JPH0773698A - マルチポートメモリ - Google Patents
マルチポートメモリInfo
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- JPH0773698A JPH0773698A JP21664393A JP21664393A JPH0773698A JP H0773698 A JPH0773698 A JP H0773698A JP 21664393 A JP21664393 A JP 21664393A JP 21664393 A JP21664393 A JP 21664393A JP H0773698 A JPH0773698 A JP H0773698A
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メモリサイズ分だけ繰り返される動作のうち
の、読み出し動作を省略して書き込み動作のみを行うだ
けで、検査をすることが可能なマルチポートメモリを得
る。 【構成】 ライトデータラッチを通してマルチポートメ
モリセルにデータを書き込む同じアクセスサイクル内
で、マルチポートメモリセルからリードデータラッチ
へ、データバスへの出力動作を伴わないベリファイリー
ドを行い、ライトデータラッチ出力とリードデータラッ
チ出力とが一回でも異なった場合に書き込みエラーを知
らせる。 【効果】 書き込み動作によるデータを再度データバス
上に読み出して比較する必要がなくなり、検査時間が大
幅に短縮される。
の、読み出し動作を省略して書き込み動作のみを行うだ
けで、検査をすることが可能なマルチポートメモリを得
る。 【構成】 ライトデータラッチを通してマルチポートメ
モリセルにデータを書き込む同じアクセスサイクル内
で、マルチポートメモリセルからリードデータラッチ
へ、データバスへの出力動作を伴わないベリファイリー
ドを行い、ライトデータラッチ出力とリードデータラッ
チ出力とが一回でも異なった場合に書き込みエラーを知
らせる。 【効果】 書き込み動作によるデータを再度データバス
上に読み出して比較する必要がなくなり、検査時間が大
幅に短縮される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、同一のメモリセルに
対して、一方のポートは書き込み動作、他方のポートは
読み出し動作を同時に行うという、アクセス競合の条件
下での検査を容易にすることのできるマルチポートメモ
リに関するものである。
対して、一方のポートは書き込み動作、他方のポートは
読み出し動作を同時に行うという、アクセス競合の条件
下での検査を容易にすることのできるマルチポートメモ
リに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図9は従来のマルチポートメモリについ
て制御信号を含めて示すブロック図である。図におい
て、1は複数のアドレスワード線によって選択され、複
数のビット線対を通してビットデータの入出力およびビ
ットデータの保持を行うマルチポートメモリセルであ
る。2はアドレスラッチイネーブルによってアドレスバ
スからのアドレスを保持し、それをラッチドアドレスと
して出力するアドレスラッチであり、3はそのラッチド
アドレスをデコードしてアドレスワード線に出力するア
ドレスデコーダである。30はデータライトストローブ
によってデータバスからのデータを保持し、それをラッ
チドライトデータとして出力するライトデータラッチで
あり、5はディレイライトを出力許可信号、ライトデー
タラッチ30からのラッチドライトデータを入力とし
て、ビット線対を駆動出力するビット線ドライバであ
る。6はリードアンプイネーブルを出力許可信号、ビッ
ト線対を入力として、マルチポートメモリセル1の保持
しているデータの出力を行うリードアンプ、31はリー
ドラッチイネーブルによってこのリードアンプ6の出力
を保持し、それをラッチドリードデータとして出力する
リードデータラッチであり、8はデータリードストロー
ブを出力許可信号、リードデータラッチ31からのラッ
チドリードデータを入力としてデータバスにデータ出力
をするリードデータドライバである。また、マルチポー
トメモリセル1内において10,11は、互いにリング
状に接続されてラッチを構成するノット(NOT)ゲー
トであり、12,13はノットゲート10,11を一方
のポートのビット線対と接続するパストランジスタ、1
4,15は同じく他方のポートのビット線対と接続する
パストランジスタである。
て制御信号を含めて示すブロック図である。図におい
て、1は複数のアドレスワード線によって選択され、複
数のビット線対を通してビットデータの入出力およびビ
ットデータの保持を行うマルチポートメモリセルであ
る。2はアドレスラッチイネーブルによってアドレスバ
スからのアドレスを保持し、それをラッチドアドレスと
して出力するアドレスラッチであり、3はそのラッチド
アドレスをデコードしてアドレスワード線に出力するア
ドレスデコーダである。30はデータライトストローブ
によってデータバスからのデータを保持し、それをラッ
チドライトデータとして出力するライトデータラッチで
あり、5はディレイライトを出力許可信号、ライトデー
タラッチ30からのラッチドライトデータを入力とし
て、ビット線対を駆動出力するビット線ドライバであ
る。6はリードアンプイネーブルを出力許可信号、ビッ
ト線対を入力として、マルチポートメモリセル1の保持
しているデータの出力を行うリードアンプ、31はリー
ドラッチイネーブルによってこのリードアンプ6の出力
を保持し、それをラッチドリードデータとして出力する
リードデータラッチであり、8はデータリードストロー
ブを出力許可信号、リードデータラッチ31からのラッ
チドリードデータを入力としてデータバスにデータ出力
