JPH0773454A - カーボン保護膜製造方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
カーボン保護膜製造方法及びプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0773454A JPH0773454A JP5217193A JP21719393A JPH0773454A JP H0773454 A JPH0773454 A JP H0773454A JP 5217193 A JP5217193 A JP 5217193A JP 21719393 A JP21719393 A JP 21719393A JP H0773454 A JPH0773454 A JP H0773454A
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- JP
- Japan
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- film
- plasma
- plasma processing
- processing apparatus
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマＣＶＤ法において、プラズマ中の負イ
オン活性種を選択的に用いて成膜する方法を提供するこ
と。 【構成】高周波電源を用いてプラズマが生成させている
とき、正の直流バイアス電圧を、高周波電源の出力に重
畳させるプラズマ処理装置。 【効果】本発明によれば、高硬度なカーボン膜を成膜可
能である。そのため、磁気記録媒体においてはカーボン
膜厚を薄膜化できリード／ライト特性の向上と、高記録
密度化対応した成膜が可能となる。
オン活性種を選択的に用いて成膜する方法を提供するこ
と。 【構成】高周波電源を用いてプラズマが生成させている
とき、正の直流バイアス電圧を、高周波電源の出力に重
畳させるプラズマ処理装置。 【効果】本発明によれば、高硬度なカーボン膜を成膜可
能である。そのため、磁気記録媒体においてはカーボン
膜厚を薄膜化できリード／ライト特性の向上と、高記録
密度化対応した成膜が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高硬質なアモルファスカ
ーボン保護膜を有する磁気記録媒体と、そのの製造方法
及び製造装置に関する。
ーボン保護膜を有する磁気記録媒体と、そのの製造方法
及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置を用いた被処理基板へ
の薄膜形成技術は、スパッタ、ＣＶＤ技術等を用いて磁
気ディスクや光ディスクにおける薄膜形成に広く用いら
れている。
の薄膜形成技術は、スパッタ、ＣＶＤ技術等を用いて磁
気ディスクや光ディスクにおける薄膜形成に広く用いら
れている。
【０００３】特に、高周波プラズマＣＶＤにおいては、
公開特許公報昭６２−８３４７１号に開示されている様
に高エネルギーイオンによるエッチングやイオンアシス
ト成膜を行う方法が公知であり、リアクティブイオンエ
ッチングや高硬度カーボン膜の成膜が行われている。
公開特許公報昭６２−８３４７１号に開示されている様
に高エネルギーイオンによるエッチングやイオンアシス
ト成膜を行う方法が公知であり、リアクティブイオンエ
ッチングや高硬度カーボン膜の成膜が行われている。
【０００４】しかしながら、被処理基板上における成膜
過程については学術的にも不明瞭な点が多く、被処理基
板にアタックするイオン活性種と成膜される膜質との関
係は明らかでない。通常のプラズマＣＶＤ処理は、被処
理基板を接地側電極上あるいは高周波を印加する側の電
極上のいずれかで処理を行うが、この場合、中性ラジカ
ル粒子とシースによって加速される正イオンによって成
膜処理が行なわれていると考えられている。例えばＣＨ
4ガスを用いたプラズマＣＶＤ処理におけるイオンエネ
ルギーアナライザの測定結果からは、中性ラジカル粒子
と主イオン成分としては、ＣＨ3＋イオン，Ｃ2Ｈ5＋イ
オンのスペクトルが最も強度が高く観測され、正イオン
を主とした成膜が行なわれていることが確認できる。
過程については学術的にも不明瞭な点が多く、被処理基
板にアタックするイオン活性種と成膜される膜質との関
係は明らかでない。通常のプラズマＣＶＤ処理は、被処
理基板を接地側電極上あるいは高周波を印加する側の電
極上のいずれかで処理を行うが、この場合、中性ラジカ
