JPH0778819A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
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- JPH0778819A JPH0778819A JP22188593A JP22188593A JPH0778819A JP H0778819 A JPH0778819 A JP H0778819A JP 22188593 A JP22188593 A JP 22188593A JP 22188593 A JP22188593 A JP 22188593A JP H0778819 A JPH0778819 A JP H0778819A
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- film
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路装置の製造方法に関し、メッキによ
って形成した配線の平坦性を改善し、その断面形状を矩
形状にする手段を提供する。 【構成】 下地層間絶縁膜２の上に目的とする配線の形
状を有する下地金属パターン３を形成し、この下地金属
パターン３を含む下地層間絶縁膜２の上の全面に層間絶
縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４の上にレジストを塗
布し、露光、現像することによって開口５1 を有するレ
ジスト膜５を形成し、このレジスト膜５の開口５1 を通
して、層間絶縁膜４を異方性ドライエッチングすること
によって、層間絶縁膜４に、下地金属パターン３の形状
の溝４1 を形成し、この層間絶縁膜４の溝４1 の中に露
出する下地金属パターン３の上にメッキ金属膜を形成す
る工程を１回以上用いて、単層または多層配線構造を形
成する。下地金属パターン３が独立している場合は、そ
れらを活性領域の外で電気的に接続した状態でメッキを
行う。
って形成した配線の平坦性を改善し、その断面形状を矩
形状にする手段を提供する。 【構成】 下地層間絶縁膜２の上に目的とする配線の形
状を有する下地金属パターン３を形成し、この下地金属
パターン３を含む下地層間絶縁膜２の上の全面に層間絶
縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４の上にレジストを塗
布し、露光、現像することによって開口５1 を有するレ
ジスト膜５を形成し、このレジスト膜５の開口５1 を通
して、層間絶縁膜４を異方性ドライエッチングすること
によって、層間絶縁膜４に、下地金属パターン３の形状
の溝４1 を形成し、この層間絶縁膜４の溝４1 の中に露
出する下地金属パターン３の上にメッキ金属膜を形成す
る工程を１回以上用いて、単層または多層配線構造を形
成する。下地金属パターン３が独立している場合は、そ
れらを活性領域の外で電気的に接続した状態でメッキを
行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路装置の製造方
法、特に、絶縁膜の上にメッキによって導電体配線を形
成する工程に特徴を有する集積回路装置の製造方法に関
する。
法、特に、絶縁膜の上にメッキによって導電体配線を形
成する工程に特徴を有する集積回路装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路装置の製造工程において、導電
体配線をメッキによって形成することは既に知られてい
る。
体配線をメッキによって形成することは既に知られてい
る。
【０００３】図２は、従来のメッキによる導電体配線の
形成工程説明図であり、（Ａ），（Ｂ）は各工程を示し
ている。この図において、１１は基板、１２は下地層間
絶縁膜、１３は下地金属膜、１３1 は下地金属パター
ン、１４はエッチングマスク、１５はメッキ金属配線、
１６は層間絶縁膜である。
形成工程説明図であり、（Ａ），（Ｂ）は各工程を示し
ている。この図において、１１は基板、１２は下地層間
絶縁膜、１３は下地金属膜、１３1 は下地金属パター
ン、１４はエッチングマスク、１５はメッキ金属配線、
１６は層間絶縁膜である。
【０００４】この従来のメッキによる導電体配線の形成
