JPH0774162A - 気相反応装置および気相反応方法 - Google Patents

気相反応装置および気相反応方法

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JPH0774162A
JPH0774162A JP23914593A JP23914593A JPH0774162A JP H0774162 A JPH0774162 A JP H0774162A JP 23914593 A JP23914593 A JP 23914593A JP 23914593 A JP23914593 A JP 23914593A JP H0774162 A JPH0774162 A JP H0774162A
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Takeshi Fukada
武 深田
Mitsunori Sakama
光範 坂間
Atsushi Kawano
篤 川野
Yuji Yanagi
雄二 柳
Toshihiro Jinbo
敏浩 神保
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TOTSUKI KK
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TOTSUKI KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極間方向、並びに反応性気体の供給方向に
おける気相反応の均一性を向上させる。 【構成】一対の電極１４と１５の間に放電を生じさせ、
この電極の面に対して垂直に配置された基板２３の表面
に成膜を行う気相反応において、一対の電極間に供給さ
れる高周波電力をパルス発振させる。反応性気体は、ガ
ス供給系１２から供給され、排気系１３に排出させる。
そして、前記のパルス発振によって、反応性気体の流れ
る方向における膜厚分布を改善することができる。一
方、一対の電極１４と１５との間に供給される高周波電
力の位相差を制御することによって、電極間方向におけ
る膜厚分布を改善することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相反応装置の構成、
および気相反応方法に関する。さらに本発明は、気相反
応により、薄膜を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より気相反応により薄膜を形成する
技術が知られている。特に、平行平板型に構成された電
極の一方の電極上（一般に接地電位側）にガラス基板等
を配置し、電極間に高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）
を加えることで、気相反応を起こし、基板表面に半導体
膜や絶縁膜を形成する技術が広く知られている。
【０００３】一方、図１および図２および図３に示すよ
うな構成を有した気相反応装置が知られている。図１の
Ａ−Ａ’で切った断面図が図２であり、図２のＢ−Ｂで
切った断面が図３である。即ち、図１に示す装置を上面
から見た断面が図２であり、図１に示す装置を紙面右側
あるいは紙面左側から見た断面が図３である。
【０００４】以下において、この気相反応装置（一般に
ＣＶＤ装置、あるいはプラズマＣＶＤ装置といわれる）
の構成について説明する。図１に示す気相反応装置は、
真空容器１１内に一対の電極１４と１５を備えている。
そしてガス導入系から導入される反応性気体をこの一対
の電極間において行われる高周波放電によってプラズマ
気相反応させ、成膜を行うものである。
【０００５】成膜が行われる基板は、基板ホルダー２５
に保持されている。基板は図１の２３、２４で示される
ように、上下に２枚を１組として保持される。また図
２、図３に示すように、基板は複数枚が平行に配置され
ている。そして基板ホルダー２５はアルミやステンレス
等の導体、あるいは石英、セラミック等の絶縁体で構成
され、枠構造を有している。
【０００６】反応性気体やキャリアガスさらには添加ガ
スは、ガス供給系１２より図２に示す基板ホルダー２５
上部のスリット２７から基板ホルダー内に導入され、一
対の電極１４、１５間に形成される放電空間に導かれ
る。ガス供給系より導入されるガスは、図１〜図３のｙ
方向に示す向きに従って図３の２８で示されるように流
れていく。この際に、基板ホルダーの内部で行われる気
相反応によって、基板表面に薄膜が形成される。
【０００７】また、不要になった反応性気体は排気系１
３より排気される。排気系１３には真空ポンプ２２が設
けられている。
【０００８】一対の電極１４、１５には、２つの高周波
電源２０、２１より位相が互いに１８０度ずれた位相差
をもった高周波が整合器１７、１８を介して加えられ
る。位相制御は、位相差制御器１９により行われる。
【０００９】また、基板を加熱する必要がある場合は、
赤外線ランプ（図示せず）によって、基板ホルダー２５
を加熱し、基板を間接的に加熱する。
【００１０】以上において説明した気相反応装置は、以
下の特徴を有している。 ・基板が一対の電極間に垂直に複数配置されるので、複
数の基板を同時に処理することができる。 ・気相反応が枠で囲まれた構造を有する基板ホルダー内
で行われるので、反応室内部に反応生成物がパーティク
ルとして残存する問題を低減できる。
【００１１】本発明者らは、上記の気相反応装置で数々
の成膜実験を行い、以下の実験事実を得た。なお基板の
大きさは４００ｍｍ×３００ｍｍのガラス基板を用い、
ｘ方向が４００ｍｍ、ｙ方向が３００ｍｍとなるように
配置した。
【００１２】図４、図５に示すのは、図１に示す装置を
用いて成膜実験を行った結果の膜厚分布を示すものであ
る。図４の横軸と図５の縦軸に示すのは、成膜速度（gr
owthrate)であるが、所定の時間（例えば成膜時間）を
乗ずれば膜厚として比較することができる。即ち図４の
横軸と図５縦軸は、成膜される膜厚として評価すること
ができる。また、図４の縦軸と図５の横軸は、図１〜３
に示されるｘ及びｙで示される座標を示す。この座標
は、原点をガラス基板の角の部分にとったものである。
従って、この座標と膜厚の関係を見ることで膜厚分布を
評価することができる。
【００１３】図４の白丸印は、２つの基板（３００ｍｍ
幅が２枚で６００ｍｍ幅になる）のｙ方向における膜厚
分布を示すものである。（図３の黒丸印のプロット点に
ついては後述する）
【００１４】図５の白丸印、白四角印には、上下それぞ
れの基板の中央部分におけるｘ方向（４００ｍｍ幅）に
おける膜厚分布を示すものである。（図５の黒丸印、黒
四角印については後述する）
【００１５】図５において、白丸印で示されるのは、図
１に示される上側の基板(upper substrate) のｘ方向の
膜厚分布であり、白四角印で示されるのは、下側の基板
(lower substrate) のｘ方向の膜厚分布である。図５に
おいて、白丸印のプロット点と白四角印のプロット点と
では、その形状が似ているが、その絶対値が異なってい
る。これは、図４の白丸印のプロット点を見れば分かる
ように、図１のｙ方向にいくに従って、膜厚が薄くなる
ことに関係する。即ち、図５の白丸印と白四角印は、上
側の基板の膜厚が下側の基板に比較して厚く成膜されて
しまうことを示している。
【００１６】なお、図４、図５に示す膜厚分布は、図２
に示す平行に複数配置された基板全てにおいて同様であ
る。即ち上下一組として配置された複数組の基板全てに
おいて、図４、図５に示すような膜厚分布が観察され
た。
【００１７】図４、図５から明らかなように、図１〜図
３に示すような構成を有する気相反応装置においては、
成膜される膜厚の不均一性という問題が存在する。即
ち、一対の電極間に電極とその面が垂直になるように基
板を配置し、電極間において放電を起こすことによって
成膜を行う気相反応装置は、 ・反応性気体の移動方向（図１でいうｙ方向）における
膜厚分布の不均一性 ・電極間方向（図１でいうｘ方向）における膜厚分布の
不均一性とが問題となる。
【００１８】また、この不均一性の問題は、それぞれ不
均一にする原因が独立であることが判明している。即
ち、電極間方向（図１〜図３でいうとｘ方向）における
膜厚分布の不均一性と、反応性気体の移動方向（図１〜
図３でいうとｙ方向）における膜厚分布の不均一性と
は、それぞれ独立した原因によるものであることが判明
している。
【００１９】〔発明が解決しようとする課題〕本発明
は、一対の電極間に電極と垂直に基板を配置し、該基板
の表面に薄膜の成膜を行う構成において、成膜される薄
膜の膜厚分布の不均一性を解決することを目的とする。
具体的には、下記の２点の問題を解決することを目的と
する。 １．電極間方向における膜厚の不均一性を解決する。 ２．反応性気体の移動方向における膜厚の不均一性を解
決する。
【００２０】〔課題を解決するための手段〕本発明は、
一対の電極間に少なくとも１枚の基板が基板面を電極面
に対して垂直にして配置された気相反応装置において、
下記の２点を主要な発明の構成とする。 ・一対の電極間に供給する高周波電力を間欠放電（パル
ス放電）とする。 ・それぞれの電極に供給する高周波電力に少なくとも２
つの位相差を非同時に与えて気相反応させる。
【００２１】それぞれの電極に供給する高周波電力に少
なくとも２つの位相差を非同時に与えて気相反応させる
動作の例を以下に示す。 （１）まず一対の電極にＸ度の位相差でもって高周波電
力を供給する。ここで、Ｘ度は任意の角度である。この
Ｘ度の位相差でもって高周波電力を供給する時間は、任
意である。 （２）上記（１）の動作に続いて、（Ｘ±１８０）度の
位相差でもって、一対の電極に高周波電力を供給する。
【００２２】例えば、Ｘ＝０度であれば、上記（１）に
示す動作過程において、一対の電極に同相（位相差０）
で高周波電力を供給し、次の動作過程（上記（２）の動
作過程に相当する）において、一対の電極に１８０度の
位相差で高周波電力を供給すればよい。
【００２３】また、Ｘ＝−９０度（２７０度）であれ
ば、上記（１）の動作過程において、一対の電極に−９
０度の位相差で高周波電力を供給し、次の動作過程にお
いて、一対の電極に９０度の位相差で高周波電力を供給
すればよい。
【００２４】この（１）の動作過程と位相差と（２）の
動作過程の位相差との差は、１８０度であることが好ま
しいが、±２０％範囲で許容することができる。
【００２５】上記（１）と（２）の動作過程は、以下
(a) 〜(b) に示すような組み合わせでもって実施され
る。 (a) 始めに（１）の動作を所定の時間行い、引き続いて
（２）の動作を所定の時間行う。この際において、それ
ぞれの動作時間は、同じ場合もあるし、異なる場合もあ
る。 (b) （１）の動作と（２）の動作とを交互に繰り返して
行う。 (c) 所定時間内において、（１）の動作時間と（２）の
動作時間との割合が一定の比率になるようにする。
【００２６】例えば、高周波電力を供給する時間の総計
が３０分間の場合において、（１）の動作時間と（２）
の動作時間の割合との比率を１：２とする場合、 ・（１）の動作時間を１０分とし、（２）の動作時間を
２０分とする。 ・（１）の動作時間を１分として、（２）の動作時間を
２分とする。そして、交互に１０回この動作を繰り返
す。 ・（１）の動作を１ｍｓｅｃとし、（２）の動作を２ｍ
ｓｅｃとする。そして、交互にこの動作を６００回繰り
返す。 といいった動作モードが考えられる。
【００２７】また、位相差放電の組み合わせの方法とし
ては、２種類の位相差の組み合わせに限られるものでは
ない。例えば、０度の位相差、１８０度の位相差、６０
度の位相差、２４０度の位相差、での放電を１分づつ行
い、計４分間の気相反応を行うこともできる。
【００２８】また、位相差が連続的に変化させる方法を
採用してもよい。例えば、一対の電極に加えられる高周
波電力の位相差が放電開始時に０度であり、放電終了時
に３６０度である１つのサイクルを考える。この場合、
始めは位相差０つまり同位相であるが、徐々に１度，２
度，３度と位相差がずれていき、３６０度の位相差すな
わち０度で同位相の戻る。
【００２９】実際には、上記のサイクル（位相差が０度
〜３６０度まで変化するのを１サイクルとする）が多数
回繰り返されて気相反応が行われる。
【００３０】上記構成を実現する方法としては、以下の
ような構成を考えることができる。一方の電極の電極に
供給さえる高周波電力と他方の電極に供給される高周波
電力との周波数を僅かに異ならせて気相反応をさせる。
このようにすると、それぞれの高周波電力の位相差が除
々に変化していき、位相差を連続して変化させる場合と
同様な効果を得ることができる。この高周波電力の周波
数の違いは、２０％程度以下であることが望ましい。
【００３１】本発明においては、一対の電極間に電磁エ
ネルギーを供給し、高周波放電を生じさせるものである
が、高周波の周波数は、特に限定されるものではない。
また、気相反応によって、薄膜の成膜を行うことが極め
て有効であり、膜厚分布の良好な薄膜形成を行うことが
できる。しかし、これは気相反応が均一に行われている
ことでもあるので、この気相反応方法を利用して気相エ
ッチングを行うことも有効である。
【００３２】
【作用】放電を間欠的に行うこと（一般にパルス放電と
いう）によって、反応性気体の有効利用を計り、反応性
気体の流れる方向における気相反応の均一性を高めるこ
とができる。特に、気相反応によって成膜を行う場合に
は、反応性気体の流れる方向における膜厚分布を著しく
向上させることができる。
【００３３】一対の電極間に加えられる高周波エネルギ
ーの位相差を少なくとも２つ用い、その第１の位相差を
Ｘ度、第２の位相差を（Ｘ±１８０）度とすることによ
って、電極間方向における気相反応の均一性を向上させ
ることができる。特に、気相反応によって、成膜を行う
場合には、電極間方向における膜厚分布を著しく改善す
ることができる。
【００３４】
【実施例】〔実施例１〕本実施例では、図１に示すプラ
ズマＣＶＤ装置において、ｙ方向の膜厚分布を改善する
例を示す。本実施例においては、図１に示すプラズマＣ
ＶＤ装置において、図６にそのブロック図を示すような
放電系を採用したこと特徴とする。
【００３５】本実施例は、一対の電極１４、１５から反
応空間（一対の電極間に形成される）に対して行われる
放電をパルス放電とするものである。
【００３６】このために、図６に示すパルス発振器から
の信号を用いて、２つの高周波電源からの高周波をパル
ス発振させる。図６に示す放電系以外の構成は、図１〜
図３に示すのと同様である。
【００３７】図６に示す放電系を用いると、高周波電源
をパルス放電させるための基準パルスをパルス発生器で
行ない、その信号によって２台の高周波電源をパルス放
電させることができる。２台の高周波電源から発振され
る高周波電力の位相差は、位相信号発生器によって制御
される。また、電極（１４または１５）と高周波電源と
の間には整合器があるため、電極上における位相差が制
御値からずれる可能性がある。従って、整合器の出口の
ところでの位相差を位相信号発生器にフィードバックさ
せて、位相制御を行う構成としている。
【００３８】パルス発生器は、高周波電源をパルス駆動
するためのものである。パルス発生器によって、どの様
な高周波電力が出力されるかを図７に示す。パルス発生
器からの信号によって、高周波電源がＯＮ，ＯＦＦさ
れ、パルス状に高周波電力が一対の電極に印加される。
【００３９】このシステムでは、−１０Ｖがパルス発生
器から出力された場合に、高周波電源がＯＮ状態にな
る。この様子を図７に示す。また、本実施例において
は、一対の電極１４と１５に供給される高周波電力の位
相差は１８０度に固定してある。
【００４０】成膜に当たっては、図１〜図３に示すよう
に、ガラス基板（４００ｍｍ×３００ｍｍ）を２枚一組
で配置し、計１２枚の基板に同時に成膜する構成とし
た。
【００４１】以下に成膜条件を示す。 反応性基体 ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ＝２００／１０００ｓ
ｃｃｍ 高周波電力 ４ｋＷ（１３．５６ＭＨｚ）×２ 位相差 １８０度 パルス周波数 １００Ｈｚ（duty比５０％） 加熱温度 ３５０℃ 上記成膜条件は、図７に示すような放電形態において、
放電時間を５ｍｓｅｃとして、休止時間を５ｍｓｅｃと
した場合である。この放電形態は、duty比が５０％のパ
ルス放電を１００Ｈｚの繰り返し周波数、あるいはパル
ス周波数で行ったものといえる。duty比とは、（放電時
間／（放電時間＋休止時間））を示すものである。例え
ば、パルス周波数１００Ｈｚでduty比を１０％としたパ
ルス放電の場合は、１ｍｓｅｃの放電と９ｍｓｅｃの休
止とを繰り返す放電形態となる。
【００４２】上記条件により成膜されたｙ方向の膜厚分
布を図４の黒丸印で示す。図４を見れば明らかなよう
に、ｙ方向の膜厚分布は大きく改善することができる。
【００４３】また上記条件において成膜を行った際のｘ
方向の膜厚分布を図５の白四角印と黒四角印とで示す。
図４に示すようにｙ方向の膜厚分布のバラツキが改善さ
れたことを反映して、上側の基板と下側の基板とで、ほ
とんど同じ膜厚分布を示している。しかし、図５に示す
ｘ方向の波打った膜厚分布は改善されていない。
【００４４】上記ようにパルス放電とすることで、ｙ方
向の膜厚分布の改善、即ち反応性気体の流れる方向にお
ける膜厚分布の改善が得られることが分かる。一方ｘ方
向、即ち反応性気体の流れる方向と垂直な方向における
膜厚分布は、ほとんど改善されないことが分かる。
【００４５】以上のことから、以下のことが結論され
る。 １．パルス放電は、反応性気体の流れる方向における膜
厚分布を改善し、この方向における平坦な膜厚分布を実
現するのに大きな効果がある。 ２．パルス放電は、反応性気体の流れる方向と垂直な方
向における膜厚分布には、ほとんど影響を与えない。
【００４６】〔パルス放電の作用効果について〕以下に
おいて、パルス放電の作用効果について考察する。ま
ず、図１〜図３に示す装置において、ｙ方向の膜厚分布
が図４の白丸印で示されるようになる現象について考察
する。図１〜図３に示す装置においては、反応性気体が
ガス導入系１２から図２のスリット２７で示される部分
を通して、反応室内に導入される。そして、反応室内を
ｙ方向に移動しながら、排気系１３から排気される。
【００４７】この際反応性気体は、基板表面に沿う方向
で移動していき、一対の電極１４、１５から印加される
高周波によってプラズマ化（一般に活性化といわれる）
され、基板表面に薄膜として堆積されていく。この際、
反応空間（電極間の空間）において、反応性気体は図８
に示されるような様子で減少していくと考えられる。即
ち、反応性気体が移動していくに従って、徐々に膜とし
て堆積する分、反応性気体の残量は減少していくものと
考えられる。また換言すれば、薄膜に寄与する反応性気
体の成分は、図７に示すように移動に従って徐々に減少
していくと考えられる。
【００４８】この結果、図４の白丸印で示されるよう
に、ｙ方向に向かって徐々に成膜速度（膜厚に対応す
る）が低下した分布が得られるものと考えられる。例え
ば、前述のように反応性気体としてＳｉＨ4 とＮＨ3 を
用い、その流量を２００／１０００ｓｃｃｍとした場
合、反応性気体が反応空間を通り過ぎるのは、約２秒と
計算されるが、この約２秒の間に反応性気体は徐々に消
費されていき、結果として図４の白丸印で示されるよう
な成膜速度が観察されると考えられる。
【００４９】ここでパルス放電を行った場合について考
察する。パルス放電を行った場合、所定時間内において
反応性気体に電磁エネルギーが供給され、その後所定時
間放電が停止し、その間は電磁エネルギーの供給が停止
する。この放電が停止している間は反応性気体の消費は
ほとんどされない。従って、単純に考えても反応性気体
の消費率は約５０％減少する。
【００５０】以上の考察から、図４の白丸印で示される
膜厚分布が改善されることが理解される。しかし、上記
の理由のみによって、図４の黒丸印で示されるようにｙ
方向（反応性気体の流れる方向）の膜厚分布が改善され
ると考えにくい。
【００５１】そこで以下のようなことが考えられる。連
続放電においては、成膜空間中に形成される大きな粒子
（クラスタ状の粒子）がつぎつぎに成長しその多くがパ
ーティクル（塵）となる。このパーティクルは、成膜に
直接寄与せずに消費される。一方、パルス放電（間欠放
電）を行った場合には、大きな粒子が形成される時間が
制限されるので、パーティクルとして消費される反応性
気体の損失が少なく、成膜に寄与する原料成分が多くな
るものと考えられる。従って、ｙ方向に反応性気体が移
動していっても反応性気体の損失が少なく、図４の黒丸
印で示すような均一な膜厚分布が得られるものと考えら
れる。
【００５２】また、パルス放電によって膜として堆積し
やすい短寿命のラジカルの生成率が低下し、相対的に長
寿命のラジカルの数が多くなるので、先に消費されてし
まう短寿命のラジカル成分の影響を抑制することがで
き、結果として、図４の黒丸印で示されるような平坦な
膜厚分布が得られるものと考えることもできる。
【００５３】本実施例においては、放電時間を５ｍｍｓ
ｅｃ、休止時間を５ｍｓｅｃとして、duty比を５０％、
周波数１００Ｈｚのパルス放電としたが。duty比や周波
数を他の値としてもよい。さらには、放電間隔と休止間
隔とが変化するようなパルス放電形態を採用してもよ
い。また成膜される薄膜も特に制限されるものではな
く、一般にプラズマ気相法で成膜される薄膜の形成に適
用することができる。即ち、反応性気体としては、Ｓｉ
Ｈ4 やＮＨ3 に限定されるものではなく、公知の反応性
気体を利用することができる。また、公知のエッチング
用の反応性気体を利用すれば、エッチングも可能であ
る。
【００５４】〔実施例２〕本実施例は、実施例１に示し
たパルス放電によって、成膜される膜のステップカバレ
ージ（段差被覆性）が改善されることに関する。一般に
プラズマＣＶＤ法で薄膜を成膜する場合、ステップカバ
レージが問題となる。
【００５５】例えば、図１〜図３に示すプラズマＣＶＤ
装置においても同様の問題がある。以下において、図１
〜図３に示すプラズマＣＶＤ装置を用い、窒化珪素膜を
形成した例について以下に説明する。
【００５６】まず成膜条件について説明する。 圧力 １５ｍＴｏｒｒ 高周波電力 ５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）×２ 反応性気体 ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ＝２７／２６３ｓｃｃ
ｍ 位相差 １８０度 加熱温度 ３５０℃
【００５７】上記成膜条件によって、ガラス基板上に形
成された島状のタンタルのパターン（以下アイランドと
いう）に５０００Åの厚さに窒化珪素膜を成膜した模式
図を図９に示す。図９（Ａ）には、ガラス基板９１上に
形成された厚さ３０００Åのタンタルのアイランド９２
の表面を覆って窒化珪素膜９３を成膜した場合の状態が
示されている。
【００５８】図９（Ａ）に示すように、アイランド９２
を覆って形成された窒化珪素膜９３は、アイランド端部
９４において、そのステップカバレージ（段差被覆性）
が非常に悪くなる。
【００５９】一般にステップカバレージは、成膜圧力が
高いと良くなり、成膜圧力が低いと悪くなる傾向があ
る。これは、成膜圧力が高いと、分子やラジカルの平均
自由工程が短くなるので、アイランドの側面にも分子や
ラジカルが入り込みやすくなり、被覆性が改善されるか
らである。逆に、成膜圧力が低いと、分子やラジカルの
平均自由工程が長くなるので、アイランドの側面に分子
やラジカルが入り込みにくくなり、ステップカバレージ
は悪化する。
【００６０】以上の議論から、成膜圧力を高くすること
によって、ステップカバレージを改善する方法が考えら
れる。しかしながら、上記成膜条件において成膜圧力を
１５ｍＴｏｒｒから１００ｍＴｏｒｒとして成膜実験を
行ってみても、ステップカバレージはそれほど改善され
ないことが確認されている。
【００６１】そこで、以下の成膜条件によって成膜を行
ったところ、図９（Ｂ）に示すように、良好なステップ
カバレージを実現できることが確認された。 圧力 １００ｍＴｏｒｒ 高周波波力 ５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）×２ 反応性気体 ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ＝２７／２６３ｓｃｃ
ｍ 位相差 １８０度 加熱温度 ３５０℃ パルス周波数 １００Ｈｚ（duty比５０％）
【００６２】上記の成膜条件で得られた窒化珪素膜のス
テップカバレージが良好であった理由は、以下のように
考えられる。
【００６３】パルス放電を行うことによって、被膜形成
物表面のイオンシースが間欠的に消滅する状態が実現さ
れるので、イオンシースによってプラズマ空間から被形
成面に向かって加速されるイオンが少なくなり、結果と
してラジカルの回り込みを高めることができる。
【００６４】即ち、成膜圧力を低くし、しかもパルス放
電を行うことによって、ラジカルが図９に示すアイラン
ド９２の端部側面に回り込む状態が実現されるので、ス
テップカバレージが改善されると考えることができる。
【００６５】また、成膜圧力を１５ｍＴｏｒｒとしたま
までパルス放電（パルス周波数１００Ｈｚ、duty比５０
％）を行った場合にも、図９（Ｂ）程の顕著なステップ
カバレージの改善は得られなかったが、かなり良好なス
テップカバレージを得ることができた。このような効果
が得られたのは、パルス放電によって、ラジカルがアイ
ランド９２の端部側面に回り込む為と考えられる。
【００６６】〔実施例３〕本実施例は、図１〜図３のｘ
方向における膜厚分布の不均一性を改善する構成に関す
る。まず、図１〜図３に示す装置において、図６に示す
放電系を使用し、一対の電極１７と１８とに加えられる
高周波電力の位相差を０〜２７０度の間で変化させた場
合の、ｘ方向における珪素薄膜の膜厚分布を図１０に示
す。この際の成膜条件を以下に示す。 反応性気体 ＳｉＨ4 ＝３００ｓｃｃｍ 高周波電力 ５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）×２ 加熱温度 ２５０℃ 成膜圧力 １０ｍＴｏｒｒ パルス周波数 １００Ｈｚ（duty比50％）
【００６７】図１０において、φは位相差を表し、uppe
r substrate は上側の基板、lowersubstrate は下側の
基板を示す。基板は、４００ｍｍ×３００ｍｍのものを
用い、図１〜図３に示すように、２枚を１組として縦に
並べて基板ホルダー２５に配置される。
【００６８】図１０を見るれば明らかなように、上側の
基板２３（図１参照）と下側の基板（図１参照）とで、
ほとんど同じ膜厚分布となっている。これは、パルス放
電の効果によるものと考えられる。
【００６９】さらに図１０見ると、一対の電極１４と１
５とに加えられる高周波電力の位相差を変化させること
で、膜厚分布の形状が位相差に従ってシフトする様子が
分かる。
【００７０】また、上記成膜条件において、位相差を０
度にして５分間成膜を行い、次に位相差を１８０度にし
て５分間の成膜を行った場合のｘ方向の膜厚分布を図１
１に示す。図１１を見ればわかるように、０度の位相差
と１８０度の位相差とを組み合わせることにより、ｘ方
向、即ち電極間方向における均一な膜厚分布を得られる
ことが分かる。
【００７１】ここでは、位相差を０度にして所定時間の
成膜を行い、つぎに位相差を１８０度にして同じ所定時
間の成膜を行った例を示した。しかし、例えばパルス周
波数１００Ｈｚのパルス放電を行う場合において、ｎ回
目のパルスの時を０度の位相差とし、ｎ＋１回目のパル
スを１８０度の位相差とし、さらにｎ＋２回目のパルス
を０度の位相差とする、という様にパルスの繰り返しに
応じてそれぞれの位相差で交互に放電を行う方法でも同
様な効果を得ることができる。また、所定時間内におい
て、０度の位相差の放電と１８０度位相差の放電とが同
じ回数になるようにパルス放電を行うのでもよい。
【００７２】また、それぞれの位相差における放電時
間、あるいは回数（パルス放電の回数）を異ならせて、
より平坦な膜厚分布が得られるようにしてもよい。例え
ば、図１１の白または黒の三角印で示される膜厚分布
は、中央部でやや盛り上がっている。これは四角印で示
される位相差１８０度の場合の影響が大きいものと考え
ることができる。そこで、丸印で示される位相差０度の
放電時間（成膜時間）を長くすることで、より平坦な膜
厚分布を期待することができる。例えば、所定時間内の
パルス放電の回数の割合を、位相差１８０度：位相差０
度＝９：１０とすることによって、さらに平坦な膜厚分
布を得ることができる。
【００７３】以上のように一対の電極に加えられる高周
波電力の位相差を異ならせた成膜条件を組み合わせるこ
とにより、電極間方向における膜厚分布を改善すること
ができる。
【００７４】一方、電極間方向に垂直な方向（図１でい
うとｙ方向）における膜厚分布には、一対の電極に加え
られる高周波電力の位相差を変化させても、ほとんどそ
の影響は見られない。
【００７５】このことから、上記一対の電極に加えられ
る高周波電力の位相差を変化させる手法は、当該電極間
方向における膜厚分布を独立に制御できるものであり、
その分布を大きく改善できることが結論される。
【００７６】当然、上記の効果は、パルス放電を行わな
い場合でも得ることができる。この場合、図１〜図３の
ｙ方向の膜厚分布が図４の白丸印で示されるように悪化
するだけで、ｘ方向の膜厚分布は平坦とすることができ
る。例えば、パルス放電を行わずに図１１に示す様な成
膜を行った場合、白の三角印のプロット点と黒の三角印
のプロット点とは平坦な膜厚分布を示すが、上下の基板
で膜厚が異なることになるので、それらのプロット点で
示される曲線の位置は異なることによる。これは、他の
