 2009-11-17 | Qimonda North America Corp. | System that prevents reduction in data retention |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158994A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | 株式会社日立製作所 | ポイント下加熱半田付方法及びその装置 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180503A patent/JPH0770826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159894A (ja) | 1986-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |