JPH0773435A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0773435A JPH0773435A JP23726293A JP23726293A JPH0773435A JP H0773435 A JPH0773435 A JP H0773435A JP 23726293 A JP23726293 A JP 23726293A JP 23726293 A JP23726293 A JP 23726293A JP H0773435 A JPH0773435 A JP H0773435A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録密度の向上に対応可能な磁気記録媒
体と、その製造方法を提案する。 【構成】 非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜及び潤
滑膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、非磁性基
板と下地膜との間に、非磁性基板側に成膜したＳｉ膜に
より非晶質化したＣ膜を介在させてなる。
体と、その製造方法を提案する。 【構成】 非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜及び潤
滑膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、非磁性基
板と下地膜との間に、非磁性基板側に成膜したＳｉ膜に
より非晶質化したＣ膜を介在させてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性基板上に各種膜
を順次積層して一体状とした磁気記録媒体に関し、さら
に詳しくは磁気記録密度向上に対応可能な磁気記録媒体
及びその製造方法に関するものである。
を順次積層して一体状とした磁気記録媒体に関し、さら
に詳しくは磁気記録密度向上に対応可能な磁気記録媒体
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気記録媒体は、Ｎｉ−Ｐをメッ
キしたＡｌ基板上に、下地膜、磁性膜、保護膜などを順
次スパッタリング法などで成膜させた後、潤滑剤を表面
にコーティングして作製されている。
キしたＡｌ基板上に、下地膜、磁性膜、保護膜などを順
次スパッタリング法などで成膜させた後、潤滑剤を表面
にコーティングして作製されている。
【０００３】そして、上記各種の膜のうち、磁性膜は、
例えば特開昭６１−２９２２１９号公報、特開昭６２−
２３９４２０号公報、或いは特開昭６２−１３７７２０
号公報等に示されるようにＣｏを主成分としてＰｔ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｉ等を含む３元素系または４元素系
合金をスパッタリング法などにより成膜させることが提
案されている。また、下地膜には、例えば特開昭６２−
２５７６１８号公報、特開昭６３−１０６９１７号公
報、或いは前記特開昭６１−２９２２１９号公報等に示
されるようにＣｒまたはＣｒ合金が使用されている。
例えば特開昭６１−２９２２１９号公報、特開昭６２−
２３９４２０号公報、或いは特開昭６２−１３７７２０
号公報等に示されるようにＣｏを主成分としてＰｔ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｉ等を含む３元素系または４元素系
合金をスパッタリング法などにより成膜させることが提
案されている。また、下地膜には、例えば特開昭６２−
２５７６１８号公報、特開昭６３−１０６９１７号公
報、或いは前記特開昭６１−２９２２１９号公報等に示
されるようにＣｒまたはＣｒ合金が使用されている。
【０００４】さらに、最近になって非磁性基板として、
高記録密度化を指向して従来のＡｌ基板から、軽くて強
く、しかも平坦性に優れるガラスまたはカーボン系基板
へと材質変換することが検討されている。
高記録密度化を指向して従来のＡｌ基板から、軽くて強
く、しかも平坦性に優れるガラスまたはカーボン系基板
へと材質変換することが検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
非磁性基板としてのＡｌ基板に代えて、単にそのままガ
ラスまたはカーボン基板を使用したとしても、ガラスま
たはカーボン系基板の表面に存在する元素の一部がＣｒ
またはＣｒ合金からなる下地膜中へ拡散したり、ガラス
またはカーボン系基板内に存在する気孔や粒界に保持