ル粒子とシースによって加速される正イオンによって成
膜処理が行なわれていると考えられている。例えばＣＨ
4ガスを用いたプラズマＣＶＤ処理におけるイオンエネ
ルギーアナライザの測定結果からは、中性ラジカル粒子
と主イオン成分としては、ＣＨ3＋イオン，Ｃ2Ｈ5＋イ
オンのスペクトルが最も強度が高く観測され、正イオン
を主とした成膜が行なわれていることが確認できる。
【０００５】この際、膜の硬質化を促すため膜表面から
の脱水素化を行なうが、これを行う方法として、より大
きな電位で加速したイオンを膜表面に打ち込んでいた。
しかしながら図１に示すように、膜表面では脱水素化に
ともない二重結合の生成される割合も高くなるため、膜
質をグラファイト化する原因ともなった。つまり、膜を
構成する分子内におけるＨの絶体量が多いため、脱水素
化に伴う二重結合の増加が発生し、Ｈ量の少ないＣ単結
合主体の膜ができにくい状況にあった。
の脱水素化を行なうが、これを行う方法として、より大
きな電位で加速したイオンを膜表面に打ち込んでいた。
しかしながら図１に示すように、膜表面では脱水素化に
ともない二重結合の生成される割合も高くなるため、膜
質をグラファイト化する原因ともなった。つまり、膜を
構成する分子内におけるＨの絶体量が多いため、脱水素
化に伴う二重結合の増加が発生し、Ｈ量の少ないＣ単結
合主体の膜ができにくい状況にあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記したように従来の
プラズマＣＶＤ技術においては、成膜時に用いられる主
なイオン活性種が、Ｈ原子を多く含む正イオンであり、
Ｈ量の少ないＣ単結合主体の膜ができにくい状況にあっ
た。
プラズマＣＶＤ技術においては、成膜時に用いられる主
なイオン活性種が、Ｈ原子を多く含む正イオンであり、
Ｈ量の少ないＣ単結合主体の膜ができにくい状況にあっ
た。
【０００７】本発明においては、Ｈ原子を多く含まない
イオン活性種であるＣ~、ＣＨ~といった負イオンを選択
的に用いた成膜を行うことで、Ｈ量の少ないＣ単結合主
体の膜を得、成膜された膜質についてのラマンスペクト
ルから定量的、かつ総合的に促え、高硬度保護膜を有す
る磁気記録媒体を得ることを目的とする。
イオン活性種であるＣ~、ＣＨ~といった負イオンを選択
的に用いた成膜を行うことで、Ｈ量の少ないＣ単結合主
体の膜を得、成膜された膜質についてのラマンスペクト
ルから定量的、かつ総合的に促え、高硬度保護膜を有す
る磁気記録媒体を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、イオンプラズマ処理装置における被処理基
板保持部分に正の直流バイアスを印加する機構を備え付
けることで負イオンを基板表面に引き寄せ、選択的にこ
れを用いて成膜を行った。
するために、イオンプラズマ処理装置における被処理基
板保持部分に正の直流バイアスを印加する機構を備え付
けることで負イオンを基板表面に引き寄せ、選択的にこ
れを用いて成膜を行った。
【０００９】具体的には、反応ガスとしてＣＨ4ガスを
用いた場合、負イオン化してプラズマ中に存在すると確
認できるものはＣ~あるいはＣＨ~であり、Ｃ原子１個当
たりに付属する水素原子数は、従来のイオン選択を行わ
ないプラズマＣＶＤにおいて主イオン成分であったＣＨ
3＋イオン、Ｃ2Ｈ5＋イオンに比較して１／２以下とな
る。つまり図２に示すように、負イオンを用いた成膜方
法を用いると膜中に含まれる水素の絶対量が少なくな
る。
用いた場合、負イオン化してプラズマ中に存在すると確
認できるものはＣ~あるいはＣＨ~であり、Ｃ原子１個当
たりに付属する水素原子数は、従来のイオン選択を行わ
ないプラズマＣＶＤにおいて主イオン成分であったＣＨ
3＋イオン、Ｃ2Ｈ5＋イオンに比較して１／２以下とな
る。つまり図２に示すように、負イオンを用いた成膜方
法を用いると膜中に含まれる水素の絶対量が少なくな
る。
【００１０】従って、膜中における単位体積当たりの水
素量が従来の正イオンを用いた場合得られる場合より少
なくすることが可能となる。このことは、二重結合の生
成を抑制することになり結果的には、Ｈ量の少ないＣ単
結合主体の膜を得る事が出来る。
素量が従来の正イオンを用いた場合得られる場合より少
なくすることが可能となる。このことは、二重結合の生
成を抑制することになり結果的には、Ｈ量の少ないＣ単
結合主体の膜を得る事が出来る。
【００１１】
【作用】本発明によると、負イオンのみで成膜されたカ
ーボン保護膜のラマンスペクトルは、１５２０cm~1以下
