JPH0777680A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0777680A JPH0777680A JP24731193A JP24731193A JPH0777680A JP H0777680 A JPH0777680 A JP H0777680A JP 24731193 A JP24731193 A JP 24731193A JP 24731193 A JP24731193 A JP 24731193A JP H0777680 A JPH0777680 A JP H0777680A
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- substrate
- cell
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶シリコンからなるＴＦＴを用いたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、温度等環境
の影響を防止する。 【構成】 液晶駆動素子を設けたシリコン基板１の裏面
に透明基板５をスペーサを介して対向配置してポッティ
ングセルを形成し、当該セルに表示用の液晶セルと同じ
液晶８を注入し、且つポッティングセルと液晶セル間を
連絡する通路６を形成してなる液晶表示装置とする。
ティブマトリクス型液晶表示装置において、温度等環境
の影響を防止する。 【構成】 液晶駆動素子を設けたシリコン基板１の裏面
に透明基板５をスペーサを介して対向配置してポッティ
ングセルを形成し、当該セルに表示用の液晶セルと同じ
液晶８を注入し、且つポッティングセルと液晶セル間を
連絡する通路６を形成してなる液晶表示装置とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶を用い、画像、情報
表示を行なう液晶表示装置に関する。
表示を行なう液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、画像表示装置としては、画質、安
定供給の上からＣＲＴ（ＣａｔｈｏｄＲａｙ Ｔｕｂ
ｅ）が広く利用されていたが、これに代わる表示装置と
して近年、薄型化、軽量化が可能な液晶表示装置が注目
されている。
定供給の上からＣＲＴ（ＣａｔｈｏｄＲａｙ Ｔｕｂ
ｅ）が広く利用されていたが、これに代わる表示装置と
して近年、薄型化、軽量化が可能な液晶表示装置が注目
されている。
【０００３】液晶表示装置は、画素数を増やすと１ライ
ンの画素を走査する時間が短くなり、本来の表示が行い
にくくなり画質が低下するという問題があったが、各画
素毎に薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と記す）等ス
イッチング素子を配し、該素子を駆動することにより液
晶にかかる電圧を制御する、アクティブマトリクス型の
液晶素子が開発されるに至り、高解像度、大画面の液晶
表示が可能となった。上記スイッチング素子に用いられ
る半導体としては、アモルファスシリコン、多結晶シリ
コン、単結晶シリコンが挙げられるが、中でも素子特性
の上から単結晶シリコンが望ましい。
ンの画素を走査する時間が短くなり、本来の表示が行い
にくくなり画質が低下するという問題があったが、各画
素毎に薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と記す）等ス
イッチング素子を配し、該素子を駆動することにより液
晶にかかる電圧を制御する、アクティブマトリクス型の
液晶素子が開発されるに至り、高解像度、大画面の液晶
表示が可能となった。上記スイッチング素子に用いられ
る半導体としては、アモルファスシリコン、多結晶シリ
コン、単結晶シリコンが挙げられるが、中でも素子特性
の上から単結晶シリコンが望ましい。
【０００４】液晶表示装置としては、明るさの上から透
過型が望ましいため、液晶駆動用素子は透光性の基板の
上に作る必要がある。しかしながら単結晶シリコンは素
子としての機能の点からは望ましいものの、透光性基板
上に薄膜層として製造することが容易ではなかった。本
出願人が先に提案したＳＯＩ（シリコン・オン・インシ
ュレータ）技術は、多孔質半導体層の上に単結晶半導体
薄膜層をエピタキシャル成長させ、該薄膜層側を透明な
絶縁層を介して半導体層に貼り合わせた後、上記多孔質
半導体層をエッチング除去するもので、液晶画素部に相
当する絶縁層下の半導体層をくり抜き除去することによ
り、該画素部を透光性にすることができる。
過型が望ましいため、液晶駆動用素子は透光性の基板の
上に作る必要がある。しかしながら単結晶シリコンは素
子としての機能の点からは望ましいものの、透光性基板
上に薄膜層として製造することが容易ではなかった。本
出願人が先に提案したＳＯＩ（シリコン・オン・インシ
ュレータ）技術は、多孔質半導体層の上に単結晶半導体
薄膜層をエピタキシャル成長させ、該薄膜層側を透明な
絶縁層を介して半導体層に貼り合わせた後、上記多孔質
半導体層をエッチング除去するもので、液晶画素部に相
当する絶縁層下の半導体層をくり抜き除去することによ
り、該画素部を透光性にすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置に
おいては、温度や圧力といった環境変化の影響により液
晶層のギャップやＴＦＴが変形し、画質の劣化、更には
信頼性の低下が問題となっていた。
おいては、温度や圧力といった環境変化の影響により液
晶層のギャップやＴＦＴが変形し、画質の劣化、更には
信頼性の低下が問題となっていた。
【０００６】特に、前述の本出願人が提案したＳＯＩ技
術により製造した液晶素子においては、くり抜き部分の
厚みが数μｍ以下と非常に薄いために、強度に劣るとい
う問題があり、特に大画面化してくり抜き部分の面積が
広くなるにつれて強度の向上が必要となる。
術により製造した液晶素子においては、くり抜き部分の
厚みが数μｍ以下と非常に薄いために、強度に劣るとい
う問題があり、特に大画面化してくり抜き部分の面積が
広くなるにつれて強度の向上が必要となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、液晶
駆動素子を設けた素子基板と、電極基板間との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置であって、上記素子基板の
少なくとも一部が薄膜層であり、該素子基板の裏面にス
ペーサを介してもう１枚の基板を対向配置し、素子基板
と該裏面基板との間に上記液晶を挟持し、２層の液晶層
間を連絡する通路を設けたことを特徴とする液晶表示装
置である。本発明の液晶表示装置においては、前述のＳ
ＯＩ技術等により液晶駆動素子を単結晶半導体で形成し
た場合等、画素部の厚みが薄く強度に劣る問題を、素子
基板の裏面にもう１枚の基板を用意、即ち素子基板を２
枚の基板で液晶層を介して挟持することにより素子基板
にかかる圧力を全領域において均一化して外部環境の変
化に対応することにより解決したものである。
駆動素子を設けた素子基板と、電極基板間との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置であって、上記素子基板の
少なくとも一部が薄膜層であり、該素子基板の裏面にス
ペーサを介してもう１枚の基板を対向配置し、素子基板
と該裏面基板との間に上記液晶を挟持し、２層の液晶層
間を連絡する通路を設けたことを特徴とする液晶表示装
置である。本発明の液晶表示装置においては、前述のＳ
ＯＩ技術等により液晶駆動素子を単結晶半導体で形成し
た場合等、画素部の厚みが薄く強度に劣る問題を、素子
基板の裏面にもう１枚の基板を用意、即ち素子基板を２
枚の基板で液晶層を介して挟持することにより素子基板
にかかる圧力を全領域において均一化して外部環境の変
化に対応することにより解決したものである。
【０００８】本発明において、液晶は連絡通路を介して
いずれの側の液晶層へも移動でき、該通路は上記薄膜層
内に好ましく形成される。また、液晶駆動素子は単結晶
半導体で形成されたものが好適に用いられる。
いずれの側の液晶層へも移動でき、該通路は上記薄膜層
内に好ましく形成される。また、液晶駆動素子は単結晶
半導体で形成されたものが好適に用いられる。
【０００９】
（実施例１）図１に本発明の液晶表示装置の一実施例を
示す。（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）はそのＡ−
Ａ’断面図である。以下に詳細に説明する。
示す。（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）はそのＡ−
Ａ’断面図である。以下に詳細に説明する。
【００１０】本発明の液晶表示装置は、透明基板１２と
液晶駆動素子層３と枠材１３によって囲まれた部分に液
晶８を注入してなる画像表示用液晶セル部と、同じ液晶
を注入して液晶セル部の補強を行なうポッティングセル
部よりなる。透明基板１２にはカラーフィルターとカラ
ーフィルター間を遮光する遮光層、液晶に電圧を印加す
るための透明電極１１、液晶を一定方向に配向させるた
めの配向膜１０が設けられている。液晶駆動素子層３
は、画素部には画素電極、上記電極へ信号を印加するた
めのＴＦＴ、該ＴＦＴへ信号を送る信号線、ＴＦＴ駆動
用駆動線、ＴＦＴを駆動する水平、垂直シフトレジスタ
からなる。
液晶駆動素子層３と枠材１３によって囲まれた部分に液
晶８を注入してなる画像表示用液晶セル部と、同じ液晶
を注入して液晶セル部の補強を行なうポッティングセル
部よりなる。透明基板１２にはカラーフィルターとカラ
ーフィルター間を遮光する遮光層、液晶に電圧を印加す
るための透明電極１１、液晶を一定方向に配向させるた
めの配向膜１０が設けられている。液晶駆動素子層３
は、画素部には画素電極、上記電極へ信号を印加するた
めのＴＦＴ、該ＴＦＴへ信号を送る信号線、ＴＦＴ駆動
用駆動線、ＴＦＴを駆動する水平、垂直シフトレジスタ
からなる。
【００１１】本実施例において液晶駆動素子層３は前述
の本出願人が提案したＳＯＩ技術により製造されたシリ
コン基板上に作成される。該シリコン基板は経済性に優
れ、大面積に渡り均一平坦な極めて優れた結晶性を有す
る単結晶シリコン基板であり、半導体アクティブ素子
が、欠落の著しく少ない単結晶シリコン層上に作成され
ているため、上記半導体素子の浮遊容量が低減し、高速
動作が可能でラッチアップ現象等のない、耐放射線特性
に優れた素子及び回路を画素と同一基板上に集積した高
性能な液晶表示装置を構成することができる。
の本出願人が提案したＳＯＩ技術により製造されたシリ
コン基板上に作成される。該シリコン基板は経済性に優
れ、大面積に渡り均一平坦な極めて優れた結晶性を有す
る単結晶シリコン基板であり、半導体アクティブ素子
が、欠落の著しく少ない単結晶シリコン層上に作成され
ているため、上記半導体素子の浮遊容量が低減し、高速
動作が可能でラッチアップ現象等のない、耐放射線特性
に優れた素子及び回路を画素と同一基板上に集積した高
性能な液晶表示装置を構成することができる。
【００１２】以下に図１１に従い、シリコン基板の製造
方法を説明する。
方法を説明する。
【００１３】図１１（ａ）に示すように３００μｍの厚
みを持ったＰ型（１００）単結晶シリコン基板にＨＦ溶
液中において陽極化成を施し、多孔質シリコン基板を形
成する。陽極化成条件は以下の通りである。
みを持ったＰ型（１００）単結晶シリコン基板にＨＦ溶
液中において陽極化成を施し、多孔質シリコン基板を形
成する。陽極化成条件は以下の通りである。
【００１４】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・ｃｍ-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ3 ＯＨ＝１：
１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質シリコンの厚み： ３００（μｍ） Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６（％）
１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質シリコンの厚み： ３００（μｍ） Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６（％）
【００１５】こうして得られたＰ型（１００）多孔質シ
リコン基板上に、減圧ＣＶＤ法によりシリコンエピタキ
シャル層１０２を１．０μｍの層厚で成長させる。堆積
条件は以下の通りである。
リコン基板上に、減圧ＣＶＤ法によりシリコンエピタキ
シャル層１０２を１．０μｍの層厚で成長させる。堆積
条件は以下の通りである。
【００１６】ソースガス： ＳｉＨ4 キャリヤガス： Ｈ2 温度： ８５０℃ 圧力： １×１０-2Ｔｏｒｒ 成長速度： ３．３ｎｍ／ｓｅｃ
【００１７】次に、このエピタキシャル層１０２の表面
に１０００Åの酸化層１０３を形成し、その酸化表面に
図１１（ｂ）に示すように、表面に５０００Åの酸化層
１０４、１０００Åの窒化層１０５を形成したもう一方
のシリコン基板１０７を重ね合わせ、窒素雰囲気中で８
００℃、０．５時間加熱することにより２つのシリコン
基板を強固に貼り合わせる。
に１０００Åの酸化層１０３を形成し、その酸化表面に
図１１（ｂ）に示すように、表面に５０００Åの酸化層
１０４、１０００Åの窒化層１０５を形成したもう一方
のシリコン基板１０７を重ね合わせ、窒素雰囲気中で８
００℃、０．５時間加熱することにより２つのシリコン
基板を強固に貼り合わせる。
【００１８】その後、貼り合わせた基板を４９％弗酸、
アルコール、３０％過酸化水素水の混合液（１０：６：
５０）中で攪拌することなく選択エッチングした。６５
分後には図１１（ｃ）に示すように、単結晶シリコン層
をエッチング・ストップ材料として、多孔質シリコン基
板１０１が選択エッチングされ完全に除去された。
アルコール、３０％過酸化水素水の混合液（１０：６：
５０）中で攪拌することなく選択エッチングした。６５
分後には図１１（ｃ）に示すように、単結晶シリコン層
をエッチング・ストップ材料として、多孔質シリコン基
板１０１が選択エッチングされ完全に除去された。
【００１９】非多孔質単結晶シリコンの上記エッチング
液に対するエッチング速度は極めて低く、６５分後でも
エッチング層は５０Å以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は１０5 にも達し、非多孔質層におけ
るエッチング量（数十Å）は実用上無視できる程度のも
のである。
液に対するエッチング速度は極めて低く、６５分後でも
エッチング層は５０Å以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は１０5 にも達し、非多孔質層におけ
るエッチング量（数十Å）は実用上無視できる程度のも
のである。
【００２０】このようにして、２００μｍの厚みを有す
る多孔質化シリコン基板１０１は除去され、ＳｉＯ2 １
０３上に１．０μｍの厚みを持った単結晶シリコン層１
０２が形成される。ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃｌを
用いた場合には、成長温度を数十℃上昇させる必要があ
るが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維持さ
れる。
る多孔質化シリコン基板１０１は除去され、ＳｉＯ2 １
０３上に１．０μｍの厚みを持った単結晶シリコン層１
０２が形成される。ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃｌを
用いた場合には、成長温度を数十℃上昇させる必要があ
るが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維持さ
れる。
【００２１】上記単結晶シリコン層１０２にＴＦＴを形
成し、図１に示した液晶駆動素子層３とするが、該液晶
駆動素子層３はシリコン基板１上に作成されるため、可
視光不透明である。そこで可視光透過可能にするため
に、開口部２をエッチングによってくり抜き、本発明に
かかる薄膜層とする。エッチング液としてはテトラメチ
ルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）水溶液を用い
た。エッチング条件は、ＴＭＡＨ２２％水溶液、９０
℃、１０時間である。尚、シリコン基板１として、シリ
コン基板上に薄い絶縁層が存在しその上部に単結晶シリ
コン層が重なったＳＯＩ構造のシリコン基板を用いる
と、絶縁層１０３がエッチングストップ層となり、均一
なエッチングに有効であり、望ましい。ここで、エッチ
ング液としてＫＯＨ等シリコンとＳｉＯ2 との選択比が
十分とれるものであれば特に限定はされない。
成し、図１に示した液晶駆動素子層３とするが、該液晶
駆動素子層３はシリコン基板１上に作成されるため、可
視光不透明である。そこで可視光透過可能にするため
に、開口部２をエッチングによってくり抜き、本発明に
かかる薄膜層とする。エッチング液としてはテトラメチ
ルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）水溶液を用い
た。エッチング条件は、ＴＭＡＨ２２％水溶液、９０
℃、１０時間である。尚、シリコン基板１として、シリ
コン基板上に薄い絶縁層が存在しその上部に単結晶シリ
コン層が重なったＳＯＩ構造のシリコン基板を用いる
と、絶縁層１０３がエッチングストップ層となり、均一
なエッチングに有効であり、望ましい。ここで、エッチ
ング液としてＫＯＨ等シリコンとＳｉＯ2 との選択比が
十分とれるものであれば特に限定はされない。
【００２２】次に、ポッティングセル部分の作成方法に
ついて述べる。工程は大きく分けて、ポッティング材充
填領域作成工程、ポッティング材注入工程、注入口封止
工程の３工程に分けることができる。以下、この順で説
明する。尚、本発明において、ポッティング材は液晶で
ある。
ついて述べる。工程は大きく分けて、ポッティング材充
填領域作成工程、ポッティング材注入工程、注入口封止
工程の３工程に分けることができる。以下、この順で説
明する。尚、本発明において、ポッティング材は液晶で
ある。
【００２３】前述の開口部２のエッチングの際に、開口
部２と注入口２５を結ぶ通路６をエッチングによりくり
抜いておく。次にシリコン基板１上に枠材４として接着
剤２を塗布する。枠材４としては、エポキシ樹脂（三井
東圧化学株式会社製：ストラクトボンドＥＨ４５４Ｎ
Ｆ）を用いた。接着剤による枠材４の形成は、該接着剤
をディスペンサーにより注射針先から吐き出させパター
ンをトレースする、又はスキージ印刷のいずれの方法で
も良い。次に開口部２の周りに枠材４を同様にして形成
し、その上に透明基板５を載せ、所望のギャップにする
ために加圧し、８０℃、２時間オーブン中で焼成し、ポ
ッティング材充填領域を形成した。
部２と注入口２５を結ぶ通路６をエッチングによりくり
抜いておく。次にシリコン基板１上に枠材４として接着
剤２を塗布する。枠材４としては、エポキシ樹脂（三井
東圧化学株式会社製：ストラクトボンドＥＨ４５４Ｎ
Ｆ）を用いた。接着剤による枠材４の形成は、該接着剤
をディスペンサーにより注射針先から吐き出させパター
ンをトレースする、又はスキージ印刷のいずれの方法で
も良い。次に開口部２の周りに枠材４を同様にして形成
し、その上に透明基板５を載せ、所望のギャップにする
ために加圧し、８０℃、２時間オーブン中で焼成し、ポ
ッティング材充填領域を形成した。
【００２４】ここで、ガラス基板５にはシリコン基板１
と熱膨張率が近い材料を用いることが液晶表示装置の反
り防止に有効であり望ましい。本実施例においては透明
基板５としてシリコンと比較的熱膨張率の近い旭ガラス
株式会社製ＡＬガラス（熱膨張率３６×１０-7；シリコ
ンは３２×１０-7）を使用した。ギャップは所望の厚さ
のギャップ材（ガラス、注射針等）を透明基板５とシリ
コン基板１の間にはさむことにより制御した。また、非
常に狭いギャップ（１０μｍ程度）が必要な時はエポキ
シ樹脂中にφ１０μｍ程度のビーズ（セキスイファイン
ケミカル株式会社製：ミクロパールＳＰ）を混ぜて枠材
４を形成し、所望のギャップ厚とした。
と熱膨張率が近い材料を用いることが液晶表示装置の反
り防止に有効であり望ましい。本実施例においては透明
基板５としてシリコンと比較的熱膨張率の近い旭ガラス
株式会社製ＡＬガラス（熱膨張率３６×１０-7；シリコ
ンは３２×１０-7）を使用した。ギャップは所望の厚さ
のギャップ材（ガラス、注射針等）を透明基板５とシリ
コン基板１の間にはさむことにより制御した。また、非
常に狭いギャップ（１０μｍ程度）が必要な時はエポキ
シ樹脂中にφ１０μｍ程度のビーズ（セキスイファイン
ケミカル株式会社製：ミクロパールＳＰ）を混ぜて枠材
４を形成し、所望のギャップ厚とした。
【００２５】ポッティングセル形成後、液晶セルとポッ
ティングセルへの液晶の注入を行なう。液晶の注入が完
了した後に注入口２５に封口材を盛り、封口を行なっ
た。封口材としてはエポキシ樹脂、或いは紫外線硬化型
樹脂を用いる。
ティングセルへの液晶の注入を行なう。液晶の注入が完
了した後に注入口２５に封口材を盛り、封口を行なっ
た。封口材としてはエポキシ樹脂、或いは紫外線硬化型
樹脂を用いる。
【００２６】本発明の液晶表示装置は、液晶駆動素子層
３に作り込まれた液晶駆動素子によって開口部２におけ
る液晶８を駆動し、開口部２にて表示が行なわれる。枠
材１３によって規定された透明基板１２と液晶駆動素子
層３との距離（セルギャップ）は、光の透過率に影響を
与えるため、全面に渡って均一な表示を行なうために
は、開口部２全面に渡ってセルギャップが均一であるこ
とが望まれる。本実施例においては、液晶駆動素子層の
厚さが開口部の厚さに対して１／１０００以下と非常に
薄く、変形が起こり易く、さらには割れ易い。本発明に
おいてはポッティングセルを形成して液晶を封入し、且
つ駆動される液晶セルとの連絡通路６を設けることによ
り、開口部２に加わる液晶圧力が均等化され、耐久性、
信頼性が向上するばかりでなく、画質向上に非常に有効
である。
３に作り込まれた液晶駆動素子によって開口部２におけ
る液晶８を駆動し、開口部２にて表示が行なわれる。枠
材１３によって規定された透明基板１２と液晶駆動素子
層３との距離（セルギャップ）は、光の透過率に影響を
与えるため、全面に渡って均一な表示を行なうために
は、開口部２全面に渡ってセルギャップが均一であるこ
とが望まれる。本実施例においては、液晶駆動素子層の
厚さが開口部の厚さに対して１／１０００以下と非常に
薄く、変形が起こり易く、さらには割れ易い。本発明に
おいてはポッティングセルを形成して液晶を封入し、且
つ駆動される液晶セルとの連絡通路６を設けることによ
り、開口部２に加わる液晶圧力が均等化され、耐久性、
信頼性が向上するばかりでなく、画質向上に非常に有効
である。
【００２７】（実施例２）本発明第２の実施例を図２に
示す。図２（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ’断面図である。同図において７はポッティン
グセルと液晶層とを連絡する通路であり、薄膜層をエッ
チングすることにより形成する。
示す。図２（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ’断面図である。同図において７はポッティン
グセルと液晶層とを連絡する通路であり、薄膜層をエッ
チングすることにより形成する。
【００２８】本実施例の特徴は、通路７を開口部内、即
ち薄膜層に形成したことである。このことにより、液晶
セル内の液晶とポッティングセル内の液晶のそれぞれの
圧力が同一となる。該通路７の数は図３に示したよう
に、複数個設けても良く、また、図４に示すようにＴＦ
Ｔ形成領域から離れた位置に形成しても良い。
ち薄膜層に形成したことである。このことにより、液晶
セル内の液晶とポッティングセル内の液晶のそれぞれの
圧力が同一となる。該通路７の数は図３に示したよう
に、複数個設けても良く、また、図４に示すようにＴＦ
Ｔ形成領域から離れた位置に形成しても良い。
【００２９】本実施例においては、液晶の連絡通路７を
薄膜層に形成するため、実施例１の如く基板外で通路を
形成するよりも液晶装置形状としては凹凸のない簡単な
構造が実現できるため、小型化できるという長所があ
る。
薄膜層に形成するため、実施例１の如く基板外で通路を
形成するよりも液晶装置形状としては凹凸のない簡単な
構造が実現できるため、小型化できるという長所があ
る。
【００３０】（実施例３）本発明第３の実施例の断面図
を図５に示す。本実施例の特徴は、液晶セル厚とポッテ
ィングセル厚を等しく、或いはポッティングセル厚を狭
くしたことにある。本実施例においては、ポッティング
セル内で散乱又は吸収される光の量が少なくなり、輝度
やコントラストを損なわずに環境の変化に強い液晶表示
装置が実現できる。
を図５に示す。本実施例の特徴は、液晶セル厚とポッテ
ィングセル厚を等しく、或いはポッティングセル厚を狭
くしたことにある。本実施例においては、ポッティング
セル内で散乱又は吸収される光の量が少なくなり、輝度
やコントラストを損なわずに環境の変化に強い液晶表示
装置が実現できる。
【００３１】また、液晶セルとポッティングセルとの連
絡通路は図５の基板外部に形成する方法でも、図６に示
した薄膜層に形成する方法のいずれでも本実施例の効果
を得ることができる。
絡通路は図５の基板外部に形成する方法でも、図６に示
した薄膜層に形成する方法のいずれでも本実施例の効果
を得ることができる。
【００３２】（実施例４）本発明第４の実施例の断面図
を図７及び図８に示す。図７は通路６をシリコン基板１
外に設けた例で、図８は薄膜層に設けた例である。本実
施例の特徴は、ポッティングセル側にも配向膜１０’を
設け、ポッティングセル内の液晶を配向させ、光透過性
を向上させたことである。薄膜上の配向膜１０はＳｉＯ
2 の斜め蒸着等によるダメージの少ない形成法が望まし
い。
を図７及び図８に示す。図７は通路６をシリコン基板１
外に設けた例で、図８は薄膜層に設けた例である。本実
施例の特徴は、ポッティングセル側にも配向膜１０’を
設け、ポッティングセル内の液晶を配向させ、光透過性
を向上させたことである。薄膜上の配向膜１０はＳｉＯ
2 の斜め蒸着等によるダメージの少ない形成法が望まし
い。
【００３３】本実施例においては、輝度やコントラスト
といった表示特性を損なうことなく環境の変化に対応し
た液晶表示装置が実現する。
といった表示特性を損なうことなく環境の変化に対応し
た液晶表示装置が実現する。
【００３４】（実施例５）本発明第５の実施例の断面図
を図９及び図１０に示す。図９は通路６をシリコン基板
１外に設けた例で、図１０は薄膜層に設けた例である。
本実施例の特徴は、ポッティングセル側にも液晶制御の
ための一組の透明電極１１’を設けたことである。本実
施例においては、ポッティングセル側の液晶にも電圧を
印加して液晶の状態を制御することにより、透明性の高
い状態を保ち、表示特性に対するポッティングセルの影
響を防止することができる。本実施例においても環境の
変化に対応できることは実施例１〜４と同様である。
を図９及び図１０に示す。図９は通路６をシリコン基板
１外に設けた例で、図１０は薄膜層に設けた例である。
本実施例の特徴は、ポッティングセル側にも液晶制御の
ための一組の透明電極１１’を設けたことである。本実
施例においては、ポッティングセル側の液晶にも電圧を
印加して液晶の状態を制御することにより、透明性の高
い状態を保ち、表示特性に対するポッティングセルの影
響を防止することができる。本実施例においても環境の
変化に対応できることは実施例１〜４と同様である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置は、温度、重力、気圧等の外部環境に対して高い信
頼性を有し、これらの影響を受けることなく高画質な画
像を安定して表示することができる。
装置は、温度、重力、気圧等の外部環境に対して高い信
頼性を有し、これらの影響を受けることなく高画質な画
像を安定して表示することができる。
【図１】本発明第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明第２の実施例の応用例を示す図である。
【図４】本発明第２の実施例の応用例を示す図である。
【図５】本発明第３の実施例を示す図である。
【図６】本発明第３の実施例の応用例を示す図である。
【図７】本発明第４の実施例を示す図である。
【図８】本発明第４の実施例の応用例を示す図である。
【図９】本発明第５の実施例を示す図である。
【図１０】本発明第５の実施例の応用例を示す図であ
る。
る。
【図１１】本発明にかかるＳＯＩ製造工程を示す図であ
る。
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 液晶駆動素子を設けた素子基板と、電極
基板間との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であっ
て、上記素子基板の少なくとも一部が薄膜層であり、該
素子基板の裏面にスペーサを介してもう１枚の基板を対
向配置し、素子基板と該裏面基板との間に上記液晶を挟
持し、２層の液晶層間を連絡する通路を設けたことを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 連絡通路を薄膜層に設けたことを特徴と
する請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶駆動素子が単結晶半導体からなるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24731193A JPH0777680A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24731193A JPH0777680A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0777680A true JPH0777680A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=17161521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24731193A Withdrawn JPH0777680A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777680A (ja) |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP24731193A patent/JPH0777680A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |