JPH0772806A - 電気泳動表示パネル用のｘｙマトリックス組立体の製造法 - Google Patents
電気泳動表示パネル用のｘｙマトリックス組立体の製造法Info
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- JPH0772806A JPH0772806A JP5221288A JP22128893A JPH0772806A JP H0772806 A JPH0772806 A JP H0772806A JP 5221288 A JP5221288 A JP 5221288A JP 22128893 A JP22128893 A JP 22128893A JP H0772806 A JPH0772806 A JP H0772806A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＸＹマトリックス組立体を有する電気泳動表
示パネルの製造における絶縁層上への金属薄膜電極の形
成を高歩留りで行う方法を提供する。 【構成】 (1) 複数の水平方向の帯状の透明の陰極を有
する透明基板上に全面に絶縁層を形成し、(2) その絶縁
層の全面に金属薄膜をスパッタリングし、(3) その基板
全面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクをのせて
露光、現像して、フォトレジスト硬化物の複数の垂直方
向のパターンを形成し、(4) エッチングにより垂直方向
の金属薄膜電極のパターンを形成し、(5) 絶縁層および
フォトレジストを除去して、電気泳動表示パネル用のＸ
Ｙマトリックス組立体を製造するにあたり、上記(2) の
工程において、基板に電圧を印加し、絶縁層表面をプラ
ズマにさらした後連続して又はさらしながらターゲット
側に電圧を印加してプラズマを発生させ、スパッタリン
グを行う。
示パネルの製造における絶縁層上への金属薄膜電極の形
成を高歩留りで行う方法を提供する。 【構成】 (1) 複数の水平方向の帯状の透明の陰極を有
する透明基板上に全面に絶縁層を形成し、(2) その絶縁
層の全面に金属薄膜をスパッタリングし、(3) その基板
全面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクをのせて
露光、現像して、フォトレジスト硬化物の複数の垂直方
向のパターンを形成し、(4) エッチングにより垂直方向
の金属薄膜電極のパターンを形成し、(5) 絶縁層および
フォトレジストを除去して、電気泳動表示パネル用のＸ
Ｙマトリックス組立体を製造するにあたり、上記(2) の
工程において、基板に電圧を印加し、絶縁層表面をプラ
ズマにさらした後連続して又はさらしながらターゲット
側に電圧を印加してプラズマを発生させ、スパッタリン
グを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気泳動表示パネルの
部品であるＸＹマトリックス組立体の製造方法に関す
る。本発明において、ＸＹマトリックス組立体とは、透
明基板上に形成された複数の水平方向（Ｘ方向）の帯状
の陰極と、絶縁層である該陰極に交差する複数の垂直方
向（Ｙ方向）の凸状部材と、該絶縁層上に形成された金
属薄膜電極を含むものをいう。
部品であるＸＹマトリックス組立体の製造方法に関す
る。本発明において、ＸＹマトリックス組立体とは、透
明基板上に形成された複数の水平方向（Ｘ方向）の帯状
の陰極と、絶縁層である該陰極に交差する複数の垂直方
向（Ｙ方向）の凸状部材と、該絶縁層上に形成された金
属薄膜電極を含むものをいう。
【０００２】
【従来の技術】電気泳動表示パネルに関しては多数の多
様な特許および論文がある。このような電気泳動表示パ
ネルに関して参考にされるのは、コピーテル社の１９８
７年４月７日発行、米国特許第４，６５５，８９７号明
細書、発明の名称「電気泳動表示パネルおよび関連する
方法」である。
様な特許および論文がある。このような電気泳動表示パ
ネルに関して参考にされるのは、コピーテル社の１９８
７年４月７日発行、米国特許第４，６５５，８９７号明
細書、発明の名称「電気泳動表示パネルおよび関連する
方法」である。
【０００３】前記米国特許において、透明基板上の複数
の水平方向の帯状の陰極と、絶縁層である該陰極に交差
する複数の垂直方向の凸状部材と、該絶縁層上に形成さ
れた金属薄膜電極を含むＸＹマトリックス組立体(1) 、
前記ＸＹマトリックス組立体から所定の間隔をとって配
