JPH087219A - アモルファスカーボン薄膜及びその製造方法 - Google Patents
アモルファスカーボン薄膜及びその製造方法Info
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- JPH087219A JPH087219A JP13005894A JP13005894A JPH087219A JP H087219 A JPH087219 A JP H087219A JP 13005894 A JP13005894 A JP 13005894A JP 13005894 A JP13005894 A JP 13005894A JP H087219 A JPH087219 A JP H087219A
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- film
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- carbon thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩＲ（赤外線吸収スペクトル）より求めた吸光
度ピークのＳＰ3／ＳＰ2のピーク面積比が５〜１１であ
るアモルファスカーボン薄膜を提供すること。 【構成】真空容器と、真空容器中の圧力を大気圧より低
い状態に保持する排気手段と、真空容器中にプラズマを
発生させるための電極と、プラズマ発生部にガス状物質
を供給する手段とを具備したプラズマ処理装置におい
て、被処理基板に正の直流バイアス電圧を印加すること
で、負イオン活性種を選択的に用いるプラズマ処理装
置。 【効果】本発明によれば、高硬度なカーボン膜を成膜可
能である。そのため、磁気記録媒体においては、保護膜
としてのカーボン膜の膜厚を薄膜化できリード／ライト
特性の向上と、高記録密度化対応した成膜が可能とな
る。
度ピークのＳＰ3／ＳＰ2のピーク面積比が５〜１１であ
るアモルファスカーボン薄膜を提供すること。 【構成】真空容器と、真空容器中の圧力を大気圧より低
い状態に保持する排気手段と、真空容器中にプラズマを
発生させるための電極と、プラズマ発生部にガス状物質
を供給する手段とを具備したプラズマ処理装置におい
て、被処理基板に正の直流バイアス電圧を印加すること
で、負イオン活性種を選択的に用いるプラズマ処理装
置。 【効果】本発明によれば、高硬度なカーボン膜を成膜可
能である。そのため、磁気記録媒体においては、保護膜
としてのカーボン膜の膜厚を薄膜化できリード／ライト
特性の向上と、高記録密度化対応した成膜が可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高硬質なアモルファスカ
ーボン薄膜を有する磁気記録媒体と、その製造方法及び
製造装置に関する。
ーボン薄膜を有する磁気記録媒体と、その製造方法及び
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置を用いた被処理基板へ
の薄膜形成技術は、スパッタ、ＣＶＤ技術等を用いて磁
気ディスクや光ディスクにおける薄膜形成に広く用いら
れている。
の薄膜形成技術は、スパッタ、ＣＶＤ技術等を用いて磁
気ディスクや光ディスクにおける薄膜形成に広く用いら
れている。
【０００３】特に、高周波プラズマＣＶＤにおいては、
公開特許公報昭６２−８３４７１号に開示されている様
に高エネルギーイオンによるエッチングやイオンアシス
ト成膜を行う方法が公知であり、リアクティブイオンエ
ッチングや高硬度カーボン膜の成膜が行われている。
公開特許公報昭６２−８３４７１号に開示されている様
に高エネルギーイオンによるエッチングやイオンアシス
ト成膜を行う方法が公知であり、リアクティブイオンエ
ッチングや高硬度カーボン膜の成膜が行われている。
【０００４】しかしながら、被処理基板上における成膜
過程については学術的にも不明瞭な点が多く、被処理基
板にアタックするイオン活性種と成膜される膜質との関
係は明らかでない。通常のプラズマＣＶＤ処理は、被処
理基板を接地側電極上あるいは高周波を印加する側の電
極上のいずれかで処理を行うが、この場合、中性ラジカ
ル粒子とシースによって加速される正イオンによって成
膜処理が行なわれていると考えられている。例えば、Ｃ
Ｈ4ガスを用いたプラズマＣＶＤ処理におけるイオンエ
ネルギーアナライザの測定結果からは、中性ラジカル粒
子と主イオン成 ンを主とした成膜が行なわれていることが確認できる。
過程については学術的にも不明瞭な点が多く、被処理基
板にアタックするイオン活性種と成膜される膜質との関
係は明らかでない。通常のプラズマＣＶＤ処理は、被処
理基板を接地側電極上あるいは高周波を印加する側の電
極上のいずれかで処理を行うが、この場合、中性ラジカ
