JPH0773845A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0773845A JPH0773845A JP5221578A JP22157893A JPH0773845A JP H0773845 A JPH0773845 A JP H0773845A JP 5221578 A JP5221578 A JP 5221578A JP 22157893 A JP22157893 A JP 22157893A JP H0773845 A JPH0773845 A JP H0773845A
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- sample
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Links
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
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Abstract
(57)【要約】
【目的】イオン注入装置のチャージアップ防止装置であ
るエレクトロンシャワーの安定稼働をはかり、荷電粒子
の金属スパッタによる試料の金属汚染を防ぐ。 【構成】従来の金属ターゲットであるセカンダリーリフ
レクターを、バイアス電極を備えた凹面型の金属ターゲ
ットと円筒型の炭素製フレームとに分割することで、こ
れら２つの洗浄頻度を減らすことによりごみの発生を抑
え、２次電子の発生を安定化させる。また、セカンダリ
ーリフレクターのフレームを炭素製にすることで試料の
金属汚染を防ぐことができる。
るエレクトロンシャワーの安定稼働をはかり、荷電粒子
の金属スパッタによる試料の金属汚染を防ぐ。 【構成】従来の金属ターゲットであるセカンダリーリフ
レクターを、バイアス電極を備えた凹面型の金属ターゲ
ットと円筒型の炭素製フレームとに分割することで、こ
れら２つの洗浄頻度を減らすことによりごみの発生を抑
え、２次電子の発生を安定化させる。また、セカンダリ
ーリフレクターのフレームを炭素製にすることで試料の
金属汚染を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程に用いる
イオン注入装置に関する。
イオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、イオン注入装置により半導体基板
等の試料にイオンビームを照射する場合、試料の表面が
電気的に接地されないか、あるいは接地しにくい構造を
持っているときに、試料の表面には正の電荷が蓄積され
る。これをチャージアップと呼んでいる。これを防止す
るために、従来の技術として、図３の原理図に示すよう
なエレクトロンシャワーがある。
等の試料にイオンビームを照射する場合、試料の表面が
電気的に接地されないか、あるいは接地しにくい構造を
持っているときに、試料の表面には正の電荷が蓄積され
る。これをチャージアップと呼んでいる。これを防止す
るために、従来の技術として、図３の原理図に示すよう
なエレクトロンシャワーがある。
【０００３】その原理は、フィラメント１に電流を流し
て１次電子である熱電子２を発生させ、バイアス電極３
で加速し、金属ターゲット１２であるセカンダリーリフ
レクターに当てる。するとセカンダリーリフレクターか
らは２次電子６が発生するが、これをイオンビーム７及
び試料８に当てることにより、試料８のチャージアップ
を防止している。また、試料８から発生する２次電子９
及び金属ターゲット１２から試料８に到達し得なかった
２次電子１０は、金属ターゲット１２であるセカンダリ
ーリフレクターにより電気的に接地される。
て１次電子である熱電子２を発生させ、バイアス電極３
で加速し、金属ターゲット１２であるセカンダリーリフ
レクターに当てる。するとセカンダリーリフレクターか
らは２次電子６が発生するが、これをイオンビーム７及
び試料８に当てることにより、試料８のチャージアップ
を防止している。また、試料８から発生する２次電子９
及び金属ターゲット１２から試料８に到達し得なかった
２次電子１０は、金属ターゲット１２であるセカンダリ
ーリフレクターにより電気的に接地される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入装置
のエレクトロンシャワーでは、金属ターゲットにイオン
ビームにより汚れが付着するとその付着物がごみとして
はがれ、試料に再付着し、試料上に形成される半導体回
路を破壊する原因となる。そのため、金属ターゲットで
あるセカンダリーリフレクターの定期的な洗浄、交換等
のメンテナンスが必要となるという問題点があった。
のエレクトロンシャワーでは、金属ターゲットにイオン
ビームにより汚れが付着するとその付着物がごみとして
はがれ、試料に再付着し、試料上に形成される半導体回
路を破壊する原因となる。そのため、金属ターゲットで
あるセカンダリーリフレクターの定期的な洗浄、交換等
のメンテナンスが必要となるという問題点があった。
【０００５】また、従来のエレクトロンシャワーの２次
電子の発生度は、金属ターゲットの表面状態に左右され
易く、セカンダリーリフレクターの洗浄、交換直後およ
び長時間の使用後では、２次電子が発生しにくい状態と
なる。このことがエレクトロンシャワーの安定稼働の妨
げになるという問題点があった。
電子の発生度は、金属ターゲットの表面状態に左右され
易く、セカンダリーリフレクターの洗浄、交換直後およ
び長時間の使用後では、２次電子が発生しにくい状態と
なる。このことがエレクトロンシャワーの安定稼働の妨
げになるという問題点があった。
【０００６】また、セカンダリーリフレクターがイオン
ビームにスパッタされ、試料を金属汚染し、試料上に形
成される半導体回路の電気特性を変化させるという問題
点があった。
ビームにスパッタされ、試料を金属汚染し、試料上に形
成される半導体回路の電気特性を変化させるという問題
点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、従来のエレクトロンシャワーのセカンダリーリフレ
クターを凹面型の金属ターゲットと円筒型の炭素フレー
ムとに分割している。また、凹面型の金属ターゲットの
前方に正の電界を形成するバイアス電極を備えている。
は、従来のエレクトロンシャワーのセカンダリーリフレ
クターを凹面型の金属ターゲットと円筒型の炭素フレー
ムとに分割している。また、凹面型の金属ターゲットの
前方に正の電界を形成するバイアス電極を備えている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の原理図である。フィラメ
ント１から発せられた１次電子である熱電子２はバイア
ス電極３により加速され、さらに金属ターゲット５手前
のバイアス電極４により加速される。金属ターゲット５
は熱電子２が当たる面が凹面に形成されている。
る。図１は本発明の一実施例の原理図である。フィラメ
ント１から発せられた１次電子である熱電子２はバイア
ス電極３により加速され、さらに金属ターゲット５手前
のバイアス電極４により加速される。金属ターゲット５
は熱電子２が当たる面が凹面に形成されている。
【０００９】熱電子２はこの凹面型の金属ターゲット５
に当たり、２次電子６が発生するが、２次電子６はイオ
ンビーム７及び試料８に到達することにより、イオンビ
ーム７によるチャージアップを打ち消す。ここで、金属
ターゲット５手前のバイアス電極４が正の電界を作るた
め、イオンビーム７を含む正の荷電粒子は凹面型をした
金属ターゲット５内に入り込むことはない。
に当たり、２次電子６が発生するが、２次電子６はイオ
ンビーム７及び試料８に到達することにより、イオンビ
ーム７によるチャージアップを打ち消す。ここで、金属
ターゲット５手前のバイアス電極４が正の電界を作るた
め、イオンビーム７を含む正の荷電粒子は凹面型をした
金属ターゲット５内に入り込むことはない。
【００１０】また、試料８から発生した２次電子９及び
金属ターゲット５から発生し試料８に到達し得なかった
２次電子１０は、円筒型の炭素製フレーム１１により電
気的に接地される。その際、炭素製フレーム１１を用い
ているので試料８の金属汚染を防止することができる。
また、エレクトロンシャワーの電子電流の測定誤差を防
止するために、金属ターゲット５と炭素製フレーム１１
とは電気的に絶縁されている。
金属ターゲット５から発生し試料８に到達し得なかった
２次電子１０は、円筒型の炭素製フレーム１１により電
気的に接地される。その際、炭素製フレーム１１を用い
ているので試料８の金属汚染を防止することができる。
また、エレクトロンシャワーの電子電流の測定誤差を防
止するために、金属ターゲット５と炭素製フレーム１１
とは電気的に絶縁されている。
【００１１】図２の説明図には、経時変化に対する本実
施例と従来技術とのエレクトロンシャワー２次電子の出
やすさを２次電子電流／１次電子電流の比で示したもの
である。すなわち、従来のエレクトロンシャワーで１回
／２週間の頻度でセカンダリーリフレクターの洗浄、交
換を行っていた場合をＢで示す。この場合は、交換直後
における発生度が良くないことを示している。またＣ
は、従来のエレクトロンシャワーでセカンダリーリフレ
クターを６週間続けて使用した場合、発生度が低下し始
める状態を示している。これに対しＡで示す本実施例の
場合は、セカンダリーリフレクターの洗浄，交換後、８
週間は安定した状態で使用できることを示している。
施例と従来技術とのエレクトロンシャワー２次電子の出
やすさを２次電子電流／１次電子電流の比で示したもの
である。すなわち、従来のエレクトロンシャワーで１回
／２週間の頻度でセカンダリーリフレクターの洗浄、交
換を行っていた場合をＢで示す。この場合は、交換直後
における発生度が良くないことを示している。またＣ
は、従来のエレクトロンシャワーでセカンダリーリフレ
クターを６週間続けて使用した場合、発生度が低下し始
める状態を示している。これに対しＡで示す本実施例の
場合は、セカンダリーリフレクターの洗浄，交換後、８
週間は安定した状態で使用できることを示している。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来のエ
レクトロンシャワーのセカンダリーリフレクターを凹面
型の金属ターゲットと円筒型の炭素製フレームとに分割
することで、洗浄，交換のメンテナンス性を上げる効果
があり、エレクトロンシャワーの安定稼働に寄与するこ
とが可能である。
レクトロンシャワーのセカンダリーリフレクターを凹面
型の金属ターゲットと円筒型の炭素製フレームとに分割
することで、洗浄，交換のメンテナンス性を上げる効果
があり、エレクトロンシャワーの安定稼働に寄与するこ
とが可能である。
【００１３】また、円筒型フレームを炭素製にすること
と、金属ターゲットを凹面型にし、さらに金属ターゲッ
ト前方に正の電界を形成するバイアス電極を備えること
により、荷電粒子のスパッタによる試料の金属汚染が防
止できるので、半導体回路の電気特性が安定するという
効果がある。
と、金属ターゲットを凹面型にし、さらに金属ターゲッ
ト前方に正の電界を形成するバイアス電極を備えること
により、荷電粒子のスパッタによる試料の金属汚染が防
止できるので、半導体回路の電気特性が安定するという
効果がある。
【００１４】さらに、バイアス電極を備えた凹面型の金
属ターゲットにより、フィラメントから発せられた１次
電子は集束性が向上し且つ速度が加速され、２次電子が
発生しやすくなるのでエレクトロンシャワーの安定稼働
につながるという効果がある。
属ターゲットにより、フィラメントから発せられた１次
電子は集束性が向上し且つ速度が加速され、２次電子が
発生しやすくなるのでエレクトロンシャワーの安定稼働
につながるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例におけるエレクトロンシャワ
ーの原理図である。
ーの原理図である。
【図２】本発明と従来装置とのエレクトロンシャワー２
次電子の出やすさの経時変化を比較した説明図である。
次電子の出やすさの経時変化を比較した説明図である。
【図３】従来装置のエレクトロンシャワーを示す原理図
である。
である。
１ フィラメント ２ 熱電子 ３，４ バイアス電極 ５ 凹面型金属ターゲット ６ ２次電子 ７ イオンビーム ８ 試料 ９，１０ ２次電子 １１ 炭素製フレーム １２ 金属ターゲット（セカンダリーリフレクター）
Claims (1)
- 【請求項１】 フィラメントで発生させた熱電子を金属
ターゲットに当て、発生する２次電子をさらに試料に当
てて試料のチャージアップ防止を図るイオン注入装置に
おいて、バイアス電極を有し前記熱電子を当てて２次電
子を発生させる凹面型の金属ターゲットと、この２次電
子を試料に導くための炭素製の円筒型フレームとを備え
たことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221578A JPH0773845A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221578A JPH0773845A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773845A true JPH0773845A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16768942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221578A Pending JPH0773845A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773845A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08273582A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Yamagata Ltd | エレクトロンシャワ装置 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP5221578A patent/JPH0773845A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08273582A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Yamagata Ltd | エレクトロンシャワ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001212 |