に一つだけピークをもつ特性を示すようになる。これ
は、従来の正イオンを用いた成膜で得られるアモルファ
ス的な構造を持つ膜に比較し、水素及び、二重結合が膜
中からより減少することにより、Ｃ単結合によりダイヤ
モンド構造をとる成分が増加したためと考えられる。ま
た、本スペクトルは二重結合の伸縮結合振動に対応する
ラマンスペクトル成分１５８０cm~1のピークがないこと
からも確認できる。また、ひとつのピークしか得られな
いことよりクラスタサイズの小さい同じ構造をもつ成分
で形成されていることも予想できる。
ーボン保護膜のラマンスペクトルは、１５２０cm~1以下
に一つだけピークをもつ特性を示すようになる。これ
は、従来の正イオンを用いた成膜で得られるアモルファ
ス的な構造を持つ膜に比較し、水素及び、二重結合が膜
中からより減少することにより、Ｃ単結合によりダイヤ
モンド構造をとる成分が増加したためと考えられる。ま
た、本スペクトルは二重結合の伸縮結合振動に対応する
ラマンスペクトル成分１５８０cm~1のピークがないこと
からも確認できる。また、ひとつのピークしか得られな
いことよりクラスタサイズの小さい同じ構造をもつ成分
で形成されていることも予想できる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００１３】図３は本発明のディスク基板用プラズマ処
理装置の一実施例の構成を示す。
理装置の一実施例の構成を示す。
【００１４】本発明によるプラズマ処理装置は少なくと
も、大気圧以下の圧力に排気可能で、かつ、高電圧を印
加しプラズマを発生させるための真空槽兼電極１と、被
処理ディスク基板２とこれを保持し、かつ直流正電圧を
印加する第３電極３と印加するための直流正電圧印加装
置４とチョークコイル９と、前記電極１に高周波電力を
印加するための高周波電源５とブロッキングコンデンサ
１０と電極間を絶縁するための絶縁材１１と、ガス状物
質をプラズマ発生領域に導入するためのガス導入機構６
と、真空槽兼電極１内部を大気圧以下に保持するための
排気機構７と、真空槽兼電極１と排気機構７とを仕切る
バルブ８とから構成される。
も、大気圧以下の圧力に排気可能で、かつ、高電圧を印
加しプラズマを発生させるための真空槽兼電極１と、被
処理ディスク基板２とこれを保持し、かつ直流正電圧を
印加する第３電極３と印加するための直流正電圧印加装
置４とチョークコイル９と、前記電極１に高周波電力を
印加するための高周波電源５とブロッキングコンデンサ
１０と電極間を絶縁するための絶縁材１１と、ガス状物
質をプラズマ発生領域に導入するためのガス導入機構６
と、真空槽兼電極１内部を大気圧以下に保持するための
排気機構７と、真空槽兼電極１と排気機構７とを仕切る
バルブ８とから構成される。
【００１５】本装置において、反応ガスとしてＣＨ4ガ
スを導入し、圧力が６．７Ｐa一定となるように流量と
排気速度を調節した。その後、周波数１３．５６ＭＨｚ
の高電圧を印加し、プラズマを発生させた。実効電力は
２ｋＷであった。
スを導入し、圧力が６．７Ｐa一定となるように流量と
排気速度を調節した。その後、周波数１３．５６ＭＨｚ
の高電圧を印加し、プラズマを発生させた。実効電力は
２ｋＷであった。
【００１６】その後、正の直流電圧４００Ｖを被処理デ
ィスク基板２に印加した状態とした。この状態で成膜を
行った結果、成膜されたラマンのデータを図４（ａ）に
示す。ここで、ラマンスペクトルは、１５２０cm~1当た
りにピークを持つ特性が得られた。なお、参考のため
に、従来の方法と等価である直流バイアスを０Ｖとし
て、チョークコイルを外した場合に得られたラマンのデ
ータも図４中の（ｂ）に示している。この比較より明ら
かにピーク位置がシフトしていることが分かる。
ィスク基板２に印加した状態とした。この状態で成膜を
行った結果、成膜されたラマンのデータを図４（ａ）に
示す。ここで、ラマンスペクトルは、１５２０cm~1当た
りにピークを持つ特性が得られた。なお、参考のため
に、従来の方法と等価である直流バイアスを０Ｖとし
て、チョークコイルを外した場合に得られたラマンのデ
ータも図４中の（ｂ）に示している。この比較より明ら
かにピーク位置がシフトしていることが分かる。
【００１７】次に直流バイアス電圧を増加させイオン活
性種のエネルギーを増加させた場合の膜中におけるＨの
割合（Hydrogen Forward Scattering法によって水素量
を測定）と、ラマンのピーク位置との関係を図５に示
す。本図からは、正、負のイオンいずれを用いた場合に
おいても、エネルギーの増加（直流バイアス値の増加）
により膜中のＨ量の割合は減少の傾向を示した。一方、
ラマンスペクトルのピーク波長位置はエネルギーの増加
に伴い、ピーク位置が高波数側にシフトしていく傾向が
見られた。一般に、高波数側にラマンのピークがシフト
することは、膜質のグラファイト化を意味しＣ＝Ｃ結合
を持つ炭素のクラスター増加を意味する。従って、膜中
のＨの割合を低く、かつ二重結合Ｃ＝Ｃを低く抑えるた
めの最良点としては両特性曲線の交点が選択される。そ
こで、正イオンを用いた場合と負イオンを用いた場合の
特性曲線の最良点について比較を行った。ここで、膜中
の水素量は、負イオンを用いた場合の方が絶対値として
１／２以下程度であった。ラマンのピーク位置に関して
は、負イオンを用いて成膜した膜は、いずれのイオン活
性種エネルギーに対しても正イオンを用いた場合より低
波長側にピークをもちえることが確認できた。
性種のエネルギーを増加させた場合の膜中におけるＨの
割合（Hydrogen Forward Scattering法によって水素量
を測定）と、ラマンのピーク位置との関係を図５に示
す。本図からは、正、負のイオンいずれを用いた場合に
おいても、エネルギーの増加（直流バイアス値の増加）
により膜中のＨ量の割合は減少の傾向を示した。一方、
ラマンスペクトルのピーク波長位置はエネルギーの増加
に伴い、ピーク位置が高波数側にシフトしていく傾向が
見られた。一般に、高波数側にラマンのピークがシフト
することは、膜質のグラファイト化を意味しＣ＝Ｃ結合
を持つ炭素のクラスター増加を意味する。従って、膜中
のＨの割合を低く、かつ二重結合Ｃ＝Ｃを低く抑えるた
めの最良点としては両特性曲線の交点が選択される。そ
こで、正イオンを用いた場合と負イオンを用いた場合の
特性曲線の最良点について比較を行った。ここで、膜中
の水素量は、負イオンを用いた場合の方が絶対値として
１／２以下程度であった。ラマンのピーク位置に関して
は、負イオンを用いて成膜した膜は、いずれのイオン活
性種エネルギーに対しても正イオンを用いた場合より低
波長側にピークをもちえることが確認できた。
【００１８】次に、膜硬度とイオン活性種のエネルギー
との関係についても図６に示している。ここで、正イオ
ンと負イオンの特性は、それぞれ、図５中のＨ特性曲線
とラマンピーク特性曲線の交点におけるイオンのエネル
ギー値をピークとした膜硬度特性曲線が得られた。膜硬
度の絶対値としては負イオンを用いた場合の方が、正イ
オンを用いたときに得られる膜より１５００Ｈｖ高いビ
ッカス硬度４５００Ｈｖが得られた。
との関係についても図６に示している。ここで、正イオ
ンと負イオンの特性は、それぞれ、図５中のＨ特性曲線
とラマンピーク特性曲線の交点におけるイオンのエネル
ギー値をピークとした膜硬度特性曲線が得られた。膜硬
度の絶対値としては負イオンを用いた場合の方が、正イ
オンを用いたときに得られる膜より１５００Ｈｖ高いビ
ッカス硬度４５００Ｈｖが得られた。
【００１９】また、本発明の高硬質膜を磁気記録媒体の
保護膜として用いると、従来の正イオンを用いた保護膜
では膜厚２０ｎｍで得られた耐摺動性、耐摩耗性が、本
発明の負イオンを用いて形成した保護膜では膜厚１０ｎ
ｍで同様な結果が得られた。
保護膜として用いると、従来の正イオンを用いた保護膜
では膜厚２０ｎｍで得られた耐摺動性、耐摩耗性が、本
発明の負イオンを用いて形成した保護膜では膜厚１０ｎ
ｍで同様な結果が得られた。
【００２０】第２の実施例としては、図３の装置で反応
ガスにＣＦ4ガスを用いて実験を行った。ＣＦ4ガスによ
って作られるＦ~を主な成分とした負イオンを用いたＣ
膜の成膜においては、正イオンＣＦ3＋イオン、ＣＦ2＋
イオンを用いたフッ素系Ｃ膜中のＦ含有量と比較して、
より低いＦ含有量となるため図８に示すようなＣ原子に
よる立体障害が発生しやすく、より硬度の高い安定した
膜が得られた。尚、図７には、正イオンＣＦ3＋イオ
ン、ＣＦ2＋イオンを用いて得られる膜構造を示してい
る。
ガスにＣＦ4ガスを用いて実験を行った。ＣＦ4ガスによ
って作られるＦ~を主な成分とした負イオンを用いたＣ
膜の成膜においては、正イオンＣＦ3＋イオン、ＣＦ2＋
イオンを用いたフッ素系Ｃ膜中のＦ含有量と比較して、
より低いＦ含有量となるため図８に示すようなＣ原子に
よる立体障害が発生しやすく、より硬度の高い安定した
膜が得られた。尚、図７には、正イオンＣＦ3＋イオ
ン、ＣＦ2＋イオンを用いて得られる膜構造を示してい
る。
【００２１】次に、本発明による高硬度保護膜を有する
磁気記録媒体の断面図を図９に示している。ここでは、
保護膜１３として採用している。
磁気記録媒体の断面図を図９に示している。ここでは、
保護膜１３として採用している。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、高硬度なカーボン膜を
成膜可能である。そのため、磁気記録媒体においてはカ
ーボン膜厚を薄膜化できリード／ライト特性の向上と、
高記録密度化対応した成膜が可能となる。
成膜可能である。そのため、磁気記録媒体においてはカ
ーボン膜厚を薄膜化できリード／ライト特性の向上と、
高記録密度化対応した成膜が可能となる。
【図１】反応ガスＣＨ4ガスにおける正イオンを主体と
した場合の成膜過程を示す図である。
した場合の成膜過程を示す図である。
【図２】反応ガスＣＨ4ガスにおける負イオンを主体と
した場合の成膜過程を示す図である。
した場合の成膜過程を示す図である。
【図３】プラズマ処理装置の一実施例の基本構成を示す
図である。
図である。
【図４】本発明により得られた膜のラマンスペクトル特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図５】イオン活性種エネルギーと膜中のＨの割合、ラ
マンピーク波長の関係を示す図である。
マンピーク波長の関係を示す図である。
【図６】イオン活性種エネルギーと膜硬度の関係を示す
図である。
図である。
【図７】反応ガスＣＦ4ガスにおける正イオンを主体と
した場合の膜構造を示す図である。
した場合の膜構造を示す図である。
【図８】反応ガスＣＦ4ガスにおける負イオンを主体と
した場合の膜構造を示す図である。
した場合の膜構造を示す図である。
【図９】磁気ディスクの断面概略図を示す図である。
１…真空槽兼電極、 ２…被処理ディスク基板、 ３…第３電極兼基板ホルダー、 ４…直流電源、 ５…高周波電源、 ６…ガス導入機構、 ７…排気機構、 ８…仕切り弁、 ９…チョークコイル、 １０…ブロッキングコンデンサ、 １１…絶縁部材、 １２…潤滑膜、 １３…保護膜、 １４…磁性膜、 １５…Ｃr下地膜、 １６…Ｎi−Ｐメッキ、 １７…アルミ基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤巻 成彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 鬼頭 諒 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】プラズマＣＶＤ法において、プラズマ中の
負イオン活性種を選択的に用いることを特徴とするカー
ボン保護膜製造方法。 - 【請求項２】プラズマＣＶＤにおいて、炭素とふっ素を
含むガスを原料とし、負イオン活性種を選択的に用いる
ことを特徴とするカーボン保護膜製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のプラズマ処理方法を
行うため、被処理基板に正の直流バイアス電圧を印加す
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、高周波電源を用いてプラズマを生成させていると
き、正の直流バイアス電圧を、高周波電源の出力に重畳
させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項１又は２記載のプラズマＣＶＤ法を
用いて形成した、ラマンスペクトル（アルゴンレーザー
励起による）の成分が１５２０cm~1以下でひとつだけピ
ークを持つことを特徴とするアモルファスカーボン保護
膜。 - 【請求項６】請求項３又は４記載のプラズマ処理装置を
含むことを特徴とする磁気ディスク製造装置。 - 【請求項７】薄膜磁性体からなる記録膜上に、請求項５
記載のアモルファスカーボン保護膜を形成したことを特
徴とする磁気ディスク。 - 【請求項８】請求項７記載の磁気ディスクに、磁気ヘッ
ド、モータ、アーム等を付属させ構成したことを特徴と
する磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217193A JPH0773454A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | カーボン保護膜製造方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217193A JPH0773454A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | カーボン保護膜製造方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773454A true JPH0773454A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16700320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5217193A Pending JPH0773454A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | カーボン保護膜製造方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773454A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730266A3 (en) * | 1995-02-06 | 1998-07-01 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
| DE19823900C2 (de) * | 1997-05-30 | 2002-05-08 | Yazaki Corp | Anschlusselement, Verbindungsaufbau zwischen einem Anschlusselement und einem ummantelten Draht und Verfahren zum Verbinden eines Anschlusselements mit einem ummantelten Draht |
| US6455101B1 (en) | 1999-07-28 | 2002-09-24 | Anelva Corporation | Method for depositing a protective carbon coating on a data recording disk |
| US7867579B2 (en) | 2007-01-12 | 2011-01-11 | Showa Denko K.K. | Method for forming carbon protective film and method for producing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus |
| JP2011192325A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Showa Denko Kk | 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP5217193A patent/JPH0773454A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730266A3 (en) * | 1995-02-06 | 1998-07-01 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
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| US6571729B2 (en) | 1999-07-28 | 2003-06-03 | Anelva Corporation | Apparatus for depositing a thin film on a data recording disk |
| US7867579B2 (en) | 2007-01-12 | 2011-01-11 | Showa Denko K.K. | Method for forming carbon protective film and method for producing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus |
| JP2011192325A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Showa Denko Kk | 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
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