ル粒子とシースによって加速される正イオンによって成
膜処理が行なわれていると考えられている。例えば、Ｃ
Ｈ4ガスを用いたプラズマＣＶＤ処理におけるイオンエ
ネルギーアナライザの測定結果からは、中性ラジカル粒
子と主イオン成 ンを主とした成膜が行なわれていることが確認できる。
【０００５】この際、膜の硬質化を促すため膜表面から
の脱水素化を行なうが、これを行う方法として、より大
きな電位で加速したイオンを膜表面に打ち込んでいた。
しかしながら図１に示すように、膜表面では脱水素化に
ともない二重結合の生成される割合も高くなるため、膜
質をグラファイト化する原因ともなった。つまり、膜を
構成する分子内におけるＨの絶対量が多いため、脱水素
化に伴う二重結合の増加が発生し、Ｈ量の少ないＣ単結
合主体の膜ができにくい状況にあった。
の脱水素化を行なうが、これを行う方法として、より大
きな電位で加速したイオンを膜表面に打ち込んでいた。
しかしながら図１に示すように、膜表面では脱水素化に
ともない二重結合の生成される割合も高くなるため、膜
質をグラファイト化する原因ともなった。つまり、膜を
構成する分子内におけるＨの絶対量が多いため、脱水素
化に伴う二重結合の増加が発生し、Ｈ量の少ないＣ単結
合主体の膜ができにくい状況にあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記したように従来の
プラズマＣＶＤ技術においては、成膜時に用いられる主
なイオン活性種が、Ｈ原子を多く含む正イオンであり、
Ｈ量の少ないＣ単結合主体の膜ができにくい状況にあっ
た。
プラズマＣＶＤ技術においては、成膜時に用いられる主
なイオン活性種が、Ｈ原子を多く含む正イオンであり、
Ｈ量の少ないＣ単結合主体の膜ができにくい状況にあっ
た。
【０００７】本発明においては、Ｈ原子を多く含まない
イオン活性種であるＣ~、ＣＨ~といった負イオンを選択
的に用いた成膜を行うことで、Ｈ量の少ないＣ単結合主
体の膜を得、成膜された膜質について、ＩＲ（赤外線吸
収スペクトル）より求めたＳＰ3／ＳＰ2の吸光度ピーク
面積比、Ｈの割合（Hydrogen Forward Scattering法に
よって水素量を測定）及び、ラマンスペクトルから定量
的、かつ総合的に促え高硬度薄膜を有する磁気記録媒体
を得ることを目的とする。
イオン活性種であるＣ~、ＣＨ~といった負イオンを選択
的に用いた成膜を行うことで、Ｈ量の少ないＣ単結合主
体の膜を得、成膜された膜質について、ＩＲ（赤外線吸
収スペクトル）より求めたＳＰ3／ＳＰ2の吸光度ピーク
面積比、Ｈの割合（Hydrogen Forward Scattering法に
よって水素量を測定）及び、ラマンスペクトルから定量
的、かつ総合的に促え高硬度薄膜を有する磁気記録媒体
を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、イオンプラズマ処理装置における被処理基
板保持部分に正の直流バイアスを印加する機構を備え付
けることで負イオンを基板表面に引き寄せ、選択的にこ
れを用いて成膜を行った。
するために、イオンプラズマ処理装置における被処理基
板保持部分に正の直流バイアスを印加する機構を備え付
けることで負イオンを基板表面に引き寄せ、選択的にこ
れを用いて成膜を行った。
【０００９】具体的には、反応ガスとしてＣＨ4ガスを
用いた場合、負イオン化してプラズマ中に存在すると確
認できるものはＣ~あるいはＣＨ~であり、Ｃ原子１個当
たりに付属する水素原子数は、従来のイオン選択を行わ
ないプラズマＣＶＤにおいて ２に示すように、負イオンを用いた成膜方法を用いると
膜中に含まれる水素の絶対量が少なくなる。これによ
り、高エネルギーイオンを用いた膜中の脱水素化が不要
となり、それに伴う二重結合の生成を抑制することにな
る。
用いた場合、負イオン化してプラズマ中に存在すると確
認できるものはＣ~あるいはＣＨ~であり、Ｃ原子１個当
たりに付属する水素原子数は、従来のイオン選択を行わ
ないプラズマＣＶＤにおいて ２に示すように、負イオンを用いた成膜方法を用いると
膜中に含まれる水素の絶対量が少なくなる。これによ
り、高エネルギーイオンを用いた膜中の脱水素化が不要
となり、それに伴う二重結合の生成を抑制することにな
る。
【００１０】従って、膜中における単位体積当たりの水
素量が従来の正イオンを用いた場合より少なくすること
が可能となり、しかもＣ単結合主体の膜を得る事が出来
る。
素量が従来の正イオンを用いた場合より少なくすること
が可能となり、しかもＣ単結合主体の膜を得る事が出来
る。
【００１１】
【作用】本発明によると、ある条件下で負イオンを選択
的に用いて成膜されたカーボン薄膜の膜中におけるＨの
割合は30％以下で、ラマンスペクトルの成分は1520cm-1
以下にひとつだけピークを持つ特性を示すようになる。
これは、従来の正イオンを用いた成膜で得られる構造に
比較し、水素及び二重結合が膜中から、より減少するこ
とで結合次数が低く単結合に近い構造成分が増加したた
めと考えられる。ラマンスペクトルは二重結合の伸縮結
合振動に対応するスペクトル成分1580cm-1のピークがな
いことや、ひとつのピークしか得られないことからも確
認できる。
的に用いて成膜されたカーボン薄膜の膜中におけるＨの
割合は30％以下で、ラマンスペクトルの成分は1520cm-1
以下にひとつだけピークを持つ特性を示すようになる。
これは、従来の正イオンを用いた成膜で得られる構造に
比較し、水素及び二重結合が膜中から、より減少するこ
とで結合次数が低く単結合に近い構造成分が増加したた
めと考えられる。ラマンスペクトルは二重結合の伸縮結
合振動に対応するスペクトル成分1580cm-1のピークがな
いことや、ひとつのピークしか得られないことからも確
認できる。
【００１２】そして、膜のビッカス硬度は、3000Ｈｖ以
上を持つようになった。
上を持つようになった。
【００１３】さらに、ＩＲより求めた吸光度ピークのＳ
Ｐ3／ＳＰ2のピーク面積比が５〜11において、膜の摩耗
レートが最小になることを確認した。これは、ピーク面
積比が５以下の場合には、膜中の二重結合の割合が増加
し、膜硬度が低下するためと考えられる。一方、ＩＲで
観察可能なＳＰ3成分（水素でターミネートされてい
る。）が増加したピーク面積比が11以上の場合は、島状
のＳＰ3成分が増加し、結合のネットワークが抑制され
ることになる。従って、膜質的には炭化水素化合物の混
合膜に近いものとなり、膜硬度が低下するため摩耗レー
トが増加すると考えられる。
Ｐ3／ＳＰ2のピーク面積比が５〜11において、膜の摩耗
レートが最小になることを確認した。これは、ピーク面
積比が５以下の場合には、膜中の二重結合の割合が増加
し、膜硬度が低下するためと考えられる。一方、ＩＲで
観察可能なＳＰ3成分（水素でターミネートされてい
る。）が増加したピーク面積比が11以上の場合は、島状
のＳＰ3成分が増加し、結合のネットワークが抑制され
ることになる。従って、膜質的には炭化水素化合物の混
合膜に近いものとなり、膜硬度が低下するため摩耗レー
トが増加すると考えられる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００１５】図３は本発明のディスク基板用プラズマ処
理装置の一実施例の構成を示す。
理装置の一実施例の構成を示す。
【００１６】本発明によるプラズマ処理装置は少なくと
も、大気圧以下の圧力に排気可能で、かつ高電圧を印加
しプラズマを発生させるための真空槽兼電極１と、接地
側電極３と被処理ディスク基板２とこれを保持し直流正
電圧を印加する第３電極１２と、印加するための直流正
電圧印加装置４とチョークコイル９と、前記電極１に高
周波電力を印加するための高周波電源５とブロッキング
コンデンサ10と電極間を絶縁するための絶縁材11と、ガ
ス状物質をプラズマ発生領域に導入するためのガス導入
機構６と、真空槽兼電極１内部を大気圧以下に保持する
ための排気機構７と、真空槽兼電極１と排気機構７とを
仕切るバルブ８とから構成される。
も、大気圧以下の圧力に排気可能で、かつ高電圧を印加
しプラズマを発生させるための真空槽兼電極１と、接地
側電極３と被処理ディスク基板２とこれを保持し直流正
電圧を印加する第３電極１２と、印加するための直流正
電圧印加装置４とチョークコイル９と、前記電極１に高
周波電力を印加するための高周波電源５とブロッキング
コンデンサ10と電極間を絶縁するための絶縁材11と、ガ
ス状物質をプラズマ発生領域に導入するためのガス導入
機構６と、真空槽兼電極１内部を大気圧以下に保持する
ための排気機構７と、真空槽兼電極１と排気機構７とを
仕切るバルブ８とから構成される。
【００１７】本装置において、反応ガスとしてＣＨ4ガ
スを導入し、圧力が、６.７Ｐa一定となるように流量と
排気速度を調節した。その後、周波数13.56ＭＨｚの高
電圧を印加し、プラズマを発生させた。実効電力は２ｋ
Ｗであった。
スを導入し、圧力が、６.７Ｐa一定となるように流量と
排気速度を調節した。その後、周波数13.56ＭＨｚの高
電圧を印加し、プラズマを発生させた。実効電力は２ｋ
Ｗであった。
【００１８】その後、正の直流電圧400Ｖを被処理ディ
スク基板２に印加した状態とした。この状態で成膜を行
った結果、成膜されたラマンのデータを図４（ａ）に示
す。ここで、ラマンスペクトルは、1520cm-1当たりにピ
ークを持つ特性が得られた。なお、参考のために、従来
の方法と等価である直流バイアスを０Ｖとして、チョー
クコイルを外した場合に得られたラマンのデータも図４
中の（ｂ）に示している。この比較より明らかにピーク
位置がシフトしていることが分かる。
スク基板２に印加した状態とした。この状態で成膜を行
った結果、成膜されたラマンのデータを図４（ａ）に示
す。ここで、ラマンスペクトルは、1520cm-1当たりにピ
ークを持つ特性が得られた。なお、参考のために、従来
の方法と等価である直流バイアスを０Ｖとして、チョー
クコイルを外した場合に得られたラマンのデータも図４
中の（ｂ）に示している。この比較より明らかにピーク
位置がシフトしていることが分かる。
【００１９】次に直流バイアス電圧を増加させイオン活
性種のエネルギーを増加させた場合の膜中におけるＨの
割合（Hydrogen Forward Scattering法によって水素量
を測定）と、ラマンのピーク位置との関係を図５に示
す。本図からは、正、負のイオンいずれを用いた場合に
おいても、エネルギーの増加（直流バイアス値の増加）
により膜中のＨ量の割合は減少の傾向を示した。一方、
ラマンスペクトルのピーク波長位置はエネルギーの増加
に伴い、ピーク位置が高波数側にシフトしていく傾向が
見られた。一般に、高波数側にラマンのピークがシフト
することは、膜質のグラファイト化を意味しＣ＝Ｃ結合
を持つ炭素のクラスター増加を意味する。従って、膜中
のＨの割合を低く、かつ二重結合Ｃ＝Ｃを低く抑えるた
めの最良点としては両特性曲線の交点が選択される。そ
こで、正イオンを用いた場合と負イオンを用いた場合の
特性曲線の最良点について比較を行った。ここで、膜中
の水素量は、負イオンを用いた場合の方が絶対値として
１／２以下程度であった。ラマンのピーク位置に関して
は、負イオンを用いて成膜した膜は、いずれのイオン活
性種エネルギーに対しても正イオンを用いた場合より低
波長側にピークをもちえることが確認できた。
性種のエネルギーを増加させた場合の膜中におけるＨの
割合（Hydrogen Forward Scattering法によって水素量
を測定）と、ラマンのピーク位置との関係を図５に示
す。本図からは、正、負のイオンいずれを用いた場合に
おいても、エネルギーの増加（直流バイアス値の増加）
により膜中のＨ量の割合は減少の傾向を示した。一方、
ラマンスペクトルのピーク波長位置はエネルギーの増加
に伴い、ピーク位置が高波数側にシフトしていく傾向が
見られた。一般に、高波数側にラマンのピークがシフト
することは、膜質のグラファイト化を意味しＣ＝Ｃ結合
を持つ炭素のクラスター増加を意味する。従って、膜中
のＨの割合を低く、かつ二重結合Ｃ＝Ｃを低く抑えるた
めの最良点としては両特性曲線の交点が選択される。そ
こで、正イオンを用いた場合と負イオンを用いた場合の
特性曲線の最良点について比較を行った。ここで、膜中
の水素量は、負イオンを用いた場合の方が絶対値として
１／２以下程度であった。ラマンのピーク位置に関して
は、負イオンを用いて成膜した膜は、いずれのイオン活
性種エネルギーに対しても正イオンを用いた場合より低
波長側にピークをもちえることが確認できた。
【００２０】次に、膜硬度とイオン活性種のエネルギー
との関係についても図６に示している。ここで、正イオ
ンと負イオンの特性は、それぞれ、図５中のＨ特性曲線
とラマンピーク特性曲線の交点におけるイオンのエネル
ギー値をピークとした膜硬度特性曲線が得られた。膜硬
度の絶対値としとては負イオンを用いた場合の方が、正
イオンを用いたときに得られる膜より1500Ｈｖ高いビッ
カス硬度4500Ｈｖが得られた。
との関係についても図６に示している。ここで、正イオ
ンと負イオンの特性は、それぞれ、図５中のＨ特性曲線
とラマンピーク特性曲線の交点におけるイオンのエネル
ギー値をピークとした膜硬度特性曲線が得られた。膜硬
度の絶対値としとては負イオンを用いた場合の方が、正
イオンを用いたときに得られる膜より1500Ｈｖ高いビッ
カス硬度4500Ｈｖが得られた。
【００２１】また、本発明から得られた、ＩＲ（赤外線
吸収スペクトル）吸光度ピークのＳＰ3／ＳＰ2ピーク面
積比が５〜11の高硬質膜を磁気記録媒体の保護膜として
用いると、図７に示すように摩耗レートは最小を示し
た。さらに、従来の正イオンを用いた保護膜では膜厚20
ｎｍで得られた耐摺動性、耐摩耗性が、本発明の負イオ
ンを用いて形成した保護膜では膜厚10ｎｍで同等な結果
が得られた。
吸収スペクトル）吸光度ピークのＳＰ3／ＳＰ2ピーク面
積比が５〜11の高硬質膜を磁気記録媒体の保護膜として
用いると、図７に示すように摩耗レートは最小を示し
た。さらに、従来の正イオンを用いた保護膜では膜厚20
ｎｍで得られた耐摺動性、耐摩耗性が、本発明の負イオ
ンを用いて形成した保護膜では膜厚10ｎｍで同等な結果
が得られた。
【００２２】第２の実施例としては、図３の装置で反応
ガスにＣＦ4ガスを用いて実験を行った。ＣＦ4ガスによ
って作られるＦ~を主な成分とした負イオンを用いたＣ
膜の 比較して、より低いＦ含有量となるため図９に示すよう
なＣ原子による立体障害が発生しやすく、より硬度の高
い安定した膜が得られた。尚、図８には、正イオ
ガスにＣＦ4ガスを用いて実験を行った。ＣＦ4ガスによ
って作られるＦ~を主な成分とした負イオンを用いたＣ
膜の 比較して、より低いＦ含有量となるため図９に示すよう
なＣ原子による立体障害が発生しやすく、より硬度の高
い安定した膜が得られた。尚、図８には、正イオ
【００２３】図１０は本発明において両面同時処理でき
るディスク基板用プラズマ処理装置の一実施例の構成ブ
ロック図を示す。ここで基板の両側に発生するプラズマ
は位相差信号発生器とマッチング調整を行うことによっ
てディスク中心穴等でプラズマ間の干渉が発生しないよ
うにした。
るディスク基板用プラズマ処理装置の一実施例の構成ブ
ロック図を示す。ここで基板の両側に発生するプラズマ
は位相差信号発生器とマッチング調整を行うことによっ
てディスク中心穴等でプラズマ間の干渉が発生しないよ
うにした。
【００２４】次に、本発明による高硬度薄膜を有する磁
気記録媒体の断面図を図１１に示している。ここでは、
保護膜14として採用している。
気記録媒体の断面図を図１１に示している。ここでは、
保護膜14として採用している。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、高硬度なカーボン膜を
成膜可能である。そのため、磁気記録媒体においてはカ
ーボン膜厚を薄膜化できリード／ライト特性の向上と、
高記録密度化対応した成膜が可能となる。
成膜可能である。そのため、磁気記録媒体においてはカ
ーボン膜厚を薄膜化できリード／ライト特性の向上と、
高記録密度化対応した成膜が可能となる。
【図１】反応ガスＣＨ4ガスにおける正イオンを主体と
した場合の成膜過程を示す図である。
した場合の成膜過程を示す図である。
【図２】反応ガスＣＨ4ガスにおける負イオンを主体と
した場合の成膜過程を示す図である。
した場合の成膜過程を示す図である。
【図３】プラズマ処理装置の一実施例の基本構成を示す
図である。
図である。
【図４】本発明により得られた膜のラマンスペクトル特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図５】イオン活性種エネルギーと膜中のＨの割合、ラ
マンピーク波長の関係を示す図である。
マンピーク波長の関係を示す図である。
【図６】イオン活性種エネルギーと膜硬度の関係を示す
図である。
図である。
【図７】ＩＲにより求めたＳＰ3／ＳＰ2比率と摩耗レー
トの関係を示す図である。
トの関係を示す図である。
【図８】反応ガスＣＦ4ガスにおける正イオンを主体と
した場合の膜構造を示す図である。
した場合の膜構造を示す図である。
【図９】反応ガスＣＦ4ガスにおける負イオンを主体と
した場合の膜構造を示す図である。
した場合の膜構造を示す図である。
【図１０】ディスク基板用両面同時プラズマ処理装置の
一実施例の構成ブロック図である。
一実施例の構成ブロック図である。
【図１１】磁気ディスクの断面概略図である。
１…真空槽兼電極、 ２…被処理ディスク基板、 ３…接地側電極、 ４…正の直流電源、 ５…高周波電源、 ６…ガス導入機構、 ７…排気機構、 ８…仕切り弁、 ９…チョークコイル、 １０…ブロッキングコンデンサ、 １１…絶縁部材、 １２…第三電極、 １３…潤滑膜、 １４…保護膜、 １５…磁性膜、 １６…Ｃｒ下地膜、 １７…Ｎｉ−Ｐメッキ、 １８…アルミ基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤巻 成彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 鬼頭 諒 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】真空容器と、真空容器中の圧力を大気圧よ
り低い状態に保持する排気手段と、真空容器中にプラズ
マを発生させるための電極と、プラズマ発生部にガス状
物質を供給する手段とを具備したプラズマ処理装置を用
いて形成した、ＩＲ（赤外線吸収スペクトル）より求め
た吸光度ピークのＳＰ3／ＳＰ2のピーク面積比が５〜11
であることを特徴とするアモルファスカーボン薄膜。 - 【請求項２】膜中におけるＨの割合（Hydrogen Forward
Scattering法によって水素量を測定）が、30％以下で
あることを特徴とする請求項１記載のアモルファスカー
ボン薄膜。 - 【請求項３】ラマンスペクトル（アルゴンレーザー励起
による）の成分が1520cm-1以下でひとつだけピークを持
つことを特徴とする請求項１記載のアモルファスカーボ
ン薄膜。 - 【請求項４】膜ビッカス硬度が3000Ｈｖ以上を持つこと
を特徴とする請求項１記載のアモルファスカーボン薄
膜。 - 【請求項５】請求項１記載のアモルファスカーボン薄膜
を、プラズマ中の負イオン活性種を選択的に用いること
で形成することを特徴とするアモルファスカーボン薄膜
製造方法。 - 【請求項６】請求項５記載のプラズマ処理方法におい
て、炭素とフッ素を含むガスを原料とし、負イオン活性
種を選択的に用いることを特徴とするカーボン薄膜製造
方法。 - 【請求項７】請求項５記載のプラズマ処理方法を行うた
め、高周波電源を用いてプラズマを生成させていると
き、正の直流バイアス電圧を、高周波電源の出力に重畳
させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項８】請求項５記載のプラズマ処理方法を行うた
め、被処理基板に正の直流バイアス電圧を印加すること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項９】請求項７又は８記載のプラズマ処理装置を
含むことを特徴とする磁気ディスク製造装置。 - 【請求項１０】薄膜磁性体からなる記録膜上に、請求項
１、２、３又は４記載に該当するアモルファスカーボン
薄膜を保護膜として形成したことを特徴とする磁気ディ
スク及び磁気ヘッド。 - 【請求項１１】請求項１０記載の部材を用いて、モー
タ、アーム等を付属させ構成したことを特徴とする磁気
ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13005894A JPH087219A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | アモルファスカーボン薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13005894A JPH087219A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | アモルファスカーボン薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087219A true JPH087219A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15025028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13005894A Pending JPH087219A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | アモルファスカーボン薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087219A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH694112A5 (de) * | 2000-09-22 | 2004-07-15 | Tetra Laval Holdings & Finance | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung einer Plasma-unterstützten Oberflächebehandlung. |
| US6875326B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus with real-time particle filter |
| JP2008310849A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 保護膜形成法及び保護膜を備えた磁気記録媒体 |
-
1994
- 1994-06-13 JP JP13005894A patent/JPH087219A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6875326B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus with real-time particle filter |
| CH694112A5 (de) * | 2000-09-22 | 2004-07-15 | Tetra Laval Holdings & Finance | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung einer Plasma-unterstützten Oberflächebehandlung. |
| JP2008310849A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 保護膜形成法及び保護膜を備えた磁気記録媒体 |
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