JPH0778509A - 配向性誘電体磁器およびその製造方法 - Google Patents
配向性誘電体磁器およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0778509A JPH0778509A JP5223018A JP22301893A JPH0778509A JP H0778509 A JPH0778509 A JP H0778509A JP 5223018 A JP5223018 A JP 5223018A JP 22301893 A JP22301893 A JP 22301893A JP H0778509 A JPH0778509 A JP H0778509A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- porcelain
- oriented
- dielectric ceramic
- particles
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体共振器を小型化でき、またコンデン
サの小型化を実現できる比誘電率が大きな配向性磁器を
提供するものである。 【構成】 三斜晶系、単斜晶系、斜方晶系、三方晶
系、六方晶系および正方晶系からなる群より選択される
結晶構造を有する誘電体磁器からなり、該誘電体磁器の
少なくとも一つ以上の結晶軸の方向が揃い誘電特性の異
方性を有する配向性誘電体磁器に関する。該配向性誘電
体磁器は、フラックス法によりアスペクト比３以上の異
方形状粒子を合成し、該異方形状粒子を成形、焼成する
ことにより製造することができる。
サの小型化を実現できる比誘電率が大きな配向性磁器を
提供するものである。 【構成】 三斜晶系、単斜晶系、斜方晶系、三方晶
系、六方晶系および正方晶系からなる群より選択される
結晶構造を有する誘電体磁器からなり、該誘電体磁器の
少なくとも一つ以上の結晶軸の方向が揃い誘電特性の異
方性を有する配向性誘電体磁器に関する。該配向性誘電
体磁器は、フラックス法によりアスペクト比３以上の異
方形状粒子を合成し、該異方形状粒子を成形、焼成する
ことにより製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイスの小型
化、高性能化を図るのに好適な配向性誘電体磁器に関す
る。本発明の配向性誘電体磁器は、誘電体共振器の他
に、マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒、コン
デンサなどにも適用される。
化、高性能化を図るのに好適な配向性誘電体磁器に関す
る。本発明の配向性誘電体磁器は、誘電体共振器の他
に、マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒、コン
デンサなどにも適用される。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、誘電損失が
小さいこと即ち無負荷Ｑが大きいこと、共振周波数の温
度係数τf が小さいことが要求されている。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、誘電損失が
小さいこと即ち無負荷Ｑが大きいこと、共振周波数の温
度係数τf が小さいことが要求されている。
【０００３】このような誘電体磁器として従来ＣａＴｉ
Ｏ3 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2 などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率εr が小さいというような問題点がある。この
ように、組成を変更、あるいは改良して上述の三つの特
性の全てを向上させることには困難があり、このためさ
らに優れた特性を有する誘電体磁器組成物が求められて
いる。
Ｏ3 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2 などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率εr が小さいというような問題点がある。この
ように、組成を変更、あるいは改良して上述の三つの特
性の全てを向上させることには困難があり、このためさ
らに優れた特性を有する誘電体磁器組成物が求められて
いる。
【０００４】また、コンデンサについても、小さな素子
サイズで大きな静電容量を得ることが望まれている。こ
の目的のため素子を積層構造とし、一層の厚みを可能な
限り小さくする試みがなされているが、一層の厚みは数
十μｍ程度が限界であり未だ充分に大きな静電容量は得
られていない。このため、さらに大きな静電容量を有す
るコンデンサが求められている。
サイズで大きな静電容量を得ることが望まれている。こ
の目的のため素子を積層構造とし、一層の厚みを可能な
限り小さくする試みがなされているが、一層の厚みは数
十μｍ程度が限界であり未だ充分に大きな静電容量は得
られていない。このため、さらに大きな静電容量を有す
るコンデンサが求められている。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、電子デバイスの小型
化、高性能化を実現できる配向性誘電体磁器を提供する
ことである。特にマイクロ波誘電体共振器材料としてさ
らに優れた特性を有する誘電体磁器、すなわち、比誘電
率および無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度係数τf
が小さい誘電体磁器を提供することにある。また、本発
明の目的は静電容量の大きなコンデンサ素子を提供する
ことにある。
化、高性能化を実現できる配向性誘電体磁器を提供する
ことである。特にマイクロ波誘電体共振器材料としてさ
らに優れた特性を有する誘電体磁器、すなわち、比誘電
率および無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度係数τf
が小さい誘電体磁器を提供することにある。また、本発
明の目的は静電容量の大きなコンデンサ素子を提供する
ことにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、三斜晶系、
単斜晶系、斜方晶系、三方晶系、六方晶系および正方晶
系からなる群より選択される結晶構造を有する誘電体磁
器からなり、該誘電体磁器の少なくとも一つ以上の結晶
軸の方向が揃い誘電特性の異方性を有することを特徴と
する配向性誘電体磁器に関する。
単斜晶系、斜方晶系、三方晶系、六方晶系および正方晶
系からなる群より選択される結晶構造を有する誘電体磁
器からなり、該誘電体磁器の少なくとも一つ以上の結晶
軸の方向が揃い誘電特性の異方性を有することを特徴と
する配向性誘電体磁器に関する。
【０００７】また、本発明は、焼成時に酸化物となり、
かつ三斜晶系、単斜晶系、斜方晶系、三方晶系、六方晶
系および正方晶系からなる群より選択される結晶構造を
有する誘電体磁器となるＺｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｂａまたは
Ｎｄから選択される少なくとも１種の化合物を、フラッ
クス法によりアスペクト比３以上の異方形状粒子とし、
該異方形状粒子を成形、焼成することを特徴とする配向
性誘電体磁器の製造方法に関する。
かつ三斜晶系、単斜晶系、斜方晶系、三方晶系、六方晶
系および正方晶系からなる群より選択される結晶構造を
有する誘電体磁器となるＺｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｂａまたは
Ｎｄから選択される少なくとも１種の化合物を、フラッ
クス法によりアスペクト比３以上の異方形状粒子とし、
該異方形状粒子を成形、焼成することを特徴とする配向
性誘電体磁器の製造方法に関する。
【０００８】本発明の配向性誘電体磁器を製造するため
に用いられる異方形状粒子としては単結晶粒子が好まし
い。異方形状粒子はフラックス法により製造することが
できる。成形方法としては、ドクターブレード法、押し
出し法などを採用することができ、これらの方法により
異方形状粒子を配向させることができる。なお、アスペ
クト比が３以上の異方形状粒子を使用する場合には、焼
成時に特に加圧する必要はなく、常圧下に異方性を有す
る配向性誘電体磁器を製造することができる。
に用いられる異方形状粒子としては単結晶粒子が好まし
い。異方形状粒子はフラックス法により製造することが
できる。成形方法としては、ドクターブレード法、押し
出し法などを採用することができ、これらの方法により
異方形状粒子を配向させることができる。なお、アスペ
クト比が３以上の異方形状粒子を使用する場合には、焼
成時に特に加圧する必要はなく、常圧下に異方性を有す
る配向性誘電体磁器を製造することができる。
【０００９】本発明のアスペクト比の大きい粒子を用い
て作製した配向性誘電体磁器は、通常の固相法により作
製した結晶軸の方向が揃っていないランダムな結晶軸を
有する誘電体磁器に比べて比誘電率が１．０５倍以上と
大きな誘電率を有する。従来公知の誘電体磁器を使用し
た誘電体共振器等は結晶軸の方向がランダムであり、焼
結体全体としてみた場合等方的であったが、本発明の誘
電体磁器は同一組成において、粒子の結晶軸の方向を異
にすることにより誘電率等を変えることができ、異方性
デバイスを作製することができる。
て作製した配向性誘電体磁器は、通常の固相法により作
製した結晶軸の方向が揃っていないランダムな結晶軸を
有する誘電体磁器に比べて比誘電率が１．０５倍以上と
大きな誘電率を有する。従来公知の誘電体磁器を使用し
た誘電体共振器等は結晶軸の方向がランダムであり、焼
結体全体としてみた場合等方的であったが、本発明の誘
電体磁器は同一組成において、粒子の結晶軸の方向を異
にすることにより誘電率等を変えることができ、異方性
デバイスを作製することができる。
【００１０】配向性誘電体磁器の基本組成物としては、
ＺｒＴｉＯ4 、ＴｉＯ2 、ＢａＮｄ 2 Ｔｉ4 Ｏ12、Ｂａ
Ｎｄ2 Ｔｉ5 Ｏ14、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、ＢａＴｉＯ3 な
どを挙げることができる。さらに、これらの組成物にお
いて各元素を他の元素で置換したり、他の化合物を添加
したりすることにより電気的特性を向上させることがで
きる。例えば、ＺｒＴｉＯ4 においてＺｒの一部をＳｎ
で置換したり、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12あるいはＢａＮｄ
2 Ｔｉ5 Ｏ14においてＮｄの一部をＳｍ、Ｌａなどのラ
ンタニド元素あるいはＢｉで置換したり、さらにはＢａ
の一部をＰｂで置換したりすることができ、また、例え
ばＳｉＯ2 、ＭｎＯなどの化合物を添加することができ
る。
ＺｒＴｉＯ4 、ＴｉＯ2 、ＢａＮｄ 2 Ｔｉ4 Ｏ12、Ｂａ
Ｎｄ2 Ｔｉ5 Ｏ14、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、ＢａＴｉＯ3 な
どを挙げることができる。さらに、これらの組成物にお
いて各元素を他の元素で置換したり、他の化合物を添加
したりすることにより電気的特性を向上させることがで
きる。例えば、ＺｒＴｉＯ4 においてＺｒの一部をＳｎ
で置換したり、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12あるいはＢａＮｄ
2 Ｔｉ5 Ｏ14においてＮｄの一部をＳｍ、Ｌａなどのラ
ンタニド元素あるいはＢｉで置換したり、さらにはＢａ
の一部をＰｂで置換したりすることができ、また、例え
ばＳｉＯ2 、ＭｎＯなどの化合物を添加することができ
る。
【００１１】本発明の配向性誘電体磁器について（Ｚｒ
Ｓｎ）ＴｉＯ4 組成物を例にとれば、例えば、以下のよ
うな方法により製造することができる。まず、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 および必要に応じて添加され
る微量の添加物を所望の組成となるような割合で配合す
る。この配合物に、さらにＮａＣｌなどのフラックスを
加えて１５分から２時間混合する。この組成物をるつぼ
に入れ、１１５０〜１３００℃で１時間から１５時間程
度焼成する。冷却後、軽く粉砕し、沸騰水にて洗浄して
フラックスを除去し、ろ過後乾燥し、柱状のＺｒＯ2−
ＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 化合物を合成する。この柱状粒子に
バインダ、可塑剤、および溶剤などを加え、ドクターブ
レード法などにより、成形体を得る。この場合、粒子が
柱状形状となっているので、成形の際、各粒子はランダ
ムな方向になるのではなく、長さ方向に配向する。この
グリーンシートそのもの、あるいは、このグリーンシー
トを複数枚重ねた後、焼成する。グリーンシートはもと
もと長さ方向に結晶軸が揃っているので、焼成後、誘電
率の大きい結晶軸方向と電界方向とを一致させることに
よって大きな誘電率を実現することができる。
Ｓｎ）ＴｉＯ4 組成物を例にとれば、例えば、以下のよ
うな方法により製造することができる。まず、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 および必要に応じて添加され
る微量の添加物を所望の組成となるような割合で配合す
る。この配合物に、さらにＮａＣｌなどのフラックスを
加えて１５分から２時間混合する。この組成物をるつぼ
に入れ、１１５０〜１３００℃で１時間から１５時間程
度焼成する。冷却後、軽く粉砕し、沸騰水にて洗浄して
フラックスを除去し、ろ過後乾燥し、柱状のＺｒＯ2−
ＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 化合物を合成する。この柱状粒子に
バインダ、可塑剤、および溶剤などを加え、ドクターブ
レード法などにより、成形体を得る。この場合、粒子が
柱状形状となっているので、成形の際、各粒子はランダ
ムな方向になるのではなく、長さ方向に配向する。この
グリーンシートそのもの、あるいは、このグリーンシー
トを複数枚重ねた後、焼成する。グリーンシートはもと
もと長さ方向に結晶軸が揃っているので、焼成後、誘電
率の大きい結晶軸方向と電界方向とを一致させることに
よって大きな誘電率を実現することができる。
【００１２】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を更に具体的に
説明する。 実施例１ 酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ2 ）０．４モル、酸化ス
ズ粉末（ＳｎＯ2 ）０．１モル、酸化チタン粉末（Ｔｉ
Ｏ2 ）０．５モル、およびフラックスとしてＮａＣｌを
用い、らいかい機で１時間混合粉砕した。これをるつぼ
に入れ、１２００℃で２時間焼成した。冷却後に洗浄、
ろ過しフラックスを分離した後、乾燥し、柱状の０．４
ＺｒＯ2 −０．１ＳｎＯ2 −０．５ＴｉＯ2 粒子（ＺＳ
Ｔ）を得た。得られた柱状粒子のアスペクト比は５程度
であった。次に、この粒子をグリーンシート成形した。
成形に先だって、バインダとしてポリビニルブチラール
樹脂、可塑剤、溶剤および分散剤を添加して、ボールミ
ル混合しスラリー状物とした。このスラリー状物をドク
ターブレード法を用いて、柱状粒子の長軸が揃うように
成形し、厚み２００μｍのグリーンシートを作製した。
このグリーンシートを直径７ｍｍに切断し、長軸が一定
方向に揃うようにこのグリーンシートを重ね、８０℃で
熱圧着して積層した。この成形体を空気雰囲気中で脱脂
し、焼成した。加工後、２５℃、１０ＧＨｚにおける比
誘電率、Ｑの各電気的特性を導波管法により測定した。
その結果を表１に示す。
説明する。 実施例１ 酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ2 ）０．４モル、酸化ス
ズ粉末（ＳｎＯ2 ）０．１モル、酸化チタン粉末（Ｔｉ
Ｏ2 ）０．５モル、およびフラックスとしてＮａＣｌを
用い、らいかい機で１時間混合粉砕した。これをるつぼ
に入れ、１２００℃で２時間焼成した。冷却後に洗浄、
ろ過しフラックスを分離した後、乾燥し、柱状の０．４
ＺｒＯ2 −０．１ＳｎＯ2 −０．５ＴｉＯ2 粒子（ＺＳ
Ｔ）を得た。得られた柱状粒子のアスペクト比は５程度
であった。次に、この粒子をグリーンシート成形した。
成形に先だって、バインダとしてポリビニルブチラール
樹脂、可塑剤、溶剤および分散剤を添加して、ボールミ
ル混合しスラリー状物とした。このスラリー状物をドク
ターブレード法を用いて、柱状粒子の長軸が揃うように
成形し、厚み２００μｍのグリーンシートを作製した。
このグリーンシートを直径７ｍｍに切断し、長軸が一定
方向に揃うようにこのグリーンシートを重ね、８０℃で
熱圧着して積層した。この成形体を空気雰囲気中で脱脂
し、焼成した。加工後、２５℃、１０ＧＨｚにおける比
誘電率、Ｑの各電気的特性を導波管法により測定した。
その結果を表１に示す。
【００１３】実施例２ 原料としてＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 およびＴｉＯ2 を使用
し、０．４ＺｒＯ2 −０．１ＳｎＯ2 −０．５ＴｉＯ2
組成となるように配合するとともにフラックスとしてＮ
ａ2 ＳＯ4 を加えた混合物をらいかい機で１時間粉砕混
合した。これをるつぼに入れ、１２２５℃で１０時間焼
成した。冷却後に洗浄を行い、フラックスを除去した。
得られた柱状粒子のアスペクト比は約７であった。この
柱状粒子を実施例１の場合と同様にして配向性誘電体磁
器を作製し、評価した。その結果を表１に示す。また、
図１および図２に焼結体の異なる２面におけるＸ線回折
パターンを示す。ピーク強度比が異なることにより配向
性誘電体磁器が得られていることが確認できた。
し、０．４ＺｒＯ2 −０．１ＳｎＯ2 −０．５ＴｉＯ2
組成となるように配合するとともにフラックスとしてＮ
ａ2 ＳＯ4 を加えた混合物をらいかい機で１時間粉砕混
合した。これをるつぼに入れ、１２２５℃で１０時間焼
成した。冷却後に洗浄を行い、フラックスを除去した。
得られた柱状粒子のアスペクト比は約７であった。この
柱状粒子を実施例１の場合と同様にして配向性誘電体磁
器を作製し、評価した。その結果を表１に示す。また、
図１および図２に焼結体の異なる２面におけるＸ線回折
パターンを示す。ピーク強度比が異なることにより配向
性誘電体磁器が得られていることが確認できた。
【００１４】実施例３ フラックスとしてＮａＣｌ−Ｎａ2 ＳＯ4 を使用した以
外は実施例１と同様にして約１０のアスペクト比を有す
る柱状粒子を得た。この柱状粒子を実施例１の場合と同
様にして配向性誘電体磁器を作製し、評価した。その結
果を表１に示す。
外は実施例１と同様にして約１０のアスペクト比を有す
る柱状粒子を得た。この柱状粒子を実施例１の場合と同
様にして配向性誘電体磁器を作製し、評価した。その結
果を表１に示す。
【００１５】比較例１ 原料としてＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 およびＴｉＯ2 を使用
し、０．４ＺｒＯ2 −０．１ＳｎＯ2 −０．５ＴｉＯ2
組成となるように配合し、エタノールを溶媒としてボー
ルミル混合した。溶媒を除去後、１２００℃で２時間仮
焼した。この仮焼粉をボールミル粉砕し、溶媒を除去後
乾式プレスして得られた成形体を１６２０℃で２時間焼
成した。その後実施例１と同様に電気的特性を測定し
た。その結果を表１に示す。
し、０．４ＺｒＯ2 −０．１ＳｎＯ2 −０．５ＴｉＯ2
組成となるように配合し、エタノールを溶媒としてボー
ルミル混合した。溶媒を除去後、１２００℃で２時間仮
焼した。この仮焼粉をボールミル粉砕し、溶媒を除去後
乾式プレスして得られた成形体を１６２０℃で２時間焼
成した。その後実施例１と同様に電気的特性を測定し
た。その結果を表１に示す。
【００１６】実施例４ 組成をＺｒＯ2 ０．４２モル、ＳｎＯ2 ０．０８モル、
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は実施例１と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は実施例１と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
【００１７】実施例５ 組成をＺｒＯ2 ０．４２モル、ＳｎＯ2 ０．０８モル、
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は実施例２と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は実施例２と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
【００１８】実施例６ 組成をＺｒＯ2 ０．４２モル、ＳｎＯ2 ０．０８モル、
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は実施例３と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は実施例３と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
【００１９】比較例２ 組成をＺｒＯ2 ０．４２モル、ＳｎＯ2 ０．０８モル、
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は比較例１と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
ＴｉＯ2 ０．５モルに代えた他は比較例１と同様にして
誘電体磁器を作製し、評価した。その結果を表１に示
す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配向性磁
器は、特に比誘電率が大きく、高周波数帯域で使用され
る誘電体共振器材料の小型化、あるいはコンデンサの小
型化を図ることができる。
器は、特に比誘電率が大きく、高周波数帯域で使用され
る誘電体共振器材料の小型化、あるいはコンデンサの小
型化を図ることができる。
【図１】本発明の配向性誘電体磁器のＸ線回折パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の配向性誘電体磁器のＸ線回折パターン
を示す図である。
を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 3/12 ３２０ 9059−5Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 三斜晶系、単斜晶系、斜方晶系、三方
晶系、六方晶系および正方晶系からなる群より選択され
る結晶構造を有する誘電体磁器からなり、該誘電体磁器
の少なくとも一つ以上の結晶軸の方向が揃い誘電特性の
異方性を有することを特徴とする配向性誘電体磁器。 - 【請求項２】 焼成時に酸化物となり、かつ三斜晶
系、単斜晶系、斜方晶系、三方晶系、六方晶系および正
方晶系からなる群より選択される結晶構造を有する誘電
体磁器となるＺｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、ＢａまたはＮｄから選
択される少なくとも１種の化合物を、フラックス法によ
りアスペクト比３以上の異方形状粒子とし、該異方形状
粒子を成形、焼成することを特徴とする配向性誘電体磁
器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223018A JPH0778509A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 配向性誘電体磁器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223018A JPH0778509A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 配向性誘電体磁器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778509A true JPH0778509A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16791547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223018A Pending JPH0778509A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 配向性誘電体磁器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778509A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097854A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Asahi Glass Company, Limited | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| US10655038B2 (en) | 2016-10-25 | 2020-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Method of making magnetizable abrasive particles |
| US10774251B2 (en) | 2016-10-25 | 2020-09-15 | 3M Innovative Properties Company | Functional abrasive particles, abrasive articles, and methods of making the same |
| US10947432B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-03-16 | 3M Innovative Properties Company | Magnetizable abrasive particle and method of making the same |
| US11072732B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-07-27 | 3M Innovative Properties Company | Magnetizable abrasive particles and abrasive articles including them |
| US11253972B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Structured abrasive articles and methods of making the same |
| US11484990B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-11-01 | 3M Innovative Properties Company | Bonded abrasive wheel and method of making the same |
| US11597860B2 (en) | 2016-10-25 | 2023-03-07 | 3M Innovative Properties Company | Magnetizable abrasive particle and method of making the same |
| US12208491B2 (en) | 2017-01-19 | 2025-01-28 | 3M Innovative Properties Company | Use of magnetics with magnetizable abrasive particles, methods, apparatuses and systems using magnetics to make abrasive articles |
| US12269982B2 (en) | 2017-01-23 | 2025-04-08 | 3M Innovative Properties Company | Magnetically assisted disposition of magnetizable abrasive particles |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP5223018A patent/JPH0778509A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097854A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Asahi Glass Company, Limited | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| JPWO2004097854A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2006-07-13 | 旭硝子株式会社 | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| US7208324B2 (en) | 2003-04-30 | 2007-04-24 | Asahi Glass Company, Limited | Liquid composition for forming ferroelectric thin film and process for producing ferroelectric thin film |
| US10655038B2 (en) | 2016-10-25 | 2020-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Method of making magnetizable abrasive particles |
| US10774251B2 (en) | 2016-10-25 | 2020-09-15 | 3M Innovative Properties Company | Functional abrasive particles, abrasive articles, and methods of making the same |
| US10947432B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-03-16 | 3M Innovative Properties Company | Magnetizable abrasive particle and method of making the same |
| US11072732B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-07-27 | 3M Innovative Properties Company | Magnetizable abrasive particles and abrasive articles including them |
| US11253972B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Structured abrasive articles and methods of making the same |
| US11484990B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-11-01 | 3M Innovative Properties Company | Bonded abrasive wheel and method of making the same |
| US11597860B2 (en) | 2016-10-25 | 2023-03-07 | 3M Innovative Properties Company | Magnetizable abrasive particle and method of making the same |
| US12208491B2 (en) | 2017-01-19 | 2025-01-28 | 3M Innovative Properties Company | Use of magnetics with magnetizable abrasive particles, methods, apparatuses and systems using magnetics to make abrasive articles |
| US12269982B2 (en) | 2017-01-23 | 2025-04-08 | 3M Innovative Properties Company | Magnetically assisted disposition of magnetizable abrasive particles |
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