をするリードデータドライバである。また、マルチポー
トメモリセル1内において10,11は、互いにリング
状に接続されてラッチを構成するノット(NOT)ゲー
トであり、12,13はノットゲート10,11を一方
のポートのビット線対と接続するパストランジスタ、1
4,15は同じく他方のポートのビット線対と接続する
パストランジスタである。
【0003】次に動作について説明する。ここで、図1
0は従来のマルチポートメモリ書き込み時の制御信号に
ついてのタイミング図であり、図11は従来のマルチポ
ートメモリ読み出し時の制御信号についてのタイミング
図である。まず、マルチポートメモリセル1の選択は、
アドレスラッチイネーブルによってアドレスバスからの
アドレスをアドレスラッチ2にラッチした後、それをデ
コードしたアドレスデコーダ3により出力がなされるア
ドレスワード線によって選択される。マルチポートメモ
リセル1への書き込み動作は、データバスからのデータ
をデータライトストローブによってライトデータラッチ
30にラッチした後、ディレイライトを受けたビット線
ドライバ5がビット線対を駆動し、導通状態となったパ
ストランジスタ12,13を通して、ラッチを構成する
ノットゲート10,11を反転させることで行う。一
方、マルチポートメモリセル1からの読みだし動作は、
導通状態となったパストランジスタ12,13を通し
て、ラッチを構成するノットゲート10,11の出力が
ビット線対に伝達される。ビット線対の状態はリードア
ンプイネーブルを受けたリードアンプ6によって増幅さ
れ、リードラッチイネーブルによってリードデータラッ
チ31に保持される。このリードデータラッチ31の保
持データは、データリードストローブを受けたリードデ
ータドライバ8によってデータバスに出力される。な
お、一方が書き込み、他方が読みだしというアクセス競
合状態においては、アドレスワード線によりパストラン
ジスタ12,13,14,15の4つが同時に導通状態
となり、ビット線ドライバ5がラッチを構成するノット
ゲート10,11を反転させるためには、非競合時に比
べて2倍のビット線対を駆動する必要がある。なお、図
10に示す通りデータライトストローブはアドレスラッ
チイネーブルとディレイライトとを生成する。また、図
11に示す通り、データリードストローブはアドレスラ
ッチイネーブル、リードアンプイネーブル、およびリー
ドラッチイネーブルを生成する。
0は従来のマルチポートメモリ書き込み時の制御信号に
ついてのタイミング図であり、図11は従来のマルチポ
ートメモリ読み出し時の制御信号についてのタイミング
図である。まず、マルチポートメモリセル1の選択は、
アドレスラッチイネーブルによってアドレスバスからの
アドレスをアドレスラッチ2にラッチした後、それをデ
コードしたアドレスデコーダ3により出力がなされるア
ドレスワード線によって選択される。マルチポートメモ
リセル1への書き込み動作は、データバスからのデータ
をデータライトストローブによってライトデータラッチ
30にラッチした後、ディレイライトを受けたビット線
ドライバ5がビット線対を駆動し、導通状態となったパ
ストランジスタ12,13を通して、ラッチを構成する
ノットゲート10,11を反転させることで行う。一
方、マルチポートメモリセル1からの読みだし動作は、
導通状態となったパストランジスタ12,13を通し
て、ラッチを構成するノットゲート10,11の出力が
ビット線対に伝達される。ビット線対の状態はリードア
ンプイネーブルを受けたリードアンプ6によって増幅さ
れ、リードラッチイネーブルによってリードデータラッ
チ31に保持される。このリードデータラッチ31の保
持データは、データリードストローブを受けたリードデ
ータドライバ8によってデータバスに出力される。な
お、一方が書き込み、他方が読みだしというアクセス競
合状態においては、アドレスワード線によりパストラン
ジスタ12,13,14,15の4つが同時に導通状態
となり、ビット線ドライバ5がラッチを構成するノット
ゲート10,11を反転させるためには、非競合時に比
べて2倍のビット線対を駆動する必要がある。なお、図
10に示す通りデータライトストローブはアドレスラッ
チイネーブルとディレイライトとを生成する。また、図
11に示す通り、データリードストローブはアドレスラ
ッチイネーブル、リードアンプイネーブル、およびリー
ドラッチイネーブルを生成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のマルチポートメ
モリは以上のように構成されているので、アクセス非競
合時はビット線ドライバ5が1対のビット線負荷を駆動
してマルチポートメモリセル1に書き込むのに対して、
アクセス競合が発生した場合はビット線ドライバ5が2
対のビット線負荷を駆動してマルチポートメモリセル1
に書き込むことになるため、アクセス競合時は非競合時
に比べて書き込みマージンが少なくなるという特性があ
り、ウエハプロセスの仕上がりによって、容量やトラン
ジスタドライブ能力が大きく変動すると、突発的に一部
のマルチポートメモリセル1が、書き込みマージン不良
となることがある。そのため、アクセス競合が発生する
タイミングで書き込み動作を行い、その後マルチポート
メモリセル1の読み出しを行って、アクセス競合時の書
き込みマージン不良の検査を行っていたが、このマルチ
ポートメモリの検査では、メモリサイズ分の書き込みお
よび読み出しを繰り返したり、競合タイミングをずらし
た検査を複数回実施することが必要となるため、検査時
間が長いものとなるという問題点があった。
モリは以上のように構成されているので、アクセス非競
合時はビット線ドライバ5が1対のビット線負荷を駆動
してマルチポートメモリセル1に書き込むのに対して、
アクセス競合が発生した場合はビット線ドライバ5が2
対のビット線負荷を駆動してマルチポートメモリセル1
に書き込むことになるため、アクセス競合時は非競合時
に比べて書き込みマージンが少なくなるという特性があ
り、ウエハプロセスの仕上がりによって、容量やトラン
ジスタドライブ能力が大きく変動すると、突発的に一部
のマルチポートメモリセル1が、書き込みマージン不良
となることがある。そのため、アクセス競合が発生する
タイミングで書き込み動作を行い、その後マルチポート
メモリセル1の読み出しを行って、アクセス競合時の書
き込みマージン不良の検査を行っていたが、このマルチ
ポートメモリの検査では、メモリサイズ分の書き込みお
よび読み出しを繰り返したり、競合タイミングをずらし
た検査を複数回実施することが必要となるため、検査時
間が長いものとなるという問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、メモリサイズ分繰り返す読み出
し動作を省略し、書き込み動作を行うことのみで検査を
行うことが可能なマルチポートメモリを得ることを目的
とする。
ためになされたもので、メモリサイズ分繰り返す読み出
し動作を省略し、書き込み動作を行うことのみで検査を
行うことが可能なマルチポートメモリを得ることを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマルチポ
ートメモリは、マルチポートメモリセルに書き込まれる
データを保持するライトデータラッチに、ラッチ信号と
してマルチポートメモリセルへの書き込みの有無を伴う
2つの信号を、またデータバスに読み出されるデータを
保持するリードデータラッチに、ラッチ信号としてデー
タバスへの読み出しの有無を伴う2つの信号をそれぞれ
持たせ、さらに、そのライトデータラッチとリードデー
タラッチの出力を比較して、書き込みデータの異常を検
出するエラー検知回路を設けたものである。
ートメモリは、マルチポートメモリセルに書き込まれる
データを保持するライトデータラッチに、ラッチ信号と
してマルチポートメモリセルへの書き込みの有無を伴う
2つの信号を、またデータバスに読み出されるデータを
保持するリードデータラッチに、ラッチ信号としてデー
タバスへの読み出しの有無を伴う2つの信号をそれぞれ
持たせ、さらに、そのライトデータラッチとリードデー
タラッチの出力を比較して、書き込みデータの異常を検
出するエラー検知回路を設けたものである。
【0007】
【作用】この発明におけるエラー検知回路は、マルチポ
ートメモリセルにライトデータラッチを通してデータを
書き込む同じアドレスサイクル内で、マルチポートメモ
リセルからリードデータラッチへ、データバスへの出力
動作を伴わないベリファイリードを行い、ライトデータ
ラッチ出力とリードデータラッチ出力とが一回でも異な
った場合に書き込みエラーを知らせることにより、アク
セス競合の条件下で行われる検査において、メモリサイ
ズ分だけ繰り返される書き込みおよび読み出し動作を、
書き込み動作だけの半分ですむようにする。
ートメモリセルにライトデータラッチを通してデータを
書き込む同じアドレスサイクル内で、マルチポートメモ
リセルからリードデータラッチへ、データバスへの出力
動作を伴わないベリファイリードを行い、ライトデータ
ラッチ出力とリードデータラッチ出力とが一回でも異な
った場合に書き込みエラーを知らせることにより、アク
セス競合の条件下で行われる検査において、メモリサイ
ズ分だけ繰り返される書き込みおよび読み出し動作を、
書き込み動作だけの半分ですむようにする。
【0008】
実施例1.以下、この発明の実施例1を図について説明
する。図1はこの実施例1に係るマルチポートメモリに
ついて制御信号を含めて示したブロック図である。図に
おいて、1はマルチポートメモリセル、2はアドレスラ
ッチ、3はアドレスデコーダ、5はビット線ドライバ、
6はリードアンプ、8はリードデータドライバ、10,
11はノットゲート、12〜15はパストランジスタで
あり、図9に同一符号を付した従来のそれらと同一、も
しくは相当部分であるため詳細な説明は省略する。ま
た、4はデータバスを保持してラッチドライトデータを
出力するライトデータラッチであるが、データライトイ
ネーブルだけではなく、ラッチテストライトストローブ
もラッチ信号として持っている点で、図9に符号30を
付した従来のものとは異なっている。7はリードアンプ
6の出力を保持してラッチドリードデータとして出力す
るリードデータラッチであるが、リードラッチイネーブ
ルだけではなく、ベリファイデータラッチイネーブルも
ラッチ信号として持っている点で、図9に符号31を付
した従来のものとは異なっている。9はこれらライトデ
ータラッチ4からのラッチドライトデータと、リードデ
ータラッチ7からのラッチドリードデータを入力として
その両者を比較し、その一致判定の結果をエラーステー
タスとして出力するエラー検知回路である。
する。図1はこの実施例1に係るマルチポートメモリに
ついて制御信号を含めて示したブロック図である。図に
おいて、1はマルチポートメモリセル、2はアドレスラ
ッチ、3はアドレスデコーダ、5はビット線ドライバ、
6はリードアンプ、8はリードデータドライバ、10,
11はノットゲート、12〜15はパストランジスタで
あり、図9に同一符号を付した従来のそれらと同一、も
しくは相当部分であるため詳細な説明は省略する。ま
た、4はデータバスを保持してラッチドライトデータを
出力するライトデータラッチであるが、データライトイ
ネーブルだけではなく、ラッチテストライトストローブ
もラッチ信号として持っている点で、図9に符号30を
付した従来のものとは異なっている。7はリードアンプ
6の出力を保持してラッチドリードデータとして出力す
るリードデータラッチであるが、リードラッチイネーブ
ルだけではなく、ベリファイデータラッチイネーブルも
ラッチ信号として持っている点で、図9に符号31を付
