JPH0776673B2 - イメージ加熱装置 - Google Patents
イメージ加熱装置Info
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- JPH0776673B2 JPH0776673B2 JP2335279A JP33527990A JPH0776673B2 JP H0776673 B2 JPH0776673 B2 JP H0776673B2 JP 2335279 A JP2335279 A JP 2335279A JP 33527990 A JP33527990 A JP 33527990A JP H0776673 B2 JPH0776673 B2 JP H0776673B2
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- JP
- Japan
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- lamp
- sample
- plasma lamp
- ellipsoidal mirror
- light
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/044—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by a separate microwave unit
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は，例えば半導体材料などの結晶成長に使用さ
れるイメージ炉のイメージ加熱装置の改良に関するもの
である。
れるイメージ炉のイメージ加熱装置の改良に関するもの
である。
［従来の技術］ 第17図は例えば固体物理VOL14,No,10,1979,633頁から64
0頁に示された従来のイメージ加熱装置を示す断面図で
ある。図において，（１）は楕円体の反斜面を内側に有
する楕円体鏡，（11）は楕円体鏡（１）の第１の焦点位
置に設置され光（９）を発光するハロゲンやキセノンラ
ンプ等の光源，（12）はこの光源（11）に電力を供給す
るためワイヤ（13）経由接続された電源，（８）は楕円
体鏡（１）の第２焦点に置かれた試料である。
0頁に示された従来のイメージ加熱装置を示す断面図で
ある。図において，（１）は楕円体の反斜面を内側に有
する楕円体鏡，（11）は楕円体鏡（１）の第１の焦点位
置に設置され光（９）を発光するハロゲンやキセノンラ
ンプ等の光源，（12）はこの光源（11）に電力を供給す
るためワイヤ（13）経由接続された電源，（８）は楕円
体鏡（１）の第２焦点に置かれた試料である。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のイメージ加熱装置は以上のように構成されていた
ので，光源から発光した光は楕円体鏡（１）で反射した
試料（８）の表面に集光する。従って試料（８）の温度
を上昇させ溶融して結晶の製作を行なうことをが出来
る。
ので，光源から発光した光は楕円体鏡（１）で反射した
試料（８）の表面に集光する。従って試料（８）の温度
を上昇させ溶融して結晶の製作を行なうことをが出来
る。
ところが，光源にハロゲンランプやキセノンランプ等の
電極を持つランプを使うとランプの寿命がハロゲンの場
合，約40時間程度（宇宙用の場合）と非常に短いため予
備のハロゲンランプを多く必要としていた。また，ハロ
ゲンやキセノンランプの場合は直接に光でガラスを融解
することが出来ず，特許公報平１−50837「光照射加熱
方法」において提案されているように光を照射して光吸
収性伝熱材の温度を上げ，この伝熱材の輻射で試料の加
熱を行っている。また，白金の金網の中にガラスを入れ
てイメージ加熱を行なっている実施例もある。
電極を持つランプを使うとランプの寿命がハロゲンの場
合，約40時間程度（宇宙用の場合）と非常に短いため予
備のハロゲンランプを多く必要としていた。また，ハロ
ゲンやキセノンランプの場合は直接に光でガラスを融解
することが出来ず，特許公報平１−50837「光照射加熱
方法」において提案されているように光を照射して光吸
収性伝熱材の温度を上げ，この伝熱材の輻射で試料の加
熱を行っている。また，白金の金網の中にガラスを入れ
てイメージ加熱を行なっている実施例もある。
しかし，このような方法では伝熱材や白金の金網などの
成分が飛んで試料に付着し結晶の品質を低下する事が知
られている。
成分が飛んで試料に付着し結晶の品質を低下する事が知
られている。
このことは例えば光学材料として重要なYIGルビー,YAG
および赤外線ファイバ等の材料の処理において大きな障
害となっていた。
および赤外線ファイバ等の材料の処理において大きな障
害となっていた。
さらに，ハロゲンランプの光源の発光領域が5mm程度と
小さいので試料の表面で小さな像を結ぶ，このため温度
勾配がきつくなって試料（８）にクラックが入るいわゆ
るスリップラインと呼ばれる損傷が発生する。（特許公
報昭62−7474,3ページ参照）このため試料の加熱領域を
広く，均一にし温度分布を最適なものに調節する必要が
ある。この調節は楕円体鏡の一部を移動して焦点をぼか
して調節したりアフターヒーターを取り付け，試料を回
転するなどしてこの問題に対応していた。（公開特許公
報 昭63−223487参照）しかし，これらの機構を取り付
けることは非常に炉の操作性を悪くし，装置の構成を複
雑にし性能を損なう原因となっている。さらに試料の回
転は溶融した試料の振動を生じ結晶成長できる試料の直
径に制約を与える原因となっていた。また，回転によっ
て溶融部の溶液の攪拌を行い成分の偏析を防止してい
る。しかし,100RPMもの高速回転を与えると半径方向の
遠心力が大きくなり宇宙における材料実験の障害とな
る。宇宙の微小重力実験においては拡散による均一な結
晶成長を目標とするので攪拌は不要となるからである。
また，気泡が結晶の内側に遠心力の作用で入り込んでし
まい絶対に外へでてこないという重大な問題が生ずる。
現在のところまだこの問題は世界的に解決されておらず
シャトルの宇宙実験などにおけるイメージ炉は試料を高
速回転して均一加熱する方式をとっており微小重力の効
果が十分に発揮できない事が心配される。
小さいので試料の表面で小さな像を結ぶ，このため温度
勾配がきつくなって試料（８）にクラックが入るいわゆ
るスリップラインと呼ばれる損傷が発生する。（特許公
報昭62−7474,3ページ参照）このため試料の加熱領域を
広く，均一にし温度分布を最適なものに調節する必要が
ある。この調節は楕円体鏡の一部を移動して焦点をぼか
して調節したりアフターヒーターを取り付け，試料を回
転するなどしてこの問題に対応していた。（公開特許公
報 昭63−223487参照）しかし，これらの機構を取り付
けることは非常に炉の操作性を悪くし，装置の構成を複
雑にし性能を損なう原因となっている。さらに試料の回
転は溶融した試料の振動を生じ結晶成長できる試料の直
径に制約を与える原因となっていた。また，回転によっ
て溶融部の溶液の攪拌を行い成分の偏析を防止してい
る。しかし,100RPMもの高速回転を与えると半径方向の
遠心力が大きくなり宇宙における材料実験の障害とな
る。宇宙の微小重力実験においては拡散による均一な結
晶成長を目標とするので攪拌は不要となるからである。
また，気泡が結晶の内側に遠心力の作用で入り込んでし
まい絶対に外へでてこないという重大な問題が生ずる。
現在のところまだこの問題は世界的に解決されておらず
シャトルの宇宙実験などにおけるイメージ炉は試料を高
速回転して均一加熱する方式をとっており微小重力の効
果が十分に発揮できない事が心配される。
また，地上の結晶構造において半径方向の遠心力によっ
て外側に試料の溶融部が膨らんでしまうので表面張力を
弱めてしまうことや，誘導加熱で溶融すると溶融体の幅
を非常に大きく取らなければならず溶融域の体積が大き
くなり，その結果表面張力で支えきれなくなる。
て外側に試料の溶融部が膨らんでしまうので表面張力を
弱めてしまうことや，誘導加熱で溶融すると溶融体の幅
を非常に大きく取らなければならず溶融域の体積が大き
くなり，その結果表面張力で支えきれなくなる。
４インチ以上の直径の端結晶の成長ができないという問
題があった。現在の半導体の生産は４インチ以上の大口
型の結晶を必要としているのでより大きなものを坩堝を
用いない帯域溶融法で製造する事が望まれている。従来
の製造法であるチョクラルスキー法では汚染物質の混入
が問題となるからである。
題があった。現在の半導体の生産は４インチ以上の大口
型の結晶を必要としているのでより大きなものを坩堝を
用いない帯域溶融法で製造する事が望まれている。従来
の製造法であるチョクラルスキー法では汚染物質の混入
が問題となるからである。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり，光源を種々の形状にして試料表面の集光
状況を変化し，光の入射分布を調節しまた試料の全周に
わたり光を入射させ，試料の表面の温度勾配を急峻なも
のにしたり逆に広い分布の光束にして温度分布を緩くす
る事が出来る。また，加熱の波長を選択して吸収帯域の
波長で光透過性材料の融解もできるものである。
たものであり，光源を種々の形状にして試料表面の集光
状況を変化し，光の入射分布を調節しまた試料の全周に
わたり光を入射させ，試料の表面の温度勾配を急峻なも
のにしたり逆に広い分布の光束にして温度分布を緩くす
る事が出来る。また，加熱の波長を選択して吸収帯域の
波長で光透過性材料の融解もできるものである。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るプラズマランプイメージ加熱装置は光源
に石英等の透光性容器内に各種の元素を封入しこの元素
をマイクロ波（2.4GHZ近辺の電子レンジ周波数帯域等）
で加熱しプラズマを容器内に作りその発行を利用するプ
ラズマランプを用いる。
に石英等の透光性容器内に各種の元素を封入しこの元素
をマイクロ波（2.4GHZ近辺の電子レンジ周波数帯域等）
で加熱しプラズマを容器内に作りその発行を利用するプ
ラズマランプを用いる。
また，この発明の別の発明に係わるプラズマランプイメ
ージ加熱装置は発光手段として上記プラズマランプを変
形して円盤状にした円盤型プラズマランプを用いる。
ージ加熱装置は発光手段として上記プラズマランプを変
形して円盤状にした円盤型プラズマランプを用いる。
さらにこの発明の別の発明に係わるプラズマランプイメ
ージ加熱装置は発光手段として円柱型マイクロ波放電ラ
ンプを用いて上記の問題に対応するものである。
ージ加熱装置は発光手段として円柱型マイクロ波放電ラ
ンプを用いて上記の問題に対応するものである。
また，さらにこの発明の別の発明に係わるプラズマラン
プイメージ加熱装置は発光手段として金網を中間に挟ん
だガラス板を球状に形成した空胴共振器の中に上記マイ
クロ波放電ランプを入れたものを用いて上記の問題に対
応するものである。
プイメージ加熱装置は発光手段として金網を中間に挟ん
だガラス板を球状に形成した空胴共振器の中に上記マイ
クロ波放電ランプを入れたものを用いて上記の問題に対
応するものである。
［作用］ この発明における発光手段はプラズマランプの原子スペ
クトルを利用しているためプラズマランプの形状を任意
に変化できる。従って第２焦点における試料表面の光の
分布を任意に出来るから，試料の全周にわたって均一な
所望の温度分布の加熱が行える。従って高速な回転はも
はや不要となるし，溶融域の幅を小さいできるから試料
の直径を大きくできる。
クトルを利用しているためプラズマランプの形状を任意
に変化できる。従って第２焦点における試料表面の光の
分布を任意に出来るから，試料の全周にわたって均一な
所望の温度分布の加熱が行える。従って高速な回転はも
はや不要となるし，溶融域の幅を小さいできるから試料
の直径を大きくできる。
さらに，ランプの発光波長を紫外から赤外まで設定でき
るのでレーザガラス等の吸収帯域でイメージ加熱が可能
となる。従って固溶層の境界を上に凹の形状が作られて
結晶の直径を大きくできる。
るのでレーザガラス等の吸収帯域でイメージ加熱が可能
となる。従って固溶層の境界を上に凹の形状が作られて
結晶の直径を大きくできる。
またこの発明の別の発明における円盤型プラズマランプ
は光源の形状が円盤型であるため第２焦点における光の
分布を円盤型に出来るから，試料の全周にわたって均一
な加熱が行え，急峻な温度勾配を作り溶融帯域を狭くで
きる。従って高速な回転は不要となる。また，溶融域の
幅を小さくできるから試料の直径を大きくできる。
は光源の形状が円盤型であるため第２焦点における光の
分布を円盤型に出来るから，試料の全周にわたって均一
な加熱が行え，急峻な温度勾配を作り溶融帯域を狭くで
きる。従って高速な回転は不要となる。また，溶融域の
幅を小さくできるから試料の直径を大きくできる。
さらに，ランプの発光波長を紫外から赤外まで設定でき
るのでレーザガラス等の吸収帯域でイメージ加熱が可能
となる。従って固溶層の境界を上に凹の形状が作られて
結晶の直径を大きくできる。
るのでレーザガラス等の吸収帯域でイメージ加熱が可能
となる。従って固溶層の境界を上に凹の形状が作られて
結晶の直径を大きくできる。
さらにこの発明の別の発明における円柱型プラズマラン
プは光源の形状が円柱型であるため試料における光の分
布を円柱型に出来るから，試料の全周にわたって均一な
加熱が行えるし，加熱領域の幅を円柱の形状を変化する
事で自由に設定できる。従って試料の温度分布の形を自
由に変化する事が可能となる。また高速な回転は不要
で，溶融域の幅を小さくできるから試料の直径を大きく
でき，試料のスリップラインの発生を防止できる。
プは光源の形状が円柱型であるため試料における光の分
布を円柱型に出来るから，試料の全周にわたって均一な
加熱が行えるし，加熱領域の幅を円柱の形状を変化する
事で自由に設定できる。従って試料の温度分布の形を自
由に変化する事が可能となる。また高速な回転は不要
で，溶融域の幅を小さくできるから試料の直径を大きく
でき，試料のスリップラインの発生を防止できる。
さらに，ランプの発光波長を紫外から赤外まで設定でき
るのでレーザガラス等の吸収帯域でイメージ加熱が可能
となる。従って固溶層の境界を上に凹の形状が作られて
結晶の直径を大きくできる。
るのでレーザガラス等の吸収帯域でイメージ加熱が可能
となる。従って固溶層の境界を上に凹の形状が作られて
結晶の直径を大きくできる。
またさらにこの発明の別の発明は電波遮蔽球の内部にプ
ラズマランプを収納して一体としプラズマランプの交換
保守を容易にしている。
ラズマランプを収納して一体としプラズマランプの交換
保守を容易にしている。
［実施例］ 以下，この発明の一実施例による円盤型プラズマランプ
イメージ加熱装置を図について説明する。
イメージ加熱装置を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による円盤型プラズマラン
プイメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は楕円
体鏡，（2A）はガラスや透光性セラミックで出来た中空
の楕円体である円盤型容器の内部にカリュウム等の元素
を封じ込みマイクロ波加熱でプラズマ発光を行い光
（９）を放出する円盤型プラズマランプであり、このプ
ラズマランプ（2A）は楕円体鏡１の第１焦点に設置され
ている。（３）は熱伝導性の高いセラミックを棒状に加
工して作った支持具，（４）は円盤状の周縁を楕円体鏡
（１）の第１焦点側端部において、楕円体鏡（１）の内
面に接して取り付けられた電波遮蔽板，（５）は楕円体
鏡（１）の端部と電波遮蔽板（４）で形成されたマイク
ロ波の空胴共振器，（６）は楕円体鏡（１）の端部に開
かれた穴に取り付けられる導波管，（７）は導波管
（６）の他端に取り付けられる高周波発振器，（８）は
楕円体鏡（１）の第２の焦点に置かれる棒状の試料，
（14）は導波管（６）と楕円体鏡（１）の接点に開けら
れた窓である。（15）は支持具（３）を固着して楕円体
鏡（１）の端部で回転する回転具であり，電波透過性の
材料で構成される。
プイメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は楕円
体鏡，（2A）はガラスや透光性セラミックで出来た中空
の楕円体である円盤型容器の内部にカリュウム等の元素
を封じ込みマイクロ波加熱でプラズマ発光を行い光
（９）を放出する円盤型プラズマランプであり、このプ
ラズマランプ（2A）は楕円体鏡１の第１焦点に設置され
ている。（３）は熱伝導性の高いセラミックを棒状に加
工して作った支持具，（４）は円盤状の周縁を楕円体鏡
（１）の第１焦点側端部において、楕円体鏡（１）の内
面に接して取り付けられた電波遮蔽板，（５）は楕円体
鏡（１）の端部と電波遮蔽板（４）で形成されたマイク
ロ波の空胴共振器，（６）は楕円体鏡（１）の端部に開
かれた穴に取り付けられる導波管，（７）は導波管
（６）の他端に取り付けられる高周波発振器，（８）は
楕円体鏡（１）の第２の焦点に置かれる棒状の試料，
（14）は導波管（６）と楕円体鏡（１）の接点に開けら
れた窓である。（15）は支持具（３）を固着して楕円体
鏡（１）の端部で回転する回転具であり，電波透過性の
材料で構成される。
また第２図は円盤型プラズマランプ（2A）の付近の構成
を説明する図である。第３図は試料表面の集光状況を示
す図で、試料円周方向に切った断面状の光の分布を示
す。
を説明する図である。第３図は試料表面の集光状況を示
す図で、試料円周方向に切った断面状の光の分布を示
す。
第３図において左側扇形の部分が従来のハロゲンランプ
による分布を示し、中央部分は円盤型プラズマランプ
（MDランプ）による分布を示す。第２図において，空胴
共振器（５）は高周波発振器（７）から2GHz等の高周波
数で数KWのマイクロ波電力が導波管（６）および回転具
（15）経由印加される。空胴共振器（５）に収容された
円盤型プラズマランプ（2A）はプラズマ発光を生じて3K
W程度の強力な光を発する。この光は楕円体鏡（１）の
内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光される。ここ
で試料（８）が高熱となって溶融される。試料（８）を
ゆっくりと回転しながら引き上げて行くと結晶が成長す
る。この場合の試料（８）の側面上の温度分布は第３図
のように直径20mmのプラズマランプを用いることにより
全周に光が回って均一な加熱が可能となる。なお第３図
に示すようにハロゲンランプを用いた場合の光量分布は
全周に光が回らず不均一な分布となる。従って従来のよ
うに高速で回転する必要はなく低速で回転して固定と液
体の境界面を作り，境界面にきれいな層流を作れる程度
の低速回転で結晶成長を行う事ができる。
による分布を示し、中央部分は円盤型プラズマランプ
（MDランプ）による分布を示す。第２図において，空胴
共振器（５）は高周波発振器（７）から2GHz等の高周波
数で数KWのマイクロ波電力が導波管（６）および回転具
（15）経由印加される。空胴共振器（５）に収容された
円盤型プラズマランプ（2A）はプラズマ発光を生じて3K
W程度の強力な光を発する。この光は楕円体鏡（１）の
内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光される。ここ
で試料（８）が高熱となって溶融される。試料（８）を
ゆっくりと回転しながら引き上げて行くと結晶が成長す
る。この場合の試料（８）の側面上の温度分布は第３図
のように直径20mmのプラズマランプを用いることにより
全周に光が回って均一な加熱が可能となる。なお第３図
に示すようにハロゲンランプを用いた場合の光量分布は
全周に光が回らず不均一な分布となる。従って従来のよ
うに高速で回転する必要はなく低速で回転して固定と液
体の境界面を作り，境界面にきれいな層流を作れる程度
の低速回転で結晶成長を行う事ができる。
第４図は円盤型プラズマランプを用いて試料（ここでは
アルミニュウム）の加熱実験を単楕円体イメージ加熱装
置を用いた行なった結果を示すもので，横軸に時間を縦
軸に温度を示す。実験に用いた円盤型プラズマランプは
近赤外の0.76ミクロンの波長で発光するものである。こ
の図からわかるようにアルミニュウムの試料が２分間程
度で660度に達して融解している。この時の円盤型プラ
ズマランプ入力電力は約300Wである。
アルミニュウム）の加熱実験を単楕円体イメージ加熱装
置を用いた行なった結果を示すもので，横軸に時間を縦
軸に温度を示す。実験に用いた円盤型プラズマランプは
近赤外の0.76ミクロンの波長で発光するものである。こ
の図からわかるようにアルミニュウムの試料が２分間程
度で660度に達して融解している。この時の円盤型プラ
ズマランプ入力電力は約300Wである。
また，第５図は解析でタングステン試料の場合の最高到
達温度を求めたものである。この場合はランプの形状寸
法を10,20,30mmの３種類について計算している。このよ
うに，現在市販しているキセノランプを用いた炉に比較
して優れた加熱性能を発揮するものである。
達温度を求めたものである。この場合はランプの形状寸
法を10,20,30mmの３種類について計算している。このよ
うに，現在市販しているキセノランプを用いた炉に比較
して優れた加熱性能を発揮するものである。
これは円盤型プラズマランプ（2A）の発光スペクトラム
は試料（８）の吸光率の最も高い波長，例えば近赤外領
域に集中させる事ができるのでキセノランプ等に比較し
て非常に高い加熱効率を得ることが出来るためである。
は試料（８）の吸光率の最も高い波長，例えば近赤外領
域に集中させる事ができるのでキセノランプ等に比較し
て非常に高い加熱効率を得ることが出来るためである。
次に，他の実施例を第６図に示す。図において（10）は
コップ状の電波遮蔽器であり，第７図のように楕円体鏡
（１）の第１焦点側にコップ状の電波遮蔽器の開放側周
縁部を接触させて空胴共振器（５）を形成し，この背部
に円盤側プラズマランプ（2A）を置き，発光させる。こ
の場合は，空胴共振器（５）の形状が一定だから共振条
件に変化無いので楕円体鏡（１）の形状に関係なくラン
プの最適発光条件を維持できる。
コップ状の電波遮蔽器であり，第７図のように楕円体鏡
（１）の第１焦点側にコップ状の電波遮蔽器の開放側周
縁部を接触させて空胴共振器（５）を形成し，この背部
に円盤側プラズマランプ（2A）を置き，発光させる。こ
の場合は，空胴共振器（５）の形状が一定だから共振条
件に変化無いので楕円体鏡（１）の形状に関係なくラン
プの最適発光条件を維持できる。
次にこの発明の別の発明によるプラズマランプイメージ
加熱装置を図について説明する。
加熱装置を図について説明する。
第８図はこの発明の一実施例によるプラズマランプイメ
ージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は楕円体鏡，
（2B）はガラスや透光性セラミックで出来た中空の円柱
容器の内部にカリュウム等の元素を封じ込みマイクロ波
加熱でパラズマ発光を行い光（９）を放出する円柱型マ
イクロ波放電ランプであり、このランプ（2B）は楕円体
鏡（１）の第１焦点に設置されている。（３）は熱伝導
性の高いセラミックを棒状に加工して作った支持具，
（４）は円盤状の周縁を楕円体鏡（１）の第１焦点側端
部において、楕円体鏡（１）の内面に接して取り付けら
れた電波遮蔽板，（５）は楕円体鏡（１）の端部と電波
遮蔽板（４）で形成された空胴共振器，（６）は楕円体
鏡（１）の端部に開けられた穴に取り付けられる導波
管，（７）は導波管（６）の他端に取り付けられる高周
波発振器，（８）は楕円体鏡（１）の第２焦点に置かれ
る棒状の試料，（14）は導波管（６）と楕円体鏡（１）
の接点に開けられた窓である。
ージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は楕円体鏡，
（2B）はガラスや透光性セラミックで出来た中空の円柱
容器の内部にカリュウム等の元素を封じ込みマイクロ波
加熱でパラズマ発光を行い光（９）を放出する円柱型マ
イクロ波放電ランプであり、このランプ（2B）は楕円体
鏡（１）の第１焦点に設置されている。（３）は熱伝導
性の高いセラミックを棒状に加工して作った支持具，
（４）は円盤状の周縁を楕円体鏡（１）の第１焦点側端
部において、楕円体鏡（１）の内面に接して取り付けら
れた電波遮蔽板，（５）は楕円体鏡（１）の端部と電波
遮蔽板（４）で形成された空胴共振器，（６）は楕円体
鏡（１）の端部に開けられた穴に取り付けられる導波
管，（７）は導波管（６）の他端に取り付けられる高周
波発振器，（８）は楕円体鏡（１）の第２焦点に置かれ
る棒状の試料，（14）は導波管（６）と楕円体鏡（１）
の接点に開けられた窓である。
また第９図は円柱型マイクロ波放電ランプ（2B）の付近
の構成を説明する図である。図において，空胴共振器
（５）の高周波発振器（７）から2GHz等の高周波数で数
KWのマイクロ波電力が導波管（６）経由印加される。空
胴共振器（５）に収納された円柱型マイクロ波放電ラン
プ（2B）はプラズマ発光を生じて強大な光を発する。こ
の光は楕円体鏡（１）の内面で反射し第２焦点の試料
（８）へ円柱状に集光される。ここで試料（８）が高熱
となて溶融される。試料（８）を回転しながらゆっくり
引き上げて行くと結晶が成長する。また，他の実施例を
第10図と第11図に示す。図において（10）は楕円体鏡
（１）の第１焦点側にコップ状の電波遮蔽板の開放側周
縁部を接触させて空胴共振器（５）を形成する。このコ
ップ状の空胴共振器（５）の内部にマイクロ波放電ラン
プ（2B）を置き，発光させる。
の構成を説明する図である。図において，空胴共振器
（５）の高周波発振器（７）から2GHz等の高周波数で数
KWのマイクロ波電力が導波管（６）経由印加される。空
胴共振器（５）に収納された円柱型マイクロ波放電ラン
プ（2B）はプラズマ発光を生じて強大な光を発する。こ
の光は楕円体鏡（１）の内面で反射し第２焦点の試料
（８）へ円柱状に集光される。ここで試料（８）が高熱
となて溶融される。試料（８）を回転しながらゆっくり
引き上げて行くと結晶が成長する。また，他の実施例を
第10図と第11図に示す。図において（10）は楕円体鏡
（１）の第１焦点側にコップ状の電波遮蔽板の開放側周
縁部を接触させて空胴共振器（５）を形成する。このコ
ップ状の空胴共振器（５）の内部にマイクロ波放電ラン
プ（2B）を置き，発光させる。
円柱型マイクロ波放電ランプ（2B）の発光スペクトラム
は試料（８）の吸光率の最も高い波長である近赤外領域
や紫外領域に集中させられるのでキセノンランプやハロ
ゲンランプ等に比較して非常に高い加熱効率を得ること
が出来，またマイクロ波放電ランプの中に封入する元素
の種類を選ぶことで，光の波長を紫外から赤外の領域ま
で選択的に発光できるのでガラスや金属，半導体などの
光学特性の合わせた波長で加熱することが出来る（紫外
線は水銀，近赤外はカリュウムというように元素を変え
たマイクロ波放電ランプを各種用意する）。
は試料（８）の吸光率の最も高い波長である近赤外領域
や紫外領域に集中させられるのでキセノンランプやハロ
ゲンランプ等に比較して非常に高い加熱効率を得ること
が出来，またマイクロ波放電ランプの中に封入する元素
の種類を選ぶことで，光の波長を紫外から赤外の領域ま
で選択的に発光できるのでガラスや金属，半導体などの
光学特性の合わせた波長で加熱することが出来る（紫外
線は水銀，近赤外はカリュウムというように元素を変え
たマイクロ波放電ランプを各種用意する）。
また，円柱型マイクロ波放電ランプの向きを回転させて
試料と直角になるように取り付ければ試料の加熱領域を
狭く出来る。
試料と直角になるように取り付ければ試料の加熱領域を
狭く出来る。
次にさらにこの発明の別の発明の一実施例によりプラズ
マランプイメージ加熱装置を図について説明する。
マランプイメージ加熱装置を図について説明する。
第12図はこの発明の別の発明の一実施例によりプラズマ
ランプイメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は
楕円体の反射面を内側に有する楕円体鏡，（2D）は石英
や透光性セラミックで出来た中空の球の内部にカリュウ
ム等の元素を封じ込みマイクロ波加熱でプラズマランプ
発光を行い近赤外領域（波長は0.76ミクロン近辺が最も
加熱効率が高い。またガラスの場合は紫外領域の波長で
吸収して溶解する。）の光（９）を放出する球形マイク
ロ波放電ランプ，（３）は熱伝導性の高いセラミックを
棒状に加工して作った支持具，（５）は第13図，第14図
に示すように球状の電波遮蔽球（16）をガラス球（19）
の中に挟み込み，口金（18）を電波遮蔽球（16）の一端
に取り付けた空胴共振器，（６）は口金（18）にかん合
部（17）を介して接続される導波管でこの実施例は球型
導波管を用いているが矩形導波管でもよい。（７）は導
波管（６）の他端に取り付けられる高周波発振器でマグ
ネトロン等が使われる。（８）は１個の楕円体鏡（１）
の第２焦点に置かれる試料である。
ランプイメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は
楕円体の反射面を内側に有する楕円体鏡，（2D）は石英
や透光性セラミックで出来た中空の球の内部にカリュウ
ム等の元素を封じ込みマイクロ波加熱でプラズマランプ
発光を行い近赤外領域（波長は0.76ミクロン近辺が最も
加熱効率が高い。またガラスの場合は紫外領域の波長で
吸収して溶解する。）の光（９）を放出する球形マイク
ロ波放電ランプ，（３）は熱伝導性の高いセラミックを
棒状に加工して作った支持具，（５）は第13図，第14図
に示すように球状の電波遮蔽球（16）をガラス球（19）
の中に挟み込み，口金（18）を電波遮蔽球（16）の一端
に取り付けた空胴共振器，（６）は口金（18）にかん合
部（17）を介して接続される導波管でこの実施例は球型
導波管を用いているが矩形導波管でもよい。（７）は導
波管（６）の他端に取り付けられる高周波発振器でマグ
ネトロン等が使われる。（８）は１個の楕円体鏡（１）
の第２焦点に置かれる試料である。
また第13図，第14図は球形マイクロ波放電ランプ（2D）
の構成を説明する図である。図において，空胴共振器
（５）に高周波発振器（７）から2GHz等の高周波数で数
KWのマイクロ波電力が導波管（６）のかん合部（17）経
由印加される。空胴共振器（４）に収納された球形マイ
クロ波放電ランプ（2D）はプラズマ発光を生じて強大な
光を発する（光の強度は従来のキセノンランプやハロゲ
ンランプに比較して同一入力に対して数倍の強度とな
る）。この光は１個または２個,4個等，複数の楕円体鏡
（１）の内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光され
る。ここで試料（８）が高熱となって溶融される。
の構成を説明する図である。図において，空胴共振器
（５）に高周波発振器（７）から2GHz等の高周波数で数
KWのマイクロ波電力が導波管（６）のかん合部（17）経
由印加される。空胴共振器（４）に収納された球形マイ
クロ波放電ランプ（2D）はプラズマ発光を生じて強大な
光を発する（光の強度は従来のキセノンランプやハロゲ
ンランプに比較して同一入力に対して数倍の強度とな
る）。この光は１個または２個,4個等，複数の楕円体鏡
（１）の内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光され
る。ここで試料（８）が高熱となって溶融される。
試料（８）を回転しながら紙面垂直方向へゆっくり引き
上げて行くと結晶が成長する。
上げて行くと結晶が成長する。
また他の実施例を第15図，第16図に示す。図において，
（20）は口金（18）の近辺で空胴共振器（５）の内部を
密閉する密閉板で，電波透過性のセラミック板などで形
成される。（21）は空胴共振器（５）の内部に充填され
たヘリウム等の不活性ガスである。
（20）は口金（18）の近辺で空胴共振器（５）の内部を
密閉する密閉板で，電波透過性のセラミック板などで形
成される。（21）は空胴共振器（５）の内部に充填され
たヘリウム等の不活性ガスである。
このように別の実施例では構成されるので，マイクロ波
放電ランプ（2D）の発熱をガス（21）を通して空胴共振
器（５）の電波遮蔽球（16）から放熱する事が出来る。
放電ランプ（2D）の発熱をガス（21）を通して空胴共振
器（５）の電波遮蔽球（16）から放熱する事が出来る。
［発明の効果］ 以上のように，この発明によればプラズマランプを発光
手段として用いる事により試料の加熱を制御できるので
広範の試料の熱処理に応用できる。特に従来不可能であ
った光学材料の直接溶解が可能となるので光学材料の単
結晶の製造に極めて大きな進歩をもたらすことができ
る。また，金属材料や光学結晶などあわゆる種類の結晶
成長などの熱処理に応用できるが，結晶の大きさが工業
的に利用可能の範囲にまで拡大できることは極めて大き
な進歩である。それは，汚染の無い良質な結晶が容易に
製造できる事になるからである。結晶の大口径化は製造
設備の大きな課題であり従来の炉はこの点を目標に開発
されてきた。しかし，地上では坩堝を用いる事がどうし
ても汚染物質から逃れられない原因であった。ここで提
案する方法は材料の光学的吸収帯域を選択的な波長で照
射して加熱する事で試料の固溶層の界面を下の凹の形状
として融体の流出を防止し大口径の試料の溶解を可能と
する。（中央部が高温で側面が低温になるから。） また，金属などの不透明な材料の場合は従来誘導加熱で
加熱していたため溶融域が非常い大きくなってしまい大
開口の処理は難しかった。しかしここで提案する方法に
よるとプラズマランプの形状やパワーを調整して溶融部
を適当な範囲に設定できるので従来の浮遊帯域法よりも
大きな直径のものが処理可能となる。
手段として用いる事により試料の加熱を制御できるので
広範の試料の熱処理に応用できる。特に従来不可能であ
った光学材料の直接溶解が可能となるので光学材料の単
結晶の製造に極めて大きな進歩をもたらすことができ
る。また，金属材料や光学結晶などあわゆる種類の結晶
成長などの熱処理に応用できるが，結晶の大きさが工業
的に利用可能の範囲にまで拡大できることは極めて大き
な進歩である。それは，汚染の無い良質な結晶が容易に
製造できる事になるからである。結晶の大口径化は製造
設備の大きな課題であり従来の炉はこの点を目標に開発
されてきた。しかし，地上では坩堝を用いる事がどうし
ても汚染物質から逃れられない原因であった。ここで提
案する方法は材料の光学的吸収帯域を選択的な波長で照
射して加熱する事で試料の固溶層の界面を下の凹の形状
として融体の流出を防止し大口径の試料の溶解を可能と
する。（中央部が高温で側面が低温になるから。） また，金属などの不透明な材料の場合は従来誘導加熱で
加熱していたため溶融域が非常い大きくなってしまい大
開口の処理は難しかった。しかしここで提案する方法に
よるとプラズマランプの形状やパワーを調整して溶融部
を適当な範囲に設定できるので従来の浮遊帯域法よりも
大きな直径のものが処理可能となる。
さらに発光スペクトラムを紫外領域から赤外領域まで選
択できるので広範囲な試料を加熱することが出来る。特
にガラスをイメージ加熱で融解できるのでファイバケー
ブルの効率を飛躍的に向上させる純粋な赤外ガラスの宇
宙製造および地上製造は極めて有効である。
択できるので広範囲な試料を加熱することが出来る。特
にガラスをイメージ加熱で融解できるのでファイバケー
ブルの効率を飛躍的に向上させる純粋な赤外ガラスの宇
宙製造および地上製造は極めて有効である。
また，さらに，試料を均一に加熱できるので回転をあま
り必要とせず低速回転で結晶成長が可能なため特に微小
重力における結晶の泡の除去が可能となる。すなわち泡
を熱勾配による対流で外側に移動する事ができる。
り必要とせず低速回転で結晶成長が可能なため特に微小
重力における結晶の泡の除去が可能となる。すなわち泡
を熱勾配による対流で外側に移動する事ができる。
さらに，ランプが小型軽量なため保管場所を小さくでき
宇宙においては極めて重要な利点となる。さらに別の発
明では円盤型プラズマランプの発光が円盤型であるため
円盤の厚みを調整して試料の加熱領域の形状を調整でき
るとともに，円盤型プラズマランプの向きを回転させて
試料の温度勾配を急峻にしたり緩くしたり調節できるの
で，結晶成長に適した加熱領域を選択することが出来
る。従って，結晶にクラックの無い高品質なものを得る
事ができる。
宇宙においては極めて重要な利点となる。さらに別の発
明では円盤型プラズマランプの発光が円盤型であるため
円盤の厚みを調整して試料の加熱領域の形状を調整でき
るとともに，円盤型プラズマランプの向きを回転させて
試料の温度勾配を急峻にしたり緩くしたり調節できるの
で，結晶成長に適した加熱領域を選択することが出来
る。従って，結晶にクラックの無い高品質なものを得る
事ができる。
さらに別の発明によれば円柱型マイクロ波放電ランプの
発光が円柱型であるため試料（８）の温度勾配を急峻
に，または非常に長い範囲（10mm〜50mm程度）で緩く設
定することができ，結晶成長に適した加熱領域を選択す
ることが出来る。
発光が円柱型であるため試料（８）の温度勾配を急峻
に，または非常に長い範囲（10mm〜50mm程度）で緩く設
定することができ，結晶成長に適した加熱領域を選択す
ることが出来る。
また、この発明はマイクロ波放電ランプの発光が球状で
あるため試料の温度勾配を緩め、クラックの発生を防止
し、発光スペクトラムが近赤外領域に集中しているので
加熱効率を高くできる。
あるため試料の温度勾配を緩め、クラックの発生を防止
し、発光スペクトラムが近赤外領域に集中しているので
加熱効率を高くできる。
さらに、空胴共振器の電波遮蔽球内に不活性ガスを充填
して熱伝導性を良くしているからマイクロ波放電ランプ
の冷却のための空気を不用とし、構成を簡単に出来る利
点が生ずる。このこと重量制限のきびしい宇宙実験にお
いてきわめて有用な利点となる。
して熱伝導性を良くしているからマイクロ波放電ランプ
の冷却のための空気を不用とし、構成を簡単に出来る利
点が生ずる。このこと重量制限のきびしい宇宙実験にお
いてきわめて有用な利点となる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図，第２図は円
盤型プラズマランプの構成を説明する図，第３図は試料
の表面の光量分布の解析結果を示す図，第４図は加熱実
験のデータを示す図，第５図はタングステン試料におけ
る最高到達温度の解析結果を示す図，第６図はこの発明
の他の実施例を示す断面図，第７図はこの発明の他の実
施例における円盤型プラズマランプの構成を説明する
図，第８図はこの発明の別の発明の構成を説明する図，
第９図は円柱型プラズマランプの構成を説明する図，第
10図は他の実施例の構成図，第11図は他の実施例の円柱
型プラズマランプの構成を説明する図，第12図は別の発
明の構成図，第13図は他の実施例の球型プラズマランプ
の構成を説明する図，第14図はさらに他の発明の構成
図，第15図，第16図は他の実施例を示す図，第17図は従
来のイメージ加熱装置を示す図である。図において，
（１）は楕円体鏡，（2A）は円盤型プラズマランプ，
（2B）は円柱型プラズマランプ，（2D）は球形マイクロ
波放電ランプ，（３）は支持具，（４）は電波遮蔽板，
（５）は空胴共振器，（６）は導波管，（７）は高周波
発振器，（８）は試料，（９）は光，（10）はコップ状
電波遮蔽器，（11）はキセノンランプ、（12）は電源，
（13）はワイヤ，（14）は窓，（15）は回転具，（16）
は電波遮蔽球，（17）はかん合部，（18）は口金，（1
9）はガラス球，（20）は密閉板，（21）は不活性ガス
である。 なお，図中同一符号は同一または相当部分を示す。
盤型プラズマランプの構成を説明する図，第３図は試料
の表面の光量分布の解析結果を示す図，第４図は加熱実
験のデータを示す図，第５図はタングステン試料におけ
る最高到達温度の解析結果を示す図，第６図はこの発明
の他の実施例を示す断面図，第７図はこの発明の他の実
施例における円盤型プラズマランプの構成を説明する
図，第８図はこの発明の別の発明の構成を説明する図，
第９図は円柱型プラズマランプの構成を説明する図，第
10図は他の実施例の構成図，第11図は他の実施例の円柱
型プラズマランプの構成を説明する図，第12図は別の発
明の構成図，第13図は他の実施例の球型プラズマランプ
の構成を説明する図，第14図はさらに他の発明の構成
図，第15図，第16図は他の実施例を示す図，第17図は従
来のイメージ加熱装置を示す図である。図において，
（１）は楕円体鏡，（2A）は円盤型プラズマランプ，
（2B）は円柱型プラズマランプ，（2D）は球形マイクロ
波放電ランプ，（３）は支持具，（４）は電波遮蔽板，
（５）は空胴共振器，（６）は導波管，（７）は高周波
発振器，（８）は試料，（９）は光，（10）はコップ状
電波遮蔽器，（11）はキセノンランプ、（12）は電源，
（13）はワイヤ，（14）は窓，（15）は回転具，（16）
は電波遮蔽球，（17）はかん合部，（18）は口金，（1
9）はガラス球，（20）は密閉板，（21）は不活性ガス
である。 なお，図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】楕円体の反射面を内側に有する楕円体鏡
と、上記楕円体鏡の第１焦点に置かれた円盤型プラズマ
ランプと、上記円盤型プラズマランプを支持する支持具
と、上記楕円体鏡の第１焦点側端部において、その内面
に取付けられ、かつ上記円盤型プラズマランプを収納す
る空胴共振器と、上記円盤型プラズマランプを発光駆動
する発光駆動手段とを具備したことを特徴とするプラズ
マランプイメージ加熱装置。 - 【請求項２】楕円体の反射面を内側に有する楕円体鏡
と、上記楕円体鏡の第１焦点に置かれた円柱型プラズマ
ランプと、上記円柱型プラズマランプを支持する支持具
と、上記楕円体鏡の第１焦点側端部において、その内面
に取付けられ、かつ上記円柱型プラズマランプを収納す
る空胴共振器と、上記円柱型プラズマランプを発光駆動
する発光駆動手段とを具備したことを特徴とするプラズ
マランプイメージ加熱装置。 - 【請求項３】楕円体の反射面を内側に有する楕円体鏡
と、上記楕円体鏡の第１焦点に置かれた球形マイクロ波
放電ランプと、上記球形マイクロ波放電ランプを支持す
る支持具と、上記楕円体鏡の第１焦点側端部に有し、電
波遮蔽球内に上記球形マイクロ波放電ランプを収納する
空胴共振器と、上記球形マイクロ波放電ランプを発光駆
動する発光駆動手段とを具備したことを特徴とするイメ
ージ加熱装置。 - 【請求項４】空胴共振器の電波遮蔽球内に不活性ガスを
充填したことを特徴とする請求項３記載のイメージ加熱
装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335279A JPH0776673B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-11-30 | イメージ加熱装置 |
| CA 2034160 CA2034160C (en) | 1990-01-19 | 1991-01-15 | Image heating apparatus using a microwave discharge plasma lamp |
| DE1991605002 DE69105002T2 (de) | 1990-01-19 | 1991-01-18 | Vorrichtung zum Erhitzen einer Zone unter Verwendung einer Plasmaentladungslampe. |
| EP91100609A EP0438179B1 (en) | 1990-01-19 | 1991-01-18 | An image heating apparatus using a microwave discharge plasma lamp |
| US07/701,615 US5420390A (en) | 1990-01-19 | 1991-05-14 | Image heating apparatus using a microwave discharge plasma lamp |
| EP91250191A EP0470677B1 (en) | 1990-08-08 | 1991-07-15 | An image heating apparatus using a microwave discharge plasma lamp |
| DE1991605660 DE69105660T2 (de) | 1990-08-08 | 1991-07-15 | Vorrichtung zum Erhitzen einer Zone unter Verwendung einer Mikrowellen-Plasmaentladungslampe. |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-3653 | 1990-01-19 | ||
| JP365390 | 1990-01-19 | ||
| JP2-41903 | 1990-04-19 | ||
| JP4190390 | 1990-04-19 | ||
| JP21003290 | 1990-08-08 | ||
| JP2-210032 | 1990-08-08 | ||
| JP2335279A JPH0776673B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-11-30 | イメージ加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04190088A JPH04190088A (ja) | 1992-07-08 |
| JPH0776673B2 true JPH0776673B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=27453918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335279A Expired - Lifetime JPH0776673B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-11-30 | イメージ加熱装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0438179B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0776673B2 (ja) |
| CA (1) | CA2034160C (ja) |
| DE (1) | DE69105002T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69105660T2 (de) * | 1990-08-08 | 1995-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zum Erhitzen einer Zone unter Verwendung einer Mikrowellen-Plasmaentladungslampe. |
| DE19507077C1 (de) * | 1995-01-25 | 1996-04-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Plasmareaktor |
| FR2759239B1 (fr) * | 1997-01-31 | 1999-03-05 | Commissariat Energie Atomique | Applicateur de micro-ondes, et son application a la scarification superficielle du beton contamine |
| KR100393787B1 (ko) * | 2001-01-08 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로파를 이용한 조명장치 |
| US20050286263A1 (en) * | 2004-06-23 | 2005-12-29 | Champion David A | Plasma lamp with light-transmissive waveguide |
| CN108538701B (zh) * | 2018-05-15 | 2020-06-26 | 北京航空航天大学 | 增强微波与等离子体耦合率的谐振腔及微波等离子体装置 |
| CN108538696B (zh) * | 2018-05-15 | 2020-04-07 | 北京航空航天大学 | 微波与等离子体耦合率可调的谐振腔及微波等离子体装置 |
| CN117401686B (zh) * | 2023-10-20 | 2026-01-06 | 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 | 一种石英砂微波提纯装置、提纯方法及高纯石英砂 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3214110A1 (de) * | 1982-04-16 | 1983-10-20 | Carl Baasel, Lasertechnik KG, 8000 München | Lichtquelle mit definiertem emissionsspektrum |
| EP0148946B1 (en) * | 1983-07-14 | 1989-10-18 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Method of producing a chrysoberyl single crystal |
| US4673846A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave discharge light source apparatus |
| DE3541988C1 (de) * | 1985-11-28 | 1986-07-24 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen |
| JPH0676869B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1994-09-28 | 三菱電機株式会社 | イメージ加熱装置 |
| JPH0676869A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | フラットケーブルの端末部 |
| JPH0694990A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Sadao Nakai | 半導体レーザ用集光光学系 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2335279A patent/JPH0776673B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
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