JPH077779B2 - 赤外検知装置 - Google Patents

赤外検知装置

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JPH077779B2
JPH077779B2 JP63231237A JP23123788A JPH077779B2 JP H077779 B2 JPH077779 B2 JP H077779B2 JP 63231237 A JP63231237 A JP 63231237A JP 23123788 A JP23123788 A JP 23123788A JP H077779 B2 JPH077779 B2 JP H077779B2
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昌弘 田中
敏之 上田
邦広 谷川
宏 瀧川
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 配線接続電極の構成に関し、 電極膜による素子特性の変化を抑制することを目的と
し、 HgCdTe結晶素子上にNiからなるHgCdTe結晶コンタクト膜
とボンディングワイヤーのコンタクト膜とを積層した電
極膜を構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外検知装置のうち、配線接続電極の構成に関
する。
〔従来の技術〕
第２図はHgCdTe（水銀・カドミウム・テルル）からなる
光伝導型多素子赤外検知装置の平面図を示しており、Hg
CdTe素子１がサファイヤ基板２の上にアレイ状に配置さ
れて、このHgCdTe素子の受光部６の両側に電極3,共通電
極４が設けられ、これらの電極に金ワイヤー５が接続さ
れており、素子中央の受光部６で赤外線を受けるとキャ
リアが発生してそれを感知する。
第３図はこのような赤外線検知装置の従来の断面図を部
分拡大して示したもので、第３図において第２図で説明
した記号の他の11はHgCdTe層,12はIn（インジウム）電
極膜,13は酸化膜,14はZnS（硫化亜鉛）膜である。赤外
線はZnS膜，酸化膜を透過してHgCdTe層11で受光しキャ
リアが発生する。酸化膜13はキャリアの再結合を防ぐた
めに設けられている膜である。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、上記のHgCdTe素子はコンタクトに電極として
In電極膜を用いており、このIn電極膜がボンディングパ
ッドとなつて金ワイヤー５がボンディングされる。
このInはHgCdTe層への密着性が良く、且つ、ボンディン
グワイヤーである金と合金をつくつてボンディング強度
も優れた材料である。
しかし、InはHgCdTe結晶への拡散係数が大きいために結
晶内にInが入り込んで、Inの真空蒸着時に基板加熱（約
100℃）によつて拡散したり、また、赤外検知装置を使
用して長時間を経過すると拡散が進行して、ノイズが増
えて素子特性が変化すると云う問題がある。
本発明はそのような電極膜による素子特性の変化を抑制
することを目的とした赤外検知装置の構成を提案するも
のである。
〔課題を解決するための手段〕
その課題は、HgCdTe結晶素子上にNi（ニッケル）膜から
なるHgCdTe結晶コンタクト膜が設けられている赤外検知
装置、また、そのHgCdTe結晶コンタクト膜上にボンディ
ングワイヤーのコンタクト膜を積層した電極膜が設けら
れている赤外検知装置によつて解決される。
〔作用〕
即ち、本発明は、HgCdTe結晶に拡散し難いHgCdTe結晶コ
ンタクト膜としてNiを用い、その上にボンディングワイ
ヤーとのコンタクト性の良い膜を積層した電極膜に構成
する。
そうすれば、素子特性を変化させることなく、ボンディ
ングワイヤーとのコンタクト強度の強い電極膜が得られ
て、赤外検知器の品質が向上する。
〔実施例〕
以下、図面を参照して実施例によつて詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるHgCdTe素子の断面図を示してお
り、２はサファイヤ基板,5は金ワイヤー,11はHgCdTe層,
13は酸化膜,14はZnS膜,21はNi膜（膜厚500Å）,22はIn
膜（膜厚１μｍ）である。即ち、本発明にかかる赤外検
知装置のHgCdTe素子にはNi膜21,In膜22を積層した電極
膜の構造となつており、Ni膜21はHgCdTe結晶とのコンタ
クト膜,In膜22は金ワイヤーとのコンタクト膜である。
その形成方法はHgCdTe結晶11表面に酸化膜13を形成し、
この酸化膜13をレジスト膜をマスクとしてエッチングし
てパターンニングした後、そのレジスト膜を残存したま
ま上記のNi膜21,In膜22からなる電極膜を被着して、リ
フトオフ法によつてパターンニングする方法が採られ
る。
このように構成すれば、Ni膜21はHgCdTe結晶とのコンタ
クト性が良く、且つ、高温で安定で、HgCdTe結晶に拡散
し難い。また、In膜22は金ワイヤーとのコンタクト性が
良く、Ni膜とのコンタクト性も良い。従って、このよう
な二層の電極膜はHgCdTe結晶とのコンタクトが良く、金
ワイヤーとのコンタクトも良くて、素子特性の安定した
赤外検知装置がえられる。
上記例のように、本発明はHgCdTe結晶とのコンタクト性
が良く、HgCdTe結晶に拡散し難いNiコンタクト膜を介在
させることを特徴としており、ワイヤーとのコンタクト
膜は必ずしもIn膜22を用いる必要がなく、他の材料膜、
例えばCr（クロム）膜でもよい。また、金ワイヤーの代
わりにアルミニウムワイヤーを使用すれば、当然、ワイ
ヤーとのコンタクト膜は他の材料膜が必要になり、本発
明はワイヤーコンタクト膜を限定するものではない。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によれば検知器
の特性変動が抑制されて、しかも、ワイヤーの接続性が
良いために、振動の多い飛行機や宇宙開発に搭載する赤
外検知装置の高品質化に著しく効果のあるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかるHgCdTe素子の断面図、 第２図は光伝導型多素子赤外検知装置の平面図、 第３図は従来のHgCdTe素子の断面図である。 図において、 １はHgCdTe素子、２はサファイヤ基板、５は金ワイヤ
ー、11はHgCdTe層、13は酸化膜、14はZnS膜、21はNi膜
（HgCdTe結晶とのコンタクト膜）、22はIn膜（金ワイヤ
ーとのコンタクト膜） を示している。
フロントページの続き (72)発明者 田中 昌弘 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 上田 敏之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 谷川 邦広 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 瀧川 宏 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−279177（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】HgCdTe結晶素子上にNi（ニッケル）からな
    るHgCdTe結晶コンタクト膜が設けられてなることを特徴
    とする赤外検知装置。
  2. 【請求項２】前記HgCdTe結晶コンタクト膜上にボンディ
    ングワイヤー用のコンタクト膜が設けられてなることを
    特徴とする請求項（１）記載の赤外検知装置。
JP63231237A 1988-09-13 1988-09-13 赤外検知装置 Expired - Fee Related JPH077779B2 (ja)

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JPH077779B2 true JPH077779B2 (ja) 1995-01-30

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