した従来のものとは異なっている。9はこれらライトデ
ータラッチ4からのラッチドライトデータと、リードデ
ータラッチ7からのラッチドリードデータを入力として
その両者を比較し、その一致判定の結果をエラーステー
タスとして出力するエラー検知回路である。
【0009】なお、図2は上記マルチポートメモリにつ
いて、マルチポートアクセスのために存在する複数の系
を示したブロック図である。図示のものは2系統による
デュアルポートメモリを示しており、それぞれ系統の構
成要素には補助符号a,bを付して互いに区別してい
る。
いて、マルチポートアクセスのために存在する複数の系
を示したブロック図である。図示のものは2系統による
デュアルポートメモリを示しており、それぞれ系統の構
成要素には補助符号a,bを付して互いに区別してい
る。
【0010】また、図3は前記エラー検知回路9(9
a,9b)の構成を示すブロック図である。図におい
て、16は各ビット毎のライトデータラッチ4およびリ
ードデータラッチ7の出力を比較するための排他的論理
和ゲート(以下EX−ORゲートという)であり、17
はこのEX−ORゲート16の出力を論理和するための
オア(OR)ゲートである。18はこのオアゲート17
の出力をJ入力、ベリファイデータラッチイネーブルの
反転信号をCK入力、エラーステータスリセットの反転
信号をCLR入力とし、K入力をグランド(GND)と
して、Q出力よりエラーステータスを出力するJ−Kフ
リップフロップである。エラー検知回路9は、これらE
X−ORゲート16、オアゲート17およびJ−Kフリ
ップフロップ18によって形成されている。また、19
はこのJ−Kフリップフロップ18の出力するエラース
テータスを入力にし、エラーステータスリードストロー
ブを出力許可信号として、データバスへそのエラーステ
ータスを出力するエラーステータスドライバである。な
お、他の部分は、図1に同一符号を付したものと同一で
ある。
a,9b)の構成を示すブロック図である。図におい
て、16は各ビット毎のライトデータラッチ4およびリ
ードデータラッチ7の出力を比較するための排他的論理
和ゲート(以下EX−ORゲートという)であり、17
はこのEX−ORゲート16の出力を論理和するための
オア(OR)ゲートである。18はこのオアゲート17
の出力をJ入力、ベリファイデータラッチイネーブルの
反転信号をCK入力、エラーステータスリセットの反転
信号をCLR入力とし、K入力をグランド(GND)と
して、Q出力よりエラーステータスを出力するJ−Kフ
リップフロップである。エラー検知回路9は、これらE
X−ORゲート16、オアゲート17およびJ−Kフリ
ップフロップ18によって形成されている。また、19
はこのJ−Kフリップフロップ18の出力するエラース
テータスを入力にし、エラーステータスリードストロー
ブを出力許可信号として、データバスへそのエラーステ
ータスを出力するエラーステータスドライバである。な
お、他の部分は、図1に同一符号を付したものと同一で
ある。
【0011】次に動作について説明する。ここで、図4
はこの実施例1によるマルチポートメモリの制御信号に
ついてのタイミング図である。今、ライトデータラッチ
4を通して、マルチポートメモリセル1にデータバスか
らのデータを書き込む同じアクセスサイクル内で、マル
チポートメモリセル1からリードデータラッチ7へベリ
ファイリードを行う。この時、データバスへの出力動作
は伴わない。そして、ライトデータラッチ4の出力であ
るラッチドライトデータと、リードデータラッチ7の出
力であるラッチドリードデータとをエラー検知回路9の
EX−ORゲート16によって比較を行い、その両者が
1回でも異なっていた場合、それを書き込みエラーとし
てJ−Kフリップフロップ18に格納する。この書き込
みエラーはJ−Kフリップフロップ18によって保持し
ているので、書き込みエラー1個発生すると、CLR入
力のエラーステータスリセットをアクティブにしなけれ
ばQ出力のエラーステータスは初期化されない。図4に
示す通り、データライトストローブはアドレスラッチイ
ネーブル、ディレイライト、リードアンプイネーブル、
およびベリファイデータラッチイネーブルを生成する。
また、ライトデータラッチ4のラッチ信号としては、マ
ルチポートメモリセル1への書き込み動作を伴う負論理
のデータライトストローブと、マルチポートメモリセル
1への書き込み動作を伴わない負論理のラッチテストラ
イトストローブの、それぞれ独立に動作する2つの信号
を用いている。なお、このラッチテストライトストロー
ブは、ライトデータラッチ4にリードデータラッチ7と
異なる値を入力して、エラー検知回路9が正常に動作し
ているか否かを検知するための信号である。
はこの実施例1によるマルチポートメモリの制御信号に
ついてのタイミング図である。今、ライトデータラッチ
4を通して、マルチポートメモリセル1にデータバスか
らのデータを書き込む同じアクセスサイクル内で、マル
チポートメモリセル1からリードデータラッチ7へベリ
ファイリードを行う。この時、データバスへの出力動作
は伴わない。そして、ライトデータラッチ4の出力であ
るラッチドライトデータと、リードデータラッチ7の出
力であるラッチドリードデータとをエラー検知回路9の
EX−ORゲート16によって比較を行い、その両者が
1回でも異なっていた場合、それを書き込みエラーとし
てJ−Kフリップフロップ18に格納する。この書き込
みエラーはJ−Kフリップフロップ18によって保持し
ているので、書き込みエラー1個発生すると、CLR入
力のエラーステータスリセットをアクティブにしなけれ
ばQ出力のエラーステータスは初期化されない。図4に
示す通り、データライトストローブはアドレスラッチイ
ネーブル、ディレイライト、リードアンプイネーブル、
およびベリファイデータラッチイネーブルを生成する。
また、ライトデータラッチ4のラッチ信号としては、マ
ルチポートメモリセル1への書き込み動作を伴う負論理
のデータライトストローブと、マルチポートメモリセル
1への書き込み動作を伴わない負論理のラッチテストラ
イトストローブの、それぞれ独立に動作する2つの信号
を用いている。なお、このラッチテストライトストロー
ブは、ライトデータラッチ4にリードデータラッチ7と
異なる値を入力して、エラー検知回路9が正常に動作し
ているか否かを検知するための信号である。
【0012】このような実施例1におけるマルチポート
メモリにおいては、ライトデータラッチ4の出力とリー
ドデータラッチ7の出力との比較を、エラー検知回路9
によって行うにしたので、アクセス競合時の検査におい
て、メモリサイズ分だけ繰り返される読み出し動作を省
略して、書き込み動作のみとすることが可能となる。
メモリにおいては、ライトデータラッチ4の出力とリー
ドデータラッチ7の出力との比較を、エラー検知回路9
によって行うにしたので、アクセス競合時の検査におい
て、メモリサイズ分だけ繰り返される読み出し動作を省
略して、書き込み動作のみとすることが可能となる。
【0013】実施例2.次に、この発明の実施例2を図
について説明する。図5はこの発明の実施例2によるマ
ルチポートメモリにおけるエラー検知回路9(9a,9
b)を示すブロック図であり、相当部分には図3と同一
符号を付してその説明を省略する。図において、20は
オアゲート17の出力をD入力、ベリファイデータラッ
チイネーブルの反転信号をCK入力として、Q出力より
ステータスを、Q- 出力より書き込みエラー割り込み要
求信号を出力するDフリップフロップである。なお、こ
のDフリップフロップ20のQ- 出力はQ出力と極性が
逆の相補な信号である。21はこのDフリップフロップ
のQ出力を入力にし、ステータスリードストローブを出
力許可信号として、データバスへそのステータスを出力
するステータスドライバである。
について説明する。図5はこの発明の実施例2によるマ
ルチポートメモリにおけるエラー検知回路9(9a,9
b)を示すブロック図であり、相当部分には図3と同一
符号を付してその説明を省略する。図において、20は
オアゲート17の出力をD入力、ベリファイデータラッ
チイネーブルの反転信号をCK入力として、Q出力より
ステータスを、Q- 出力より書き込みエラー割り込み要
求信号を出力するDフリップフロップである。なお、こ
のDフリップフロップ20のQ- 出力はQ出力と極性が
逆の相補な信号である。21はこのDフリップフロップ
のQ出力を入力にし、ステータスリードストローブを出
力許可信号として、データバスへそのステータスを出力
するステータスドライバである。
【0014】次に動作について説明する。ライトデータ
ラッチ4を通して、マルチポートメモリセル1に書き込
む同じアクセスサイクル内で、マルチポートメモリセル
1からリードデータラッチ7へベリファイリードを行
う。この時、データバスへの出力動作は伴わない。そし
て、ライトデータラッチ4の出力であるラッチドライト
データと、リードデータラッチ7の出力であるラッチド
リードデータとをエラー検知回路9のEX−ORゲート
16によって比較を行い、それをDフリップフロップ2
0に格納する。ここで、エラー発生時は、Dフリップフ
ロップ20のQ-出力を負論理の書き込みエラー割り込
み要求信号としているので、割り込みによる検知が可能
となる。
ラッチ4を通して、マルチポートメモリセル1に書き込
む同じアクセスサイクル内で、マルチポートメモリセル
1からリードデータラッチ7へベリファイリードを行
う。この時、データバスへの出力動作は伴わない。そし
て、ライトデータラッチ4の出力であるラッチドライト
データと、リードデータラッチ7の出力であるラッチド
リードデータとをエラー検知回路9のEX−ORゲート
16によって比較を行い、それをDフリップフロップ2
0に格納する。ここで、エラー発生時は、Dフリップフ
ロップ20のQ-出力を負論理の書き込みエラー割り込
み要求信号としているので、割り込みによる検知が可能
となる。
【0015】このような実施例2のマルチポートメモリ
においても、ライトデータラッチ4の出力とリードデー
タラッチ7の出力との比較を、エラー検知回路9によっ
て行うにしたので、アクセス競合時の検査において、メ
モリサイズ分だけ繰り返される読み出し動作を省略し
て、書き込み動作のみにすることが可能となる。
においても、ライトデータラッチ4の出力とリードデー
タラッチ7の出力との比較を、エラー検知回路9によっ
て行うにしたので、アクセス競合時の検査において、メ
モリサイズ分だけ繰り返される読み出し動作を省略し
て、書き込み動作のみにすることが可能となる。
【0016】実施例3.次に、この発明の実施例3を図
について説明する。図6はこの発明の実施例3によるマ
ルチポートメモリにおける検査用回路を示すブロック図
であり、相当部分には図1および図3,図5と同一符号
を付してその説明を省略する。図において、22はライ
トデータラッチ4の出力するラッチドライトデータを入
力とし、それをラッチテストリードストローブを出力許
可信号としてデータバスに出力するラッチテストドライ
バである。23はアドレスラッチ2の出力するラッチド
アドレスを入力とし、それをエラーアドレスステータス
リードストローブを出力許可信号としてデータバスに出
力するエラーアドレスステータスドライバである。
について説明する。図6はこの発明の実施例3によるマ
ルチポートメモリにおける検査用回路を示すブロック図
であり、相当部分には図1および図3,図5と同一符号
を付してその説明を省略する。図において、22はライ
トデータラッチ4の出力するラッチドライトデータを入
力とし、それをラッチテストリードストローブを出力許
可信号としてデータバスに出力するラッチテストドライ
