JPH0773813A

JPH0773813A - マグネトロン

Info

Publication number: JPH0773813A
Application number: JP6122723A
Authority: JP
Inventors: Toshio Ogura; 利夫小倉
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Electronic Devices Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 1993-07-07
Filing date: 1994-06-03
Publication date: 1995-03-17

Abstract

(57)【要約】【目的】貫通コンデンサの素体から発生する音波の音
圧を低減する。【構成】陰極フィラメント１０１を支持する２本の外
部導出リード１２３，１２４のそれぞれに直列に一端を
接続される２つのチョークコイル１３１と、各チョーク
コイルの他端に並列に接続される貫通コンデンサ１３２
とからなるフィルタ回路を備えたマグネトロンにおい
て、貫通コンデンサ１３２を、比誘電率をξ_sとしたと
き、√ξ_s≦５０の誘電体磁器素体で構成した。【効果】フィルタ回路を構成する貫通コンデンサのサ
イズを大きくすることなく、所要の耐電圧特性かつ所要
の静電容量を維持しつつ、貫通コンデンサの素体から発
生する音波の音圧を低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波応用機器に用
いられるマグネトロンに係り、特にそのフィルタ回路を
構成する貫通コンデンサの素体電歪に起因する振動音の
強度すなわち音圧を抑制したマグネトロンに関する。

【０００２】

【従来の技術】マグネトロンは高周波出力を効率よく発
生することから、レーダ装置、医療機器、電子レンジ等
の調理器、その他のマイクロ波応用機器に分野で広く応
用されている。

【０００３】この種のマグネトロンは、共振空洞，高周
波出力部等を有する本体部と、この本体部に電力を供給
する給電部における漏洩電波の抑制を行うためのフィル
タ回路を備えている。

【０００４】上記フィルタ回路は、共振空洞内部に設置
するフィラメントを支持すると共にこのフィラメントに
電力を供給する２本の外部導出リードのそれぞれに直列
に一端を接続される２つのチョークコイルと、前記各チ
ョークコイルの他端に並列に接続される貫通コンデンサ
とから構成される。

【０００５】上記貫通コンデンサは、フィルタ回路を収
容するフィルタケースの筺体壁を内外に貫通して外部電
源と接続する。

【０００６】なお、この種の貫通コンデンサに関する従
来技術を開示したものとしては、実公昭５７−５６５０
４号公報を挙げることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】マグネトロンに備える
フィルタ回路を構成している貫通コンデンサは、その素
材として高誘電率の磁器材料を用いている。マグネトロ
ンの動作中、この貫通コンデンサの端子間には数ｋＶ
_p-pの交番高電圧が印加される。

【０００８】そのため、貫通コンデンサを構成する磁器
が電歪現象で振動し、音圧の大きい音波を発生する。こ
の音波は雑音となって周囲に放射され、使用に不快感を
与える。

【０００９】上記電歪の発生を低減するためには、貫通
コンデンサを構成する素材として誘電率が小さい材料を
用いればよいが、誘電率の小さい材料を素材とすると、
静電容量が小さくなってしまうので、所要の静電容量を
確保するには貫通コンデンサの電極間隔を小さくする
か、電極面積を大きくする必要がある。

【００１０】しかし、電極間隔を小さくすると耐電圧特
性が低下し、電極面積を大きくすると貫通コンデンサ自
体のサイズが大きくなって、マグネトロンを小型化する
障害となる。

【００１１】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、フィルタ回路を構成する貫通コンデンサのサイ
ズを大きくすることなく、所要の耐電圧特性を維持しつ
つ、貫通コンデンサの素体から発生する音波の音圧を低
減したマグネトロンを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、フィラメントを支持する２本の外部導出
リードのそれぞれに直列に一端を接続される２つのチョ
ークコイルと、前記各チョークコイルの他端に並列に接
続される貫通コンデンサとからなるフィルタ回路を備え
たマグネトロンにおいて、前記貫通コンデンサを、比誘
電率をξ_sとしたとき、√ξ_s≦５０の誘電体磁器素体
で構成したことを特徴とする。