丸印や四角印においても同様である。この場合、その曲
線の形を保ったままで、その位置がずれることになる。
【００７７】〔実施例４〕本実施例は、実施例３の構成
において、位相差φを＋９０度と−９０度とした場合の
例である。位相差以外の成膜条件を以下に示す。
【００７８】（成膜条件） 反応性気体 ＳｉＨ4 ３００ｓｃｃｍ 高周波電力 ５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）×２ 加熱温度 ２５０℃ 成膜圧力 １０ｍＴｏｒｒ パルス周波数 １００Ｈｚ（duty比５０％）
【００７９】図１２に示すように、上記成膜条件におい
て、＋９０度位相差の場合と−９０度の位相差の場合と
では、そのｘ方向における膜厚分布が波打っている。そ
こで、＋９０度の位相差で５分間の成膜を行い、−９０
度の位相差で５分間の成膜を行った場合の膜厚分布を三
角印で示す。
【００８０】図１２から分かるように、＋９０度と−９
０度とで、同じ時間ずつ成膜を行うことによって、膜厚
分布が改善されることが分かる。
【００８１】〔実施例５〕本実施例は、実施例３の構成
において、位相差を０度と１８０度とし、以下の条件で
窒化珪素膜を成膜した例である。
【００８２】（成膜条件） 反応性気体 ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ＝５００／１５００ｓ
ｃｃｍ 高周波電力 ４ｋＷ（１３．５６ＭＨｚ）×２ 成膜圧力 ３０ｍＴｏｒｒ 加熱温度 ３５０℃ パルス周波数 １００Ｈｚ(duty 比５０％）
【００８３】図１３において、黒と白の三角印で示され
ているのは、０度の位相差で１０分間の成膜を行い、引
続いて１８０度の位相差で５分間の成膜を行った場合の
ｘ方向の膜厚分布（正確には成膜速度）を示すものであ
る。図１３を見れば明らかなように、位相差による成膜
速度の違いを反映させて成膜時間を異ならせることによ
って、ｘ方向における平坦な膜厚分布を得ることができ
る。
【００８４】また、０度のパルス放電の回数と１８０度
の放電回数との比率と２：１とすることによっても同様
の効果を得ることができる。
【００８５】〔実施例６〕本実施例３〜５においては、
異なる位相差の成膜を連続して行うことによって、平坦
な膜厚分布が実際に得られた。そこで、本実施例におい
ては、この位相差を変化させる手法をさらに改良した例
について説明する。
【００８６】実施例１に示したように、パルス放電を行
うことによって、反応性気体の流れる方向における膜厚
分布を改善することができる。このパルス放電というの
は、例えば、１０ｍｓｅｃ放電し、１０ｍｓｅｃ放電を
休止し、また１０ｍｓｅｃ放電し、といったサイクルを
繰り返す放電方法である。
【００８７】一方、実施例３〜５においては、特定の位
相差で５分間成膜し、つぎに別の特定の位相差で５分間
成膜することによって、電極間方向における膜質を著し
く改善した例を示した。本実施例は、パルス放電の仕方
を改良することによって、実施例３〜５に示すのと同様
な効果を得る構成に関する。
【００８８】図１４（Ａ），（Ｂ）に本実施例の放電形
態を示す。図１４（Ａ），（Ｂ）に示すのは、パルス周
波数が１００Ｈｚ、duty比が５０％の場合、即ち放電時
間と休止時間とが同じであるが、放電形態が違う場合で
ある。
【００８９】即ち、図１４（Ａ）に示すのは、１０ｍｓ
ｅｃの放電と１０ｍｓｅｃの休止とを交互に繰り返す場
合において、０度の位相差の放電と、１８０度の位相差
の放電とを繰り返して行う例である。また、図１４
（Ｂ）に示すのは、１０ｍｓｅｃの放電と１０ｍｓｅｃ
の休止とを交互に繰り返す場合において、０度の位相差
の放電と１８０度の位相差の放電とを２回づつ交互に繰
り返す場合の例である。
【００９０】いずれの場合にしても、０度の位相差の放
電と１８０度の位相差の放電とを同じ時間行う場合と同
様な効果を得ることができる。
【００９１】図１４に示すのは、パルス周波数が１００
Ｈｚ、duty比が50％の場合の例である。しかし、他の値
のパルス周波数やduty比を選ぶこともできる。例えば、
パルス周波数が１０Ｈｚ、duty比を１０％とした場合
は、放電時間が７０ｍｓｅｃ、放電休止時間が３０ｍｓ
ｅｃとなる。
【００９２】また、図１３に示すように、それぞれの位
相差での成膜時間を異ならせなければならない場合は、
それぞれの位相差における放電回数の割合を異ならせれ
ばよい。例えば、図１３に示す場合は、位相差０度で１
０分間成膜を行い、つぎに位相差１８０度で５分間成膜
を行うことによって、図１のｘ方向における膜厚分布を
改善される例であるが、このような場合は、図１５に示
すように、放電回数を（０度の位相差の場合）：（１８
０度の位相差の場合）＝２：１となるように制御すれば
よい。
【００９３】また、（０度の位相差での放電時間）：
（１８０度の位相差での放電時間）＝２：１となるよう
にしてもよい。例えば、０度の位相差で１０秒放電し、
１８０度の位相差で５秒放電する、そしてこのサイクル
を繰り返す、といった放電形態を採用してもよい。
【００９４】〔実施例７〕本実施例は、一対の電極に加
えられる高周波電力の周波数を異ならせることで、自動
的に位相差を変化させる構成に関する。
【００９５】ここで、珪素膜を成膜するとして、一対の
電極に印加される高周波電力の位相差を０度として５分
間成膜をし、さらに１８０度として５分間成膜をし、さ
らに位相差が９０度で５分間成膜をし、２７０度（−９
０度）で５分間成膜した場合を考える。
【００９６】当然成膜された珪素膜は電極間方向に均一
性の良いものとなる。従って、０度と１８０度、１０度
と１９０度、２０度と２００度、３０度と２１０度・・
・・・・・・３５０度（−１０度）と８０度、といった
組み合わせで成膜を行っても電極間方向の均一性は改善
されることになる。
【００９７】そこで、図１に示すような気相反応装置に
おいて、一対の電極間に少しだけ異なる周波数の高周波
電力を加えた場合を考える。このような場合、２つの周
波数の違いが僅か（２０％以下）であることが重要であ
る。なぜならば、周波数が異なりすぎると、その位相差
を議論することができないからである。
【００９８】まず、反応開始時（高周波電力印加開始
時）において、２つの高周波電力の位相はそろっている
ものとする。時間が経過していくと、２つの高周波電力
はその位相が徐々にずれていき、その位相差は０度〜９
０度〜１８０度〜２７０度〜０度といったサイクルを繰
り返すことになる。
【００９９】この一つのサイクルの中で、０度と１８０
度、９０度と２７０度（−９０度）、といった位相差の
違いが１８０度である組み合わせを考えることができ
る。この組み合わせについて考察すると、この組み合わ
せのそれぞれにおいて、当該電極間方向における膜厚分
布の均一化が図れることが理解される。従って、上記一
つのサイクルの間で膜厚分布の均一化を図ることができ
る。そして、このサイクルが繰り返されることによっ
て、電極間方向に均一な膜厚分布を有する薄膜を形成す
ることができる。ただし、上記のような成膜ができるの
は、図１１や図１２で示されるような、１８０度異なる
位相差で同じ時間成膜を行うことによって、電極間方向
における膜厚分布を均一にできる場合である。
【０１００】具体的には、図１に示す気相反応装置にお
いて、一方の電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加
え、他方の電極に１３．５５ＭＨｚの高周波電力を加え
れば上記作用効果を得ることがでる。即ち、２つに周波
数の違いによって、一対の電極間に加えられる高周波電
力の位相差が０度〜３６０度まで除々に変化してき、こ
の１サイクルにおいて、電極間方向における均一な膜厚
分布を実現でき、さらにこのサイクルを繰り返すことに
よって、上記作用効果実現できる。
【０１０１】本実施例においては、２つの高周波電力の
位相を制御する必要はない。また、実際には上記のサイ
クルが多数回繰り返されるから、放電開始時に位相差０
から出発する必要もない。また、上記構成にパルス放電
を組み合わせることは、反応性気体の流れる方向におけ
る膜厚分布を改善するのに効果がある。
【０１０２】〔実施例８〕本実施例は、電極間方向（電
界方向ともいう）と反応性気体が流れる方向を同一とし
た場合の例である。本実施例の構成を図１６に示す。図
１６に示されるように、一対の電極１４と１５の間に基
板２３が平行に配置された基板ホルダー２５が配置され
ている。この基板ホルダー２５は、図２及び図３に示す
のとその基本的な構成は同じである。即ち、一対の電極
１４、１５と複数の基板の関係は、図１〜３の場合と同
様である。ただ異なるのは、基板ホルダー２５の上側と
下側には、反応性気体が通るようにスリットが設けられ
ていることである。
【０１０３】放電は、一対の電極１４と１５との間で行
われる。一対の電極１４と１５のそれぞれには、１３．
５６ＭＨｚの高周波電源２０と２１が接続されている。
また図示はしないが、電源系は図６に示すのと同様な構
成を有しており、パルス放電、さらには電極１４と１５
とに位相差をもたせた放電を行うことができる。勿論、
一対の電極１４と１５に加えられる高周波電力の周波数
を異ならせることもできる。
【０１０４】図１６に示す構成においては、電極１４と
１５がメッシュ構造になっている。反応性気体はガス供
給系１２から供給され、メッシュ電極１４を通して反応
空間（ここには基板ホルダー２５が設けられている）に
到達し、プラズマ気相反応が行われる。そして不要とな
った反応性気体は真空ポンプ２２が設けられた排気系１
３より排気される。なお、反応空間とは、一対の電極１
４と１５との間の放電が行われる空間のことである。
【０１０５】図１６に示す構成を採用した場合には、電
極間方向、即ち電界の方向と反応性気体が流れる方向と
が同一の方向となる。従って、 (1) 反応性気体の流れる方向における膜厚分布の均一化
を得られる。 (2) 電極間方向における膜厚分布の均一化を得られる。
といった効果を相乗して得ることができる。
【０１０６】
【効果】一対の電極間に基板面を垂直に配置した気相成
膜装置において、 (1) パルス放電を行うことによって、反応性気体の流れ
る方向における膜厚分布を改善することができる。 (2) 位相差放電を行うことによって、電極間方向におけ
る膜厚分布を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例の構成を示す。
【図２】 実施例の構成を示す。
【図３】 実施例の構成を示す。
【図４】 膜厚分布を示す。
【図５】 膜厚分布を示す。
【図６】 実施例の放電系を示す。
【図７】 パルス放電の状態を示す。
【図８】 反応空間における反応性気体の残量を示
す。
【図９】 スッテプカバレージの状態を示す。
【図１０】 膜厚分布を示す。
【図１１】 膜厚分布を示す。
【図１２】 膜厚分布を示す。
【図１３】 膜厚分布を示す。
【図１４】 パルス放電の状態を示す。
【図１５】 パルス放電の状態を示す。
【図１６】 実施例の構成を示す。
【符号の説明】
１１・・・・真空容器 １２・・・・ガス導入系 １３・・・・排気系 １４・・・・電極 １５・・・・電極 １７・・・・整合器 １８・・・・整合器 １９・・・・位相制御器 ２０・・・・高周波電源 ２１・・・・高周波電源 ２２・・・・真空ポンプ ２３・・・・基板 ２４・・・・基板 ２５・・・・基板ホルダー ２７・・・・スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 篤 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 柳 雄二 新潟県長岡市東高見２丁目２番31号 トッ キ株式会社長岡工場内 (72)発明者 神保 敏浩 新潟県長岡市東高見２丁目２番31号 トッ キ株式会社長岡工場内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の電極と、 該電極間に少なくとも一枚の基板を電極面と垂直に配置
    する手段と、 前記一対の電極に位相差がＸ度、及び（Ｘ±１８０）度
    の高周波電力を加える手段と、 を有する気相反応装置。
  2. 【請求項２】 一対の電極と、 該電極間に少なくとも一枚の基板を電極面と垂直に配置
    する手段と、 前記一対の電極間において間欠的に放電を生じさせる手
    段と、 を有する気相反応装置。
  3. 【請求項３】 一対の電極と、 該電極間に少なくとも一枚の基板を電極面と垂直に配置
    する手段と、 前記一対の電極に位相差がＸ度、及び（Ｘ±１８０）度
    の高周波電力を加える手段と、 前記一対の電極においてパルス放電を生じさせる手段
    と、 を有する気相反応装置。
  4. 【請求項４】 電磁エネルギーによって気相反応を生じ
    させる方法であって、 電磁エネルギーを間欠的に供給することによって、 反応性気体の移動方向における気相反応を均一化するこ
    とを特徴とする気相反応方法。
  5. 【請求項５】 一対の電極間において放電を起こし、気
    相反応を生じさせる方法であって、 それぞれの電極にＸ度の位相差で高周波電力を供給する
    動作と、 それぞれの電極に（Ｘ＋１８０）度の位相差で高周波電
    力を供給する動作と、 を有することを特徴とする気相反応方法。
  6. 【請求項６】 請求項５において、放電を間欠的に行う
    ことを特徴とする気相反応方法。
  7. 【請求項７】 一対の電極間に放電を起こし、気相反応
    を生じさせる方法であって、 一方の電極に供給する高周波電力と他方の電極に供給す
    る高周波電力との位相差が、時間が経過するに従って徐
    々に変化するようにしたことを特徴とする気相反応方
    法。
  8. 【請求項８】 一対の電極間に放電を起こし、気相反応
    を生じさせる方法であって、 一方の電極に供給する高周波の周波数と、他方の電極に
    供給する高周波の周波数とが異なっていることを特徴と
    する気相反応方法。
  9. 【請求項９】 一対の電極と、 前記一対の電極のそれぞれに高周波電力を供給する手段
    と、 を有し、 前記高周波電力の一方の周波数と他方の周波数とは、異
    なっていることを特徴とする気相反応装置。
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Cited By (268)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001107244A (ja) * 1999-10-06 2001-04-17 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置
JP2001274099A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法
JP2003264152A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd シリコン堆積膜除去方法
JP2004030931A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ生成装置用高周波電源装置
JP2004111432A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2016199810A (ja) * 2011-01-12 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び製造装置
JP2020004971A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 薄膜蒸着方法、及び半導体装置の製造方法
US11004977B2 (en) 2017-07-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11001925B2 (en) 2016-12-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11069510B2 (en) 2017-08-30 2021-07-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11094546B2 (en) 2017-10-05 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11094582B2 (en) 2016-07-08 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11101370B2 (en) 2016-05-02 2021-08-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11107676B2 (en) 2016-07-28 2021-08-31 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11114294B2 (en) 2019-03-08 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOC layer and method of forming same
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11127589B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11164955B2 (en) 2017-07-18 2021-11-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US11171025B2 (en) 2019-01-22 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11168395B2 (en) 2018-06-29 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US11205585B2 (en) 2016-07-28 2021-12-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method of operating the same
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11222772B2 (en) 2016-12-14 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11227789B2 (en) 2019-02-20 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11242598B2 (en) 2015-06-26 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11244825B2 (en) 2018-11-16 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11251035B2 (en) 2016-12-22 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11251068B2 (en) 2018-10-19 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11251040B2 (en) 2019-02-20 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11282698B2 (en) 2019-07-19 2022-03-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11476109B2 (en) 2019-06-11 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11482418B2 (en) 2018-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and apparatus
US11488854B2 (en) 2020-03-11 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11488819B2 (en) 2018-12-04 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning substrate processing apparatus
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11495459B2 (en) 2019-09-04 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11499226B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11501956B2 (en) 2012-10-12 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11501973B2 (en) 2018-01-16 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11515187B2 (en) 2020-05-01 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US11515188B2 (en) 2019-05-16 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11521851B2 (en) 2020-02-03 2022-12-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures including a vanadium or indium layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11527400B2 (en) 2019-08-23 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane
US11530483B2 (en) 2018-06-21 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
US11530876B2 (en) 2020-04-24 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
US11551925B2 (en) 2019-04-01 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method for manufacturing a semiconductor device
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587821B2 (en) 2017-08-08 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US11605528B2 (en) 2019-07-09 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
US11610775B2 (en) 2016-07-28 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11610774B2 (en) 2019-10-02 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11615970B2 (en) 2019-07-17 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Radical assist ignition plasma system and method
US11626308B2 (en) 2020-05-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Laser alignment fixture for a reactor system
US11626316B2 (en) 2019-11-20 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
US11629407B2 (en) 2019-02-22 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11637011B2 (en) 2019-10-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11646184B2 (en) 2019-11-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11646197B2 (en) 2018-07-03 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
US11644758B2 (en) 2020-07-17 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11649546B2 (en) 2016-07-08 2023-05-16 Asm Ip Holding B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US11658029B2 (en) 2018-12-14 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same
US11658035B2 (en) 2020-06-30 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11658030B2 (en) 2017-03-29 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11664267B2 (en) 2019-07-10 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11664245B2 (en) 2019-07-16 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11664199B2 (en) 2018-10-19 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11674220B2 (en) 2020-07-20 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing molybdenum layers using an underlayer
US11676812B2 (en) 2016-02-19 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions
US11680839B2 (en) 2019-08-05 2023-06-20 Asm Ip Holding B.V. Liquid level sensor for a chemical source vessel
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US11688603B2 (en) 2019-07-17 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium structures
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11705333B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Asm Ip Holding B.V. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
US11725277B2 (en) 2011-07-20 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US11735422B2 (en) 2019-10-10 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11742189B2 (en) 2015-03-12 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11767589B2 (en) 2020-05-29 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11781221B2 (en) 2019-05-07 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Chemical source vessel with dip tube
US11798999B2 (en) 2018-11-16 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11795545B2 (en) 2014-10-07 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US11804364B2 (en) 2020-05-19 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11802338B2 (en) 2017-07-26 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11804388B2 (en) 2018-09-11 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11810788B2 (en) 2016-11-01 2023-11-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US11814747B2 (en) 2019-04-24 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11823876B2 (en) 2019-09-05 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11823866B2 (en) 2020-04-02 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11828707B2 (en) 2020-02-04 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11827981B2 (en) 2020-10-14 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material on stepped structure
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11830738B2 (en) 2020-04-03 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
US11840761B2 (en) 2019-12-04 2023-12-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
US11873557B2 (en) 2020-10-22 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing vanadium metal
US11885023B2 (en) 2018-10-01 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11885020B2 (en) 2020-12-22 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Transition metal deposition method
US11887857B2 (en) 2020-04-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
US11891696B2 (en) 2020-11-30 2024-02-06 Asm Ip Holding B.V. Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus
US11901179B2 (en) 2020-10-28 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and device for depositing silicon onto substrates
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
US11915929B2 (en) 2019-11-26 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11923190B2 (en) 2018-07-03 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11923181B2 (en) 2019-11-29 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing
US11929251B2 (en) 2019-12-02 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method
US11939673B2 (en) 2018-02-23 2024-03-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
US11959168B2 (en) 2020-04-29 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Solid source precursor vessel
US11961741B2 (en) 2020-03-12 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Method for fabricating layer structure having target topological profile
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US11976359B2 (en) 2020-01-06 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same
US11987881B2 (en) 2020-05-22 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
US11986868B2 (en) 2020-02-28 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. System dedicated for parts cleaning
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11996309B2 (en) 2019-05-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US12006572B2 (en) 2019-10-08 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US12020934B2 (en) 2020-07-08 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12027365B2 (en) 2020-11-24 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap and related systems and devices
US12033885B2 (en) 2020-01-06 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Channeled lift pin
US12051567B2 (en) 2020-10-07 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit
US12057314B2 (en) 2020-05-15 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
US12074022B2 (en) 2020-08-27 2024-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
US12087586B2 (en) 2020-04-15 2024-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US12106944B2 (en) 2020-06-02 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Rotating substrate support
US12107005B2 (en) 2020-10-06 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material
US12112940B2 (en) 2019-07-19 2024-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US12125700B2 (en) 2020-01-16 2024-10-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming high aspect ratio features
US12131885B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Plasma treatment device having matching box
US12129545B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Precursor capsule, a vessel and a method
US12148609B2 (en) 2020-09-16 2024-11-19 Asm Ip Holding B.V. Silicon oxide deposition method
US12154824B2 (en) 2020-08-14 2024-11-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
US12173402B2 (en) 2018-02-15 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US12195852B2 (en) 2020-11-23 2025-01-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus with an injector
US12209308B2 (en) 2020-11-12 2025-01-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor and related methods
US12211742B2 (en) 2020-09-10 2025-01-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluid
US12217954B2 (en) 2020-08-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning a surface
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US12218269B2 (en) 2020-02-13 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device
US12218000B2 (en) 2020-09-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing method
US12217946B2 (en) 2020-10-15 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT
US12221357B2 (en) 2020-04-24 2025-02-11 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds
US12230531B2 (en) 2018-04-09 2025-02-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US12243742B2 (en) 2020-04-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for processing a substrate
US12243757B2 (en) 2020-05-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Flange and apparatus for processing substrates
US12241158B2 (en) 2020-07-20 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming structures including transition metal layers
US12243747B2 (en) 2020-04-24 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers
US12240760B2 (en) 2016-03-18 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US12247286B2 (en) 2019-08-09 2025-03-11 Asm Ip Holding B.V. Heater assembly including cooling apparatus and method of using same
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
US12266524B2 (en) 2020-06-16 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron containing silicon germanium layers
US12266695B2 (en) 2019-11-05 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
US12278129B2 (en) 2020-03-04 2025-04-15 Asm Ip Holding B.V. Alignment fixture for a reactor system
US12288710B2 (en) 2020-12-18 2025-04-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer processing apparatus with a rotatable table
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US12406846B2 (en) 2020-05-26 2025-09-02 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers
US12410515B2 (en) 2020-01-29 2025-09-09 Asm Ip Holding B.V. Contaminant trap system for a reactor system
US12431334B2 (en) 2020-02-13 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution assembly
US12428726B2 (en) 2019-10-08 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas injection system and reactor system including same
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
US12442082B2 (en) 2020-05-07 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Reactor system comprising a tuning circuit
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US12454755B2 (en) 2014-07-28 2025-10-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US12564871B2 (en) 2020-12-02 2026-03-03 Asm Ip Holding B.V. Cleaning fixture for showerhead assemblies

Cited By (320)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001107244A (ja) * 1999-10-06 2001-04-17 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置
JP2001274099A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法
JP2003264152A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd シリコン堆積膜除去方法
JP2004030931A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ生成装置用高周波電源装置
JP2004111432A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2016199810A (ja) * 2011-01-12 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び製造装置
US11725277B2 (en) 2011-07-20 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US11501956B2 (en) 2012-10-12 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US12454755B2 (en) 2014-07-28 2025-10-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US11795545B2 (en) 2014-10-07 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US11742189B2 (en) 2015-03-12 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11242598B2 (en) 2015-06-26 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11956977B2 (en) 2015-12-29 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11676812B2 (en) 2016-02-19 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions
US12240760B2 (en) 2016-03-18 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11101370B2 (en) 2016-05-02 2021-08-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US11749562B2 (en) 2016-07-08 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11649546B2 (en) 2016-07-08 2023-05-16 Asm Ip Holding B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US11094582B2 (en) 2016-07-08 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11205585B2 (en) 2016-07-28 2021-12-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method of operating the same
US11107676B2 (en) 2016-07-28 2021-08-31 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11610775B2 (en) 2016-07-28 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11694892B2 (en) 2016-07-28 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US11810788B2 (en) 2016-11-01 2023-11-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11222772B2 (en) 2016-12-14 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11970766B2 (en) 2016-12-15 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US12000042B2 (en) 2016-12-15 2024-06-04 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11001925B2 (en) 2016-12-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11251035B2 (en) 2016-12-22 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US12043899B2 (en) 2017-01-10 2024-07-23 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US12106965B2 (en) 2017-02-15 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11658030B2 (en) 2017-03-29 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11976361B2 (en) 2017-06-28 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11164955B2 (en) 2017-07-18 2021-11-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US11695054B2 (en) 2017-07-18 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US12363960B2 (en) 2017-07-19 2025-07-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11004977B2 (en) 2017-07-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11802338B2 (en) 2017-07-26 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11587821B2 (en) 2017-08-08 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11581220B2 (en) 2017-08-30 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11069510B2 (en) 2017-08-30 2021-07-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US12033861B2 (en) 2017-10-05 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11094546B2 (en) 2017-10-05 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US11682572B2 (en) 2017-11-27 2023-06-20 Asm Ip Holdings B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US11501973B2 (en) 2018-01-16 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11972944B2 (en) 2018-01-19 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US12119228B2 (en) 2018-01-19 2024-10-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11735414B2 (en) 2018-02-06 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US12173402B2 (en) 2018-02-15 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US11482418B2 (en) 2018-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and apparatus
US11939673B2 (en) 2018-02-23 2024-03-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US12020938B2 (en) 2018-03-27 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12230531B2 (en) 2018-04-09 2025-02-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11908733B2 (en) 2018-05-28 2024-02-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11837483B2 (en) 2018-06-04 2023-12-05 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US12516413B2 (en) 2018-06-08 2026-01-06 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11530483B2 (en) 2018-06-21 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
US11814715B2 (en) 2018-06-27 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11952658B2 (en) 2018-06-27 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11168395B2 (en) 2018-06-29 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
JP2020004971A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 薄膜蒸着方法、及び半導体装置の製造方法
US10914004B2 (en) 2018-06-29 2021-02-09 Asm Ip Holding B.V. Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device
US11923190B2 (en) 2018-07-03 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11646197B2 (en) 2018-07-03 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US12601062B2 (en) 2018-08-06 2026-04-14 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11804388B2 (en) 2018-09-11 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11885023B2 (en) 2018-10-01 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11251068B2 (en) 2018-10-19 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11664199B2 (en) 2018-10-19 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11735445B2 (en) 2018-10-31 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11499226B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11866823B2 (en) 2018-11-02 2024-01-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US12448682B2 (en) 2018-11-06 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11244825B2 (en) 2018-11-16 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11798999B2 (en) 2018-11-16 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US12444599B2 (en) 2018-11-30 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11488819B2 (en) 2018-12-04 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning substrate processing apparatus
US11769670B2 (en) 2018-12-13 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11658029B2 (en) 2018-12-14 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11959171B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11171025B2 (en) 2019-01-22 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11127589B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11798834B2 (en) 2019-02-20 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11615980B2 (en) 2019-02-20 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US12176243B2 (en) 2019-02-20 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11227789B2 (en) 2019-02-20 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
US11251040B2 (en) 2019-02-20 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same
US12410522B2 (en) 2019-02-22 2025-09-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11629407B2 (en) 2019-02-22 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11114294B2 (en) 2019-03-08 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOC layer and method of forming same
US11901175B2 (en) 2019-03-08 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11551925B2 (en) 2019-04-01 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method for manufacturing a semiconductor device
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11814747B2 (en) 2019-04-24 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
US11781221B2 (en) 2019-05-07 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Chemical source vessel with dip tube
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11996309B2 (en) 2019-05-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11515188B2 (en) 2019-05-16 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
US12195855B2 (en) 2019-06-06 2025-01-14 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor system including a gas detector
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
US11908684B2 (en) 2019-06-11 2024-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11476109B2 (en) 2019-06-11 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11746414B2 (en) 2019-07-03 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11605528B2 (en) 2019-07-09 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method
US12107000B2 (en) 2019-07-10 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11664267B2 (en) 2019-07-10 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11664245B2 (en) 2019-07-16 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11996304B2 (en) 2019-07-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11615970B2 (en) 2019-07-17 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Radical assist ignition plasma system and method
US11688603B2 (en) 2019-07-17 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium structures
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US12129548B2 (en) 2019-07-18 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US12112940B2 (en) 2019-07-19 2024-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11282698B2 (en) 2019-07-19 2022-03-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11876008B2 (en) 2019-07-31 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11680839B2 (en) 2019-08-05 2023-06-20 Asm Ip Holding B.V. Liquid level sensor for a chemical source vessel
US12247286B2 (en) 2019-08-09 2025-03-11 Asm Ip Holding B.V. Heater assembly including cooling apparatus and method of using same
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11827978B2 (en) 2019-08-23 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11898242B2 (en) 2019-08-23 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film
US12033849B2 (en) 2019-08-23 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane
US11527400B2 (en) 2019-08-23 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane
US11495459B2 (en) 2019-09-04 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
US11823876B2 (en) 2019-09-05 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11610774B2 (en) 2019-10-02 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US12230497B2 (en) 2019-10-02 2025-02-18 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US12006572B2 (en) 2019-10-08 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US12428726B2 (en) 2019-10-08 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas injection system and reactor system including same
US11735422B2 (en) 2019-10-10 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
US11637011B2 (en) 2019-10-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US12266695B2 (en) 2019-11-05 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
US11626316B2 (en) 2019-11-20 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
US11915929B2 (en) 2019-11-26 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11923181B2 (en) 2019-11-29 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing
US11646184B2 (en) 2019-11-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11929251B2 (en) 2019-12-02 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method
US11840761B2 (en) 2019-12-04 2023-12-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US12119220B2 (en) 2019-12-19 2024-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US12033885B2 (en) 2020-01-06 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Channeled lift pin
US11976359B2 (en) 2020-01-06 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US12125700B2 (en) 2020-01-16 2024-10-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming high aspect ratio features
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
US12410515B2 (en) 2020-01-29 2025-09-09 Asm Ip Holding B.V. Contaminant trap system for a reactor system
US11521851B2 (en) 2020-02-03 2022-12-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures including a vanadium or indium layer
US11828707B2 (en) 2020-02-04 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US12431334B2 (en) 2020-02-13 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution assembly
US12218269B2 (en) 2020-02-13 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11986868B2 (en) 2020-02-28 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. System dedicated for parts cleaning
US12278129B2 (en) 2020-03-04 2025-04-15 Asm Ip Holding B.V. Alignment fixture for a reactor system
US11837494B2 (en) 2020-03-11 2023-12-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11488854B2 (en) 2020-03-11 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
US11961741B2 (en) 2020-03-12 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Method for fabricating layer structure having target topological profile
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
US11823866B2 (en) 2020-04-02 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11830738B2 (en) 2020-04-03 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
US12598928B2 (en) 2020-04-08 2026-04-07 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US12087586B2 (en) 2020-04-15 2024-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US12243742B2 (en) 2020-04-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for processing a substrate
US12130084B2 (en) 2020-04-24 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US12243747B2 (en) 2020-04-24 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers
US12221357B2 (en) 2020-04-24 2025-02-11 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds
US11887857B2 (en) 2020-04-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
US11530876B2 (en) 2020-04-24 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11959168B2 (en) 2020-04-29 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Solid source precursor vessel
US11515187B2 (en) 2020-05-01 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US11798830B2 (en) 2020-05-01 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US12442082B2 (en) 2020-05-07 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Reactor system comprising a tuning circuit
US11626308B2 (en) 2020-05-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Laser alignment fixture for a reactor system
US12057314B2 (en) 2020-05-15 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
US11804364B2 (en) 2020-05-19 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US12243757B2 (en) 2020-05-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Flange and apparatus for processing substrates
US11705333B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Asm Ip Holding B.V. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
US11987881B2 (en) 2020-05-22 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
US12406846B2 (en) 2020-05-26 2025-09-02 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers
US11767589B2 (en) 2020-05-29 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US12106944B2 (en) 2020-06-02 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Rotating substrate support
US12266524B2 (en) 2020-06-16 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron containing silicon germanium layers
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
US11658035B2 (en) 2020-06-30 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
US12020934B2 (en) 2020-07-08 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11644758B2 (en) 2020-07-17 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US12055863B2 (en) 2020-07-17 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US12241158B2 (en) 2020-07-20 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming structures including transition metal layers
US11674220B2 (en) 2020-07-20 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing molybdenum layers using an underlayer
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
US12154824B2 (en) 2020-08-14 2024-11-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12217954B2 (en) 2020-08-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning a surface
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
US12074022B2 (en) 2020-08-27 2024-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
US12211742B2 (en) 2020-09-10 2025-01-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluid
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US12148609B2 (en) 2020-09-16 2024-11-19 Asm Ip Holding B.V. Silicon oxide deposition method
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12218000B2 (en) 2020-09-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing method
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US12107005B2 (en) 2020-10-06 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material
US12051567B2 (en) 2020-10-07 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit
US11827981B2 (en) 2020-10-14 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material on stepped structure
US12217946B2 (en) 2020-10-15 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT
US11873557B2 (en) 2020-10-22 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing vanadium metal
US11901179B2 (en) 2020-10-28 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and device for depositing silicon onto substrates
US12209308B2 (en) 2020-11-12 2025-01-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor and related methods
US12195852B2 (en) 2020-11-23 2025-01-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus with an injector
US12027365B2 (en) 2020-11-24 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap and related systems and devices
US11891696B2 (en) 2020-11-30 2024-02-06 Asm Ip Holding B.V. Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus
US12564871B2 (en) 2020-12-02 2026-03-03 Asm Ip Holding B.V. Cleaning fixture for showerhead assemblies
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US12288710B2 (en) 2020-12-18 2025-04-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer processing apparatus with a rotatable table
US12131885B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Plasma treatment device having matching box
US12129545B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Precursor capsule, a vessel and a method
US11885020B2 (en) 2020-12-22 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Transition metal deposition method
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
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USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

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Publication number Publication date
JP3576188B2 (ja) 2004-10-13

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