方法によると、基板１１の上に形成された下地層間絶縁
膜１２の上の全面に下地金属膜１３を形成し、その上に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術を
用いて、目的とする配線の形状の開口１４1 を有するエ
ッチングマスク１４を形成し、このエッチングマスクの
開口１４1 内に露出する下地金属膜１３の上にメッキ金
属配線１５をメッキによって形成し（図２（Ａ）参
照）、このエッチングマスク１４を除去し、下地金属膜
１３の不要部分を除去し、その上に層間絶縁膜１６を被
覆して１層の配線を完成する（図２（Ｂ）参照）。
方法によると、基板１１の上に形成された下地層間絶縁
膜１２の上の全面に下地金属膜１３を形成し、その上に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術を
用いて、目的とする配線の形状の開口１４1 を有するエ
ッチングマスク１４を形成し、このエッチングマスクの
開口１４1 内に露出する下地金属膜１３の上にメッキ金
属配線１５をメッキによって形成し（図２（Ａ）参
照）、このエッチングマスク１４を除去し、下地金属膜
１３の不要部分を除去し、その上に層間絶縁膜１６を被
覆して１層の配線を完成する（図２（Ｂ）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３は、従来のメッキ
による導電体配線の形成方法による層間絶縁膜の構造の
説明図であり、（Ａ）はＣＶＤ等によって層間絶縁膜を
堆積する場合、（Ｂ）はスピンコーティングによって層
間絶縁膜を形成する場合を示している。この図におい
て、２１は基板、２２は下地層間絶縁膜、２３は下地金
属膜、２４はメッキ金属配線、２５は層間絶縁膜であ
る。
による導電体配線の形成方法による層間絶縁膜の構造の
説明図であり、（Ａ）はＣＶＤ等によって層間絶縁膜を
堆積する場合、（Ｂ）はスピンコーティングによって層
間絶縁膜を形成する場合を示している。この図におい
て、２１は基板、２２は下地層間絶縁膜、２３は下地金
属膜、２４はメッキ金属配線、２５は層間絶縁膜であ
る。
【０００６】従来のメッキによる導電体配線の形成方法
において、ＣＶＤ等によって層間絶縁膜を堆積する場合
は、図３（Ａ）に示されているように、基板２１の上に
形成された下地層間絶縁膜２２の上に、下地金属膜２３
とメッキ金属配線２４からなる配線の上に層間絶縁膜２
５を堆積すると、下地金属膜２３、メッキ金属配線２４
の段差が反映して、層間絶縁膜２５の表面が平坦になら
ない。
において、ＣＶＤ等によって層間絶縁膜を堆積する場合
は、図３（Ａ）に示されているように、基板２１の上に
形成された下地層間絶縁膜２２の上に、下地金属膜２３
とメッキ金属配線２４からなる配線の上に層間絶縁膜２
５を堆積すると、下地金属膜２３、メッキ金属配線２４
の段差が反映して、層間絶縁膜２５の表面が平坦になら
ない。
【０００７】配線の厚さと層間絶縁膜の設計上の必要値
によっては、この段差が拡大され、さらに上層の配線を
形成する際に、フォトリソグラフィー工程での焦点深度
が充分確保できなくなる可能性がある。最近では、フォ
トリソグラフィー工程に縮小投影露光装置が用いられ、
要求されるパターン寸法も微小化が進んでいるため、焦
点深度の確保はプロセス上重要な要素である。
によっては、この段差が拡大され、さらに上層の配線を
形成する際に、フォトリソグラフィー工程での焦点深度
が充分確保できなくなる可能性がある。最近では、フォ
トリソグラフィー工程に縮小投影露光装置が用いられ、
要求されるパターン寸法も微小化が進んでいるため、焦
点深度の確保はプロセス上重要な要素である。
【０００８】上記のようにＣＶＤやＰＶＤでなく、ＳＯ
Ｇやその他ポリイミド等の液状物をスピンコートし、熱
硬化等を行って層間絶縁膜を形成する場合は、図３
（Ｂ）に示されているように、配線上の膜厚の値を設計
値に沿うように管理するのが困難である。
Ｇやその他ポリイミド等の液状物をスピンコートし、熱
硬化等を行って層間絶縁膜を形成する場合は、図３
（Ｂ）に示されているように、配線上の膜厚の値を設計
値に沿うように管理するのが困難である。
【０００９】さらに、層間絶縁膜をスピンコートによっ
て層間絶縁膜２５を形成する場合、基板の中心側と周辺
側とで被覆形状が対称にならず、極端な場合、層間絶縁
膜が薄い部分で上層の配線との絶縁性が不十分になる可
能性がある。また、これらの方法では、メッキ金属配線
の断面形状が、レジスト膜の溝の断面形状を直接反映
し、特に、最近使用されているレジスト膜は高解像度を
重視して樹脂の分子量調整等が行われており、耐熱性が
犠牲になる傾向があるため、工程中にレジスト膜の溝の
断面形状が鈍化し、この溝の中に形成されるメッキ金属
配線の断面形状が逆台形になるという問題があった。
て層間絶縁膜２５を形成する場合、基板の中心側と周辺
側とで被覆形状が対称にならず、極端な場合、層間絶縁
膜が薄い部分で上層の配線との絶縁性が不十分になる可
能性がある。また、これらの方法では、メッキ金属配線
の断面形状が、レジスト膜の溝の断面形状を直接反映
し、特に、最近使用されているレジスト膜は高解像度を
重視して樹脂の分子量調整等が行われており、耐熱性が
犠牲になる傾向があるため、工程中にレジスト膜の溝の
断面形状が鈍化し、この溝の中に形成されるメッキ金属
配線の断面形状が逆台形になるという問題があった。
【００１０】図４は、従来のメッキによる導電体配線の
形成方法によるメッキ金属配線の断面形状の説明図であ
る。この図において、３１は基板、３２は下地層間絶縁
膜、３３は下地金属膜、３４はレジスト膜、３４1 は
溝、３５はメッキ金属配線である。
形成方法によるメッキ金属配線の断面形状の説明図であ
る。この図において、３１は基板、３２は下地層間絶縁
膜、３３は下地金属膜、３４はレジスト膜、３４1 は
溝、３５はメッキ金属配線である。
【００１１】従来のメッキによる導電体配線の形成方法
においては、基板３１の上に下地層間絶縁膜３２を形成
し、この下地層間絶縁膜３２の上の全面に下地金属膜３
３を形成し、その上にレジストを塗布し、露光、現像す
ることによって、配線パターンの形状の溝３４1 を有す
るレジスト膜３４を形成する。そして、このレジスト膜
３４の溝３４1 の中に、溝３４1 の底に露出する下地金
属膜３３を電極としてメッキ金属配線３５を形成する。
においては、基板３１の上に下地層間絶縁膜３２を形成
し、この下地層間絶縁膜３２の上の全面に下地金属膜３
３を形成し、その上にレジストを塗布し、露光、現像す
ることによって、配線パターンの形状の溝３４1 を有す
るレジスト膜３４を形成する。そして、このレジスト膜
３４の溝３４1 の中に、溝３４1 の底に露出する下地金
属膜３３を電極としてメッキ金属配線３５を形成する。
【００１２】この場合、前述したように、レジスト膜３
４の材料として、その高解像度を重視するあまり、耐熱
性が低い樹脂を用いると、工程中の熱処理によってレジ
スト膜の溝３４1 の断面形状が鈍化することがある。し
たがって、この溝３４1 の中にメッキ金属配線３５を形
成すると、その断面も逆台形になる。
４の材料として、その高解像度を重視するあまり、耐熱
性が低い樹脂を用いると、工程中の熱処理によってレジ
スト膜の溝３４1 の断面形状が鈍化することがある。し
たがって、この溝３４1 の中にメッキ金属配線３５を形
成すると、その断面も逆台形になる。
【００１３】そして、レジスト膜３４を除去した後に、
メッキ金属配線３５からはみ出した下地金属膜３３をド
ライエッチングによって除去すると、下地金属膜３３の
蒸発した粒子が、オーバーハングしている断面形状が逆
台形であるメッキ金属配線の側面に再付着する可能性が
あり、この再付着物が後の工程で導電性異物となり歩留
りに悪影響を及ぼすおそれがある。
メッキ金属配線３５からはみ出した下地金属膜３３をド
ライエッチングによって除去すると、下地金属膜３３の
蒸発した粒子が、オーバーハングしている断面形状が逆
台形であるメッキ金属配線の側面に再付着する可能性が
あり、この再付着物が後の工程で導電性異物となり歩留
りに悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１４】本発明は、上記の問題を解決することを意
図したもので、レジスト膜の代わりに溝を有する層間絶
縁膜を用い、この溝の中に露出する下地導電体パターン
の上にメッキによって導電体配線を形成することによっ
て、配線の平坦性を改善し、その断面形状を矩形状にす
る手段を提供することを目的とする。
図したもので、レジスト膜の代わりに溝を有する層間絶
縁膜を用い、この溝の中に露出する下地導電体パターン
の上にメッキによって導電体配線を形成することによっ
て、配線の平坦性を改善し、その断面形状を矩形状にす
る手段を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる集積回路
装置の製造方法においては、絶縁膜の上に目的とする配
線の形状を有する下地導電体パターンを形成し、該下地
導電体パターンの上に該下地導電体パターンの形状の溝
を有する層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜の溝内に露
出する該下地導電体パターン上に導電体配線をメッキに
よって形成する工程を採用した。
装置の製造方法においては、絶縁膜の上に目的とする配
線の形状を有する下地導電体パターンを形成し、該下地
導電体パターンの上に該下地導電体パターンの形状の溝
を有する層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜の溝内に露
出する該下地導電体パターン上に導電体配線をメッキに
よって形成する工程を採用した。
【００１６】この場合、絶縁膜の上に形成した独立した
複数の配線の間を電気的に相互に接続した後に、層間絶
縁膜の溝内に露出する下地導電体パターン上に導電体配
線をメッキによって形成することができる。
複数の配線の間を電気的に相互に接続した後に、層間絶
縁膜の溝内に露出する下地導電体パターン上に導電体配
線をメッキによって形成することができる。
【００１７】また、この場合、層間絶縁膜の厚さをメッ
キによって形成する導電体配線の厚さと実質的に同一に
し、該導電体配線を形成した後、該層間絶縁膜と導電体
配線の上に他の層間絶縁膜を形成してその表面を平坦化
することができる。
キによって形成する導電体配線の厚さと実質的に同一に
し、該導電体配線を形成した後、該層間絶縁膜と導電体
配線の上に他の層間絶縁膜を形成してその表面を平坦化
することができる。
【００１８】またこの場合、異方性ドライエッチングに
よって層間絶縁膜を加工することによって溝の側壁を垂
直にし、該溝内に形成する導電体配線の断面を矩形状に
することができる。
よって層間絶縁膜を加工することによって溝の側壁を垂
直にし、該溝内に形成する導電体配線の断面を矩形状に
することができる。
【００１９】
【作用】本発明のように、基板上に形成された下地層間
絶縁膜の上に、形成しようとする回路パターンの形状の
溝を有する下地金属パターンを形成し、その上に層間絶
縁膜を形成し、この層間絶縁膜の回路パターンの上に、
異方性ドライエッチング等によって溝を形成し、この溝
の中にメッキ金属配線を形成するようにすると、前記の
従来技術のように、レジスト膜を除去した後にメッキ金
属配線からはみ出した下地金属膜をドライエッチングし
て除去する工程がないから、下地金属膜の蒸発した粒子
がメッキ金属配線の側面に再付着して後の工程で導電性
異物となって歩留りに悪影響を及ぼす可能性がない。
絶縁膜の上に、形成しようとする回路パターンの形状の
溝を有する下地金属パターンを形成し、その上に層間絶
縁膜を形成し、この層間絶縁膜の回路パターンの上に、
異方性ドライエッチング等によって溝を形成し、この溝
の中にメッキ金属配線を形成するようにすると、前記の
従来技術のように、レジスト膜を除去した後にメッキ金
属配線からはみ出した下地金属膜をドライエッチングし
て除去する工程がないから、下地金属膜の蒸発した粒子
がメッキ金属配線の側面に再付着して後の工程で導電性
異物となって歩留りに悪影響を及ぼす可能性がない。
【００２０】また、条件を調整した異方性ドライエッチ
ングによって層間絶縁膜を加工して溝を形成すると、溝
の側壁を垂直に維持することができるため、この溝の中
に形成するメッキ金属配線の断面形状を設計通りに形成
することができる。この溝内に形成するメッキ金属配線
が抵抗素子である場合は、正確な抵抗値の抵抗素子を実
現することができる。
ングによって層間絶縁膜を加工して溝を形成すると、溝
の側壁を垂直に維持することができるため、この溝の中
に形成するメッキ金属配線の断面形状を設計通りに形成
することができる。この溝内に形成するメッキ金属配線
が抵抗素子である場合は、正確な抵抗値の抵抗素子を実
現することができる。
【００２１】そして、従来の多層配線構造を形成する方
法で問題になっていた、層間絶縁膜の表面の平坦性の劣
化、層間絶縁膜の膜厚の再現性、層間絶縁膜の膜厚のム
ラの発生等を低減することができる。
法で問題になっていた、層間絶縁膜の表面の平坦性の劣
化、層間絶縁膜の膜厚の再現性、層間絶縁膜の膜厚のム
ラの発生等を低減することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の一実施例の集積回路装置の製造工程説明図てあ
り、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。この図にお
いて、１は基板、２は下地層間絶縁膜、３は下地金属パ
ターン、４は層間絶縁膜、４1 は溝、５はレジスト膜、
５1 は開口、６はメッキ金属膜、７は上層の層間絶縁膜
である。
本発明の一実施例の集積回路装置の製造工程説明図てあ
り、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。この図にお
いて、１は基板、２は下地層間絶縁膜、３は下地金属パ
ターン、４は層間絶縁膜、４1 は溝、５はレジスト膜、
５1 は開口、６はメッキ金属膜、７は上層の層間絶縁膜
である。
【００２３】この工程説明図によって、本発明の一実施
例の集積回路装置の製造方法を説明する。
例の集積回路装置の製造方法を説明する。
【００２４】第１工程（図１（Ａ）参照） 基板１の上に、下地層間絶縁膜２を形成し、その上の全
面に、ＷＳｉ／Ｔｉ／Ａｕからなる下地金属膜を形成
し、この下地金属膜を形成しようとする配線の形状にパ
ターニングすることによって、下地金属パターン３を形
成する。なお、ＷＳｉ／Ｔｉ／ＡｕのＷＳｉはバリアと
して、ＴｉはＷＳｉとＡｕの間の接着性の改善、Ａｕは
導電性の改善を目的とする。
面に、ＷＳｉ／Ｔｉ／Ａｕからなる下地金属膜を形成
し、この下地金属膜を形成しようとする配線の形状にパ
ターニングすることによって、下地金属パターン３を形
成する。なお、ＷＳｉ／Ｔｉ／ＡｕのＷＳｉはバリアと
して、ＴｉはＷＳｉとＡｕの間の接着性の改善、Ａｕは
導電性の改善を目的とする。
【００２５】第２工程（図１（Ｂ）参照） 第１工程で形成した下地金属パターン３を含む下地層間
絶縁膜２の全面に、形成しようとする配線の厚さと同程
度の厚さのポリイミドである層間絶縁膜４を形成し、こ
の層間絶縁膜４の上にフォトレジストを塗布し、このフ
ォトレジスト膜を下地金属パターン３の形状の開口を有
する露光マスクを用いて露光、現像し下地金属パターン
３の形状の開口５1 を有するレジスト膜５を形成し、こ
のレジスト膜５をマスクにしてＯ2 系のガスを用い反応
性ドライエッチングを適用することによって層間絶縁膜
４の下地金属パターン３の上に、下地金属パターン３に
達する溝４1 を形成する。
絶縁膜２の全面に、形成しようとする配線の厚さと同程
度の厚さのポリイミドである層間絶縁膜４を形成し、こ
の層間絶縁膜４の上にフォトレジストを塗布し、このフ
ォトレジスト膜を下地金属パターン３の形状の開口を有
する露光マスクを用いて露光、現像し下地金属パターン
３の形状の開口５1 を有するレジスト膜５を形成し、こ
のレジスト膜５をマスクにしてＯ2 系のガスを用い反応
性ドライエッチングを適用することによって層間絶縁膜
４の下地金属パターン３の上に、下地金属パターン３に
達する溝４1 を形成する。
【００２６】なお、層間絶縁膜としてポリイミドを用い
ると誘電率が低いため配線間の容量を小さくすることが
でき、スピン塗布と熱硬化によって容易に層間絶縁膜を
形成することができる。また、Ｏ2 系のガスを用い反応
性ドライエッチングを適用し、エッチング条件を最適化
することによって、壁面が直立した良好な形状の溝を形
成することができる。
ると誘電率が低いため配線間の容量を小さくすることが
でき、スピン塗布と熱硬化によって容易に層間絶縁膜を
形成することができる。また、Ｏ2 系のガスを用い反応
性ドライエッチングを適用し、エッチング条件を最適化
することによって、壁面が直立した良好な形状の溝を形
成することができる。
【００２７】第３工程（図１（Ｃ）参照） 溝４1 を有する層間絶縁膜４をマスクにして、この溝４
1 の底に露出する下地金属パターン３の最上層にあるＡ
ｕ膜の上にＡｕからなるメッキ金属膜６を形成する。層
間絶縁膜４に溝４1 を形成するために用いたレジスト膜
５を除去した後、メッキ金属膜６を覆ってポリイミドを
スピンコートし熱硬化することによって上層の層間絶縁
膜７を形成して、メッキ金属膜６からなる１層の配線を
完成する。なお、メッキ金属膜６を形成する工程でレジ
スト膜５を残しておくと、メッキ金属膜６の厚さと平坦
性にマージンを確保することができる。
1 の底に露出する下地金属パターン３の最上層にあるＡ
ｕ膜の上にＡｕからなるメッキ金属膜６を形成する。層
間絶縁膜４に溝４1 を形成するために用いたレジスト膜
５を除去した後、メッキ金属膜６を覆ってポリイミドを
スピンコートし熱硬化することによって上層の層間絶縁
膜７を形成して、メッキ金属膜６からなる１層の配線を
完成する。なお、メッキ金属膜６を形成する工程でレジ
スト膜５を残しておくと、メッキ金属膜６の厚さと平坦
性にマージンを確保することができる。
【００２８】この工程を繰り返すことによって、多層配
線構造を形成することができる。この方法で多層配線構
造を形成すると、配線上の実際の絶縁膜の膜厚の制御が
容易である。従来の多層配線構造を形成する方法で問題
になっていた、層間絶縁膜の表面の平坦性の劣化、層間
絶縁膜の膜厚の再現性、層間絶縁膜の膜厚のムラの発生
等を解消することができる。
線構造を形成することができる。この方法で多層配線構
造を形成すると、配線上の実際の絶縁膜の膜厚の制御が
容易である。従来の多層配線構造を形成する方法で問題
になっていた、層間絶縁膜の表面の平坦性の劣化、層間
絶縁膜の膜厚の再現性、層間絶縁膜の膜厚のムラの発生
等を解消することができる。
【００２９】なお、下地金属パターン３が独立している
場合は、それらを活性領域の外側等で電気的に接続した
状態で個々の下地金属パターン３の上にメッキ金属膜６
を形成した後に、この接続を解くことができる。
場合は、それらを活性領域の外側等で電気的に接続した
状態で個々の下地金属パターン３の上にメッキ金属膜６
を形成した後に、この接続を解くことができる。
【００３０】また、層間絶縁膜４の厚さを形成しようと
するメッキ金属膜６の厚さと実質的に同一にして、その
溝内にメッキ金属膜６を形成した後、この層間絶縁膜４
とメッキ金属膜６の上に他の層間絶縁膜を形成する場
合、その表面を平坦化することができる。上記の実施例
では、Ａｕ等のメッキ金属膜６を用いたが、本発明は金
属の他、広く導電体に適用できる。
するメッキ金属膜６の厚さと実質的に同一にして、その
溝内にメッキ金属膜６を形成した後、この層間絶縁膜４
とメッキ金属膜６の上に他の層間絶縁膜を形成する場
合、その表面を平坦化することができる。上記の実施例
では、Ａｕ等のメッキ金属膜６を用いたが、本発明は金
属の他、広く導電体に適用できる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
配線層を平坦化することができ、フォトリソグラフィー
工程での焦点深度の確保等のプロセスマージンを大きく
することが可能であり、また、層間絶縁膜の膜厚を基板
上で均一にできるため、多層配線での電気的な絶縁歩留
りの向上にも大きく寄与する。さらに、配線の断面形状
を改善できることから、導電性異物の発生等を抑えるこ
とができ、この点でも歩留りの向上にも大きく寄与す
る。
配線層を平坦化することができ、フォトリソグラフィー
工程での焦点深度の確保等のプロセスマージンを大きく
することが可能であり、また、層間絶縁膜の膜厚を基板
上で均一にできるため、多層配線での電気的な絶縁歩留
りの向上にも大きく寄与する。さらに、配線の断面形状
を改善できることから、導電性異物の発生等を抑えるこ
とができ、この点でも歩留りの向上にも大きく寄与す
る。
【図１】本発明の一実施例の集積回路装置の製造工程説
明図てあり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。
明図てあり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。
【図２】従来のメッキによる導電体配線の形成工程説明
図であり、（Ａ），（Ｂ）は各工程を示している。
図であり、（Ａ），（Ｂ）は各工程を示している。