【００１３】また、本発明は、フィラメントを支持する
２本の外部導出リードのそれぞれに直列に一端を接続さ
れる２つのチョークコイルと、前記各チョークコイルの
他端に並列に接続される貫通コンデンサとからなるフィ
ルタ回路を備えたマグネトロンにおいて、前記貫通コン
デンサを、比誘電率をξ_sとしたとき、√ξ_s≦５０の
誘電体磁器素体で構成すると共に、その静電容量Ｃを１
００〜３００ｐＦとしたことを特徴とする。

【００１４】さらに、本発明は、フィラメントを支持す
る２本の外部導出リードのそれぞれに直列に一端を接続
される２つのチョークコイルと、前記各チョークコイル
の他端に並列に接続される貫通コンデンサとからなるフ
ィルタ回路を備えたマグネトロンにおいて、前記貫通コ
ンデンサを、比誘電率をξ_sとしたとき、√ξ_s≦５０
の誘電体磁器素体で構成すると共に、その静電容量Ｃを
Ｃ＝１００〜３００ｐＦとし、かつ前記チョークコイル
のインダクタンスＬがＬ≒１μＨとしたことを特徴とす
る。上記の比誘電率√ξ_s≦５０の誘電体磁器素体とし
ては、例えば、√ξ_s≒７０のＢａＴｉＯ₃系の材料が
採用できる。

【００１５】なお、本発明は、前記構成としたマグネト
ロンの電源として、商用電源を高速スイッチングし高周
波トランスで所要の電圧を得る，所謂インバータ電源、
あるいは商用交流電源をそのまま整流昇圧して陽極電圧
を生成する整流回路を用いたことを特徴とする。

【００１６】

【作用】上記本発明の構成とすることにより、フィルタ
回路を構成する貫通コンデンサのサイズを大きくするこ
となく、所要の耐電圧特性かつ所要の静電容量を維持し
つつ、貫通コンデンサの素体から発生する音波の音圧を
低減したマグネトロンを提供することができる。

【００１７】すなわち、この種のマグネトロンの陰極端
子から漏洩する雑音電波を抑制するためのＬ−Ｃフィル
タを構成する貫通コンデンサは、当該コンデンサの素体
となる誘電体磁器は、その中央に設けた貫通部を高圧側
陰極端子（リード）と接地側陰極端子との間に接続され
る。そして、高圧側陰極端子と接地側陰極端子とは絶縁
性の樹脂で隔離される。

【００１８】貫通コンデンサを構成する誘電体磁器素体
は、マグネトロンの動作時に高電圧（例えば、４ｋＶ
_p-pの交番電圧）が印加されるため、当該磁器素体の電
歪現象で音が発生する。つまり、誘電体磁器素体に電界
が印加されると誘電分極が生じ、機械的歪み／振動によ
り、音響的な雑音が生じる。この音圧は、印加される電
界強度の二乗に比例することが知られている。

【００１９】一方、電界強度が一定の場合は、音圧は下
記の式で示される。

【００２０】

【数１】

【００２１】ただし、Ｓ：音圧Ｋ_P：電気機械結合係数ｆ_r：共振周波数Ｄ：誘電体磁器の直径 ξ_O：真空の誘電率 ξ_S：誘電体磁器の比誘電率Ｐ：誘電体磁器の密度上式より、音圧は誘電体磁器の比誘電率ξ_Sの平方根に
比例することが分る。つまり、電歪現象による音圧を低
く抑えるためには、比誘電率ξ_Sの小さい誘電体素体を
採用すればよい。

【００２２】一方、比誘電率を小さくすると、コンデン
サの静電容量も小さくなるが、これを補正するため、誘
電体磁器の寸法を小さくする、具体的には当該磁器素体
の電極間の距離を小さくするか、もしくは電極面積が大
きくなるように当該素体のサイズが大きくなるように素
体寸法を大型化する必要がある。

【００２３】本発明は、前記請求項に記載した構成とす
ることにより、フィルタ回路を構成する貫通コンデンサ
のサイズを大きくすることなく、所要の耐電圧特性かつ
所要の静電容量を維持しつつ、貫通コンデンサの素体か
ら発生する音波の音圧を低減したマグネトロンを提供す
ることができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。

【００２５】図１は本発明によるマグネトロンの１実施
例の構造を説明する断面図であって、２は下部マグネッ
ト、３は下部ヨーク、４は下部シール部品、４１は下部
シール部品４の鍔状シール材、６はフィルタケース、８
は入力側セラミック、１０１は陰極フィラメント、１０
２は陽極ベイン、１０３は陽極シリンダー、１０４は上
部マグネット、１０５は磁極片、１０７はアンテナリー
ド、１０８はアンテナ、１０９は排気管、１１０はアン
テナカバー、１１１は円筒状絶縁体、１１２は排気管サ
ポート、１２１は上側エンドシールド、１２２は下側エ
ンドシールド、１２３，１２４は陰極リード、１２６は
陰極端子、１２７はスペーサ、１２８はスリーブ、１３
１はチョークコイル、１３２は貫通コンデンサ、１３４
は蓋体、１４１は上部シール部品、１４３は金属ガスケ
ット、１４４は上部ヨーク、１４５は冷却フィンであ
る。

【００２６】同図において、陰極フィラメント１０１の
回りには複数の陽極ベイン１０２が放射状に形成されて
いる。この複数の陽極ベイン１０２は陽極シリンダー１
０３にロー付け等で固着され、あるいは陽極シルンダー
１０３と共に押出し成型等により一体成形されている。

【００２７】陽極シリンダー１０３の上部には円筒状の
上部マグネット１０４が、下部には円筒状の下部マグネ
ット２が設置されており、この上部マグネット１０４と
下部マグネット２からの磁束は磁極片１０５を通って陰
極１０１と陽極ベイン１０２との間に形成される作用空
間に対して上下方向（管軸方向）に必要な直流磁界を発
生させる。なお、下部ヨーク３，上部ヨーク１４４はマ
グネットからの磁束を通すものである。

【００２８】陰極フィラメント１０１は負の高電位（４
ｋＶ_P-P）になっている。すなわち、陰極フィラメント
１０１は２本の陰極リード１２３，１２４を介してチョ
ークコイル１３１に接続され、さらにチョークコイルの
他端は貫通コンデンサ１３２に接続されており、コンデ
ンサ１３２の端子は負の高電位となっているフィラメン
トトランス（後述）に接続されている。

【００２９】この貫通コンデンサ１３２の素体として
は、誘電体磁器が用いられ、この誘電体磁器の材料を従
来のＢａＴｉＯ₃系（√ξ_S≒７０、静電容量Ｃ＝５０
０ｐＦ）に代えて前記本発明のものとしたことにより、
Ｌ−Ｃフィルタの特性を損なうことなく、電歪音を抑制
できる。

【００３０】このような構造において、陰極フィラメン
ト１０１から放出された電子は、直流磁界の影響を受け
て円運動しながら各陽極ベイン１０２に高周波の電位を
形成して高周波（マイクロ波）を発振する。発振された
マイクロ波はアンテナリード１０７を通してアンテナ１
０８から出力される。

【００３１】図２は図１に示したマグネトロンの陽極部
分のみの詳細を説明する平面図であって、陽極ベイン１
０２，１０２’は陽極シリンダー１０３の内壁から中心
Ｏ方向に設けられており、中心Ｏを通る軸線からみて放
射状に配置されている。

【００３２】この陽極ベイン１０２，１０２’は、径の
異なる２つの環状体からなる第１のストラップリング１
６１と第２のストラップリング１６２によって、１つ置
きに結ばれている。

【００３３】図３は図２におけるストラップリングを説
明する斜視図であって、第１のストラップリング１６１
は径の小さなストラプリング、第２のストラップリング
１６２は径の大きなストラプリングである。

【００３４】図４は図１に示したマグネトロンの陽極ベ
イン部分の要部説明図であり、陽極ベイン１０２には上
記径の小さな第１のストラップリング１６１が接触し、
径の大きな第２のストラップリング１６２は接触せず、
また隣接する陽極ベイン１０２には上記径の大きな第２
のストラップリング１６２が接触し、径の小さな第１の
ストラップリング１６１は接触せずに配置され、第１の
ストラップリング１６１と第２のストラップリング１６
２は１つ置きの陽極ベイン１０２に対して交互に接合さ
れている。

【００３５】また、陽極ベイン１０２の１つには、図２
に示したように、高周波を導出するためのアンテナリー
ド１０７がロー付けで植立されている。

【００３６】陽極ベイン１０２に植立されたアンテナリ
ード１０７は、陽極シリンダー１０３の一方の開口側に
内封された磁極片１０５を挿通し、金属封止体であるシ
ール部品１４１の端部には気密封着する円筒状絶縁体１
１１があり、円筒状絶縁体１１１の一方の端部には排気
管１０９の外周とロー付けされたカップ状の排気管サポ
ート１１２がロー付けされている。

【００３７】排気管１０９は、マグネトロンの管内を真
空排気した後、アンテナリード１０７と共に封止切り、
アンテナカバー１１０を排気サポート１１２に圧入固定
して、その先端を保護する。ここで、排気管１０９とア
ンテナリード１０７を封止切ることによって形成された
凹部１０９ａは、不要の電波輻射を阻止するためのチョ
ーク部となっている。

【００３８】電子を発生させる陰極フィラメント１０１
は、一般には酸化トリウム（ＴｈＯ₂）を微量含むタン
グステンが用いられる。電子放射特性を向上させるため
に、陰極の表面には炭化層（Ｗ₂Ｃ）が形成されてい
る。

【００３９】そして、陰極１０１は、上側エンドシール
ド１２１および下側エンドシールド１２２に高融点ロー
材、例えばルテニウム・モリブデン共晶合金等によって
係合し、支持されている。

【００４０】上側エンドシールド１２１および下側エン
ドシールド１２２は、各々陰極リード１２３および１２
４によって支持されている。これらのエンドシールド１
２１，１２２および陰極リード１２３，１２４は、耐熱
性，加工性の観点から、一般にはモリブデン（Ｍｏ）が
用いられている。

【００４１】また、上側エンドシールドの上面にはゲッ
タが被着されて、陰極フィラメント１０１の加熱時にゲ
ッタ材が蒸発し、発振空間の真空度を維持して、安定し
た動作特性を長期間にわたって保持する。

【００４２】２本の陰極リード１２３，１２４は、入力
側セラミック８によって支持されており、これら陰極リ
ード１２３，１２４は、陰極端子１２６と共に入力側セ
ラミック８に真空気密を保つようロー付けされている。

【００４３】マグネトロンに振動や衝撃が加わると、陰
極リード１２３，１２４が振動し、しかもその振動の仕
方が陰極リード１２３，１２４で異なるために、陰極１
０１に機械的なストレスを生じさせて陰極１０１の断線
を引き起こすことがある。これを防止するために、スペ
ーサ１２７が用いられる。このスペーサ１２７の作用に
より、陰極リード１２３，１２４が振動しても、その振
動による陰極リード１２３，１２４の動きは略々同一と
なるため、陰極１０１に加わるストレスを小さくするこ
とができる。なお、スリーブ１２８はスペーサ１２７を
所定の位置に支持するためのものである。

【００４４】陰極端子１２６はチョークコイル１３１と
接続し、チョークコイル１３１は入力部のフィルタケー
ス６を取り付ける貫通コンデンサ１３２と接続され、貫
通コンデンサ１３２は電源と接続する。陰極端子１２６
とチョークコイル１３１とは、一般には溶接によって接
続される。また、チョークコイル１３１と貫通コンデン
サ１３２も一般には溶接によって接続される。

【００４５】ここで、チョークコイル１３１と貫通コン
デンサ１３２とは、マグネトロンの内部から電源側を見
た場合のローパスフィルタを形成する。これは、陰極１
０１と陽極シリンダー１０３との間の作用空間に発生し
たマイクロ波が陰極１０１および陰極リード１２３，１
２４を通して外部に放射されるのを防止するためであ
る。

【００４６】図５は図１に示したマグネトロンの入力部
を下面より見たフィルタケース部分の平面図であって、
陰極端子１２６にチョークコイル１３１が接続し、チョ
ークコイル１３１に入力部のフィルタケース６を取り付
けた貫通コンデンサ１３２と接続され、貫通コンデンサ
１３２は図示しない電源と接続される。

【００４７】図６は貫通コンデンサの構造を説明する要
部破断図であって、１５１は絶縁カバー、１５２は誘電
体で、１５３，１５６は電極である。

【００４８】同図において、誘電体１５２は電極１５
３，１５６と共にコンデンサを形成する。電極１５６
は、貫通コンデンサ１３２をフィルタケース６に取り付
ける役割りを持つ。電極１５３は同図左下部では分離し
ているように示されているが、他の断面では一体となっ
て端子１５４と接続している。

【００４９】なお、１５５はシリコンチューブで、端子
１５４を覆って、電極１５６との絶縁の役割りを果た
し、樹脂１５７と誘電体１５２との密着性を損なわない
ようにする緩衝材（ダンパー）となる。また、１５１ａ
は樹脂１５７内に生じるストレスを分断する機能を有
し、樹脂の移動を防止するストッパーである。そして、
端子１５４はチョークコイル１３１と接続され、チョー
クコイル１３１の他端はコンデンサを介してアースと対
向する。

【００５０】本実施例では、誘電体１５２を構成する誘
電体磁器素体として、√ξｓ≒４２のＳｒＴｉＯ₃系の
高誘電率材料を用いる。なお、誘電体磁器素体の寸法は
従来と同じ（√ξｓ≒７０のＢａＴｉＯ₃系材料）であ
るため、耐電圧特性、貫通コンデンサの大型化を招くこ
とはないが、静電容量ＣはＢａＴｉＯ₃系材料の場合、
５００ｐＦであるのに対し、ＳｒＴｉＯ₃系材料の場合
は１８０〜３００ｐＦとなる。

【００５１】一方、このＬ−Ｃフィルタを構成させるチ
ョークコイルは、１μＨのインダクタンスＬを有する。

【００５２】前記図１に示したように、各々の陰極リー
ド１２３，１２４はチョークコイル１３１の一端と直列
に接続され、チョークコイル１３１の他端はコンデンサ
１３２を介してアースと対向する。

【００５３】入力部のフィルタケース６は蓋体１３４に
よって密閉され、高周波（マイクロ波）が外部に放射さ
れるのを防止する。

【００５４】入力側セラミック８は、鍔状のシール部４
１をもつ下部シール部品４を介して陽極シリンダー１０
３と真空気密を保って係合し、出力側セラミック１１１
は上部シール部品１４１を介して陽極シリンダー１０３
と真空気密を保って係合している。

【００５５】また、上部ヨーク１４４は金属ガスケット
１４３を介して上部シール部品１４１と電気的に接続さ
れている。このシール部品１４１は陽極シリンダー１０
３と同電位になっている。したがって、上部ヨーク１４
４は陽極シリンダー１０３と同電位になっている。

【００５６】図７はマグネトロンの上面図であって、上
部ヨーク１４４と下部ヨーク３（図１）とは、一般にか
しめによって接続されている。

【００５７】図８はマグネトロンの外観を示すヨーク側
から見た側面図であって、アンテナ１０８は円筒状絶縁
体１１１を介して上部シール部品１４１で上部ヨーク１
４４を通して前記図１で説明したアンテナリードに接続
している。下部ヨーク３の下方にはフィルタケース６が
前記各実施例で説明した構造で接合固定されている。な
お、１３２は貫通コンデンサである。

【００５８】図９はマグネトロンの外観を説明する冷却
フィン側からみた正面図である。

【００５９】マグネトロンの陽極は前記図１で説明した
陰極フィラメント１０１からの熱輻射や電子が陰極ベイ
ン１０２に衝突することによる発熱で高温になる。陽極
が高温になると、磁石の磁気特性を変化させたり、マグ
ネトロンの周辺機器に悪影響を及ぼす等の弊害を生ず
る。冷却フィン１４５は、この発熱を消散させるための
ものである。

【００６０】図１０は冷却フィン形状の説明図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ａ方向から見た
側面図、（ｃ）は（ａ）の矢印Ｂ方向から見た側面図で
ある。

【００６１】同図において、円筒部１４５ａは図６にお
ける陽極シリンダー１０３と嵌合する。図９では図１０
に示した冷却フィンが５個用いられている。

【００６２】一般には、マグネトロンの動作時は、電子
レンジ等の応用機器に設置された冷却ファンによって、
この冷却フィンに冷却風が送風される。

【００６３】図１１はマグネトロンの駆動回路例を説明
する回路図で、同図においては２３１がマグネトロンで
ある。

【００６４】本例は、マグネトロン電源として商用交流
電源を高速スイッチッグして所要の電圧を得るスイッチ
ング電源装置，所謂インバータ電源を用いたものであ
り、スイッチング電源装置２０９に直流電力を供給する
直流電源２０１は、商用交流電源２０３と全波整流器２
０５から構成されている。

【００６５】全波整流器２０５の直流出力端子には、リ
アクタとキャパシタで構成されたフィルタ２０７が接続
されているが、このフィルタ２０７は整流電流を平滑す
るためでなく、発振電流に含まれる高周波雑音が交流電
源側を通して洩れるのを防ぎ、これによって妨害波の伝
播をさけるようにしている。

【００６６】スイッチング電源装置２０９はトランジス
タ２１１を備え、同期パルス発生器２３５で生成される
同期パルスにより制御されるオン信号発生回路２３７の
オン信号で駆動される駆動回路２４１によりオン−オフ
動作される。

【００６７】スイッチング電源装置２０９は、トランジ
スタ２１１に逆並列に接続されたダンパダイオード２１
５および並列に接続された共振用キャパシタ２１３を備
えている。

【００６８】このスイッチング電源装置２０９は、一次
巻線２１９と二次巻線２２１，２２３と２２４，２２５
を持つ昇圧トランス２１７に接続し、一次巻線２１９は
スイッチング電源装置２０９を介してフィルタ２０７に
接続し、キャパシタ２１３と一次巻線２１９により直列
共振回路が構成される。

【００６９】二次巻線２２１は、キャパシタ２２７と高
圧ダイオード２２９よりなる倍電圧整流器を通してマグ
ネトロン２３１に接続される。電流検出器２３３はマグ
ネトロンに流れる負荷電流を検出し、平均回路２４９で
平均値として出力設定器２５１の設定値との差分を増幅
器２５７を介して同期パルス発生器２３５からの同期パ
ルスと加算されてオン信号発生器２３７に制御信号とし
て与えられる。

【００７０】二次巻線２２５は、マグネトロン２３１の
フィラメントを加熱するために設けられ、さらに他の二
次巻線２２３は出力フィードバック用の電圧を作るため
のものであり、波形成形回路２４３で波形成形された後
に遅延回路２４５で所定の時間遅延を受け、オン信号発
生回路２３７の制御信号として与えられる。

【００７１】また二次巻線２２４は補助電源２４７に与
えられ、整流されて制御回路等の電源として用いられ
る。

【００７２】ここで、フィラメントと陽極には、通常数
ＫＶの高圧が印加されている。

【００７３】なお、図中、２３２は導波管、２３４は電
子レンジの調理室であり、マグネトロン２３１で発振さ
れたマイクロ波は導波管２３２を通して調理室２３４に
供給されるようになっている。

【００７４】図１２はマグネトロン電源として一般商用
電源をそのまま用いた回路例であって、２０３は商用交
流電源、２１７’は高圧トランス、２１９’は一次巻
線、２２１’，２２５’は二次巻線、２２７’はキャパ
シタ、２２９’は高圧ダイオード、２３１はマグネトロ
ンである。

【００７５】同図において、高圧トランス２１７’の一
次巻線２１９’は商用交流電源２０３に接続され、二次
巻線２２１’はキャパシタ２２７’と高圧ダイオード２
２９’とからなる半波倍電圧整流回路に接続される。

【００７６】また、二次巻線２２５’はマグネトロン２
３１のヒータ端子に接続されてヒータに所要の電圧を印
加することで流れる電流によってヒータを加熱する。

【００７７】上記半波倍電圧整流回路のキャパシタ２２
７’と高圧ダイオード２２９’の接続点は上記ヒータ端
子の一方に接続されて負の陽極電圧が印加される。そし
て、二次巻線２２５’の一方はマグネトロン２３１の陽
極と接地に接続される。

【００７８】なお、一般商用電源をそのまま用いたマグ
ネトロン電源は上記した半波倍電圧整流回路に限らず、
既知の全波整流回路を用いることもできる。

【００７９】図１３は本発明による上記実施例のマグネ
トロンを電子レンジに適用した具体例を説明する概念図
であって、３０１は電子レンジ調理室で、ドア３０２か
ら被加熱物３０３がセットされる。３０４はマグネトロ
ン、３０５はアンテナ、３０６はマグネトロン電源、３
０７は冷却ファン、３０８は冷却風、３０９は導波管、
３１０はスターラーである。

【００８０】同図において、マグネトロン３０４で発生
されたマイクロ波はアンテナ３０５から導波管３０９を
通して被加熱物３０３がセットされた調理室３０１に供
給される。スターラー３１０は調理室３０１内で回転し
て被加熱物３０３が均一に加熱されるようマイクロ波を
拡散するためのものである。

【００８１】冷却ファン３０７はマグネトロン３０４に
冷却風３０８を送風してマグネトロン２３１を冷却する
ためのものである。

【００８２】上記した本発明の実施例における貫通コン
デンサは、従来のＢａＴｉ₃系材料を用いた貫通コンデ
ンサでは、その音圧が４０ｄＢであるのに対し、√ξｓ
≒４２であるＳｒＴｉＯ₃系材料を用いたことによっ
て、２４ｄＢとなり、約６０％まで抑制できる。

【００８３】図１４は本発明による貫通コンデンサを用
いたマグネトロンの端子雑音レベルを測定結果を従来の
マグネトロンと比較して示す説明図であって、ａは上記
実施例の貫通コンデンサの雑音レベルを、（ｂ）は従来
のＢａＴｉＯ₃系を用いた貫通コンデンサの雑音レベル
を、（ｃ）は電気用品取締り法による規制値を示す。同
図に示したように、本実施例のＳｒＴｉＯ₃系材料を用
いて静電容量Ｃを従来の５００から１８０〜３００ｐＦ
としても、その発振周波数０．５〜３０ＭＨｚの範囲に
おける端子雑音レベル（ａ）は従来の（ｂ）と略々同等
の特性を示すことが分る。

【００８４】このように、上記本実施例によれば前記従
来技術の諸問題を解消した信頼性の高いマグネトロンを
得ることができる。

【００８５】なお、本発明は上記各実施例で説明した構
造に限るものではなく、Ｌ−Ｃフィルタの漏洩電波阻止
特性を損なわずに電歪音を抑制する最適な比誘電率ξｓ
を選択し、本発明の技術思想から逸脱ことなく、様々な
変形が可能であることは言うまでもない。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比誘電率√ξ_s≦５０の誘電体磁器素体を貫通コンデン
サの誘電体材料とし、Ｌ−Ｃフィルタを構成するインダ
クタンスをＬ≒１μＨとすることにより、要求されるフ
ィルタ特性を損なうことなく、マグネトロンの貫通コン
デンサから発生する電歪音レベルを低減することができ
る。

【００８７】このように、本発明によれば、前記従来技
術の欠点を解消し、優れた機能のマグネトロンを提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるマグネトロンの１実施例の構造例
を説明する断面図である。

【図２】マグネトロンの陽極部分のみの詳細を説明する
平面図である。

【図３】マグネトロンのストラップリングを説明する斜
視図である。

【図４】マグネトロンの陽極ベイン部分の要部説明図で
ある。

【図５】マグネトロンの入力部を下面より見たフィルタ
ケース部分の平面図である。

【図６】マグネトロンの貫通コンデンサの構造を説明す
る要部破断図である。

【図７】マグネトロンの上面図である。

【図８】マグネトロンの外観を示すヨーク側から見た側
面図である。

【図９】マグネトロンの冷却フィンの説明図である。

【図１０】マグネトロンの冷却フィン形状の説明図であ
る。

【図１１】マグネトロンの駆動回路例を説明する回路図
である。

【図１２】マグネトロン電源として一般商用電源をその
まま用いた回路例である。

【図１３】マグネトロンを電子レンジに適用した具体例
を説明する概念図である。

【図１４】本発明による貫通コンデンサを用いたマグネ
トロンの端子雑音レベルを測定結果を従来のマグネトロ
ンと比較して示す説明図である。

【符号の説明】

２下部マグネット３下部ヨーク４下部シール部品４１下部シール部品４の鍔状シール材６フィルタケース８入力側セラミック１０１陰極フィラメント１０２陽極ベイン１０３陽極シリンダー１０４上部マグネット１０５磁極片１０７アンテナリード１０８アンテナ１０９排気管１１０アンテナカバー１１１円筒状絶縁体１１２排気管サポート１２１上側エンドシールド１２２下側エンドシールド１２３，１２４陰極リード１２６陰極端子１２７スペーサ１２８スリーブ１３１チョークコイル１３２貫通コンデンサ１３４蓋体１４１上部シール部品１４３金属ガスケット１４４上部ヨーク１４５冷却フィン。

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【手続補正書】

【提出日】平成６年６月３０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】さらに、本発明は、フィラメントを支持す
る２本の外部導出リードのそれぞれに直列に一端を接続
される２つのチョークコイルと、前記各チョークコイル
の他端に並列に接続される貫通コンデンサとからなるフ
ィルタ回路を備えたマグネトロンにおいて、前記貫通コ
ンデンサを、比誘電率をξ_sとしたとき、√ξ_s ≦５０
の誘電体磁器素体で構成すると共に、その静電容量Ｃを
Ｃ＝１００〜３００ｐＦとし、かつ前記チョークコイル
のインダクタンスＬがＬ≒１μＨとしたことを特徴とす
る。上記の比誘電率√ξ_s ≦５０の誘電体磁器素体と
しては、例えば、√ξ_s≒４２のSｒＴｉＯ₃ 系の材料が
採用できる。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８３】図１４は本発明による貫通コンデンサを用
いたマグネトロンの端子雑音レベルを測定結果を従来の
マグネトロンと比較して示す説明図であって、ａは上記
実施例の貫通コンデンサの雑音レベルを、（ｂ）は従来
のＢａＴｉＯ₃系を用いた貫通コンデンサの雑音レベル
を、（ｃ）は電気用品取締り法による規制値を示す。同
図に示したように、本実施例のＳｒＴｉＯ₃系材料を用
いて静電容量Ｃを従来の５００から１８０〜３００ｐＦ
としても、その発振周波数０．５〜３０ＭＨ_Zの範囲に
おける端子雑音レベル（ａ）は従来の（ｂ）と略々同等
の特性を示すことが分かる。なお、１００ｐＦ以下にな
ると、端子雑音レベルが大となり、使用上問題となる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フィラメントを支持する２本の外部導出リ
ードのそれぞれに直列に一端を接続される２つのチョー
クコイルと、前記各チョークコイルの他端に並列に接続
される貫通コンデンサとからなるフィルタ回路を備えた
マグネトロンにおいて、前記貫通コンデンサを、比誘電率をξ_sとしたとき、√
ξ_s≦５０の誘電体磁器素体で構成したことを特徴とす
るマグネトロン。
【請求項２】フィラメントを支持する２本の外部導出リ
ードのそれぞれに直列に一端を接続される２つのチョー
クコイルと、前記各チョークコイルの他端に並列に接続
される貫通コンデンサとからなるフィルタ回路を備えた
マグネトロンにおいて、前記貫通コンデンサを、比誘電率をξ_sとしたとき、√
ξ_s≦５０の誘電体磁器素体で構成すると共に、その静
電容量Ｃを１００〜３００ｐＦとしたことを特徴とする
マグネトロン。
【請求項３】フィラメントを支持する２本の外部導出リ
ードのそれぞれに直列に一端を接続される２つのチョー
クコイルと、前記各チョークコイルの他端に並列に接続
される貫通コンデンサとからなるフィルタ回路を備えた
マグネトロンにおいて、前記貫通コンデンサを、比誘電率をξ_sとしたとき、√
ξ_s≦５０の誘電体磁器素体で構成すると共に、その静
電容量ＣをＣ＝１００〜３００ｐＦとし、かつ前記チョ
ークコイルのインダクタンスＬがＬ≒１μＨとしたこと
を特徴とするマグネトロン。
【請求項４】請求項１，２または３において、前記構成
としたマグネトロンの電源として商用交流電源をそのま
ま整流昇圧して陽極電圧を生成する整流回路を用いたこ
とを特徴とするマグネトロン。