（内包）されているＨ2 Ｏ、Ｈ2 が放出し、特にガラス
系基板ではＯイオンの拡散があるため、例えば磁性膜で
の保磁力（Ｈｃ）が低下して角型比で代表される磁化の
ヒステリシスが適当でなくなり、高記録密度化を達成す
ることができないこともある。
非磁性基板としてのＡｌ基板に代えて、単にそのままガ
ラスまたはカーボン基板を使用したとしても、ガラスま
たはカーボン系基板の表面に存在する元素の一部がＣｒ
またはＣｒ合金からなる下地膜中へ拡散したり、ガラス
またはカーボン系基板内に存在する気孔や粒界に保持
（内包）されているＨ2 Ｏ、Ｈ2 が放出し、特にガラス
系基板ではＯイオンの拡散があるため、例えば磁性膜で
の保磁力（Ｈｃ）が低下して角型比で代表される磁化の
ヒステリシスが適当でなくなり、高記録密度化を達成す
ることができないこともある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決し、且つさらに高い記録密度を達成するために鋭
意研究した結果、非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜
及び潤滑膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、非
磁性基板と下地膜との間に、非磁性基板側に成膜したＳ
ｉ膜により非晶質化したＣ膜（以下、非晶質化膜とい
う）を介在させてなることを特徴とする磁気記録媒体及
びその製造方法を見出したのである。
を解決し、且つさらに高い記録密度を達成するために鋭
意研究した結果、非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜
及び潤滑膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、非
磁性基板と下地膜との間に、非磁性基板側に成膜したＳ
ｉ膜により非晶質化したＣ膜（以下、非晶質化膜とい
う）を介在させてなることを特徴とする磁気記録媒体及
びその製造方法を見出したのである。
【０００７】一般に、磁性膜がその性能を発揮するため
には、その直下に位置する下地膜の性状が関係し、この
下地膜の性質はその直下に位置する介在膜の表面に影響
される。その結果、介在膜に備わるべき条件は以下のよ
うになる。 表面が非晶質（アモルファス状）であること。 介在膜の内部からガスまたは構成元素が下地膜中へ拡
散してこないこと。 非磁性基板と介在膜との間、介在膜と下地膜との間が
それぞれ十分な密着性や遮断性を有していること。
には、その直下に位置する下地膜の性状が関係し、この
下地膜の性質はその直下に位置する介在膜の表面に影響
される。その結果、介在膜に備わるべき条件は以下のよ
うになる。 表面が非晶質（アモルファス状）であること。 介在膜の内部からガスまたは構成元素が下地膜中へ拡
散してこないこと。 非磁性基板と介在膜との間、介在膜と下地膜との間が
それぞれ十分な密着性や遮断性を有していること。
【０００８】そして、特開平４−２４７３２３号公報で
は、非磁性支持体の表面にＴｉの膜及びＳｉの膜を順次
被覆して積層した後、加熱処理して前記Ｓｉを前記Ｔｉ
中に熱拡散させた非晶質合金層を形成させた磁気記録媒
体が記載され、この磁気記録媒体が磁気特性を改善し得
ることが開示されている。しかし、上記磁気記録媒体で
は、介在膜の内部において、基板側がＴｉで下地膜側が
Ｓｉであるから、介在膜の内部上方部分に過剰のＳｉが
存在することがあり、この過剰なＳｉ成分が介在膜の直
上に積層される下地膜中のＣｒと部分的に反応するた
め、下地膜の安定な条件をつくることができない。
は、非磁性支持体の表面にＴｉの膜及びＳｉの膜を順次
被覆して積層した後、加熱処理して前記Ｓｉを前記Ｔｉ
中に熱拡散させた非晶質合金層を形成させた磁気記録媒
体が記載され、この磁気記録媒体が磁気特性を改善し得
ることが開示されている。しかし、上記磁気記録媒体で
は、介在膜の内部において、基板側がＴｉで下地膜側が
Ｓｉであるから、介在膜の内部上方部分に過剰のＳｉが
存在することがあり、この過剰なＳｉ成分が介在膜の直
上に積層される下地膜中のＣｒと部分的に反応するた
め、下地膜の安定な条件をつくることができない。
【０００９】本発明の磁気記録媒体の各構成を説明する
と、非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜及び潤滑膜
は、特にその材質や組成等を限定するものではなく、公
知のものを適宜に選定して使用することができ、その成
膜方法も特に限定するものではない。例えば非磁性基板
はカナサイトガラス、強化ガラス等のガラス系基板やカ
ーボン系基板等を使用することができる。また、前記の
ように下地膜としてはＣｒまたはＣｒ合金からなるもの
を使用してもよいし、磁性膜としてはＣｏを主成分とす
るものをスパッタリング法で成膜してもよい。
と、非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜及び潤滑膜
は、特にその材質や組成等を限定するものではなく、公
知のものを適宜に選定して使用することができ、その成
膜方法も特に限定するものではない。例えば非磁性基板
はカナサイトガラス、強化ガラス等のガラス系基板やカ
ーボン系基板等を使用することができる。また、前記の
ように下地膜としてはＣｒまたはＣｒ合金からなるもの
を使用してもよいし、磁性膜としてはＣｏを主成分とす
るものをスパッタリング法で成膜してもよい。
【００１０】また、前記した非晶質化膜は、Ｓｉ膜とＣ
膜とを順次成膜させた後、必要であれば加熱して得られ
るものである。上記したＳｉ膜とＣ膜との非晶質化速度
は、加熱する温度やシリサイド組成によっても異なる
が、実操業におけるスパッタリング温度（３００〜５０
０℃）では、概略１００〜２００Å／ｍｉｎ程度であ
る。そして、ＳｉがＣ膜の最上方部分にまで拡散して到
達すれば、Ｃ膜はすべて非晶質化されるのであるから、
Ｃ膜の厚さ（上限）は、実操業状態での加熱温度、及び
その直上の下地膜をスパッタリングするまでの時間にお
いてＳｉの拡散がＣ膜の最上方部分に到達できる程度の
ものに設定するのが好ましい。通常では、その厚みは１
０〜２００Åである。一方、Ｓｉ膜の厚さは２０〜１５
００Å、好ましくは３０〜１０００Åに設定される。Ｓ
ｉ膜の厚さが２０Å以下では密着力が不足し、非磁性基
板から上昇拡散してくるＯイオンなどのゲッターとして
の機能が十分でなくなる。また、１５００Å以上の厚さ
では実用上の意味が薄くなり、生産性が低下する。
膜とを順次成膜させた後、必要であれば加熱して得られ
るものである。上記したＳｉ膜とＣ膜との非晶質化速度
は、加熱する温度やシリサイド組成によっても異なる
が、実操業におけるスパッタリング温度（３００〜５０
０℃）では、概略１００〜２００Å／ｍｉｎ程度であ
る。そして、ＳｉがＣ膜の最上方部分にまで拡散して到
達すれば、Ｃ膜はすべて非晶質化されるのであるから、
Ｃ膜の厚さ（上限）は、実操業状態での加熱温度、及び
その直上の下地膜をスパッタリングするまでの時間にお
いてＳｉの拡散がＣ膜の最上方部分に到達できる程度の
ものに設定するのが好ましい。通常では、その厚みは１
０〜２００Åである。一方、Ｓｉ膜の厚さは２０〜１５
００Å、好ましくは３０〜１０００Åに設定される。Ｓ
ｉ膜の厚さが２０Å以下では密着力が不足し、非磁性基
板から上昇拡散してくるＯイオンなどのゲッターとして
の機能が十分でなくなる。また、１５００Å以上の厚さ
では実用上の意味が薄くなり、生産性が低下する。
【００１１】本発明の磁気記録媒体を製造するには、非
磁性基板上にＳｉ膜とＣ膜とをスパッタリング法、その
他の手段により成膜して非晶質化させ、介在膜として非
晶質化膜を形成したらその直上に下地膜、磁性膜、保護
膜及び潤滑膜をスパッタリング法、その他、従来から知
られている手段により成膜するのである。そして、Ｓｉ
膜とＣ膜とを非晶質化させる場合、常温若しくはそれ以
上の温度で加熱してもよいし、Ｃ膜の直上に形成する下
地膜を成膜する場合のスパッタリングの熱を利用して加
熱してもよい。Ｓｉ膜とＣ膜とを加熱すると、安定した
非晶質化膜を形成することができる。
磁性基板上にＳｉ膜とＣ膜とをスパッタリング法、その
他の手段により成膜して非晶質化させ、介在膜として非
晶質化膜を形成したらその直上に下地膜、磁性膜、保護
膜及び潤滑膜をスパッタリング法、その他、従来から知
られている手段により成膜するのである。そして、Ｓｉ
膜とＣ膜とを非晶質化させる場合、常温若しくはそれ以
上の温度で加熱してもよいし、Ｃ膜の直上に形成する下
地膜を成膜する場合のスパッタリングの熱を利用して加
熱してもよい。Ｓｉ膜とＣ膜とを加熱すると、安定した
非晶質化膜を形成することができる。
【００１２】
【作用】本発明の磁気記録媒体は、Ｓｉ膜とＣ膜とによ
り形成された非晶質化膜が極めて安定であって、非磁性
基板からのガスやイオンの拡散を防止し、しかもその直
上の下地膜を確実に保護することができる。そして、下
地膜の安定化により、その直上に位置する磁性膜を安定
化させることができ、このことは磁性膜に悪影響を及ぼ
すことがなく、しかも磁性膜の磁気特性としての極めて
高い保磁力を確保することにより、磁気記録密度の向上
を図ることができるものである。しかもＳｉ膜を非磁性
基板上に成膜し、その上にＣ膜を成膜して非晶質化させ
るので、仮に非晶質化された後に過剰のＳｉが残存した
としても非磁性基板側に存在するため下地膜の特性に影
響を与えることがない。
り形成された非晶質化膜が極めて安定であって、非磁性
基板からのガスやイオンの拡散を防止し、しかもその直
上の下地膜を確実に保護することができる。そして、下
地膜の安定化により、その直上に位置する磁性膜を安定
化させることができ、このことは磁性膜に悪影響を及ぼ
すことがなく、しかも磁性膜の磁気特性としての極めて
高い保磁力を確保することにより、磁気記録密度の向上
を図ることができるものである。しかもＳｉ膜を非磁性
基板上に成膜し、その上にＣ膜を成膜して非晶質化させ
るので、仮に非晶質化された後に過剰のＳｉが残存した
としても非磁性基板側に存在するため下地膜の特性に影
響を与えることがない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。
【００１４】［実施例１，２及び比較例１，２］；通常
のスパッタリング法により、非磁性基板上に非晶質化膜
（Ｓｉ膜＋Ｃ膜）、下地膜、磁性膜、保護膜を順次成膜
し、最上面にパーフロロポリエーテル系潤滑剤を塗布し
て実施例１，２の磁気記録媒体を製造し、高密度化の指
標としてＢ−ｓｈｉｆｔを測定して表２に示した。尚、
上記非磁性基板並びに各種膜の構成内容は表１に示し
た。また、Ｂ−ｓｈｉｆｔの測定条件は、ギャップ長
０．３５μｍ、トラック幅６．９μｍの薄膜ヘッドを使
用し、浮上高さ２．５マイクロインチ、半径２０ｍｍに
て測定した。変調コードはＭ．Ｆ．Ｍ．、記録パターン
はＢ６Ｄ９にて評価した。一方、磁気特性は、各ディス
クより７ｍｍ角の試片を切り出し、振動式磁気特性装置
（ＶＳＭ）にて保磁力（Ｈｃ）、残留磁化＊膜厚（Ｂｒ
δ）、角型比（Ｓ* ）を測定した。表１中、各種膜にお
ける成膜温度は、放射型温度計により測定したものであ
り、非晶質化膜については常温若しくは１００℃以下に
設定し、下地膜については１００〜６００℃、好ましく
は２００〜５００℃に設定した。磁性膜については、下
地膜析出時の予熱を利用した。さらに、上記非晶質化膜
を設けない以外は全く同一の構成の比較例１，２の磁気
記録媒体を製造し、同様な試験を行った結果を表２に並
記した。
のスパッタリング法により、非磁性基板上に非晶質化膜
（Ｓｉ膜＋Ｃ膜）、下地膜、磁性膜、保護膜を順次成膜
し、最上面にパーフロロポリエーテル系潤滑剤を塗布し
て実施例１，２の磁気記録媒体を製造し、高密度化の指
標としてＢ−ｓｈｉｆｔを測定して表２に示した。尚、
上記非磁性基板並びに各種膜の構成内容は表１に示し
た。また、Ｂ−ｓｈｉｆｔの測定条件は、ギャップ長
０．３５μｍ、トラック幅６．９μｍの薄膜ヘッドを使
用し、浮上高さ２．５マイクロインチ、半径２０ｍｍに
て測定した。変調コードはＭ．Ｆ．Ｍ．、記録パターン
はＢ６Ｄ９にて評価した。一方、磁気特性は、各ディス
クより７ｍｍ角の試片を切り出し、振動式磁気特性装置
（ＶＳＭ）にて保磁力（Ｈｃ）、残留磁化＊膜厚（Ｂｒ
δ）、角型比（Ｓ* ）を測定した。表１中、各種膜にお
ける成膜温度は、放射型温度計により測定したものであ
り、非晶質化膜については常温若しくは１００℃以下に
設定し、下地膜については１００〜６００℃、好ましく
は２００〜５００℃に設定した。磁性膜については、下
地膜析出時の予熱を利用した。さらに、上記非晶質化膜
を設けない以外は全く同一の構成の比較例１，２の磁気
記録媒体を製造し、同様な試験を行った結果を表２に並
記した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】［実施例３，４及び比較例３，４］；磁性
層をＣｏ81Ｃｒ13Ｐｔ6 膜４５０Åに代えた以外は、前
記実施例１，２と全く同様に実施例３，４の磁気記録媒
体を製造し、同様な試験を行った結果を表３に示した。
さらに、非晶質化膜を設けない以外は全く同一の構成の
比較例３，４の磁気記録媒体を製造し、同様な試験を行
った結果を表３に並記した。
層をＣｏ81Ｃｒ13Ｐｔ6 膜４５０Åに代えた以外は、前
記実施例１，２と全く同様に実施例３，４の磁気記録媒
体を製造し、同様な試験を行った結果を表３に示した。
さらに、非晶質化膜を設けない以外は全く同一の構成の
比較例３，４の磁気記録媒体を製造し、同様な試験を行
った結果を表３に並記した。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、高密度記録に適した磁気特性を有するものであ
る。
媒体は、高密度記録に適した磁気特性を有するものであ
る。
【００２０】また、Ｓｉ膜とＣ膜とにより非晶質化され
た膜が非磁性基板との密着性を向上させると共に非磁性
基板からのガスまたはイオンの拡散を防止し、しかも非
晶質化膜が下地膜と接することになるので、下地膜及び
磁性膜をその性能を発揮できる形で積層させたものとな
る。
た膜が非磁性基板との密着性を向上させると共に非磁性
基板からのガスまたはイオンの拡散を防止し、しかも非
晶質化膜が下地膜と接することになるので、下地膜及び
磁性膜をその性能を発揮できる形で積層させたものとな
る。
【図１】本発明の磁気記録媒体を模式的に示す断面図で
ある。
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板、下地膜、磁性膜、保護膜及
び潤滑膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、非磁
性基板と下地膜との間に、非磁性基板側に成膜したＳｉ
膜により非晶質化したＣ膜を介在させてなることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板がガラスまたはカーボン系基
板である請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 下地膜がＣｒを主成分とする請求項１ま
たは２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板上に、Ｓｉ膜とＣ膜とを成膜
させることにより、非磁性基板側のＳｉ膜から非晶質化
した膜を形成させ、上記非晶質化した膜の表面に下地
膜、磁性膜、保護膜及び潤滑膜を成膜するようにしたこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23726293A JPH0773435A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23726293A JPH0773435A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773435A true JPH0773435A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=17012804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23726293A Pending JPH0773435A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5731070A (en) * | 1995-12-20 | 1998-03-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium comprising a substrate, magnetic layer, and under layers including a silicon layer and a layer diffused with silicon |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247323A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP23726293A patent/JPH0773435A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247323A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5731070A (en) * | 1995-12-20 | 1998-03-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium comprising a substrate, magnetic layer, and under layers including a silicon layer and a layer diffused with silicon |
| US5914152A (en) * | 1995-12-20 | 1999-06-22 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and process for making same |
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