JPH0773799A - シリコン電子銃およびその製造方法 - Google Patents
シリコン電子銃およびその製造方法Info
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- JPH0773799A JPH0773799A JP21659393A JP21659393A JPH0773799A JP H0773799 A JPH0773799 A JP H0773799A JP 21659393 A JP21659393 A JP 21659393A JP 21659393 A JP21659393 A JP 21659393A JP H0773799 A JPH0773799 A JP H0773799A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特別な超高精細リソグラフィー法を用いるこ
となく均一な形状で再現性よく、かつ量産化が容易な電
子銃およびその製造方法を提供することである。 【構成】 異方性エッチングにより３つの（１１１）面
と等価な面を形成することにより三角錐構造の電子銃１
０を製造する。
となく均一な形状で再現性よく、かつ量産化が容易な電
子銃およびその製造方法を提供することである。 【構成】 異方性エッチングにより３つの（１１１）面
と等価な面を形成することにより三角錐構造の電子銃１
０を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子銃およびその製造
方法に関し、特に、真空マイクロデバイス、マイクロ真
空管、プラズマディスプレイなどの電子放出源として利
用されるシリコン製電子銃およびその製造方法に関す
る。
方法に関し、特に、真空マイクロデバイス、マイクロ真
空管、プラズマディスプレイなどの電子放出源として利
用されるシリコン製電子銃およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子放出源となる電子銃をシリコ
ンにより形成する研究が多くなされている。例えば、
Ｈ．Ｇ．Ｇｒａｙらが開示した方法(Technical Direst
of IVMC91,Nagahama 1991, 34 〜35頁等）やＣ．Ａ．Ｓ
ｐｉｎｄｔらが開発した冷陰極エミッタ等がある。これ
らはいずれも、シリコン基板に、その先端が分子レベル
の尖鋭さとなる電子放出部（エミッタ）を形成し、この
電子放出部との間に高電界をかけるためのゲート電極を
その近傍に配置することにより電界放射により電子放出
部から電子を放射するもので、電子放出源が加熱される
こと無く電子を放出する、冷陰極型電子銃の一つであ
る。
ンにより形成する研究が多くなされている。例えば、
Ｈ．Ｇ．Ｇｒａｙらが開示した方法(Technical Direst
of IVMC91,Nagahama 1991, 34 〜35頁等）やＣ．Ａ．Ｓ
ｐｉｎｄｔらが開発した冷陰極エミッタ等がある。これ
らはいずれも、シリコン基板に、その先端が分子レベル
の尖鋭さとなる電子放出部（エミッタ）を形成し、この
電子放出部との間に高電界をかけるためのゲート電極を
その近傍に配置することにより電界放射により電子放出
部から電子を放射するもので、電子放出源が加熱される
こと無く電子を放出する、冷陰極型電子銃の一つであ
る。
【０００３】従来の電子銃のひとつに四角錐形状（ピラ
ミッド型）の電子銃があり、その製造方法は、まず、シ
リコン基板１０１上にＳｉＯ2 を成膜し、これを四角形
に残しマスク１０２とし、シリコン基板１０１を異方性
エッチング液によりエッチングする。このとき、マスク
１０２の下は、アンダーエッチングされるので、その断
面が図７ａに示すように、シリコン基板１０１のマスク
１０２と接する部分が台形の上辺となるピラミッド型と
なるように制御しながらエッチングを行う。
ミッド型）の電子銃があり、その製造方法は、まず、シ
リコン基板１０１上にＳｉＯ2 を成膜し、これを四角形
に残しマスク１０２とし、シリコン基板１０１を異方性
エッチング液によりエッチングする。このとき、マスク
１０２の下は、アンダーエッチングされるので、その断
面が図７ａに示すように、シリコン基板１０１のマスク
１０２と接する部分が台形の上辺となるピラミッド型と
なるように制御しながらエッチングを行う。
【０００４】次に、このシリコン基板１０１を熱酸化し
てＳｉＯ2 膜１０３を形成することにより、図７ｂに示
すように、断面が酸化によるシリコンのくわれによっ
て、その頂点が尖鋭な断面三角形となるようにして、ピ
ラミッド型の電子銃を形成する。
てＳｉＯ2 膜１０３を形成することにより、図７ｂに示
すように、断面が酸化によるシリコンのくわれによっ
て、その頂点が尖鋭な断面三角形となるようにして、ピ
ラミッド型の電子銃を形成する。
【０００５】次に、図７ｃに示すように、ゲート絶縁膜
１０４およびゲート電極１０５となる金属膜を成膜す
る。そして、マスク１０２（ＳｉＯ2 ）と熱酸化により
形成されたＳｉＯ2 膜１０３を除去することにより、図
７ｄに示すように、マスク１０２によってセルフアライ
ンに形成されたゲート電極１０５が形成されて、電子銃
に電界集中を起こさせるための電極部を形成する。
１０４およびゲート電極１０５となる金属膜を成膜す
る。そして、マスク１０２（ＳｉＯ2 ）と熱酸化により
形成されたＳｉＯ2 膜１０３を除去することにより、図
７ｄに示すように、マスク１０２によってセルフアライ
ンに形成されたゲート電極１０５が形成されて、電子銃
に電界集中を起こさせるための電極部を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の電子銃の製造方法では、マスク１０２の下
をアンダーエッチングする際に、マスク１０２との接点
であるピラミッドの上辺ができるだけ小さな点に近い状
態となったときに、エッチングを終了させることが必要
であるが、この終了点を正確に判別することは非常に難
しく、具体的には、エッチング時間（エッチング液に浸
漬している時間）を調節することにより行うのである
が、わずかな液温の変化によりエッチングレートが異な
り、エッチング液から引き出す時間の誤差によってもシ
リコンの先端がエッチングされ過ぎてマスク１０２が剥
がれてしまったり、また、逆にエッチングが足りず先端
が幅広く残り、以降の工程である先端部を尖鋭にするた
めの熱酸化工程が非常に長くなったりするなど、その再
現性が難しく、常に均一な形状の電子銃を得られないと
いう問題があった。
ような従来の電子銃の製造方法では、マスク１０２の下
をアンダーエッチングする際に、マスク１０２との接点
であるピラミッドの上辺ができるだけ小さな点に近い状
態となったときに、エッチングを終了させることが必要
であるが、この終了点を正確に判別することは非常に難
しく、具体的には、エッチング時間（エッチング液に浸
漬している時間）を調節することにより行うのである
が、わずかな液温の変化によりエッチングレートが異な
り、エッチング液から引き出す時間の誤差によってもシ
リコンの先端がエッチングされ過ぎてマスク１０２が剥
がれてしまったり、また、逆にエッチングが足りず先端
が幅広く残り、以降の工程である先端部を尖鋭にするた
めの熱酸化工程が非常に長くなったりするなど、その再
現性が難しく、常に均一な形状の電子銃を得られないと
いう問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、先端の尖鋭な電
子銃および再現性よく、量産化が容易な電子銃の製造方
法を提供することである。
子銃および再現性よく、量産化が容易な電子銃の製造方
法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
の本発明は、シリコン基板状に形成された電子銃であっ
て、該電子銃が、（１１１）面に等価な面よりなる三角
錐構造であることを特徴とするシリコン電子銃である。
の本発明は、シリコン基板状に形成された電子銃であっ
て、該電子銃が、（１１１）面に等価な面よりなる三角
錐構造であることを特徴とするシリコン電子銃である。
【０００９】また、上記目的を解決するための本発明
は、面方位（１１１）シリコン基板上に耐酸化性膜を成
膜する工程と、該耐酸化性膜の一部を除去し、シリコン
面の露出した第１の窓を開ける工程と、該第１の窓部分
から露出しているシリコン面を掘り下げる工程と、該シ
リコン面を掘り下げたシリコン基板を異方性エッチング
液に浸漬して、（１１１）面と等価な面を露出する工程
と、該異方性エッチング液の浸漬工程により露出してい
るシリコン面に熱酸化により酸化シリコン膜を成膜する
工程と、前記耐酸化性膜の一部を除去して、前記第１の
窓を交差するような第２の窓を開ける工程と、該第２の
窓部分に露出したシリコン面を掘り下げる工程と、前記
第２の窓部分のシリコン面を掘り下げたシリコン基板を
異方性エッチング液に浸漬して、（１１１）面と等価な
面を露出する工程と、該異方性エッチング液の浸漬工程
により露出しているシリコン面に熱酸化により酸化シリ
コン膜を成膜する工程と、前記耐酸化性膜を除去する工
程と、該耐酸化性膜を除去する工程により露出したシリ
コン部分を掘り下げる工程と、該露出したシリコン部分
を掘り下げたシリコン基板を異方性エッチング液に浸漬
して、（１１１）面と等価な面を露出する工程とよりな
ることを特徴とするシリコン電子銃の製造方法である。
は、面方位（１１１）シリコン基板上に耐酸化性膜を成
膜する工程と、該耐酸化性膜の一部を除去し、シリコン
面の露出した第１の窓を開ける工程と、該第１の窓部分
から露出しているシリコン面を掘り下げる工程と、該シ
リコン面を掘り下げたシリコン基板を異方性エッチング
液に浸漬して、（１１１）面と等価な面を露出する工程
と、該異方性エッチング液の浸漬工程により露出してい
るシリコン面に熱酸化により酸化シリコン膜を成膜する
工程と、前記耐酸化性膜の一部を除去して、前記第１の
窓を交差するような第２の窓を開ける工程と、該第２の
窓部分に露出したシリコン面を掘り下げる工程と、前記
第２の窓部分のシリコン面を掘り下げたシリコン基板を
異方性エッチング液に浸漬して、（１１１）面と等価な
面を露出する工程と、該異方性エッチング液の浸漬工程
により露出しているシリコン面に熱酸化により酸化シリ
コン膜を成膜する工程と、前記耐酸化性膜を除去する工
程と、該耐酸化性膜を除去する工程により露出したシリ
コン部分を掘り下げる工程と、該露出したシリコン部分
を掘り下げたシリコン基板を異方性エッチング液に浸漬
して、（１１１）面と等価な面を露出する工程とよりな
ることを特徴とするシリコン電子銃の製造方法である。
【００１０】
【作用】上述のように構成された本発明の電子銃は、シ
リコンの（１１１）面と等価な面によって囲まれた三角
錐状の均一な形状であり、その先端部は３つの（１１
１）と等価な面により構成されているので、先端部がよ
り尖鋭な状態で、電界集中が起きやすい形状である。
リコンの（１１１）面と等価な面によって囲まれた三角
錐状の均一な形状であり、その先端部は３つの（１１
１）と等価な面により構成されているので、先端部がよ
り尖鋭な状態で、電界集中が起きやすい形状である。
【００１１】また、本発明の電子銃の製造方法は、異方
性エッチングによって電子銃を構成する（１１１）面と
等価な面を形成しているので、その各（１１１）面（お
よびこれと等価な面）は安定であり、均一な形状の三角
錐構造の電子銃を再現性よく容易に製造することができ
る。
性エッチングによって電子銃を構成する（１１１）面と
等価な面を形成しているので、その各（１１１）面（お
よびこれと等価な面）は安定であり、均一な形状の三角
錐構造の電子銃を再現性よく容易に製造することができ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を添付した図面を参照して説明
する。始めに、本発明の電子銃の製造方法の一実施例に
ついて説明する。
する。始めに、本発明の電子銃の製造方法の一実施例に
ついて説明する。
【００１３】まず、図１ａに示す断面図のように、（１
１１）シリコン基板１上に０．０１〜０．１μｍ程度の
ＳｉＮ膜２を成膜し（ＳｉＮデポ工程）、これにレジス
ト２５塗布、フォトリソグラフィーおよびＲＩＥにより
方形状の窓３を開け（ＳｉＮパターニング工程）、さら
にＳｉエッチング条件によるＲＩＥを続け、シリコン基
板を約１μｍエッチングして掘り下げる（ＳｉＲＩＥ工
程）。
１１）シリコン基板１上に０．０１〜０．１μｍ程度の
ＳｉＮ膜２を成膜し（ＳｉＮデポ工程）、これにレジス
ト２５塗布、フォトリソグラフィーおよびＲＩＥにより
方形状の窓３を開け（ＳｉＮパターニング工程）、さら
にＳｉエッチング条件によるＲＩＥを続け、シリコン基
板を約１μｍエッチングして掘り下げる（ＳｉＲＩＥ工
程）。
【００１４】このとき方形状の窓３は、図２ａに示す平
面図のように、
面図のように、
【００１５】
【外１】
【００１６】次に、レジスト２５を除去して、異方性エ
ッチング液に浸漬する。用いる異方性エッチング液とし
ては、他の面に比較して（１１１）面のエッチング速度
の非常に遅いＫＯＨ水溶液やヒドラジン水溶液、エチレ
ンジアミンピロカテコール液等を用いる。本実施例で
は、ＫＯＨ水溶液が（１１１）面のみをエッチングせ
ず、他の方位の面をエッチングする異方性の選択性に優
れているため、ＫＯＨ水溶液（６０℃、３０重量％）を
用いた。
ッチング液に浸漬する。用いる異方性エッチング液とし
