JPH0775330B2 - 狭帯域干渉信号の除去装置 - Google Patents
狭帯域干渉信号の除去装置Info
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- JPH0775330B2 JPH0775330B2 JP1337839A JP33783989A JPH0775330B2 JP H0775330 B2 JPH0775330 B2 JP H0775330B2 JP 1337839 A JP1337839 A JP 1337839A JP 33783989 A JP33783989 A JP 33783989A JP H0775330 B2 JPH0775330 B2 JP H0775330B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はスペクトラム拡散通信（SSC）方式等に好適な
狭帯域干渉信号の除去装置の改良に関する。
狭帯域干渉信号の除去装置の改良に関する。
［発明の概要］ 弾性表面波（SAW）の伝播路に、第１及び第２のダイオ
ードアレイ群を設けると共に上記伝播路から外れた位置
に第３のダイオードアレイを形成し、第２のダイオード
アレイ群で逆方向に伝播するSAWの信号強度を検波して
得られた入力信号のスペクトラム強度の情報信号と第３
のダイオードアレイからの基準信号との差に応じて第１
のダイオードアレイ群のバイアスを制御するようにした
狭帯域干渉信号の除去装置である。
ードアレイ群を設けると共に上記伝播路から外れた位置
に第３のダイオードアレイを形成し、第２のダイオード
アレイ群で逆方向に伝播するSAWの信号強度を検波して
得られた入力信号のスペクトラム強度の情報信号と第３
のダイオードアレイからの基準信号との差に応じて第１
のダイオードアレイ群のバイアスを制御するようにした
狭帯域干渉信号の除去装置である。
［従来の技術］ 広帯域な周波数領域を使うスペクトラム拡散（SS）通信
方式での問題点の一つに高レベルの狭帯域干渉によって
通信不能あるいは誤り率が高くなるという問題がある。
この問題点を解決するために弾性表面波（SAW）を用い
たフィルタが発明されている。
方式での問題点の一つに高レベルの狭帯域干渉によって
通信不能あるいは誤り率が高くなるという問題がある。
この問題点を解決するために弾性表面波（SAW）を用い
たフィルタが発明されている。
本発明者等は、上記問題を解消する手段として、先に特
願平１−267503号（特開平３−129760号）を出願してい
る。
願平１−267503号（特開平３−129760号）を出願してい
る。
第４図は上記先願発明による狭帯域干渉信号の除去装置
のある一つの中心周波数をもつ１チャンネル分のSAW素
子の構成を示している。
のある一つの中心周波数をもつ１チャンネル分のSAW素
子の構成を示している。
同図において、１はp+（n+）Si単結晶基板、２はその基
板上に形成されたｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜層、３
はさらにその上に形成された熱酸化膜層、４はその熱酸
化膜層上に形成されたZnO圧電薄膜、5,6,7はその上に形
成された金属電極で各々入力用表面波櫛形トランスデュ
ーサ、出力用表面波櫛形トランスデューサ及びゲート電
極である。８はトランスデューサの金属電極下のｐ
（ｎ）型Siエピタキシャル膜層２内に形成された高濃度
不純物拡散領域であり、トランスデューサの励振効率を
向上させる役目を果たすものである。９はゲート電極７
の下のｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜層２内に形成され
たn+（p+）不純物拡散領域であり、SAW伝播路にそって
第１のpnダイオードアレイが形成されている。このpnダ
イオードアレイの動作は先願特許で示したように、ダイ
オードバイアスの制御でエピタキシャル膜層内のキャリ
ア密度が制御され、SAWとキャリアとの相互作用によりS
AWの減衰定数を100dB/cm以上も大きく変化させる役目を
果たしている。つまりチャンネルのオン・オフを高速に
行う機能がある。10は入力トランスデューサの外側のｐ
（ｎ）型Siエピタキシャル膜層２内に形成されたｎ
（ｐ）不純物拡散領域であり、第２のpnダイオードアレ
イが形成される。11はpnダイオードアレイに接続された
抵抗、12はDC電源である。13は入力信号がSAWに変換さ
れ、第２のpnダイオードアレイで検波された電圧信号モ
ニター端子であり、そのチャンネル（周波数範囲）内の
入力信号の強度（電力）が電圧変化として観測される端
子である。14は第１のpnダイオードアレイのバイアス制
御端子である。
板上に形成されたｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜層、３
はさらにその上に形成された熱酸化膜層、４はその熱酸
化膜層上に形成されたZnO圧電薄膜、5,6,7はその上に形
成された金属電極で各々入力用表面波櫛形トランスデュ
ーサ、出力用表面波櫛形トランスデューサ及びゲート電
極である。８はトランスデューサの金属電極下のｐ
（ｎ）型Siエピタキシャル膜層２内に形成された高濃度
不純物拡散領域であり、トランスデューサの励振効率を
向上させる役目を果たすものである。９はゲート電極７
の下のｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜層２内に形成され
たn+（p+）不純物拡散領域であり、SAW伝播路にそって
第１のpnダイオードアレイが形成されている。このpnダ
イオードアレイの動作は先願特許で示したように、ダイ
オードバイアスの制御でエピタキシャル膜層内のキャリ
ア密度が制御され、SAWとキャリアとの相互作用によりS
AWの減衰定数を100dB/cm以上も大きく変化させる役目を
果たしている。つまりチャンネルのオン・オフを高速に
行う機能がある。10は入力トランスデューサの外側のｐ
（ｎ）型Siエピタキシャル膜層２内に形成されたｎ
（ｐ）不純物拡散領域であり、第２のpnダイオードアレ
イが形成される。11はpnダイオードアレイに接続された
抵抗、12はDC電源である。13は入力信号がSAWに変換さ
れ、第２のpnダイオードアレイで検波された電圧信号モ
ニター端子であり、そのチャンネル（周波数範囲）内の
入力信号の強度（電力）が電圧変化として観測される端
子である。14は第１のpnダイオードアレイのバイアス制
御端子である。
第５図は前記先願発明の他の実施例である。その動作は
第４図と同様で、違いは基板として高抵抗Si単結晶基板
15を用いてp+（n+）不純物拡散領域16をｐ（ｎ）型Siエ
ピタキシャル膜層２内のn+（p+）不純物拡散領域の間に
形成しているところにある。つまりp+（n+）領域のオー
ミックコンタクトを第４図では裏面で、第５図では表面
に形成している点が違う。第５図の構成はエピタキシャ
ル膜の厚みに関係なくpnダイオードアレイのピッチ間隔
を独立に設計できる利点があり、フィルタ構成としては
第４図より性能が高い。
第４図と同様で、違いは基板として高抵抗Si単結晶基板
15を用いてp+（n+）不純物拡散領域16をｐ（ｎ）型Siエ
ピタキシャル膜層２内のn+（p+）不純物拡散領域の間に
形成しているところにある。つまりp+（n+）領域のオー
ミックコンタクトを第４図では裏面で、第５図では表面
に形成している点が違う。第５図の構成はエピタキシャ
ル膜の厚みに関係なくpnダイオードアレイのピッチ間隔
を独立に設計できる利点があり、フィルタ構成としては
第４図より性能が高い。
次に、前記第２のpnダイオードアレイによるSAW信号の
検出機能について説明する。入力トランスデューサ５の
外側に設けられた第２のpnダイオードアレイ10は抵抗11
を介してDC電源12でバイアスされている。SAWの検出感
度の最良バイアス点は少し順バイアスした点にある。入
力トランスデューサで変換されたSAWは第２のpnダイオ
ードアレイ上を伝播しダイオード電位を空間的、時間的
に変調する。第２のpnダイオードのもつ非線形抵抗によ
りSAWの信号強度に依存した直流成分が発生し、モニタ
ー端子13の電位が初期のバイアス電圧から逆バイアスへ
と電圧がシフトする。このシフト量が入力信号強度に対
応する。
検出機能について説明する。入力トランスデューサ５の
外側に設けられた第２のpnダイオードアレイ10は抵抗11
を介してDC電源12でバイアスされている。SAWの検出感
度の最良バイアス点は少し順バイアスした点にある。入
力トランスデューサで変換されたSAWは第２のpnダイオ
ードアレイ上を伝播しダイオード電位を空間的、時間的
に変調する。第２のpnダイオードのもつ非線形抵抗によ
りSAWの信号強度に依存した直流成分が発生し、モニタ
ー端子13の電位が初期のバイアス電圧から逆バイアスへ
と電圧がシフトする。このシフト量が入力信号強度に対
応する。
第６図に入力信号の電力とモニター端子のバイアスシフ
ト量の関係を示す。バイアスシフト量はSAWの電力（入
力信号電力）の２乗に比例する。このように入力トラン
スデューサ外側に設けたpnダイオードアレイによってSA
Wのポテンシャルが２乗検波され、ベースバンド信号と
して入力信号強度が得られる。
ト量の関係を示す。バイアスシフト量はSAWの電力（入
力信号電力）の２乗に比例する。このように入力トラン
スデューサ外側に設けたpnダイオードアレイによってSA
Wのポテンシャルが２乗検波され、ベースバンド信号と
して入力信号強度が得られる。
従って各々中心周波数の異なった上述のSAW素子を複数
チャンネル並列に接続して構成することで入力信号の周
波数スペクトル強度分布の情報が容易に得られる。
チャンネル並列に接続して構成することで入力信号の周
波数スペクトル強度分布の情報が容易に得られる。
第７図に上述した構造のSAW素子をｎチャンネルを並列
接続して成る狭帯域干渉抑圧フィルタシステムの構成例
を示す。以後この狭帯域干渉抑圧フィルタをAISF（Adap
tive Interference Suppression Filter）と呼ぶことに
する。
接続して成る狭帯域干渉抑圧フィルタシステムの構成例
を示す。以後この狭帯域干渉抑圧フィルタをAISF（Adap
tive Interference Suppression Filter）と呼ぶことに
する。
第７図中の力トランスデューサ群17と第２のpnダイオー
ドアレイ群20で構成されている部分が、入力スペクトラ
ムの強度分布をモニターーする部分である。入出力トラ
ンスデューサ群17,18が入力信号を周波数に応じて分類
し、伝播させて、再び合成する分類フィルタ（sorting
filter）の機能を果たしている。
ドアレイ群20で構成されている部分が、入力スペクトラ
ムの強度分布をモニターーする部分である。入出力トラ
ンスデューサ群17,18が入力信号を周波数に応じて分類
し、伝播させて、再び合成する分類フィルタ（sorting
filter）の機能を果たしている。
各チャンネル毎に設けられたSAW伝播路上の第１のpnダ
イオードアレイ群19が各チャンネルのSAWの減衰定数を
制御する。
イオードアレイ群19が各チャンネルのSAWの減衰定数を
制御する。
第７図のAISFシステムの動作は次の通りである。入力信
号が入力トランスデューサ群17でSAWに変換され、第２
のpnダイオードアレイ群20のバイアスシフト量をモニタ
ーしてそれに応じて、伝播制御用の第１のpnダイオード
のバイアス電圧をバイアス制御回路21が制御する。
号が入力トランスデューサ群17でSAWに変換され、第２
のpnダイオードアレイ群20のバイアスシフト量をモニタ
ーしてそれに応じて、伝播制御用の第１のpnダイオード
のバイアス電圧をバイアス制御回路21が制御する。
このバイアス制御回路21の機能は、各チャンネルの信号
強度に応じた第２のpnダイオード20のバイアスシフト量
を増幅し、シフト量が大きいチャンネルのpnダイオード
19のバイアスを逆方向にバイアスすることである。また
は、単に増幅するだけでなく、あるしきい値を設定し
て、比較器により第１のpnダイオード19のバイアスをON
（順方向バイアス）、OFF（逆方向バイアス）する機能
を有する。
強度に応じた第２のpnダイオード20のバイアスシフト量
を増幅し、シフト量が大きいチャンネルのpnダイオード
19のバイアスを逆方向にバイアスすることである。また
は、単に増幅するだけでなく、あるしきい値を設定し
て、比較器により第１のpnダイオード19のバイアスをON
（順方向バイアス）、OFF（逆方向バイアス）する機能
を有する。
第４図、第５図、第７図をみるとわかるように、第７図
のAISFシステムは同一Si基板上にモノリシックに集積で
きる利点を有しており、システムの高性能化と共に小型
化も図れる。
のAISFシステムは同一Si基板上にモノリシックに集積で
きる利点を有しており、システムの高性能化と共に小型
化も図れる。
第８図はAISFシステムの信号処理の流れを説明してい
る。（ａ）は広帯域のSS−DS信号（Ａ）に狭帯域干渉波
（B,C）が加わった入力信号スペクトルを示している。
る。（ａ）は広帯域のSS−DS信号（Ａ）に狭帯域干渉波
（B,C）が加わった入力信号スペクトルを示している。
干渉波B,Cの周波数に相当するチャンネル番号k,mが検出
されその環境に適応してAISFのフィルタ特性が（ｂ）に
示すようにk,mチャンネル部にノッチが形成された特性
となる。この特性をもつAISFの出力信号のスペクトラム
は干渉波B,Cが抑圧されたスペクトラム（ｃ）となる。
されその環境に適応してAISFのフィルタ特性が（ｂ）に
示すようにk,mチャンネル部にノッチが形成された特性
となる。この特性をもつAISFの出力信号のスペクトラム
は干渉波B,Cが抑圧されたスペクトラム（ｃ）となる。
第９図は第７図のAISFシステムをDS−SSシステムの受信
部の入力段に組み込んだシステム構成例を示す。AISFシ
ステム30は相関器の前段に設けられ、その前段にAGC（a
uto gain control）回路31が設けられている。このシス
テムの構成例では、AISFシステム30の出力をフィードバ
ックしてAGC31により増幅器のゲイン制御が行われる。B
PF32はバインドパスフィルタである。AISFシステムを設
けないで、AGC回路を設けると大電力の狭帯域干渉波が
あると、その干渉信号自体でゲイン制御をするためDS−
SS通信システムでは通信不能あるいは誤り率の増大など
の問題がおこる。しかしAISFシステム30を設けると、干
渉波を抑圧した信号すなわちスペクトラム拡散信号自体
の信号強度に応じてゲイン制御が可能となりDS−SSシス
テムの機能が飛躍的に向上する。
部の入力段に組み込んだシステム構成例を示す。AISFシ
ステム30は相関器の前段に設けられ、その前段にAGC（a
uto gain control）回路31が設けられている。このシス
テムの構成例では、AISFシステム30の出力をフィードバ
ックしてAGC31により増幅器のゲイン制御が行われる。B
PF32はバインドパスフィルタである。AISFシステムを設
けないで、AGC回路を設けると大電力の狭帯域干渉波が
あると、その干渉信号自体でゲイン制御をするためDS−
SS通信システムでは通信不能あるいは誤り率の増大など
の問題がおこる。しかしAISFシステム30を設けると、干
渉波を抑圧した信号すなわちスペクトラム拡散信号自体
の信号強度に応じてゲイン制御が可能となりDS−SSシス
テムの機能が飛躍的に向上する。
なお、第10図及び第11図は第４図及び第５図の実施例の
変形例で、第２のダイオードアレイ10に対応してZnO圧
電薄膜上にゲート電極７′を設けている。
変形例で、第２のダイオードアレイ10に対応してZnO圧
電薄膜上にゲート電極７′を設けている。
［発明が解決しようとする課題］ さて、上述した先願発明にも未だ下記のような点で改良
の余地がある。
の余地がある。
即ち、第７図において、入力スペクトラム強度分布をモ
ニターする第２のpnダイオードアレイ群20の検出感度が
小さいので、その出力においてS/Nがとれない。そのた
めノイズの影響でバイアス制御回路21が誤動作する場合
があった。
ニターする第２のpnダイオードアレイ群20の検出感度が
小さいので、その出力においてS/Nがとれない。そのた
めノイズの影響でバイアス制御回路21が誤動作する場合
があった。
［発明の目的］ 従って本発明の目的はノイズの影響を低減可能とした狭
帯域干渉信号の除去装置を提供するにある。
帯域干渉信号の除去装置を提供するにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は上記目的を達成するため、第２のPNダイオード
アレイと略同一形状の第３のPNダイオードアレイを、弾
性表面波の伝播路外に設けたことを要旨とする。
アレイと略同一形状の第３のPNダイオードアレイを、弾
性表面波の伝播路外に設けたことを要旨とする。
［作用］ 上記第３のPNダイオードアレイは基準信号源として機能
するので、その電圧と第２のPNダイオードアレイ群の電
位との差をとることにより、ノイズの影響を低減でき
る。
するので、その電圧と第２のPNダイオードアレイ群の電
位との差をとることにより、ノイズの影響を低減でき
る。
［実施例］ 以下図面に示す実施例を参照して本発明を説明する。第
１図は本発明による狭帯域干渉信号の除去装置の一実施
例で、第６図と同一符号は同一又は類似の手段を示す。
１図は本発明による狭帯域干渉信号の除去装置の一実施
例で、第６図と同一符号は同一又は類似の手段を示す。
第１図の装置において、第７図の先願発明の装置と異な
る構成は第３のPNダイオードアレイ20′を設けた点にあ
る。このダイオードアレイ20′は同一SAW素子チップ上
のSAW伝播路外に、第２のPNダイオードアレイ20と略同
一形状で設けられている。第３のPNダイオードアレイ2
0′の検出用端子は第２のPNダイオードアレイ20のそれ
とは独立に引き出されてバイアス制御回路21に接続さ
れ、また抵抗11を介してDC電源に接続されている。
る構成は第３のPNダイオードアレイ20′を設けた点にあ
る。このダイオードアレイ20′は同一SAW素子チップ上
のSAW伝播路外に、第２のPNダイオードアレイ20と略同
一形状で設けられている。第３のPNダイオードアレイ2
0′の検出用端子は第２のPNダイオードアレイ20のそれ
とは独立に引き出されてバイアス制御回路21に接続さ
れ、また抵抗11を介してDC電源に接続されている。
バイアス制御回路21内には、例えば、第２図に示すよう
に比較回路22を設け、その＋端子には第２のPNダイオー
ドアレイ群20の各検出用端子からの検出信号が印加さ
れ、−端子には第３のPNダイオードアレイ20′の検出用
端子からの検出信号が印加される。
に比較回路22を設け、その＋端子には第２のPNダイオー
ドアレイ群20の各検出用端子からの検出信号が印加さ
れ、−端子には第３のPNダイオードアレイ20′の検出用
端子からの検出信号が印加される。
第３のPNダイオードアレイ20′はSAWの伝播路外に設け
られているので、基準信号源として機能することにな
る。
られているので、基準信号源として機能することにな
る。
従ってバイアス制御回路21内で、比較回路22により第２
及び第３のPNダイオードアレイの電位差をとり、その差
信号を実効的な検出信号として処理する。このように差
信号を検出信号とすれば、ノイズの影響が低減できる。
及び第３のPNダイオードアレイの電位差をとり、その差
信号を実効的な検出信号として処理する。このように差
信号を検出信号とすれば、ノイズの影響が低減できる。
第3a図〜第3d図は本発明のSAW素子の種々の実施態様を
示す概略図で、各図面の中央は素子上面図、上面はその
Ａ−Ａ′断面図、下図はそのＢ−Ｂ′断面図を示してい
る。第3a図中、10′はｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜２
内に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域であり、第３の
ダイオードアレイを構成している。また第3b図中、10′
は高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板15に形成されたｎ（ｐ）
不純物拡散領域であり、第３のダイオードアレイを構成
している。第3c図中、10′はｐ（ｎ）型Siエピタキシャ
ル膜２内に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域、16′は
同様にｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜２内に形成された
p+（n+）不純物拡散領域であり、第３のダイオードアレ
イを構成している。第3d図中、10′は高抵抗ｐ（ｎ）Si
単結晶基板15に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域、1
6′は同様に高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板15に形成され
たp+（n+）不純物拡散領域であり、第３のダイオードア
レイを構成している。
示す概略図で、各図面の中央は素子上面図、上面はその
Ａ−Ａ′断面図、下図はそのＢ−Ｂ′断面図を示してい
る。第3a図中、10′はｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜２
内に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域であり、第３の
ダイオードアレイを構成している。また第3b図中、10′
は高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板15に形成されたｎ（ｐ）
不純物拡散領域であり、第３のダイオードアレイを構成
している。第3c図中、10′はｐ（ｎ）型Siエピタキシャ
ル膜２内に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域、16′は
同様にｐ（ｎ）型Siエピタキシャル膜２内に形成された
p+（n+）不純物拡散領域であり、第３のダイオードアレ
イを構成している。第3d図中、10′は高抵抗ｐ（ｎ）Si
単結晶基板15に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域、1
6′は同様に高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板15に形成され
たp+（n+）不純物拡散領域であり、第３のダイオードア
レイを構成している。
なお、第3a図〜第3d図で示したゲート電極７′は無くて
も動作可能である。
も動作可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、基準信号源として
機能する第３のPNダイオードアレイを設けているので、
ノイズの影響が低減され、バイアス制御回路の誤動作を
防止できる。
機能する第３のPNダイオードアレイを設けているので、
ノイズの影響が低減され、バイアス制御回路の誤動作を
防止できる。
第１図及び第２図は夫々本発明の実施例を示す概略図、
第3a図乃至第3d図は夫々本発明のSAW素子実施態様を示
す概略図、第４図及び第５図は先願発明に用いられるSA
W素子の概略図、第６図は上記SAW素子における入力信号
モニター端子の電圧と入力電力の関係を示す図、第７図
は先願発明の狭帯域干渉抑圧フィルタのシステム構成例
を示すブロック図、第８図は該システムの信号処理の流
れを示す図、第９図は第７図のシステムを用いたDS−SS
システムの受信部の一部を示すブロック図、第10図及び
第11図は夫々第４図及び第５図の素子の変形例を示す概
略図である。 １……P+（n+）Si単結晶基板、２……Ｐ（ｎ）型Siエピ
タキシャル膜層、３……シリコン酸化膜、４……ZnO圧
電薄膜、５……入力トランスデューサ、６……出力トラ
ンスデューサ、7,7′……ゲート電極、８……高濃度不
純物領域、９……n+（P+）不純物拡散領域（第１のPNダ
イオードアレイ）、10,10′……ｎ（ｐ）不純物拡散領
域（第２のPNダイオードアレイ）、11……抵抗、12……
DC電源、13……入力信号モニター端子、14……バイアス
制御端子、15……高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板、16,1
6′……p+（n+）不純物拡散領域、、20……第２のPNダ
イオードアレイ群、20′……第３のPNダイオードアレ
イ、22……比較回路。
第3a図乃至第3d図は夫々本発明のSAW素子実施態様を示
す概略図、第４図及び第５図は先願発明に用いられるSA
W素子の概略図、第６図は上記SAW素子における入力信号
モニター端子の電圧と入力電力の関係を示す図、第７図
は先願発明の狭帯域干渉抑圧フィルタのシステム構成例
を示すブロック図、第８図は該システムの信号処理の流
れを示す図、第９図は第７図のシステムを用いたDS−SS
システムの受信部の一部を示すブロック図、第10図及び
第11図は夫々第４図及び第５図の素子の変形例を示す概
略図である。 １……P+（n+）Si単結晶基板、２……Ｐ（ｎ）型Siエピ
タキシャル膜層、３……シリコン酸化膜、４……ZnO圧
電薄膜、５……入力トランスデューサ、６……出力トラ
ンスデューサ、7,7′……ゲート電極、８……高濃度不
純物領域、９……n+（P+）不純物拡散領域（第１のPNダ
イオードアレイ）、10,10′……ｎ（ｐ）不純物拡散領
域（第２のPNダイオードアレイ）、11……抵抗、12……
DC電源、13……入力信号モニター端子、14……バイアス
制御端子、15……高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板、16,1
6′……p+（n+）不純物拡散領域、、20……第２のPNダ
イオードアレイ群、20′……第３のPNダイオードアレ
イ、22……比較回路。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｚ 7259−5Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン基板と圧電体とから成る積層体
と、 上記圧電体に接して形成され、入力信号を周波数分類し
弾性表面波の複数の伝播路を発生させる入力トランスデ
ューサと、 上記圧電体に接して形成され、上記各伝播路に伝播され
た弾性表面波から出力信号を得る出力トランスデューサ
と、 上記各伝播路上に夫々対応する上記圧電体上に形成され
たゲート電極群と、 上記シリコン基体表面部であって、各入出力トランスデ
ューサに挟まれた区域に夫々形成された第１のPNダイオ
ードアレイ群と、 上記シリコン基体表面部であって、各入力トランスデュ
ーサに対し、上記各第１のPNダイオードアレイ群の反対
側に夫々形成された第２のPNダイオードアレイ群と、 上記第２のPNダイオードアレイ群と略同一形状であって
弾性表面波の伝播路から外れた位置に形成された第３の
PNダイオードアレイと、 上記第２及び第３のPNダイオードアレイから夫々独立に
引き出された検出用端子と、 上記第１のPNダイオードアレイから夫々独立に引き出さ
れたバイアス用印加端子と、 を備えたことを特徴とする狭帯域干渉信号の除去装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337839A JPH0775330B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 狭帯域干渉信号の除去装置 |
| US07/521,142 US5196720A (en) | 1989-05-15 | 1990-05-08 | Narrow band interference signal removing device |
| GB9010364A GB2235105B (en) | 1989-05-15 | 1990-05-09 | Narrow band interference signal removing device |
| FR9006001A FR2650925A1 (fr) | 1989-05-15 | 1990-05-14 | Dispositif d'elimination de signaux d'interference sur bande etroite |
| DE4015620A DE4015620A1 (de) | 1989-05-15 | 1990-05-15 | Vorrichtung zum beseitigen von schmalband-stoersignalen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337839A JPH0775330B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 狭帯域干渉信号の除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03198444A JPH03198444A (ja) | 1991-08-29 |
| JPH0775330B2 true JPH0775330B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18312460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337839A Expired - Lifetime JPH0775330B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-12-26 | 狭帯域干渉信号の除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775330B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1337839A patent/JPH0775330B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03198444A (ja) | 1991-08-29 |
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