置された陽極を有する基板(2) との間に電気泳動分散媒
体を封入し得る室(3) をもった電気泳動表示パネルが提
案されている。
の水平方向の帯状の陰極と、絶縁層である該陰極に交差
する複数の垂直方向の凸状部材と、該絶縁層上に形成さ
れた金属薄膜電極を含むＸＹマトリックス組立体(1) 、
前記ＸＹマトリックス組立体から所定の間隔をとって配
置された陽極を有する基板(2) との間に電気泳動分散媒
体を封入し得る室(3) をもった電気泳動表示パネルが提
案されている。
【０００４】前記米国特許には、電気泳動表示パネルを
組み立てる方法については具体的に記載されていない
が、絶縁層である凸状部材にスパッタリングもしくは蒸
着にて金属薄膜電極を形成している。
組み立てる方法については具体的に記載されていない
が、絶縁層である凸状部材にスパッタリングもしくは蒸
着にて金属薄膜電極を形成している。
【０００５】上記のとおり、絶縁層上に金属薄膜電極を
形成する際、絶縁層表面に特に物理的もしくは化学的処
理を行うことなく、通常のスパッタリング、もしくは蒸
着法で形成している。
形成する際、絶縁層表面に特に物理的もしくは化学的処
理を行うことなく、通常のスパッタリング、もしくは蒸
着法で形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のうち、蒸着法に
よる金属薄膜電極形成法では十分な付着力を得ることは
できず、またスパッタリングによる金属薄膜電極の形成
法では幾分か改善されるものの十分でなく、絶縁層と金
属薄膜電極の付着力の不足のために、金属薄膜電極の剥
離、クラックが起こり、その結果、断線が生じる。
よる金属薄膜電極形成法では十分な付着力を得ることは
できず、またスパッタリングによる金属薄膜電極の形成
法では幾分か改善されるものの十分でなく、絶縁層と金
属薄膜電極の付着力の不足のために、金属薄膜電極の剥
離、クラックが起こり、その結果、断線が生じる。
【０００７】本発明の目的は、ＸＹマトリックス組立体
を形成する際に、絶縁層表面をプラズマによる処理を行
うことにより、剥離、クラックの発生を防止して断線の
少ないＸＹマトリックス組立体を製造する方法を提供す
るものである。
を形成する際に、絶縁層表面をプラズマによる処理を行
うことにより、剥離、クラックの発生を防止して断線の
少ないＸＹマトリックス組立体を製造する方法を提供す
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、(1) 複数の水
平方向の帯状の透明の陰極を有する透明基板上に全面に
液状の有機物を塗布し、ベーキングして絶縁層を形成
し、(2) その基板の絶縁層の全面に金属薄膜をスパッタ
リングし、(3) その基板全面にフォトレジストを塗布
し、ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光し、
現像し、ベーキングして、フォトレジスト硬化物の複数
の垂直方向のパターンを形成し、(4) エッチングにより
フォトレジスト硬化物で覆われていない金属薄膜部分を
除去して垂直方向の金属薄膜電極のパターンを形成し、
(5) 陰極上の有機物質および金属薄膜電極上のフォトレ
ジストを除去して、電気泳動表示パネル用のＸＹマトリ
ックス組立体を製造するにあたり、上記(2)の工程にお
いて、基板に電圧を印加し、絶縁層表面をプラズマにさ
らした後連続して又はさらしながらターゲット側に電圧
を印加してプラズマを発生させ、スパッタリングを行う
ことを特徴とするＸＹマトリックス組立体の製造法であ
る。
平方向の帯状の透明の陰極を有する透明基板上に全面に
液状の有機物を塗布し、ベーキングして絶縁層を形成
し、(2) その基板の絶縁層の全面に金属薄膜をスパッタ
リングし、(3) その基板全面にフォトレジストを塗布
し、ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光し、
現像し、ベーキングして、フォトレジスト硬化物の複数
の垂直方向のパターンを形成し、(4) エッチングにより
フォトレジスト硬化物で覆われていない金属薄膜部分を
除去して垂直方向の金属薄膜電極のパターンを形成し、
(5) 陰極上の有機物質および金属薄膜電極上のフォトレ
ジストを除去して、電気泳動表示パネル用のＸＹマトリ
ックス組立体を製造するにあたり、上記(2)の工程にお
いて、基板に電圧を印加し、絶縁層表面をプラズマにさ
らした後連続して又はさらしながらターゲット側に電圧
を印加してプラズマを発生させ、スパッタリングを行う
ことを特徴とするＸＹマトリックス組立体の製造法であ
る。
【０００９】本発明における(1) の工程では、複数の水
平方向の帯状の透明の陰極を有する透明基板上に全面に
液状の有機物を塗布し、ベーキングし絶縁層を形成す
る。透明基板の材料としては、ソーダガラス、ほう珪酸
ガラスなどが使われる。透明陰極の材料としては、ＩＴ
Ｏ（インジウム−スズ酸化物）、酸化スズ、インジウム
マグネシウム酸化物などが使われる。
平方向の帯状の透明の陰極を有する透明基板上に全面に
液状の有機物を塗布し、ベーキングし絶縁層を形成す
る。透明基板の材料としては、ソーダガラス、ほう珪酸
ガラスなどが使われる。透明陰極の材料としては、ＩＴ
Ｏ（インジウム−スズ酸化物）、酸化スズ、インジウム
マグネシウム酸化物などが使われる。
【００１０】透明基板上に複数の水平方向の帯状の透明
陰極を形成する方法は例えば、フォトレジストを塗布
し、露光、現像、ベーキング、ウェットエッチングする
等により行われる。透明陰極上に塗布される液状の有機
物としては、熱硬化性のフォトレジストなどが使用され
る。ベーキングは通常、１２０〜１８０℃、３０〜６０
分行われる。
陰極を形成する方法は例えば、フォトレジストを塗布
し、露光、現像、ベーキング、ウェットエッチングする
等により行われる。透明陰極上に塗布される液状の有機
物としては、熱硬化性のフォトレジストなどが使用され
る。ベーキングは通常、１２０〜１８０℃、３０〜６０
分行われる。
【００１１】本発明における(2) の工程では、その基板
の絶縁層の全面に金属薄膜をスパッタリングする。絶縁
層に耐剥離性、耐クラック性の高い金属薄膜電極を形成
する方法として、スパッタリング法を用い、スパッタリ
ング槽内に基板を取り付け、スパッタリング槽内を真空
に排気し、スパッタリングガスを導入する。その後、絶
縁層の取り付けられた基板に電圧を印加し、プラズマを
発生させる。絶縁層表面をプラズマにさらした後、もく
しはプラズマにさらしながら、スパッタリング槽内を大
気開放することなく連続してターゲットに電圧を印加し
プラズマを発生させ、金属薄膜電極形成を行う。
の絶縁層の全面に金属薄膜をスパッタリングする。絶縁
層に耐剥離性、耐クラック性の高い金属薄膜電極を形成
する方法として、スパッタリング法を用い、スパッタリ
ング槽内に基板を取り付け、スパッタリング槽内を真空
に排気し、スパッタリングガスを導入する。その後、絶
縁層の取り付けられた基板に電圧を印加し、プラズマを
発生させる。絶縁層表面をプラズマにさらした後、もく
しはプラズマにさらしながら、スパッタリング槽内を大
気開放することなく連続してターゲットに電圧を印加し
プラズマを発生させ、金属薄膜電極形成を行う。
【００１２】スパッタリングに際してはスパッタリング
ガスとしてアルゴン、ネオン、キセノン、もしくはこれ
らのガスと酸素、水素、CF4 、CF3Br 、C2ClF5、CCl4、
C2F4Cl2 などのガスとの混合ガスが用いられ、ガス圧力
は0.1mTorrから50mTorr の範囲で行われる。基板もしく
はターゲットに印加される電圧の形式は直流電圧、高周
波電圧が考えられる。
ガスとしてアルゴン、ネオン、キセノン、もしくはこれ
らのガスと酸素、水素、CF4 、CF3Br 、C2ClF5、CCl4、
C2F4Cl2 などのガスとの混合ガスが用いられ、ガス圧力
は0.1mTorrから50mTorr の範囲で行われる。基板もしく
はターゲットに印加される電圧の形式は直流電圧、高周
波電圧が考えられる。
【００１３】本発明における(3) の工程では、金属薄膜
電極が形成された基板全面にフォトレジストを塗布し、
前ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光し、現
像し、後ベーキングしてフォトレジスト硬化物の複数の
垂直方向のパターンを形成する。フォトレジストとして
は、一般的にノボラック系のポジ型レジストが使用さ
れ、例えばシプレー社製、商品名シプレーS1400-22、同
シプレーS1400-27が使用される。
電極が形成された基板全面にフォトレジストを塗布し、
前ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光し、現
像し、後ベーキングしてフォトレジスト硬化物の複数の
垂直方向のパターンを形成する。フォトレジストとして
は、一般的にノボラック系のポジ型レジストが使用さ
れ、例えばシプレー社製、商品名シプレーS1400-22、同
シプレーS1400-27が使用される。
【００１４】前ベーキングは、通常、80〜100 ℃、10〜
40分間行われる。露光量は膜厚に応じて変化させるが、
例えばフォトレジストが1.6 μm の場合は85mJ/cm2であ
る。現像はシプレー社製、商品名シプレーマイクロポジ
ェットデベロッパーコンクを用い、回転させながら20秒
間スプレーすることにより行う。後ベーキングは、通
常、110 〜180 ℃、30〜120 分間行う。
40分間行われる。露光量は膜厚に応じて変化させるが、
例えばフォトレジストが1.6 μm の場合は85mJ/cm2であ
る。現像はシプレー社製、商品名シプレーマイクロポジ
ェットデベロッパーコンクを用い、回転させながら20秒
間スプレーすることにより行う。後ベーキングは、通
常、110 〜180 ℃、30〜120 分間行う。
【００１５】本発明における(4) の工程では、エッチン
グによりフォトレジスト硬化物で覆われていない金属薄
膜部分を除去し、垂直方向の金属薄膜電極のパターンを
形成する。エッチングは硫酸セリウム＋硫酸又は硝酸、
硝酸セリウムアンモニウム＋硝酸等の水溶液をエッチン
グ液として用い、これらエッチング液中に浸積するか又
はエッチング液をスプレーすることにより行う。
グによりフォトレジスト硬化物で覆われていない金属薄
膜部分を除去し、垂直方向の金属薄膜電極のパターンを
形成する。エッチングは硫酸セリウム＋硫酸又は硝酸、
硝酸セリウムアンモニウム＋硝酸等の水溶液をエッチン
グ液として用い、これらエッチング液中に浸積するか又
はエッチング液をスプレーすることにより行う。
【００１６】本発明における(5) の工程では、陰極上の
絶縁層（有機物）および金属薄膜電極上のフォトレジス
トを除去する。これは酸素、酸素を含有する混合ガス等
を用いドライエッチングすることにより行う。
絶縁層（有機物）および金属薄膜電極上のフォトレジス
トを除去する。これは酸素、酸素を含有する混合ガス等
を用いドライエッチングすることにより行う。
【００１７】以上(1) 〜(5) の工程を順次行うことによ
り電気泳動表示パネルの部品であるＸＹマトリックス組
立体が得られる。
り電気泳動表示パネルの部品であるＸＹマトリックス組
立体が得られる。
【００１８】ＸＹマトリックス組立体(1) から所定の間
隔をとって配置された陽極を有する基板(2) との間に電
気泳動表示パネルを封入しうる室(3) を設けることよっ
て電気泳動表示パネルが製作される。
隔をとって配置された陽極を有する基板(2) との間に電
気泳動表示パネルを封入しうる室(3) を設けることよっ
て電気泳動表示パネルが製作される。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明するが、
本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではな
い。実施例で用いたスパッタリング装置は日電アネルバ
社製ＳＰＦ５３０Ｈであり、その断面の略図は図１に示
したとおりである。
本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではな
い。実施例で用いたスパッタリング装置は日電アネルバ
社製ＳＰＦ５３０Ｈであり、その断面の略図は図１に示
したとおりである。
【００２０】実施例１ (1) 複数の水平方向の帯状の透明陰極（材質、インジウ
ムスズ酸化物）を有する透明基板（材質、ほう酸ガラ
ス）上に全面に液状の有機物（材質、シプレー社製１４
００−２２番）を塗布し、100 ℃、20分間ベーキングし
絶縁層を形成した。
ムスズ酸化物）を有する透明基板（材質、ほう酸ガラ
ス）上に全面に液状の有機物（材質、シプレー社製１４
００−２２番）を塗布し、100 ℃、20分間ベーキングし
絶縁層を形成した。
【００２１】(2) その基板の絶縁層の全面に金属薄膜を
スパッタリングした。すなわち、基板ホルダー２に絶縁
層を形成した基板１０を取り付け、スパッタリング槽３
を密封し、0.1mTorrとなるまで排気系オリフィス６を開
いて排気し、その後、スパッタリング槽内の圧力が0.4m
Torrを維持する様にスパッタリングガスであるアルゴン
ガス導入量および排気量をオリフィス７及び６を調整し
た。次いで、絶縁層を有する基板に1.2kW の高周波電圧
を印加しプラズマを発生させ、絶縁層表面をプラズマに
30秒間さらした。次いで、基板に高周波電圧を印加する
のを止め、連続して電極材であるクロムターゲット１に
直流電圧を印加し、プラズマを発生させ4分間スパッタ
リングを行い電極を形成した。
スパッタリングした。すなわち、基板ホルダー２に絶縁
層を形成した基板１０を取り付け、スパッタリング槽３
を密封し、0.1mTorrとなるまで排気系オリフィス６を開
いて排気し、その後、スパッタリング槽内の圧力が0.4m
Torrを維持する様にスパッタリングガスであるアルゴン
ガス導入量および排気量をオリフィス７及び６を調整し
た。次いで、絶縁層を有する基板に1.2kW の高周波電圧
を印加しプラズマを発生させ、絶縁層表面をプラズマに
30秒間さらした。次いで、基板に高周波電圧を印加する
のを止め、連続して電極材であるクロムターゲット１に
直流電圧を印加し、プラズマを発生させ4分間スパッタ
リングを行い電極を形成した。
【００２２】(3) その基板全面にフォトレジスト（材質
シプレー社製商品名Ｓ1400-27)を塗布し、150 ℃、60分
間ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光（露光
量85mJ/cm2) し、現像液（シプレー社製商品名マイクロ
ポジェットデベロッパーコンク）を使って現像して、フ
ォトレジスト硬化物の複数の垂直方向のパターンを形成
した。
シプレー社製商品名Ｓ1400-27)を塗布し、150 ℃、60分
間ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光（露光
量85mJ/cm2) し、現像液（シプレー社製商品名マイクロ
ポジェットデベロッパーコンク）を使って現像して、フ
ォトレジスト硬化物の複数の垂直方向のパターンを形成
した。
【００２３】(4) エッチング液として硝酸セリウムアン
モニウム＋硝酸を用い、圧力2 kg/cm2でスプレーする方
法でエッチングによりフォトレジスト硬化物で覆われて
いない金属薄膜部分を除去し、垂直方向の金属薄膜電極
のパターンを形成した。 (5) 陰極上の有機物および金属薄膜電極のフォトレジス
トを酸素ガスを用いたドライエッチングの方法で除去
し、ＸＹマトリックス組立体を得た。
モニウム＋硝酸を用い、圧力2 kg/cm2でスプレーする方
法でエッチングによりフォトレジスト硬化物で覆われて
いない金属薄膜部分を除去し、垂直方向の金属薄膜電極
のパターンを形成した。 (5) 陰極上の有機物および金属薄膜電極のフォトレジス
トを酸素ガスを用いたドライエッチングの方法で除去
し、ＸＹマトリックス組立体を得た。
【００２４】実施例２ (2) の工程を下記のように変えた以外は、実施例１と同
様に行い、ＸＹマトリックス組立体を製造した。基板ホ
ルダー２に絶縁層を形成させた基板１０を取り付け、ス
パッタリング槽３を密封し、0.1mTorrとなるまで排気系
オリフィス６を開けて排気し、その後、スパッタリング
槽内の圧力が0.4mTorrを維持するようにスパッタリング
ガスであるアルゴンガス導入量および排気量をオリフィ
ス７及び６を調整した。次いで、絶縁層を有する基板に
1.2kW の高周波電圧を印加しプラズマを発生させ、絶縁
層表面をプラズマに30秒間さらした。次いで、基板に高
周波電圧を印加しながら、同時に電極材であるクロムタ
ーゲット１に直流電圧を印加し、プラズマを発生させ 6
分間スパッタリングを行い電極を形成した。
様に行い、ＸＹマトリックス組立体を製造した。基板ホ
ルダー２に絶縁層を形成させた基板１０を取り付け、ス
パッタリング槽３を密封し、0.1mTorrとなるまで排気系
オリフィス６を開けて排気し、その後、スパッタリング
槽内の圧力が0.4mTorrを維持するようにスパッタリング
ガスであるアルゴンガス導入量および排気量をオリフィ
ス７及び６を調整した。次いで、絶縁層を有する基板に
1.2kW の高周波電圧を印加しプラズマを発生させ、絶縁
層表面をプラズマに30秒間さらした。次いで、基板に高
周波電圧を印加しながら、同時に電極材であるクロムタ
ーゲット１に直流電圧を印加し、プラズマを発生させ 6
分間スパッタリングを行い電極を形成した。
【００２５】上記実施例１、および２で作製した電極部
を持つＸＹマトリックス組立体は従来にみられた電極部
の絶縁層からの剥離、またはクラックが大幅に減少し、
高歩留りで電気泳動表示パネルを作製できた。
を持つＸＹマトリックス組立体は従来にみられた電極部
の絶縁層からの剥離、またはクラックが大幅に減少し、
高歩留りで電気泳動表示パネルを作製できた。
【００２６】比較例 上記実施例で作製した絶縁層と金属薄膜電極の付着力を
従来法で作製したものと比較した結果を表１に示す。こ
こで、従来法とは、絶縁層を形成した後、特に絶縁層の
処理を行わず作製する方法である。比較はテープテスト
により行い、絶縁層と金属薄膜電極間が剥離したサンプ
ルの数により評価した。テープは住友スリーエム社製ク
リアーテープを使用した。
従来法で作製したものと比較した結果を表１に示す。こ
こで、従来法とは、絶縁層を形成した後、特に絶縁層の
処理を行わず作製する方法である。比較はテープテスト
により行い、絶縁層と金属薄膜電極間が剥離したサンプ
ルの数により評価した。テープは住友スリーエム社製ク
リアーテープを使用した。
【００２７】
【００２８】
【発明の効果】本発明によって、ＸＹマトリックス組立
体を有する電気泳動表示パネルの製造における絶縁層上
への金属薄膜電極の形成を高歩留りで行うことが可能と
なった。
体を有する電気泳動表示パネルの製造における絶縁層上
への金属薄膜電極の形成を高歩留りで行うことが可能と
なった。
【図１】スパッタリング装置の断面図（略図）である。
１ ターゲット ２ 基板ホルダー ３ スパッタリング槽 ４ 高周波又は直流電源 ５ 真空ポンプ ６ 排気系オリフィス ７ スパッタリングガス導入系オリフィス ８ スパッタリングガスボンベ ９ 高周波又は直流電源 １０ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】実施例１ （１）複数の水平方向の帯状の透明陰極（材質、インジ
ウムスズ酸化物）を有する透明基板（材質、ほう酸ガラ
ス）上に全面に液状の有機物（材質、シプレー社製１４
００−２２番）を塗布し、１００℃、２０分間ベーキン
グし、フォトマスクを通して露光し、現像を行ない、端
子部に存在する不必要な絶縁層の有機物をとり除いた。
その後、１８０℃、９０分間ベーキングして絶縁層を形
成した。
ウムスズ酸化物）を有する透明基板（材質、ほう酸ガラ
ス）上に全面に液状の有機物（材質、シプレー社製１４
００−２２番）を塗布し、１００℃、２０分間ベーキン
グし、フォトマスクを通して露光し、現像を行ない、端
子部に存在する不必要な絶縁層の有機物をとり除いた。
その後、１８０℃、９０分間ベーキングして絶縁層を形
成した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】（３）その基板全面にフォトレジスト（材
質シプレー社製商品名Ｓ１４００−２７）を塗布し、１
００℃、２０分間ベーキングした後、フォトマスクをの
せて露光（露光量８５ｍＪ／ｃｍ２）し、現像液（シプ
レー社製商品名マイクロポジェットデベロッパーコン
ク）を使って現像して、フォトレジスト硬化物の複数の
垂直方向のパターンを形成した。
質シプレー社製商品名Ｓ１４００−２７）を塗布し、１
００℃、２０分間ベーキングした後、フォトマスクをの
せて露光（露光量８５ｍＪ／ｃｍ２）し、現像液（シプ
レー社製商品名マイクロポジェットデベロッパーコン
ク）を使って現像して、フォトレジスト硬化物の複数の
垂直方向のパターンを形成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】（４）エッチング液として硝酸セリウムア
ンモニウム＋硝酸を用い、圧力２ｋｇ／ｃｍ２でスプレ
ーする方法でエッチングによりフォトレジスト硬化物で
覆われていない金属薄膜部分を除去し、垂直方向の金属
薄膜電極のパターンを形成した。 （５）陰極上の有機物および金属薄膜電極上のフォトレ
ジストを酸素ガスを用いたドライエッチングの方法で除
去し、ＸＹマトリックス組立体を得た。
ンモニウム＋硝酸を用い、圧力２ｋｇ／ｃｍ２でスプレ
ーする方法でエッチングによりフォトレジスト硬化物で
覆われていない金属薄膜部分を除去し、垂直方向の金属
薄膜電極のパターンを形成した。 （５）陰極上の有機物および金属薄膜電極上のフォトレ
ジストを酸素ガスを用いたドライエッチングの方法で除
去し、ＸＹマトリックス組立体を得た。
Claims (1)
- 【請求項１】 (1) 複数の水平方向の帯状の透明の陰極
を有する透明基板上に全面に液状の有機物を塗布し、ベ
ーキングして絶縁層を形成し、(2) その基板の絶縁層の
全面に金属薄膜をスパッタリングし、(3) その基板全面
にフォトレジストを塗布し、ベーキングした後、フォト
マスクをのせて露光し、現像し、ベーキングして、フォ
トレジスト硬化物の複数の垂直方向のパターンを形成
し、(4) エッチングによりフォトレジスト硬化物で覆わ
れていない金属薄膜部分を除去して垂直方向の金属薄膜
電極のパターンを形成し、(5) 陰極上の絶縁層および金
属薄膜電極上のフォトレジストを除去して、電気泳動表
示パネル用のＸＹマトリックス組立体を製造するにあた
り、上記(2)の工程において、基板に電圧を印加し、絶
縁層表面をプラズマにさらした後連続して又はさらしな
がらターゲット側に電圧を印加してプラズマを発生さ
せ、スパッタリングを行うことを特徴とするＸＹマトリ
ックス組立体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221288A JPH0772806A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 電気泳動表示パネル用のｘｙマトリックス組立体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221288A JPH0772806A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 電気泳動表示パネル用のｘｙマトリックス組立体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772806A true JPH0772806A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16764439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221288A Pending JPH0772806A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 電気泳動表示パネル用のｘｙマトリックス組立体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772806A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041461A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tsurumi Soda Co., Ltd. | Etching liquid for conductive polymer and method for patterning conductive polymer |
| JP2008115362A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | 導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 |
| WO2009122923A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 鶴見曹達株式会社 | エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP5221288A patent/JPH0772806A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041461A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tsurumi Soda Co., Ltd. | Etching liquid for conductive polymer and method for patterning conductive polymer |
| JP2008115362A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | 導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 |
| WO2009122923A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 鶴見曹達株式会社 | エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板 |
| JP2009242699A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板 |
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