JPH02266329A - 液晶表示体の製造方法 - Google Patents
液晶表示体の製造方法Info
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- JPH02266329A JPH02266329A JP8897589A JP8897589A JPH02266329A JP H02266329 A JPH02266329 A JP H02266329A JP 8897589 A JP8897589 A JP 8897589A JP 8897589 A JP8897589 A JP 8897589A JP H02266329 A JPH02266329 A JP H02266329A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示体用等の透明電極の製造方法に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
液晶表示体等の透明電極の製造方法は、第４図に示すよ
うに、例えばＩＴＯと呼ばれるインジウム・スズ合金（
以後ＩＴＯ）を透明電極材料とする場合、第１図（ａ）
のガラス基板に対して真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の真空薄膜形成装置を用いて第４図
（ｂ）に示すようにガラス基板全面にＩＴＯ薄膜を形成
する。
うに、例えばＩＴＯと呼ばれるインジウム・スズ合金（
以後ＩＴＯ）を透明電極材料とする場合、第１図（ａ）
のガラス基板に対して真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の真空薄膜形成装置を用いて第４図
（ｂ）に示すようにガラス基板全面にＩＴＯ薄膜を形成
する。
第４図（Ｃ）、フォトレジストをスピンナー ロールコ
ータ−等によって塗布する。更に、第４図＜ｅ＞ｖ布し
たフォトレジストをポストベークし、電極パターンのフ
ォトマスクをアライナ−によって露光、転写し、フォト
レジストを現像して電極パターンを形成する。第４図（
ｄ）のようにＩＴＯをエツチングすることによって透明
電極が形成される。最後に第４図（ｆ）のようにフォト
レジストを剥離することによって透明電極パターンがが
得られる。
ータ−等によって塗布する。更に、第４図＜ｅ＞ｖ布し
たフォトレジストをポストベークし、電極パターンのフ
ォトマスクをアライナ−によって露光、転写し、フォト
レジストを現像して電極パターンを形成する。第４図（
ｄ）のようにＩＴＯをエツチングすることによって透明
電極が形成される。最後に第４図（ｆ）のようにフォト
レジストを剥離することによって透明電極パターンがが
得られる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記の工程は非常に長く、各工程での歩留まり
を掛は合わせると総合的な歩留まりは低くなってしまう
、特に、ＩＴＯのエツチング工程では前工程であるフォ
トレジストの塗布、露光、現像の僅かな欠陥が不良発生
の原因となってしまう、また高価なりリーンルーム内に
従来の工程の装置を設置した場合、その占有面積は製品
のコストに直接影響を及ぼす。
を掛は合わせると総合的な歩留まりは低くなってしまう
、特に、ＩＴＯのエツチング工程では前工程であるフォ
トレジストの塗布、露光、現像の僅かな欠陥が不良発生
の原因となってしまう、また高価なりリーンルーム内に
従来の工程の装置を設置した場合、その占有面積は製品
のコストに直接影響を及ぼす。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記の問題点を解決するものであり、ｌ）液晶
表示体において配線材料として用いられる透明電極をガ
ラス基板材料に、光を用い”で配線を直接描画し、透明
電極を形成することを特徴とする。
表示体において配線材料として用いられる透明電極をガ
ラス基板材料に、光を用い”で配線を直接描画し、透明
電極を形成することを特徴とする。
２）光源として紫外線を使用したことを特徴とする。
３）光源として紫外線レーザーを用いたことを特徴とす
る。
る。
［実施例コ
以下に実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の透明電極の製造装置の概略図である。
ガラス基板を真空に排気する容器と、透明電極を形成す
る容器とにゲートバルブでしきられている。透明電極を
形成する容器には光を通すガラス窓が装備されており、
その窓に光を照射する紫外線光学系が設けられている。
る容器とにゲートバルブでしきられている。透明電極を
形成する容器には光を通すガラス窓が装備されており、
その窓に光を照射する紫外線光学系が設けられている。
さらに透明電極を形成した後大気圧に戻す容器によって
構成されている。ガラス基板は真空排気する容器から透
明電極を形成したのち、取り出す容器までは搬送系によ
って移動する。
構成されている。ガラス基板は真空排気する容器から透
明電極を形成したのち、取り出す容器までは搬送系によ
って移動する。
第１図は本発明の透明電極の製造工程を示す図である。
第４図に示した従来の製造工程と比較すると圧倒的に短
縮されていることがわかる。
縮されていることがわかる。
十分に洗浄されたガラス基板を真空排気容器内に導入し
、１ ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気し、透明電極形成
容器に移動し、ガラス基板はステージに固、定される。
、１ ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気し、透明電極形成
容器に移動し、ガラス基板はステージに固、定される。
いったん容器内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気し、
照射された光と反応し電極構成材料となるＩ ｎ Ｃ１
ｓ ＋ Ｓ ｎ Ｈ４＋ ０２をガスとして導入する。
照射された光と反応し電極構成材料となるＩ ｎ Ｃ１
ｓ ＋ Ｓ ｎ Ｈ４＋ ０２をガスとして導入する。
ただし、ＩｎＣ１＊は昇華させることによってガスとす
る０本実節例においては上記のガスを用いたが、有機金
属系の材料を用いることも可能である。ここで、第３図
に示した光学系を用いて光を照射する。Ｘｅ−Ｈｇラン
プから照射された光は平行光線となり、電極パターンを
形成したマスクをへてガラス基板に直接電極パターンを
形成する。
る０本実節例においては上記のガスを用いたが、有機金
属系の材料を用いることも可能である。ここで、第３図
に示した光学系を用いて光を照射する。Ｘｅ−Ｈｇラン
プから照射された光は平行光線となり、電極パターンを
形成したマスクをへてガラス基板に直接電極パターンを
形成する。
（第１図（ｂ））ここでの反応は従来の光ＣＶＤの光の
熱エネルギーによって、分解反応を起こすのではなく、
光の光子エネルギーよるものであり、ガラス基板を５０
０℃以上といった高温にすることを必要としない、形成
された電極材料はＩＴＯと呼ばれる組成： ９５ｗ
ｔ％Ｉｎ２０ｇ＋５ｗｔ％５ｎ０２である。
熱エネルギーによって、分解反応を起こすのではなく、
光の光子エネルギーよるものであり、ガラス基板を５０
０℃以上といった高温にすることを必要としない、形成
された電極材料はＩＴＯと呼ばれる組成： ９５ｗ
ｔ％Ｉｎ２０ｇ＋５ｗｔ％５ｎ０２である。
形成された透明電極は抵抗値、可視光透過率、ともに良
好である。
好である。
本実施例ではステンレス製のマスク（第３図、）を用い
たが、光源が強力か光源に対して透過率の高いガラスが
あればフォトマスクを用いることも可能である。透明電
極の膜厚は光の照射時間によって管理することが可能で
ある。第５図は本発明の透明電極製造装置での光の照射
時間に対する膜厚変化をプロットした図である。照射時
間に対して膜厚がリニアに対応していることがわかる。
たが、光源が強力か光源に対して透過率の高いガラスが
あればフォトマスクを用いることも可能である。透明電
極の膜厚は光の照射時間によって管理することが可能で
ある。第５図は本発明の透明電極製造装置での光の照射
時間に対する膜厚変化をプロットした図である。照射時
間に対して膜厚がリニアに対応していることがわかる。
このように透明電極パターンを形成した後ガラス基板を
大気圧に戻すための容器に移動し、容器内を大気圧とし
ガラス基板を取り出す。
大気圧に戻すための容器に移動し、容器内を大気圧とし
ガラス基板を取り出す。
同様の方法により、一対となるガラス基板のもう一方を
作る。その後、配向材としてポリイミドを塗布乾燥し、
ラビングを行なう、液晶を保持するためのエポキシ系接
着剤のシール材（液晶を封入するための間隙は設けてお
く）と上下電極を導通するための導通ペーストを塗布し
液晶パネルを組み立て圧着硬化する。さらに減圧容器で
液晶を封入し、液晶封入孔を封止し液晶パネルが完成す
る。
作る。その後、配向材としてポリイミドを塗布乾燥し、
ラビングを行なう、液晶を保持するためのエポキシ系接
着剤のシール材（液晶を封入するための間隙は設けてお
く）と上下電極を導通するための導通ペーストを塗布し
液晶パネルを組み立て圧着硬化する。さらに減圧容器で
液晶を封入し、液晶封入孔を封止し液晶パネルが完成す
る。
次に光源としてレーザーを用いた実施例にっ、いて説明
する。
する。
成膜装置は第５図に示すように光源としてエキシマレザ
ーを用いて、前記実施例とは異なり、マスクを用いるこ
となく電極パターンを形成する。
ーを用いて、前記実施例とは異なり、マスクを用いるこ
となく電極パターンを形成する。
本実施例においてはガラス基板を固定するステージを移
動することによって、パターンを形成した。
動することによって、パターンを形成した。
また、逆にレーザーを走査することによって電極パター
ンを形成することも可能である。
ンを形成することも可能である。
反応ガスは（ＣＨ３）４ｓｎと０２を用いた。
ＳｎＯ２を形成するためには上記ガス以外に水素化スズ
等の材料も使用可能である。透明電極の膜厚は前記実施
例と同様に光（レーザー）の照射時間によって管理する
ことが可能である。前実施例と同様に透明電極パターン
を形成した後ガラス基板を大気圧に戻すための容器に移
動し、容器内を大気圧としガラス基板を取り出す。
等の材料も使用可能である。透明電極の膜厚は前記実施
例と同様に光（レーザー）の照射時間によって管理する
ことが可能である。前実施例と同様に透明電極パターン
を形成した後ガラス基板を大気圧に戻すための容器に移
動し、容器内を大気圧としガラス基板を取り出す。
形成された透明電極は５ｎ０２である。
形成された透明電極は抵抗値、可視光透過率、ともに良
好である。さらに、同様の方法により、一対となるガラ
ス基板のもう一方を作る。その後、配向材としてポリイ
ミドを塗布乾燥し、ラビングを行なう。液晶を保持する
ためのエポキシ系接着剤のシール材（液晶を封入するた
めの間隙は設けておく）と上下電極を導通するための導
通ペーストを塗布し液晶パネルを組み立て圧着硬化する
。
好である。さらに、同様の方法により、一対となるガラ
ス基板のもう一方を作る。その後、配向材としてポリイ
ミドを塗布乾燥し、ラビングを行なう。液晶を保持する
ためのエポキシ系接着剤のシール材（液晶を封入するた
めの間隙は設けておく）と上下電極を導通するための導
通ペーストを塗布し液晶パネルを組み立て圧着硬化する
。
さらに減圧容器で液晶を封入し、液晶封入孔を封止し液
晶パネルが完成する。
晶パネルが完成する。
［発明の効果コ
本実施例によれば液晶表示体の製造工程を飛躍的に短縮
することが可能となる。さらに、製造工程におけるガラ
ス基板に対する熱的ダーメージを小さくすることも可能
となり、例えばカラー表示の液晶表示体において、その
特性を向上させるためのＲＧＢカラーフィルター上への
電極形成も容易となる。
することが可能となる。さらに、製造工程におけるガラ
ス基板に対する熱的ダーメージを小さくすることも可能
となり、例えばカラー表示の液晶表示体において、その
特性を向上させるためのＲＧＢカラーフィルター上への
電極形成も容易となる。
を示す図。
第２図は本発明の液晶表示体透明電極製造装置の概略図
。
。
第３図は本発明の実施例で用いた紫外線の光学系を示す
図。
図。
第５図は紫外線の照射時間と形成されたＩＴＯの膜厚の
関係を示す図。
関係を示す図。
第６図は本発明の実施例で用いたエキシマレーザ−の光
学系の概略図。
学系の概略図。
、真空ポンプ
、ｘ−ｙテーブル
、バルブ
ミツ−
、Ｘｅ−Ｈｇランプ
レンズ
、マスク
、エキシマレーザ−発信器
ガラス基板
、紫外線
ＩＴＯ
フォトレジスト
、紫外線光学系
、ガラス窓
、ゲートバルブ
、搬送系
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士 鈴木喜三部（他１名）
箋１０
（へ）
算１０
（し２
答
１図
（Ｃ）
写
云
一−−ウｅｊＪ （ｙｅｃ）
塚
ダ
口
手続補正書
（方式）
事件の表示 平成 １年 特 許 願発明の名称
液晶表示体の製造方法 第８８９７５号 ３、補正する者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）セイコーエプソン株式会社 代表取締役 中 村 恒 也 ４、代理人 （１）明細書第８頁１６行〜第８頁１７行目「第１図〜
を示す図、」とあるを 「第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の液晶表示体透明電極
の製造工程を示す図、」と補正します。
液晶表示体の製造方法 第８８９７５号 ３、補正する者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）セイコーエプソン株式会社 代表取締役 中 村 恒 也 ４、代理人 （１）明細書第８頁１６行〜第８頁１７行目「第１図〜
を示す図、」とあるを 「第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の液晶表示体透明電極
の製造工程を示す図、」と補正します。
蕃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）液晶表示体において配線材料として用いられる透明
電極をガラス基板材料に、光を用いて配線を直接描画し
、透明電極を形成することを特徴とする液晶表示体の製
造方法。 ２）光源として紫外線を使用したことを特徴とする請求
項１記載の液晶表示体の製造方法。 ３）光源として紫外線レーザーを用いたことを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8897589A JPH02266329A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 液晶表示体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8897589A JPH02266329A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 液晶表示体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266329A true JPH02266329A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13957804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8897589A Pending JPH02266329A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 液晶表示体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663084A (en) * | 1994-05-13 | 1997-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device |
| JP2009237444A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8897589A patent/JPH02266329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663084A (en) * | 1994-05-13 | 1997-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device |
| JP2009237444A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子 |
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