【図３】従来のメッキによる導電体配線の形成方法によ
る層間絶縁膜の構造の説明図であり、（Ａ）はＣＶＤ等
によって層間絶縁膜を堆積する場合、（Ｂ）はスピンコ
ーティングによって層間絶縁膜を形成する場合を示して
いる。
る層間絶縁膜の構造の説明図であり、（Ａ）はＣＶＤ等
によって層間絶縁膜を堆積する場合、（Ｂ）はスピンコ
ーティングによって層間絶縁膜を形成する場合を示して
いる。
【図４】従来のメッキによる導電体配線の形成方法によ
るメッキ金属配線の断面形状の説明図である。
るメッキ金属配線の断面形状の説明図である。
１ 基板 ２ 下地層間絶縁膜 ３ 下地金属パターン ４ 層間絶縁膜 ４1 溝 ５ レジスト膜 ５1 開口 ６ メッキ金属膜 ７ 上層の層間絶縁膜 １１ 基板 １２ 下地層間絶縁膜 １３ 下地金属膜 １３1 下地金属パターン １４ エッチングマスク １５ メッキ金属配線 １６ 層間絶縁膜 ２１ 基板 ２２ 下地層間絶縁膜 ２３ 下地金属膜 ２４ メッキ金属配線 ２５ 層間絶縁膜 ３１ 基板 ３２ 下地層間絶縁膜 ３３ 下地金属膜 ３４ レジスト膜 ３４1 溝 ３５ メッキ金属配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｇ 7511−4Ｅ 3/46 Ｅ 6921−4Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁膜の上に目的とする配線の形状を有
する下地導電体パターンを形成し、該下地導電体パター
ンの上に該下地導電体パターンの形状の溝を有する層間
絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜の溝内に露出する該下地
導電体パターン上に導電体配線をメッキによって形成す
ることを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２】 絶縁膜の上に形成した独立した複数の配
線の間を電気的に相互に接続した後に、層間絶縁膜の溝
内に露出する下地導電体パターン上に導電体配線をメッ
キによって形成することを特徴とする請求項１に記載さ
れた集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 層間絶縁膜の厚さをメッキによって形成
する導電体配線の厚さと実質的に同一にし、該導電体配
線を形成した後、該層間絶縁膜と導電体配線の上に他の
層間絶縁膜を形成してその表面を平坦化することを特徴
とする請求項１に記載された集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４】 異方性ドライエッチングによって層間絶
縁膜を加工することによって溝の側壁を垂直にし、該溝
内に形成する導電体配線の断面を矩形状にすることを特
徴とする請求項１に記載された集積回路装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22188593A JPH0778819A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22188593A JPH0778819A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778819A true JPH0778819A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16773709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22188593A Withdrawn JPH0778819A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165634A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP22188593A patent/JPH0778819A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165634A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |