JPH0776412B2 - 回路基板の電極処理方法 - Google Patents
回路基板の電極処理方法Info
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- JPH0776412B2 JPH0776412B2 JP61172085A JP17208586A JPH0776412B2 JP H0776412 B2 JPH0776412 B2 JP H0776412B2 JP 61172085 A JP61172085 A JP 61172085A JP 17208586 A JP17208586 A JP 17208586A JP H0776412 B2 JPH0776412 B2 JP H0776412B2
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子機器に使用される回路基板の電極処理方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術 従来、電子機器に使用される回路基板は、一般には第１
図に示すような構造のものが使用されている。ここで、
第１図は例として複合部品の回路基板の斜視図を示して
おり、４は絶縁基板、５はチップ部品のような電子部品
をはんだ付けするランド、６はランド間を接続する導
体、７は端子をはんだ付けするランドであり、これらラ
ンド5,7および導体６は基板４上に設けられている。現
在使用されている第１図のような回路基板においては、
ランド５および７、導体６には大部分が銅箔が使用され
ている。そして最近、はんだ付けの信頼性を向上させる
ため、上記銅箔の上にはんだなどの低融点金属膜を被覆
したものが使用されるようになってきた。この低融点金
属膜を被覆する方法としては、電気メッキ法または化学
メッキ法あるいは溶融低融点金属中に浸漬する方法がと
られ、これらの方法で低融点金属膜を被覆したものは、
その後熱処理を施さずにそのまま使用されている。
図に示すような構造のものが使用されている。ここで、
第１図は例として複合部品の回路基板の斜視図を示して
おり、４は絶縁基板、５はチップ部品のような電子部品
をはんだ付けするランド、６はランド間を接続する導
体、７は端子をはんだ付けするランドであり、これらラ
ンド5,7および導体６は基板４上に設けられている。現
在使用されている第１図のような回路基板においては、
ランド５および７、導体６には大部分が銅箔が使用され
ている。そして最近、はんだ付けの信頼性を向上させる
ため、上記銅箔の上にはんだなどの低融点金属膜を被覆
したものが使用されるようになってきた。この低融点金
属膜を被覆する方法としては、電気メッキ法または化学
メッキ法あるいは溶融低融点金属中に浸漬する方法がと
られ、これらの方法で低融点金属膜を被覆したものは、
その後熱処理を施さずにそのまま使用されている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このように第１図に示すような回路基板
の銅箔上に低融点金属膜処理を行う場合、電気メッキ法
または化学メッキ法で低融点金属膜を被覆する方法で
は、各メッキ後一定期間内ではんだ付けを行う時には、
はんだの濡れ性もよく、はんだ付けもきれいにできる
が、低融点金属膜に熱処理を施していないため、それら
のメッキ方法での低融点金属膜表面は粗面になってお
り、表面積が非常に大きなものとなっている。このた
め、これらの膜は異物の吸蔵やガス吸着がしやすくな
り、長期間保存した場合には低融点金属膜表面が酸化な
どの化学変化を起こし、電子部品などのはんだ付け時に
はんだ付け不良を発生させる可能性が大であるという問
題点を有している。また、溶融された低融点金属中へ浸
漬する方法では、低融点金属膜の厚みが非常に不均一に
なり、そこにチップ部品などを実装する際に厚すぎるこ
とによって部品装着不良が発生するという致命的な欠点
を有している。
の銅箔上に低融点金属膜処理を行う場合、電気メッキ法
または化学メッキ法で低融点金属膜を被覆する方法で
は、各メッキ後一定期間内ではんだ付けを行う時には、
はんだの濡れ性もよく、はんだ付けもきれいにできる
が、低融点金属膜に熱処理を施していないため、それら
のメッキ方法での低融点金属膜表面は粗面になってお
り、表面積が非常に大きなものとなっている。このた
め、これらの膜は異物の吸蔵やガス吸着がしやすくな
り、長期間保存した場合には低融点金属膜表面が酸化な
どの化学変化を起こし、電子部品などのはんだ付け時に
はんだ付け不良を発生させる可能性が大であるという問
題点を有している。また、溶融された低融点金属中へ浸
漬する方法では、低融点金属膜の厚みが非常に不均一に
なり、そこにチップ部品などを実装する際に厚すぎるこ
とによって部品装着不良が発生するという致命的な欠点
を有している。
なお、表面を平滑なものとするために低融点金属メッキ
膜を光沢メッキで構成した場合には、不純物（有機物）
を含んでいるためにはんだ付け性が悪く、これまた致命
的な欠点を有している。
膜を光沢メッキで構成した場合には、不純物（有機物）
を含んでいるためにはんだ付け性が悪く、これまた致命
的な欠点を有している。
本発明は以上のような問題点を解決するものであり、回
路基板におけるランドなどの銅箔上に、均一な膜厚であ
るとともに表面が平滑で、しかも表面積を小さくして長
期の保存に対してはんだ付けの信頼性を確保することの
できる低融点金属膜を被覆する回路基板の電極処理方法
を提案することを目的とするものである。
路基板におけるランドなどの銅箔上に、均一な膜厚であ
るとともに表面が平滑で、しかも表面積を小さくして長
期の保存に対してはんだ付けの信頼性を確保することの
できる低融点金属膜を被覆する回路基板の電極処理方法
を提案することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 以上のような問題点を解決するために本発明は、縦型に
設置され、かつ上部の一箇所に加熱器を配した筒状容器
にオイルなどの高沸点液体を入れるとともにその容器中
における上記高沸点液体に熱処理金属の融点以上の高温
からその融点以下の低温まで上部から底部へ温度勾配を
もたせ、基板表面に電気メッキまたは化学メッキにて低
融点金属または低融点合金を付着させた回路基板を、上
記容器中における上記高沸点液体の高温部側より低温部
側に移動させ、高温部にて上記基板表面に付着させた低
融点金属または低融点合金を溶融させ、低温部にて冷却
し、溶融物または溶融部を固化させるようにしたもので
ある。また、好ましい実施形態としては、高沸点液体と
して、天然植物系オイル，天然動物系オイル，天然鉱物
系オイル，合成シリコン系オイルまたはグリセリンのい
ずれか１つを用いてなるものである。
設置され、かつ上部の一箇所に加熱器を配した筒状容器
にオイルなどの高沸点液体を入れるとともにその容器中
における上記高沸点液体に熱処理金属の融点以上の高温
からその融点以下の低温まで上部から底部へ温度勾配を
もたせ、基板表面に電気メッキまたは化学メッキにて低
融点金属または低融点合金を付着させた回路基板を、上
記容器中における上記高沸点液体の高温部側より低温部
側に移動させ、高温部にて上記基板表面に付着させた低
融点金属または低融点合金を溶融させ、低温部にて冷却
し、溶融物または溶融部を固化させるようにしたもので
ある。また、好ましい実施形態としては、高沸点液体と
して、天然植物系オイル，天然動物系オイル，天然鉱物
系オイル，合成シリコン系オイルまたはグリセリンのい
ずれか１つを用いてなるものである。
作用 この構成によれば、回路基板の銅箔上などにメッキ法な
どにより被覆させた低融点金属膜は容器中における高沸
点液体の高温部側で溶融され、低温部側で冷却されるた
め、溶融時に表面張力が働き、表面積はメッキ時に比べ
て非常に小さくなっており、しかも表面も平滑になって
保存中に異物の付着やガスの吸着が極端に少ないものと
なる。また、フラックスを使用することがないために表
面は酸化されず、溶融時に表面あるいはくぼみの内部に
吸着，吸蔵していた異物、ガス類も放出されるので、表
面の低融点金属膜自体も不純物を含まない清潔でしかも
平滑な膜になり、はんだ濡れ性およびはんだ付け信頼性
の向上につながることとなる。さらに、熱処理として
は、高沸点液体中を回路基板が高温部側より低温部側に
移動するだけであり、複雑な設備を使用することなく、
簡単に実施することができ、量産性が高いものとなる。
どにより被覆させた低融点金属膜は容器中における高沸
点液体の高温部側で溶融され、低温部側で冷却されるた
め、溶融時に表面張力が働き、表面積はメッキ時に比べ
て非常に小さくなっており、しかも表面も平滑になって
保存中に異物の付着やガスの吸着が極端に少ないものと
なる。また、フラックスを使用することがないために表
面は酸化されず、溶融時に表面あるいはくぼみの内部に
吸着，吸蔵していた異物、ガス類も放出されるので、表
面の低融点金属膜自体も不純物を含まない清潔でしかも
平滑な膜になり、はんだ濡れ性およびはんだ付け信頼性
の向上につながることとなる。さらに、熱処理として
は、高沸点液体中を回路基板が高温部側より低温部側に
移動するだけであり、複雑な設備を使用することなく、
簡単に実施することができ、量産性が高いものとなる。
実施例 本発明者らは、回路基板の電極処理方法を開発するにあ
たり、以下のような検討実験を行った。
たり、以下のような検討実験を行った。
第２図は低融点金属球体を作るための熱処理方法を実施
するための装置の一例を示す概略構成図である。第２図
において、14は第３図の３で示したような低融点金属ペ
レットであるはんだペレット、15は例えば長さ約160cm,
内径約9cmのガラス製の筒状容器で、縦型に設置されて
いる。16はこの容器15中に入れられた天然植物系オイル
であるやし油、17は上記筒状容器15の上部外周に設けら
れたマントルヒータなどの加熱器、18は上記筒状容器15
の上面開口部より上記はんだペレット14を筒状容器15内
に投入するためのパーツフィーダである。
するための装置の一例を示す概略構成図である。第２図
において、14は第３図の３で示したような低融点金属ペ
レットであるはんだペレット、15は例えば長さ約160cm,
内径約9cmのガラス製の筒状容器で、縦型に設置されて
いる。16はこの容器15中に入れられた天然植物系オイル
であるやし油、17は上記筒状容器15の上部外周に設けら
れたマントルヒータなどの加熱器、18は上記筒状容器15
の上面開口部より上記はんだペレット14を筒状容器15内
に投入するためのパーツフィーダである。
次に、この第２図の装置を用いて、はんだ球を作る熱処
理方法について説明する。まず、加熱器18でガラス製の
筒状容器15の上部を250〜280℃に加熱する。この時、筒
状容器15の内部のやし油16が250〜280℃に加熱される。
この加熱されたやし油16は比重が小になり、下部の比重
が大である低温部へは対流せずに上部のみで対流を起こ
す。そのために筒状容器15内におけるやし油16にその最
上部より下部へ向って高温状態から低温状態となる温度
勾配ができ、底部側は常温を保つことができる。上記よ
うな準備の整ったところへ、やし油16の液面上方より筒
状容器15内にパーツフィーダ18からはんだペレット14を
投入する。ここで、この実施例で使用したはんだペレッ
ト14はSn:Pb＝60:40の厚み0.6mm,直径2mmのものであ
り、融点は180〜190℃である。そして、上記仕様のはん
だペレット14をパーツフィーダ18を使い、250個／分の
速度で加熱されたやし油16面に落下投入する。これによ
り、はんだペレット14はやし油16面に当り、やし油16中
を落下していく。この時、やし油16とはんだペレット14
の摩擦のために、はんだペレット14は個々に分離された
状態で落下し、250〜280℃に加熱された高温部ではんだ
ペレット14が溶融物19となり、はんだ自体の表面張力と
やし油16の周囲よりの均一な圧力および高粘度のために
球状になり、温度勾配の付いている低温部に落下してい
き、やし油16の温度がおよそ180℃になった部分を通過
した時点より溶融部が固化され、表面が滑らかな直径約
1.53mmの真円に近いはんだ球20が筒状容器15の底部に溜
まる。この時、筒状容器15の底部は常温であるので、は
んだ球20どうしが接触してもくっつく心配はない。ここ
で、はんだ球20の取出し方法については、例えばやし油
16の高温部のものを抜出し、ペレット投入口より取出す
か、または筒状容器15の底部に栓を付けておき、その栓
を開くことによりやし油16とともに取出すなどの方法が
考えられる。このようにして、はんだ球20の生産が行わ
れる。
理方法について説明する。まず、加熱器18でガラス製の
筒状容器15の上部を250〜280℃に加熱する。この時、筒
状容器15の内部のやし油16が250〜280℃に加熱される。
この加熱されたやし油16は比重が小になり、下部の比重
が大である低温部へは対流せずに上部のみで対流を起こ
す。そのために筒状容器15内におけるやし油16にその最
上部より下部へ向って高温状態から低温状態となる温度
勾配ができ、底部側は常温を保つことができる。上記よ
うな準備の整ったところへ、やし油16の液面上方より筒
状容器15内にパーツフィーダ18からはんだペレット14を
投入する。ここで、この実施例で使用したはんだペレッ
ト14はSn:Pb＝60:40の厚み0.6mm,直径2mmのものであ
り、融点は180〜190℃である。そして、上記仕様のはん
だペレット14をパーツフィーダ18を使い、250個／分の
速度で加熱されたやし油16面に落下投入する。これによ
り、はんだペレット14はやし油16面に当り、やし油16中
を落下していく。この時、やし油16とはんだペレット14
の摩擦のために、はんだペレット14は個々に分離された
状態で落下し、250〜280℃に加熱された高温部ではんだ
ペレット14が溶融物19となり、はんだ自体の表面張力と
やし油16の周囲よりの均一な圧力および高粘度のために
球状になり、温度勾配の付いている低温部に落下してい
き、やし油16の温度がおよそ180℃になった部分を通過
した時点より溶融部が固化され、表面が滑らかな直径約
1.53mmの真円に近いはんだ球20が筒状容器15の底部に溜
まる。この時、筒状容器15の底部は常温であるので、は
んだ球20どうしが接触してもくっつく心配はない。ここ
で、はんだ球20の取出し方法については、例えばやし油
16の高温部のものを抜出し、ペレット投入口より取出す
か、または筒状容器15の底部に栓を付けておき、その栓
を開くことによりやし油16とともに取出すなどの方法が
考えられる。このようにして、はんだ球20の生産が行わ
れる。
ここで、上記検討実験においては、高沸点液体として天
然植物系オイルであるやし油を使用した場合について説
明したが、これはその他に天然動物系オイル，天然鉱物
系オイル，合成シリコン系オイル、またはグリセリンな
どのフラックスの作用を有した材料が同様の効果をもつ
ものとして使えるものであり、さらにはこれらの材料に
とどまらず、低融点金属の融点よりも高い沸点を有する
高沸点液体であれば使用可能なものである。
然植物系オイルであるやし油を使用した場合について説
明したが、これはその他に天然動物系オイル，天然鉱物
系オイル，合成シリコン系オイル、またはグリセリンな
どのフラックスの作用を有した材料が同様の効果をもつ
ものとして使えるものであり、さらにはこれらの材料に
とどまらず、低融点金属の融点よりも高い沸点を有する
高沸点液体であれば使用可能なものである。
しかし、本発明者らの検討実験では、高沸点液体として
は、天然植物系オイルであるやし油が、無公害，沸点，
比重，粘度，フラックス性などの項目につき総合的に評
価すると、本発明の処理方法に最適であることが確認さ
れている。さらに、低融点金属材料としては、上記実施
例のはんだの他に、一般によく知られるスズや、さらに
は鉛などが使用可能なものである。
は、天然植物系オイルであるやし油が、無公害，沸点，
比重，粘度，フラックス性などの項目につき総合的に評
価すると、本発明の処理方法に最適であることが確認さ
れている。さらに、低融点金属材料としては、上記実施
例のはんだの他に、一般によく知られるスズや、さらに
は鉛などが使用可能なものである。
続いて、以下、本発明の一実施例について説明する。
第１図は複合部品の回路基板の斜視図を示しており、４
は絶縁基板、５はチップ部品のような電子部品をはんだ
付けするランド、６はランド間を接続する導体、７は端
子をはんだ付けするランドであり、これらランド5,7お
よび導体６は基板４上に回路として設けられている。
は絶縁基板、５はチップ部品のような電子部品をはんだ
付けするランド、６はランド間を接続する導体、７は端
子をはんだ付けするランドであり、これらランド5,7お
よび導体６は基板４上に回路として設けられている。
第１図に示すような回路基板で、回路として約30μｍ銅
箔とその銅箔上に電気メッキにて付着させた約10μｍの
Sn:Pb＝60:40のはんだ被覆膜を有した複合部品用の回路
基板を上記の検討におけるものと同じ筒状容器15を使
い、他の条件も上記同様にセットし、筒状容器15内のや
し油16の液面上方より１枚/5秒の速度で投入したとこ
ろ、やし油16の上方高温部にて銅箔上の電気メッキで付
着させたはんだ膜が溶融し、下方低温部にて固化した上
記複合部品用の回路基板が筒状容器15の底部に溜った。
ここで、これら複合部品用の回路基板の取出しについて
は、上記検討実験に比べて工夫が必要であるが、基本的
には同様な方法で取出しを行うことができる。そして、
上記高温やし油を抜き取り、取出したもののはんだ膜面
を顕微鏡にて観察すると、表面はメッキ膜そのままで
は、凹凸の激しい粗面で非常に表面積の大なる膜である
が、上記実施例の方法で熱処理したものは、はんだ膜の
表面は一度溶融させたものであるため、表面は非常に平
滑で、表面積の小さい膜になっている。また、膜厚は電
気メッキ膜のため均一な膜厚を保持していることが確認
された。
箔とその銅箔上に電気メッキにて付着させた約10μｍの
Sn:Pb＝60:40のはんだ被覆膜を有した複合部品用の回路
基板を上記の検討におけるものと同じ筒状容器15を使
い、他の条件も上記同様にセットし、筒状容器15内のや
し油16の液面上方より１枚/5秒の速度で投入したとこ
ろ、やし油16の上方高温部にて銅箔上の電気メッキで付
着させたはんだ膜が溶融し、下方低温部にて固化した上
記複合部品用の回路基板が筒状容器15の底部に溜った。
ここで、これら複合部品用の回路基板の取出しについて
は、上記検討実験に比べて工夫が必要であるが、基本的
には同様な方法で取出しを行うことができる。そして、
上記高温やし油を抜き取り、取出したもののはんだ膜面
を顕微鏡にて観察すると、表面はメッキ膜そのままで
は、凹凸の激しい粗面で非常に表面積の大なる膜である
が、上記実施例の方法で熱処理したものは、はんだ膜の
表面は一度溶融させたものであるため、表面は非常に平
滑で、表面積の小さい膜になっている。また、膜厚は電
気メッキ膜のため均一な膜厚を保持していることが確認
された。
発明の効果 以上のように本発明における基板表面に低融点金属被覆
を処したランドや導体を形成した回路基板の電極処理方
法は構成されているものであり、数多くの特徴を有して
いる。まず、低融点金属が容器中における高沸点液体の
高温部側で溶融され、低温部側で冷却されるため、溶融
時に表面張力が働き、表面積が小さくなり、しかも表面
も平滑になって保存中に異物の付着やガスの吸着が極端
に少ないものとなる。また、表面あるいはくぼみの内部
に吸着，吸蔵していた異物、ガス類も放出されるので、
不純物の少ない清潔な膜になり、回路基板としてのはん
だ濡れ性およびはんだ付け性のよいランドや導体が得ら
れる。そして、熱処理としては、高沸点液体中を回路基
板が高温部側より低温部側に移動するだけであり、複雑
な設備を使用することなく、簡単にして実施することが
できる。また回路基板の低融点金属が液体と接触してい
るために加熱，冷却が短時間で終了することにより、非
常に熱処理効率の高いものとなる。さらに、高沸点液体
中にて溶融，冷却が行われ、空気と触れる機会がないの
で、溶融時はでも低融点金属表面が酸化される心配がな
く、不純物を含まない清潔で平滑な状態が保たれるもの
である。また、液体中で溶融処理を行うということは、
空気と比較して回路基板の低融点金属と接触している高
沸点液体の比重が大で、しかも粘度が大であるため、周
囲より溶融した金属に圧力をかけることになり、溶融金
属表面状態が波打たずに平滑な面になり、低融点金属膜
は厚みも均一なものができ、チップ部品などの実装が確
実に行え、マンハッタン現象等の実装不良を防ぐことが
できる。なお、高沸点液体として天然植物系オイルなど
のオイルやグリセリンといったフラックスの作用を有し
た液体を使用することにより、フラックスは不要とな
り、そのために設備は簡素化されるとともに処理済の回
路基板の洗浄も非常に容易なものとなる。特に、天然植
物系オイルであるやし油を使用した時には、上述したよ
うに無公害，比重，粘度，フラックス性などの全ての面
で良好な結果が得られることになる。
を処したランドや導体を形成した回路基板の電極処理方
法は構成されているものであり、数多くの特徴を有して
いる。まず、低融点金属が容器中における高沸点液体の
高温部側で溶融され、低温部側で冷却されるため、溶融
時に表面張力が働き、表面積が小さくなり、しかも表面
も平滑になって保存中に異物の付着やガスの吸着が極端
に少ないものとなる。また、表面あるいはくぼみの内部
に吸着，吸蔵していた異物、ガス類も放出されるので、
不純物の少ない清潔な膜になり、回路基板としてのはん
だ濡れ性およびはんだ付け性のよいランドや導体が得ら
れる。そして、熱処理としては、高沸点液体中を回路基
板が高温部側より低温部側に移動するだけであり、複雑
な設備を使用することなく、簡単にして実施することが
できる。また回路基板の低融点金属が液体と接触してい
るために加熱，冷却が短時間で終了することにより、非
常に熱処理効率の高いものとなる。さらに、高沸点液体
中にて溶融，冷却が行われ、空気と触れる機会がないの
で、溶融時はでも低融点金属表面が酸化される心配がな
く、不純物を含まない清潔で平滑な状態が保たれるもの
である。また、液体中で溶融処理を行うということは、
空気と比較して回路基板の低融点金属と接触している高
沸点液体の比重が大で、しかも粘度が大であるため、周
囲より溶融した金属に圧力をかけることになり、溶融金
属表面状態が波打たずに平滑な面になり、低融点金属膜
は厚みも均一なものができ、チップ部品などの実装が確
実に行え、マンハッタン現象等の実装不良を防ぐことが
できる。なお、高沸点液体として天然植物系オイルなど
のオイルやグリセリンといったフラックスの作用を有し
た液体を使用することにより、フラックスは不要とな
り、そのために設備は簡素化されるとともに処理済の回
路基板の洗浄も非常に容易なものとなる。特に、天然植
物系オイルであるやし油を使用した時には、上述したよ
うに無公害，比重，粘度，フラックス性などの全ての面
で良好な結果が得られることになる。
さらに、本発明の回路基板の電極処理方法の効果を以下
に列挙する。
に列挙する。
フラックスを使用することなく処理できるため、回
路基板の洗浄が容易であり、しかもフラックスの焼付き
がなく、出来上りがきれいである。
路基板の洗浄が容易であり、しかもフラックスの焼付き
がなく、出来上りがきれいである。
熱媒体が高沸点液体のため、温度コントロールも精
度が高く、高沸点液体と回路基板が接触しているため、
熱伝導が早く、溶融および固化の処理が短時間ででき、
しかも溶融処理の信頼性が高い。すなわち、溶融の失敗
がないものとなる。
度が高く、高沸点液体と回路基板が接触しているため、
熱伝導が早く、溶融および固化の処理が短時間ででき、
しかも溶融処理の信頼性が高い。すなわち、溶融の失敗
がないものとなる。
高沸点液体の種類または比重を選ぶことにより、回
路基板の液体中の通過時間を変えることができる。ま
た、高沸点液体の温度勾配を変えることにより、比重が
変化するので、回路基板の液体中の通過時間を同じく変
えることができる。これにより、回路基板の種類あるい
は寸法が変わっても容易に対処することができる。
路基板の液体中の通過時間を変えることができる。ま
た、高沸点液体の温度勾配を変えることにより、比重が
変化するので、回路基板の液体中の通過時間を同じく変
えることができる。これにより、回路基板の種類あるい
は寸法が変わっても容易に対処することができる。
機械的に動く装置部分が全くないので、設備の故障
が皆無といってよく、稼動率が飛躍的に向上する。
が皆無といってよく、稼動率が飛躍的に向上する。
第１図は本発明の一実施例および従来例における回路基
板の斜視図、第２図は同実施例における回路基板の電極
処理を実施するための装置を示す概略構成図、第３図は
低融点金属球体を作るための治具を示す概略構成図であ
る。 ４……絶縁基板、５……ランド、６……導体、７……ラ
ンド。
板の斜視図、第２図は同実施例における回路基板の電極
処理を実施するための装置を示す概略構成図、第３図は
低融点金属球体を作るための治具を示す概略構成図であ
る。 ４……絶縁基板、５……ランド、６……導体、７……ラ
ンド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 伊佐見 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 平岡 勇 東京都秋川市油平２番地１ (72)発明者 平山 浩士 東京都多摩郡羽村町神明台３丁目２番地２ 号
Claims (4)
- 【請求項１】縦型に設置され、かつ上部の一箇所に加熱
器を配した筒状容器にオイルなどの高沸点液体を入れる
とともにその容器中における上記高沸点液体に熱処理金
属の融点以上の高温からその融点以下の低温まで上部か
ら底部へ温度勾配をもたせ、基板表面に電気メッキまた
は化学メッキにて低融点金属または低融点合金を付着さ
せた回路基板を、上記容器内における上記高沸点液体の
高温部側より低温部側に移動させ、高温部にて上記基板
表面に付着させた低融点金属または低融点合金を溶融さ
せ、低温部にて冷却し、溶融物または溶融部を固化させ
るようにした回路基板の電極処理方法。 - 【請求項２】高沸点液体として、天然植物系オイル，天
然動物系オイル，天然鉱物系オイル，合成シリコン系オ
イルまたはグリセリンのいずれか１つを用いてなる特許
請求の範囲第１項記載の回路基板の電極処理方法。 - 【請求項３】低融点金属にスズまたは鉛を用いてなる特
許請求の範囲第１項記載の回路基板の電極処理方法。 - 【請求項４】低融点合金にはんだを用いてなる特許請求
の範囲第１項記載の回路基板の電極処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172085A JPH0776412B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 回路基板の電極処理方法 |
| US07/145,403 US4842654A (en) | 1986-07-22 | 1988-01-19 | Method of heat treatment of low melting-point metal on an electrode of a chip part |
| DE8888100804T DE3874878T2 (de) | 1986-07-22 | 1988-01-20 | Verfahren zur waermebehandlung von niedrigschmelzendem metall. |
| EP88100804A EP0325660B1 (en) | 1986-07-22 | 1988-01-20 | Method of heat treatment of low melting -point metal |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172085A JPH0776412B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 回路基板の電極処理方法 |
| EP88100804A EP0325660B1 (en) | 1986-07-22 | 1988-01-20 | Method of heat treatment of low melting -point metal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328851A JPS6328851A (ja) | 1988-02-06 |
| JPH0776412B2 true JPH0776412B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=39682678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172085A Expired - Lifetime JPH0776412B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 回路基板の電極処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842654A (ja) |
| EP (1) | EP0325660B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0776412B2 (ja) |
| DE (1) | DE3874878T2 (ja) |
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| US5761779A (en) * | 1989-12-07 | 1998-06-09 | Nippon Steel Corporation | Method of producing fine metal spheres of uniform size |
| EP0515999B1 (en) * | 1991-05-22 | 1997-07-30 | PLATA Ltd. Co. | A containerless processing method for materials under a state of compensated-gravitation and an apparatus therefor |
| FR2688727B1 (fr) * | 1992-03-19 | 1996-03-15 | Fujitsu Ltd | Procedes pour rendre spherique une particule metallique et pour eliminer un film d'oxyde, pate a souder et procede de soudure. |
| US5653783A (en) * | 1994-01-20 | 1997-08-05 | Nippon Steel Corporation | Method of producing fine metal balls |
| JP3142232B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2001-03-07 | 釜屋電機株式会社 | 低抵抗のチップ形抵抗器、及び該抵抗器の製造方法 |
| JP6273608B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2018-02-07 | 株式会社流機エンジニアリング | 低融点合金の回収方法 |
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| CA662957A (en) * | 1963-05-14 | H. Turner Gordon | Method for producing metal spheres | |
| US2952868A (en) * | 1958-03-07 | 1960-09-20 | Indium Corp America | Manufacture of indium spheres |
| GB904211A (en) * | 1958-12-10 | 1962-08-22 | Mullard Ltd | Improvements in and relating to methods of manufacturing pellets |
| US3019485A (en) * | 1960-01-11 | 1962-02-06 | Accurate Specialties Inc | Method of producing metal spheres |
| US3063099A (en) * | 1961-01-16 | 1962-11-13 | Cons Mining & Smelting Co | Method for producing metal spheres |
| GB925128A (en) * | 1961-10-02 | 1963-05-01 | Cons Mining & Smelting Co | Method of producing metal spheres |
| US3708560A (en) * | 1971-07-12 | 1973-01-02 | Standard Oil Co | Hydraulic fracturing proppant composition and method for forming such proppants |
| GB1536772A (en) * | 1977-04-06 | 1978-12-20 | Nevin Electric Ltd | Selectively solder-plated printed circuit boards |
| JPS5684401A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of spherical metal grain |
| DE3104419C2 (de) * | 1981-02-09 | 1983-06-09 | Draloric Electronic GmbH, 8672 Selb | Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen |
| DE3328342C3 (de) * | 1983-07-01 | 1999-03-18 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Einlöten von Chipbauelementen auf Leiterplatten |
| US4566624A (en) * | 1983-12-16 | 1986-01-28 | Hollis Automation, Inc. | Mass wave soldering system |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP61172085A patent/JPH0776412B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-19 US US07/145,403 patent/US4842654A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-20 EP EP88100804A patent/EP0325660B1/en not_active Expired
- 1988-01-20 DE DE8888100804T patent/DE3874878T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3874878T2 (de) | 1993-02-04 |
| US4842654A (en) | 1989-06-27 |
| EP0325660B1 (en) | 1992-09-23 |
| JPS6328851A (ja) | 1988-02-06 |
| EP0325660A1 (en) | 1989-08-02 |
| DE3874878D1 (de) | 1992-10-29 |
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