バである。23はアドレスラッチ2の出力するラッチド
アドレスを入力とし、それをエラーアドレスステータス
リードストローブを出力許可信号としてデータバスに出
力するエラーアドレスステータスドライバである。
【0017】次に動作について説明する。書き込みエラ
ーが発生したマルチポートメモリセル1を特定する場
合、アドレスを調べるためエラーアドレスステータスリ
ードストローブを出力許可信号に用いて、エラーアドレ
スステータスドライバ23によりそのアドレス値を、エ
ラーアドレスステータスとしてデータバスに出力させ
る。また、書き込むべき値であったデータについても、
ラッチテストリードストローブを出力許可信号に用い
て、ラッチテストドライバ22により、ラッチテストと
してデータバスに出力させる。
ーが発生したマルチポートメモリセル1を特定する場
合、アドレスを調べるためエラーアドレスステータスリ
ードストローブを出力許可信号に用いて、エラーアドレ
スステータスドライバ23によりそのアドレス値を、エ
ラーアドレスステータスとしてデータバスに出力させ
る。また、書き込むべき値であったデータについても、
ラッチテストリードストローブを出力許可信号に用い
て、ラッチテストドライバ22により、ラッチテストと
してデータバスに出力させる。
【0018】このような実施例3のマルチポートメモリ
においては、書き込みエラーの発生したマルチポートメ
モリセル1の場所を特定するための情報を取り出すこと
が可能となり、動作解析に有効である。
においては、書き込みエラーの発生したマルチポートメ
モリセル1の場所を特定するための情報を取り出すこと
が可能となり、動作解析に有効である。
【0019】実施例4.次に、この発明の実施例4を図
について説明する。図7はこの発明の実施例4によるマ
ルチポートメモリにおける検査用回路を示すブロック図
であり、相当部分には図6と同一符号を付してその説明
を省略する。図において、24はライトデータラッチ4
の出力するラッチドライトデータを、ベリファイデータ
ラッチイネーブルを入力トリガとして保持し、それをラ
ッチテストリードストローブを出力トリガとしてラッチ
テストドライバ22に出力するファーストイン・ファー
ストアウト(以下FIFOという)方式のメモリによる
ラッチテストFIFOである。25はリードデータラッ
チ7の出力するラッチドリードデータを、ベリファイデ
ータラッチイネーブルを入力トリガとして保持し、それ
をベリファイデータリードストローブを出力トリガとし
て出力するベリファイデータFIFOであり、26はこ
のベリファイデータFIFO25の出力を入力とし、そ
れをベリファイデータリードストローブを出力許可信号
としてデータバスに出力するベリファイデータリードド
ライバである。27はアドレスラッチ2の出力するラッ
チドアドレスを、ベリファイデータラッチイネーブルを
入力トリガとして保持し、それをエラーアドレスステー
タスリードストローブを出力トリガとしてエラーアドレ
スステータスドライバ23に出力するエラーアドレスス
テータスFIFOである。
について説明する。図7はこの発明の実施例4によるマ
ルチポートメモリにおける検査用回路を示すブロック図
であり、相当部分には図6と同一符号を付してその説明
を省略する。図において、24はライトデータラッチ4
の出力するラッチドライトデータを、ベリファイデータ
ラッチイネーブルを入力トリガとして保持し、それをラ
ッチテストリードストローブを出力トリガとしてラッチ
テストドライバ22に出力するファーストイン・ファー
ストアウト(以下FIFOという)方式のメモリによる
ラッチテストFIFOである。25はリードデータラッ
チ7の出力するラッチドリードデータを、ベリファイデ
ータラッチイネーブルを入力トリガとして保持し、それ
をベリファイデータリードストローブを出力トリガとし
て出力するベリファイデータFIFOであり、26はこ
のベリファイデータFIFO25の出力を入力とし、そ
れをベリファイデータリードストローブを出力許可信号
としてデータバスに出力するベリファイデータリードド
ライバである。27はアドレスラッチ2の出力するラッ
チドアドレスを、ベリファイデータラッチイネーブルを
入力トリガとして保持し、それをエラーアドレスステー
タスリードストローブを出力トリガとしてエラーアドレ
スステータスドライバ23に出力するエラーアドレスス
テータスFIFOである。
【0020】次に動作について説明する。書き込みエラ
ーが発生したマルチポートメモリセル1を特定するた
め、書き込むべきデータ、エラーとなったデータ、エラ
ーの発生したアドレスの各値を、ラッチテストFIFO
24、ベリファイデータFIFO25、およびエラーア
ドレスステータスFIFO27に入力する。これら各F
IFOは全て、ベリファイデータラッチイネーブルを入
力トリガにしているので、書き込みエラーが発生する度
に書き込むべきデータ、エラーとなったデータ、および
エラーの発生したアドレスが対応するFIFOに格納さ
れ、FIFO段数が許す限り保持される。このようにし
てラッチテストFIFO24に格納された書き込むべき
データの値は、ラッチテストリードストローブを出力許
可信号に用いたラッチテストドライバ22によってデー
タバスに出力される。また、ベリファイデータFIFO
25に格納されたエラーとなったデータの値は、ベリフ
ァイデータリードストローブを出力許可信号に用いたベ
リファイデータドライバ26によってデータバスに出力
される。エラーアドレスステータスFIFO27に格納
されたエラーの発生したアドレスの値も同様に、エラー
アドレスステータスリードストローブを出力許可信号に
用いたエラーアドレスステータスドライバ23によって
データバスに出力される。
ーが発生したマルチポートメモリセル1を特定するた
め、書き込むべきデータ、エラーとなったデータ、エラ
ーの発生したアドレスの各値を、ラッチテストFIFO
24、ベリファイデータFIFO25、およびエラーア
ドレスステータスFIFO27に入力する。これら各F
IFOは全て、ベリファイデータラッチイネーブルを入
力トリガにしているので、書き込みエラーが発生する度
に書き込むべきデータ、エラーとなったデータ、および
エラーの発生したアドレスが対応するFIFOに格納さ
れ、FIFO段数が許す限り保持される。このようにし
てラッチテストFIFO24に格納された書き込むべき
データの値は、ラッチテストリードストローブを出力許
可信号に用いたラッチテストドライバ22によってデー
タバスに出力される。また、ベリファイデータFIFO
25に格納されたエラーとなったデータの値は、ベリフ
ァイデータリードストローブを出力許可信号に用いたベ
リファイデータドライバ26によってデータバスに出力
される。エラーアドレスステータスFIFO27に格納
されたエラーの発生したアドレスの値も同様に、エラー
アドレスステータスリードストローブを出力許可信号に
用いたエラーアドレスステータスドライバ23によって
データバスに出力される。
【0021】このような実施例4のマルチポートメモリ
においては、書き込みエラーの発生したマルチポートメ
モリセル1の場所を特定するための情報がFIFOメモ
リに保持しておくことが可能となり動作解析に有効であ
る。
においては、書き込みエラーの発生したマルチポートメ
モリセル1の場所を特定するための情報がFIFOメモ
リに保持しておくことが可能となり動作解析に有効であ
る。
【0022】実施例5.次に、この発明の実施例5を図
について説明する。図8はこの発明の実施例5によるマ
ルチポートメモリにおける検査用回路を示すブロック図
であり、相当部分には図6と同一符号を付してその説明
を省略する。図において、28は、ベリファイデータラ
ッチイネーブルによって、エラー検知回路9内のEX−
ORゲート16の出力を保持するエラービットラッチで
あり、29はエラービットラッチ28の出力を入力と
し、それをエラービットリードストローブを出力許可信
号としてデータバスに出力するエラービットドライバで
ある。
について説明する。図8はこの発明の実施例5によるマ
ルチポートメモリにおける検査用回路を示すブロック図
であり、相当部分には図6と同一符号を付してその説明
を省略する。図において、28は、ベリファイデータラ
ッチイネーブルによって、エラー検知回路9内のEX−
ORゲート16の出力を保持するエラービットラッチで
あり、29はエラービットラッチ28の出力を入力と
し、それをエラービットリードストローブを出力許可信
号としてデータバスに出力するエラービットドライバで
ある。
【0023】次に動作について説明する。書き込みエラ
ーが発生したマルチポートメモリセル1のビット位置を
特定するため、EX−ORゲート16による、ライトデ
ータラッチ4からのラッチドライトデータとリードデー
タラッチ7からのラッチドリードデータとの一致検出結
果の出力を、ベリファイデータラッチイネーブルによっ
て、エラービットラッチ28に格納する。図8の回路で
は、エラー発生ビットには“1”がラッチされ、正常ビ
ットには“0”がラッチされる。エラー発生のビット情
報は、エラービットリードストローブを出力許可信号に
用いたエラービットドライバ29によりデータバスに出
力させる。
ーが発生したマルチポートメモリセル1のビット位置を
特定するため、EX−ORゲート16による、ライトデ
ータラッチ4からのラッチドライトデータとリードデー
タラッチ7からのラッチドリードデータとの一致検出結
果の出力を、ベリファイデータラッチイネーブルによっ
て、エラービットラッチ28に格納する。図8の回路で
は、エラー発生ビットには“1”がラッチされ、正常ビ
ットには“0”がラッチされる。エラー発生のビット情
報は、エラービットリードストローブを出力許可信号に
用いたエラービットドライバ29によりデータバスに出
力させる。
【0024】このような実施例5のマルチポートメモリ
セル1においても、書き込みエラーの発生したマルチポ
ートメモリセル1の場所を特定するための情報を取り出
すことが可能となり、動作解析に有効である。
セル1においても、書き込みエラーの発生したマルチポ
ートメモリセル1の場所を特定するための情報を取り出
すことが可能となり、動作解析に有効である。
【0025】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、マル
チポートメモリの書き込みエラー判別をハードウェアに
よって処理できる回路を追加し、ライトデータラッチを
通してマルチポートメモリセルにデータを書き込む同じ
アクセスサイクル内で、マルチポートメモリセルからリ
ードデータラッチへ、データバスへの出力動作を伴わな
いベリファイリードを行い、ライトデータラッチ出力と
リードデータラッチ出力とが一回でも異なった場合に書
き込みエラーを知らせるように構成したので、アクセス
競合の条件下で行われる検査において、メモリサイズ分
だけ繰り返される動作のうち、読み出し動作が省略され
て書き込み動作だけの半分ですむこととなり、検査時間
を大幅に短縮できるマルチポートメモリが得られるばか
りか、このマルチポートメモリをシステムに組み込んで
使用すれば、書き込みエラーを動作時に検出することが
可能となって、信頼性の高いシステムが構築できる効果
がある。
チポートメモリの書き込みエラー判別をハードウェアに
よって処理できる回路を追加し、ライトデータラッチを
通してマルチポートメモリセルにデータを書き込む同じ
アクセスサイクル内で、マルチポートメモリセルからリ
ードデータラッチへ、データバスへの出力動作を伴わな
いベリファイリードを行い、ライトデータラッチ出力と
リードデータラッチ出力とが一回でも異なった場合に書
き込みエラーを知らせるように構成したので、アクセス
競合の条件下で行われる検査において、メモリサイズ分
だけ繰り返される動作のうち、読み出し動作が省略され
て書き込み動作だけの半分ですむこととなり、検査時間
を大幅に短縮できるマルチポートメモリが得られるばか
りか、このマルチポートメモリをシステムに組み込んで
使用すれば、書き込みエラーを動作時に検出することが
可能となって、信頼性の高いシステムが構築できる効果
がある。
【図1】この発明の実施例1によるマルチポートメモリ
の要部を制御信号を含めて示すブロック図である。
の要部を制御信号を含めて示すブロック図である。
【図2】上記実施例によるマルチポートメモリを示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図3】上記実施例におけるエラー検知回路の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図4】上記実施例における制御信号の時間関係を示す
タイミング図である。
タイミング図である。
【図5】この発明の実施例2によるマルチポートメモリ
におけるエラー検出回路の構成を示すブロック図であ
る。
におけるエラー検出回路の構成を示すブロック図であ
る。
【図6】この発明の実施例3によるマルチポートメモリ
における検査用回路の構成を示すブロック図である。
における検査用回路の構成を示すブロック図である。
【図7】この発明の実施例4によるマルチポートメモリ
における検査用回路の構成を示すブロック図である。
における検査用回路の構成を示すブロック図である。
【図8】この発明の実施例5によるマルチポートメモリ
における検査用回路の構成を示すブロック図である。
における検査用回路の構成を示すブロック図である。
【図9】従来のマルチポートメモリの要部を制御信号を
含めて示すブロック図である。
含めて示すブロック図である。
【図10】その書き込み時における制御信号の時間関係
を示すタイミング図である。
を示すタイミング図である。
【図11】その読み出し時における制御信号の時間関係
を示すタイミング図である。
を示すタイミング図である。
1 マルチポートメモリセル 4,4a,4b ライトデータラッチ 7,7a,7b リードデータラッチ 9,9a,9b エラー検知回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 11/401
Claims (1)
- 【請求項1】 マルチポートメモリセルへの書き込みの
有無を伴う2種類の信号をラッチ信号として持ち、デー
タバスから前記マルチポートメモリセルに書き込まれる
データを保持するライトデータラッチと、前記データバ
スへの読み出しの有無を伴う2種類の信号をラッチ信号
として持ち、前記マルチポートメモリセルから前記デー
タバスに読み出されるデータを保持するリードデータラ
ッチと、前記ライトデータラッチの出力と前記リードデ
ータラッチの出力を比較して、前記マルチポートメモリ
セルに書き込まれるデータの異常を検出するエラー検知
回路とを備えたマルチポートメモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21664393A JPH0773698A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | マルチポートメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21664393A JPH0773698A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | マルチポートメモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773698A true JPH0773698A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16691656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21664393A Pending JPH0773698A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | マルチポートメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773698A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064532A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2018195359A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 富士通株式会社 | メモリセル、メモリモジュール、情報処理装置およびメモリセルのエラー訂正方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21664393A patent/JPH0773698A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064532A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2018195359A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 富士通株式会社 | メモリセル、メモリモジュール、情報処理装置およびメモリセルのエラー訂正方法 |
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