ては、他の面に比較して（１１１）面のエッチング速度
の非常に遅いＫＯＨ水溶液やヒドラジン水溶液、エチレ
ンジアミンピロカテコール液等を用いる。本実施例で
は、ＫＯＨ水溶液が（１１１）面のみをエッチングせ
ず、他の方位の面をエッチングする異方性の選択性に優
れているため、ＫＯＨ水溶液（６０℃、３０重量％）を
用いた。
【００１７】これにより、図１ｂに示すように、ＳｉＲ
ＩＥにより形成された垂直部分が
ＩＥにより形成された垂直部分が
【００１８】
【外２】
【００１９】次いで、熱酸化を行って、図１ｃに示すよ
うに、露出しているシリコン面部分にＳｉＯ2 膜４を成
膜する（熱酸化工程）。
うに、露出しているシリコン面部分にＳｉＯ2 膜４を成
膜する（熱酸化工程）。
【００２０】ここまでの工程、すなわち、ＳｉＮデポ工
程、ＳｉＮパターニング工程、ＳｉＲＩＥ工程、異方性
エッチング工程、熱酸化工程までを説明のため便宜的に
第１工程と称する。なお、図１は、図２ａにおけるＡ−
Ａ線での断面である。
程、ＳｉＮパターニング工程、ＳｉＲＩＥ工程、異方性
エッチング工程、熱酸化工程までを説明のため便宜的に
第１工程と称する。なお、図１は、図２ａにおけるＡ−
Ａ線での断面である。
【００２１】次に、平面パターンが図２ｂに示す平面図
のように、窓３と交差するように上記第１工程同様に、
ＳｉＮパターニング工程によりＳｉＮ膜２に窓５を開
け、、ＳｉＲＩＥ工程により窓５で露出しているシリコ
ン面を掘り下げ、異方性エッチ
のように、窓３と交差するように上記第１工程同様に、
ＳｉＮパターニング工程によりＳｉＮ膜２に窓５を開
け、、ＳｉＲＩＥ工程により窓５で露出しているシリコ
ン面を掘り下げ、異方性エッチ
【００２２】
【外３】
【００２３】そして、露出しているシリコン面に熱酸化
工程によりＳｉＯ2 膜６を成膜する。これを第２工程と
称する。
工程によりＳｉＯ2 膜６を成膜する。これを第２工程と
称する。
【００２４】
【外４】
【００２５】この第２工程でのＳｉＲＩＥ工程では、第
１工程で成膜したＳｉＯ2 膜４は、
１工程で成膜したＳｉＯ2 膜４は、
【００２６】
【外５】
【００２７】チングマスク材）として働く。図３ａにＳ
ｉＲＩＥ後の図２ｂのＢ−Ｂ線での断面図を示し、図３
に異方性エッチング、熱酸化後の図２ｂのＣ−Ｃ線での
断面を示す。
ｉＲＩＥ後の図２ｂのＢ−Ｂ線での断面図を示し、図３
に異方性エッチング、熱酸化後の図２ｂのＣ−Ｃ線での
断面を示す。
【００２８】次に、ＳｉＮ膜２をＳｉＮエッチング条件
のＣＤＥなどにより全て除去する。なお、このときＳｉ
Ｏ2 膜４および６は残っている。そして、上記第１工程
および第２工程同様に、ＳｉＲＩＥ工程により露出して
いるシリコン面を掘り下げ、
のＣＤＥなどにより全て除去する。なお、このときＳｉ
Ｏ2 膜４および６は残っている。そして、上記第１工程
および第２工程同様に、ＳｉＲＩＥ工程により露出して
いるシリコン面を掘り下げ、
【００２９】
【外６】
【００３０】以上の第１工程から第３工程によりシリコ
ン基板状に三角錐構造の電子銃１０が形成される。第３
工程終了後の平面図を図４ａに、図４ａにおけるＤ−Ｄ
線での拡大断面を図４ｂに示す。この三角錐状電子銃１
０の高さｔは、上記第１〜３工程の各ＳｉＲＩＥ工程の
ときのエッチング深さＤの３分の１となる（図４ｂ参
照）。なお、この実施例では各第１〜３工程でのＳｉＲ
ＩＥのエッチング深さＤはほぼ同じにした。そして、Ｓ
ｉＯ2 膜４および６を除去する。ＳｉＯ2 膜４および６
を除去後の断面図を図５に示す。
ン基板状に三角錐構造の電子銃１０が形成される。第３
工程終了後の平面図を図４ａに、図４ａにおけるＤ−Ｄ
線での拡大断面を図４ｂに示す。この三角錐状電子銃１
０の高さｔは、上記第１〜３工程の各ＳｉＲＩＥ工程の
ときのエッチング深さＤの３分の１となる（図４ｂ参
照）。なお、この実施例では各第１〜３工程でのＳｉＲ
ＩＥのエッチング深さＤはほぼ同じにした。そして、Ｓ
ｉＯ2 膜４および６を除去する。ＳｉＯ2 膜４および６
を除去後の断面図を図５に示す。
【００３１】以上のように製造された本発明の電子銃
は、図示するように、電子銃１０の線端部は尖鋭な状態
で、その先端の大きさが数ｎｍ〜数十ｎｍ程度であり、
電子放出のための電界集中が起き易い構造である。
は、図示するように、電子銃１０の線端部は尖鋭な状態
で、その先端の大きさが数ｎｍ〜数十ｎｍ程度であり、
電子放出のための電界集中が起き易い構造である。
【００３２】次に、上述のようにして形成された電子銃
に、ゲートおよびアノードなどの電極を形成する方法に
ついて、その一例を説明する。
に、ゲートおよびアノードなどの電極を形成する方法に
ついて、その一例を説明する。
【００３３】まず、図６ａに示すように、基板１全面に
層間絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１と、電極となる金属膜
１２を成膜し、さらに、レジスト２５を塗布する。
層間絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１と、電極となる金属膜
１２を成膜し、さらに、レジスト２５を塗布する。
【００３４】次いで、図６ｂに示すように、レジスト２
５をエッチバックして、電子銃の三角錐によって盛り上
がった部分の金属膜１２をレジスト面から露出させる。
５をエッチバックして、電子銃の三角錐によって盛り上
がった部分の金属膜１２をレジスト面から露出させる。
【００３５】次いで、図６ｃに示すように、レジスト２
５面より露出している金属膜１２をＣＤＥまたはＲＩＥ
によりエッチングし、次いで、基板１を希弗酸水溶液ま
たはフッ化アンモニウム水溶液等のＳｉＯ2 エッチング
液に浸漬して、金属膜１２をエッチングした部分に露出
しているＳｉＯ2 膜１１をエッチングして、電子銃１０
の先端を露出させる。そして、レジスト２５を除去す
る。なお、金属膜１２として本実施例では、モリブデン
を用いたが、他に例えばクロム、ニッケル、タンタル、
ニオブ、タングステンなどでもよい。
５面より露出している金属膜１２をＣＤＥまたはＲＩＥ
によりエッチングし、次いで、基板１を希弗酸水溶液ま
たはフッ化アンモニウム水溶液等のＳｉＯ2 エッチング
液に浸漬して、金属膜１２をエッチングした部分に露出
しているＳｉＯ2 膜１１をエッチングして、電子銃１０
の先端を露出させる。そして、レジスト２５を除去す
る。なお、金属膜１２として本実施例では、モリブデン
を用いたが、他に例えばクロム、ニッケル、タンタル、
ニオブ、タングステンなどでもよい。
【００３６】また、上記の電極は一層であるが、エミッ
タ（電子銃）、ゲート、アノードの３極構造とする場合
には、層間絶縁膜と金属膜を２層積層してから、上記同
様にレジスト塗布およびエッチバックを行った後、各層
の金属膜および層間絶縁膜をエッチングを繰り返すこと
により形成できる。
タ（電子銃）、ゲート、アノードの３極構造とする場合
には、層間絶縁膜と金属膜を２層積層してから、上記同
様にレジスト塗布およびエッチバックを行った後、各層
の金属膜および層間絶縁膜をエッチングを繰り返すこと
により形成できる。
【００３７】以上ように三角錐状の電子銃の盛り上がり
を利用して、レジストエッチバックを行うことで、容易
に電子銃のゲートやアノードとなる電極を電子銃先端の
ごく近傍に形成することができる。
を利用して、レジストエッチバックを行うことで、容易
に電子銃のゲートやアノードとなる電極を電子銃先端の
ごく近傍に形成することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子銃
は、その先端部が３つの（１１１）と等価な面により構
成されていて、より尖鋭な状態で電界集中が起きやすい
形状であので、電子を放出させるのに必要の電力が少な
くてすみ、効率よく電子を放出させることが可能であ
る。
は、その先端部が３つの（１１１）と等価な面により構
成されていて、より尖鋭な状態で電界集中が起きやすい
形状であので、電子を放出させるのに必要の電力が少な
くてすみ、効率よく電子を放出させることが可能であ
る。
【００３９】また、本発明のシリコン電子銃の製造法
は、超高精度のリソグラフィー装置やＭＯＣＶＤ装置な
どを用いることなく、異方性エッチングにより（１１
１）面と等価な面を形成しているので、形のそろったシ
リコン電子銃を容易に量産化することが可能であり、量
産化のための設備投資も比較的少なくてすむ。
は、超高精度のリソグラフィー装置やＭＯＣＶＤ装置な
どを用いることなく、異方性エッチングにより（１１
１）面と等価な面を形成しているので、形のそろったシ
リコン電子銃を容易に量産化することが可能であり、量
産化のための設備投資も比較的少なくてすむ。
【図１】 本発明による電子銃の製造方法を用いた一実
施例を工程順に説明するための断面図である。
施例を工程順に説明するための断面図である。
【図２】 本発明による電子銃の製造方法を用いた一実
施例を工程順に説明するための平面図である。
施例を工程順に説明するための平面図である。
【図３】 本発明による電子銃の製造方法を用いた一実
施例を工程順に説明するための図１に続く断面図であ
る。
施例を工程順に説明するための図１に続く断面図であ
る。
【図４】 本発明による電子銃の製造方法を用いた一実
施例を工程順に説明するための図２に続く平面図（図４
ａ）と部分拡大断面図（図４ｂ）である。
施例を工程順に説明するための図２に続く平面図（図４
ａ）と部分拡大断面図（図４ｂ）である。
【図５】 本発明による電子銃の製造方法を用いた一実
施例を工程順に説明するための図３に続く断面図であ
る。
施例を工程順に説明するための図３に続く断面図であ
る。
【図６】 本発明による電子銃の製造方法を用いた一実
施例を工程順に説明するための図５に続く断面図であ
る。
施例を工程順に説明するための図５に続く断面図であ
る。
【図７】 従来の電子銃の製造方法を工程順に説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
１…シリコン基板、 ２、７…Ｓ
ｉＮ膜、３、５、８…窓、
４、６、１１…ＳｉＯ2 膜、１０…電子銃、
１２…金属膜。
ｉＮ膜、３、５、８…窓、
４、６、１１…ＳｉＯ2 膜、１０…電子銃、
１２…金属膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板状に形成された電子銃であ
って、該電子銃が、（１１１）面に等価な面よりなる三
角錐構造であることを特徴とするシリコン電子銃。 - 【請求項２】 面方位（１１１）シリコン基板上に耐酸
化性膜を成膜する工程と、 該耐酸化性膜の一部を除去し、シリコン面の露出した第
１の窓を開ける工程と、 該第１の窓部分から露出しているシリコン面を掘り下げ
る工程と、 該シリコン面を掘り下げたシリコン基板を異方性エッチ
ング液に浸漬して、（１１１）面と等価な面を露出する
工程と、 該異方性エッチング液の浸漬工程により露出しているシ
リコン面に熱酸化により酸化シリコン膜を成膜する工程
と、 前記耐酸化性膜の一部を除去して、前記第１の窓を交差
するような第２の窓を開ける工程と、 該第２の窓部分に露出したシリコン面を掘り下げる工程
と、 前記第２の窓部分のシリコン面を掘り下げたシリコン基
板を異方性エッチング液に浸漬して、（１１１）面と等
価な面を露出する工程と、 該異方性エッチング液の浸漬工程により露出しているシ
リコン面に熱酸化により酸化シリコン膜を成膜する工程
と、 前記耐酸化性膜を除去する工程と、 該耐酸化性膜を除去する工程により露出したシリコン部
分を掘り下げる工程と、 該露出したシリコン部分を掘り下げたシリコン基板を異
方性エッチング液に浸漬して、（１１１）面と等価な面
を露出する工程とよりなることを特徴とするシリコン電
子銃の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21659393A JPH0773799A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | シリコン電子銃およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21659393A JPH0773799A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | シリコン電子銃およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773799A true JPH0773799A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16690856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21659393A Withdrawn JPH0773799A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | シリコン電子銃およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773799A (ja) |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21659393A patent/JPH0773799A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |