JPH0778828A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0778828A JPH0778828A JP5223170A JP22317093A JPH0778828A JP H0778828 A JPH0778828 A JP H0778828A JP 5223170 A JP5223170 A JP 5223170A JP 22317093 A JP22317093 A JP 22317093A JP H0778828 A JPH0778828 A JP H0778828A
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- bump
- semiconductor chip
- semiconductor device
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、磁石の引力によって基板に半導体
チップを固定することにより、半導体装置の信頼性およ
びチップ・リペア性を向上させる。 【構成】実装基板11の表面に微小磁石からなる電極パッ
ド11a を設けており、半導体チップ13に常温で磁力を有
する接続用バンプ12を設けている。前記実装基板11の上
に半導体チップ13を載置する。この際、前記接続用バン
プ12を前記電極パッド11a の上に位置させることによ
り、接続用バンプ12を磁石の引力によって電極パッド11
a 上に固定するとともに、この電極パッド11a と接続用
バンプ12とを電気的に接続している。従って、半導体装
置の信頼性およびチップ・リペア性を向上させることが
できる。
チップを固定することにより、半導体装置の信頼性およ
びチップ・リペア性を向上させる。 【構成】実装基板11の表面に微小磁石からなる電極パッ
ド11a を設けており、半導体チップ13に常温で磁力を有
する接続用バンプ12を設けている。前記実装基板11の上
に半導体チップ13を載置する。この際、前記接続用バン
プ12を前記電極パッド11a の上に位置させることによ
り、接続用バンプ12を磁石の引力によって電極パッド11
a 上に固定するとともに、この電極パッド11a と接続用
バンプ12とを電気的に接続している。従って、半導体装
置の信頼性およびチップ・リペア性を向上させることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関する
もので、特に基板の上に半導体チップを実装する際に使
用されるものである。
もので、特に基板の上に半導体チップを実装する際に使
用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、第１の従来の半導体装置におけ
るバンプによる接続部を示す断面図である。実装基板１
の表面には電極パッド１ａが設けられている。前記実装
基板１の上にはバンプ２を有する半導体チップ３が載置
される。この際、前記バンプ２は前記電極パッド１ａの
上に位置している。この後、高温処理を施すことによっ
て、前記バンプ２は溶融される。これにより、前記バン
プ２は実装基板１における電極パッド１ａの上に固着さ
れる。
るバンプによる接続部を示す断面図である。実装基板１
の表面には電極パッド１ａが設けられている。前記実装
基板１の上にはバンプ２を有する半導体チップ３が載置
される。この際、前記バンプ２は前記電極パッド１ａの
上に位置している。この後、高温処理を施すことによっ
て、前記バンプ２は溶融される。これにより、前記バン
プ２は実装基板１における電極パッド１ａの上に固着さ
れる。
【０００３】図６は、第２の従来の半導体装置における
バンプによる接続部を示す断面図であり、図５と同一部
分には同一符号を付す。実装基板１の上にはバンプ２を
有する半導体チップ３が載置される。この際、前記バン
プ２は実装基板１における電極パッド１ａの上に位置し
ている。この後、前記実装基板１の上面、バンプ２およ
び半導体チップ３の上には硬化性の樹脂４が設けられ
る。これにより、前記電極パッド１ａ上にバンプ２が位
置した状態で、実装基板１の上には半導体チップ３が固
定される。
バンプによる接続部を示す断面図であり、図５と同一部
分には同一符号を付す。実装基板１の上にはバンプ２を
有する半導体チップ３が載置される。この際、前記バン
プ２は実装基板１における電極パッド１ａの上に位置し
ている。この後、前記実装基板１の上面、バンプ２およ
び半導体チップ３の上には硬化性の樹脂４が設けられ
る。これにより、前記電極パッド１ａ上にバンプ２が位
置した状態で、実装基板１の上には半導体チップ３が固
定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記第１の
従来の半導体装置では、バンプ２を溶融させることによ
り、実装基板１における電極パッド１ａ上にバンプ２を
固着している。このため、実装基板１の上に半導体チッ
プ３を載置した後、バンプ２に高温処理を施す必要があ
る。この結果、半導体チップ３及びバンプ２に過大な熱
応力が発生することがある。すなわち、高温でバンプ２
を溶融することにより、半導体チップ３及びバンプ２の
温度は高温に上昇され、電極パッド１ａ上にバンプ２が
固着された後、半導体チップ３及びバンプ２の温度は常
温に戻される。この過程において、半導体チップ３及び
バンプ２に過大な熱応力が発生する。この応力により、
半導体チップ３及びバンプ２が破壊されることがある。
したがって、半導体装置の信頼性が低下することがあ
る。
従来の半導体装置では、バンプ２を溶融させることによ
り、実装基板１における電極パッド１ａ上にバンプ２を
固着している。このため、実装基板１の上に半導体チッ
プ３を載置した後、バンプ２に高温処理を施す必要があ
る。この結果、半導体チップ３及びバンプ２に過大な熱
応力が発生することがある。すなわち、高温でバンプ２
を溶融することにより、半導体チップ３及びバンプ２の
温度は高温に上昇され、電極パッド１ａ上にバンプ２が
固着された後、半導体チップ３及びバンプ２の温度は常
温に戻される。この過程において、半導体チップ３及び
バンプ２に過大な熱応力が発生する。この応力により、
半導体チップ３及びバンプ２が破壊されることがある。
したがって、半導体装置の信頼性が低下することがあ
る。
【０００５】また、電極パッド１ａ上にバンプ２を固着
させているため、半導体チップ３に不良が生じた際のチ
ップ交換作業は困難である。したがって、半導体装置の
チップ・リペア性は低い。
させているため、半導体チップ３に不良が生じた際のチ
ップ交換作業は困難である。したがって、半導体装置の
チップ・リペア性は低い。
【０００６】また、上記第２の従来の半導体装置では、
硬化性の樹脂４により半導体チップ３及びバンプ２を固
定させているため、半導体チップ３に不良が生じた際の
チップ交換作業は困難である。したがって、半導体装置
のチップ・リペア性は低い。
硬化性の樹脂４により半導体チップ３及びバンプ２を固
定させているため、半導体チップ３に不良が生じた際の
チップ交換作業は困難である。したがって、半導体装置
のチップ・リペア性は低い。
【０００７】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、磁石の引力によって基
板に半導体チップを固定することにより、装置の信頼性
およびチップ・リペア性を向上させた半導体装置を提供
することにある。
されたものであり、その目的は、磁石の引力によって基
板に半導体チップを固定することにより、装置の信頼性
およびチップ・リペア性を向上させた半導体装置を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、基板の表面に設けられた磁性を有する接
続手段と、前記接続手段の上に磁力によって固定された
磁性を有するバンプと、前記バンプの上に設けられた半
導体チップと、を具備することを特徴としている。
解決するため、基板の表面に設けられた磁性を有する接
続手段と、前記接続手段の上に磁力によって固定された
磁性を有するバンプと、前記バンプの上に設けられた半
導体チップと、を具備することを特徴としている。
【０００９】また、基板の裏面に設けられた薄膜状の磁
石と、前記薄膜状の磁石の磁力によって、前記基板の表
面上に固定された磁性を有するバンプと、前記バンプの
上に設けられた半導体チップと、を具備することを特徴
としている。
石と、前記薄膜状の磁石の磁力によって、前記基板の表
面上に固定された磁性を有するバンプと、前記バンプの
上に設けられた半導体チップと、を具備することを特徴
としている。
【００１０】また、基板の表面に設けられた磁性を有す
る接続手段と、前記パッドの上に磁力によって固定され
た磁性を有するバンプと、前記バンプの上に設けられた
半導体チップと、前記半導体チップ及び前記バンプが被
覆されたゲル状の樹脂と、を具備することを特徴として
いる。
る接続手段と、前記パッドの上に磁力によって固定され
た磁性を有するバンプと、前記バンプの上に設けられた
半導体チップと、前記半導体チップ及び前記バンプが被
覆されたゲル状の樹脂と、を具備することを特徴として
いる。
【００１１】また、前記バンプは、磁性粉を含有する金
属からなることを特徴としている。また、前記バンプ
は、キュリ−温度が４７３Ｋ〜５４３Ｋの範囲である磁
性材料からなることを特徴とすることを特徴としてい
る。
属からなることを特徴としている。また、前記バンプ
は、キュリ−温度が４７３Ｋ〜５４３Ｋの範囲である磁
性材料からなることを特徴とすることを特徴としてい
る。
【００１２】
【作用】この発明は、基板の表面に磁性を有する接続手
段を設け、半導体チップに磁性を有するバンプを設け、
このバンプと前記パッドとを磁力によって固定すること
により、基板の上に半導体チップを実装している。これ
により、半導体チップおよびバンプに熱履歴に伴う応力
が発生することがないため、半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
段を設け、半導体チップに磁性を有するバンプを設け、
このバンプと前記パッドとを磁力によって固定すること
により、基板の上に半導体チップを実装している。これ
により、半導体チップおよびバンプに熱履歴に伴う応力
が発生することがないため、半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
【００１３】また、バンプとパッドとを磁石の引力によ
って固定することから、半導体チップに不良が生じた際
のチップ交換作業を容易に行うことができる。したがっ
て、半導体装置のチップ・リペア性を向上させることが
できる。
って固定することから、半導体チップに不良が生じた際
のチップ交換作業を容易に行うことができる。したがっ
て、半導体装置のチップ・リペア性を向上させることが
できる。
【００１４】また、半導体チップ及び前記バンプをゲル
状の樹脂により被覆しているため、振動による半導体チ
ップの位置ずれを防止できるとともに、磁力による半導
体チップの位置の自己修復性を持たせることができる。
したがって、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
状の樹脂により被覆しているため、振動による半導体チ
ップの位置ずれを防止できるとともに、磁力による半導
体チップの位置の自己修復性を持たせることができる。
したがって、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による半
導体装置におけるバンプによる接続部を示す断面図であ
る。実装基板１１の表面には磁性を有する接続手段、例
えば微小磁石からなる電極パッド１１ａが設けられてい
る。前記実装基板１１の上には、常温で磁力を有する接
続用バンプ１２が設けられている半導体チップ１３が載
置される。この際、前記接続用バンプ１２を前記電極パ
ッド１１ａの上に位置させることにより、接続用バンプ
１２は磁石の引力によって電極パッド１１ａ上に固定さ
れる。これとともに、この電極パッド１１ａと接続用バ
ンプ１２とは電気的に接続される。したがって、半導体
チップ１３は実装基板１１の上に固定される。
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による半
導体装置におけるバンプによる接続部を示す断面図であ
る。実装基板１１の表面には磁性を有する接続手段、例
えば微小磁石からなる電極パッド１１ａが設けられてい
る。前記実装基板１１の上には、常温で磁力を有する接
続用バンプ１２が設けられている半導体チップ１３が載
置される。この際、前記接続用バンプ１２を前記電極パ
ッド１１ａの上に位置させることにより、接続用バンプ
１２は磁石の引力によって電極パッド１１ａ上に固定さ
れる。これとともに、この電極パッド１１ａと接続用バ
ンプ１２とは電気的に接続される。したがって、半導体
チップ１３は実装基板１１の上に固定される。
【００１６】尚、前記接続用バンプ１２の材料は、磁性
体金属又は磁性粉を含む金属等の磁性材料であり、これ
らの金属からバンプのプロセス条件に適合したものを選
択する必要がある。
体金属又は磁性粉を含む金属等の磁性材料であり、これ
らの金属からバンプのプロセス条件に適合したものを選
択する必要がある。
【００１７】また、前記磁性材料のキュリ−温度は、チ
ップ・リペア性を考慮すれば、４７３Ｋ〜５４３Ｋの範
囲にあるものが好ましい。上記第１の実施例によれば、
実装基板１１の表面に微小磁石からなる電極パッド１１
ａを設け、半導体チップ１３に常温で磁力を有する接続
用バンプ１２を設ける。この接続用バンプ１２と前記電
極パッド１１ａとを磁石の引力によって固定することに
より、実装基板１１上に半導体チップ１３を固定してい
る。このため、従来のバンプによる接続方法、即ちバン
プを溶融させて電極上に固着する方法のような高温処理
を施す必要がない。したがって、半導体チップ１３およ
び接続用バンプ１２に熱履歴に伴う応力が発生すること
がないため、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
ップ・リペア性を考慮すれば、４７３Ｋ〜５４３Ｋの範
囲にあるものが好ましい。上記第１の実施例によれば、
実装基板１１の表面に微小磁石からなる電極パッド１１
ａを設け、半導体チップ１３に常温で磁力を有する接続
用バンプ１２を設ける。この接続用バンプ１２と前記電
極パッド１１ａとを磁石の引力によって固定することに
より、実装基板１１上に半導体チップ１３を固定してい
る。このため、従来のバンプによる接続方法、即ちバン
プを溶融させて電極上に固着する方法のような高温処理
を施す必要がない。したがって、半導体チップ１３およ
び接続用バンプ１２に熱履歴に伴う応力が発生すること
がないため、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
【００１８】また、接続用バンプ１２と電極パッド１１
ａとを磁石の引力によって固定することから、半導体チ
ップ１３に不良が生じた際のチップ交換作業を容易に行
うことができる。即ち、半導体装置のチップ・リペア性
を向上させることができる。
ａとを磁石の引力によって固定することから、半導体チ
ップ１３に不良が生じた際のチップ交換作業を容易に行
うことができる。即ち、半導体装置のチップ・リペア性
を向上させることができる。
【００１９】尚、上記第１の実施例では、バンプ１２と
電極パッド１１ａとを固定する機能およびバンプ１２と
電極パッド１１ａとを電気的に接続させる機能の両方を
有する接続用バンプ１２を用いているが、バンプ１２と
パッドとを固定する機能のみを有する固定専用のダミ−
・バンプを用いることも可能である。
電極パッド１１ａとを固定する機能およびバンプ１２と
電極パッド１１ａとを電気的に接続させる機能の両方を
有する接続用バンプ１２を用いているが、バンプ１２と
パッドとを固定する機能のみを有する固定専用のダミ−
・バンプを用いることも可能である。
【００２０】すなわち、接続用バンプ１２およびバンプ
と電極パッドとを電気的に接続する機能のみを有する図
示せぬ電極専用のバンプを半導体チップ１３に設ける構
造としているが、電極専用のバンプおよび固定専用のダ
ミ−・バンプを半導体チップに設ける構造とすることも
可能である。
と電極パッドとを電気的に接続する機能のみを有する図
示せぬ電極専用のバンプを半導体チップ１３に設ける構
造としているが、電極専用のバンプおよび固定専用のダ
ミ−・バンプを半導体チップに設ける構造とすることも
可能である。
【００２１】図２は、この発明の第２の実施例による半
導体装置におけるバンプによる接続部を示す断面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付す。実装基板１１
の表面には磁性を有することのない電極パッド１１ｂが
設けられており、前記実装基板１１の裏面上には薄膜磁
石１４が設けられている。前記実装基板１１の上には、
磁力を有する接続用バンプ１２が設けられている半導体
チップ１３が載置される。この際、前記接続用バンプ１
２は前記電極パッド１１ｂの上に位置しており、前記接
続用バンプ１２は薄膜磁石１４の磁力によって前記電極
パッド１１ｂ上に固定される。この結果、半導体チップ
１３は実装基板１１の上に固定される。
導体装置におけるバンプによる接続部を示す断面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付す。実装基板１１
の表面には磁性を有することのない電極パッド１１ｂが
設けられており、前記実装基板１１の裏面上には薄膜磁
石１４が設けられている。前記実装基板１１の上には、
磁力を有する接続用バンプ１２が設けられている半導体
チップ１３が載置される。この際、前記接続用バンプ１
２は前記電極パッド１１ｂの上に位置しており、前記接
続用バンプ１２は薄膜磁石１４の磁力によって前記電極
パッド１１ｂ上に固定される。この結果、半導体チップ
１３は実装基板１１の上に固定される。
【００２２】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。図３は、この発明の
第３の実施例による半導体装置におけるバンプによる接
続部を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号
を付し、異なる部分についてのみ説明する。
と同様の効果を得ることができる。図３は、この発明の
第３の実施例による半導体装置におけるバンプによる接
続部を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号
を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００２３】半導体チップ１３の表面上には複数の接続
用バンプ１２が設けられている。これら接続用バンプ１
２のすべては、バンプ１２と電極パッド１１ａとを固定
する機能およびバンプ１２と電極パッド１１ａとを電気
的に接続させる機能の両方を有するものである。
用バンプ１２が設けられている。これら接続用バンプ１
２のすべては、バンプ１２と電極パッド１１ａとを固定
する機能およびバンプ１２と電極パッド１１ａとを電気
的に接続させる機能の両方を有するものである。
【００２４】上記第３の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。図４は、この発明の
第４の実施例による半導体装置におけるバンプによる接
続部を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号
を付し、異なる部分についてのみ説明する。
と同様の効果を得ることができる。図４は、この発明の
第４の実施例による半導体装置におけるバンプによる接
続部を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号
を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００２５】実装基板１１の上面、接続用バンプ１２お
よび半導体チップ１３の上にはゲル状の樹脂１５が設け
られている。すなわち、半導体チップ１３および接続用
バンプ１２は前記樹脂１５により被覆される。
よび半導体チップ１３の上にはゲル状の樹脂１５が設け
られている。すなわち、半導体チップ１３および接続用
バンプ１２は前記樹脂１５により被覆される。
【００２６】上記第４の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。しかも、半導体チッ
プ１３および接続用バンプ１２をゲル状の樹脂１５によ
り被覆しているため、振動による半導体チップ１３の位
置ずれを防止できるとともに、磁石の引力による半導体
チップ１３の位置の自己修復性を持たせることができ
る。したがって、半導体装置の信頼性をさらに向上させ
ることができる。
と同様の効果を得ることができる。しかも、半導体チッ
プ１３および接続用バンプ１２をゲル状の樹脂１５によ
り被覆しているため、振動による半導体チップ１３の位
置ずれを防止できるとともに、磁石の引力による半導体
チップ１３の位置の自己修復性を持たせることができ
る。したがって、半導体装置の信頼性をさらに向上させ
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
基板の表面に磁性を有する接続手段を設け、半導体チッ
プに磁性を有するバンプを設けている。したがって、磁
石の引力によって基板に半導体チップを固定することに
より、装置の信頼性およびチップ・リペア性を向上させ
ることができる。
基板の表面に磁性を有する接続手段を設け、半導体チッ
プに磁性を有するバンプを設けている。したがって、磁
石の引力によって基板に半導体チップを固定することに
より、装置の信頼性およびチップ・リペア性を向上させ
ることができる。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体装置にお
けるバンプによる接続部を示す断面図。
けるバンプによる接続部を示す断面図。
【図２】この発明の第２の実施例による半導体装置にお
けるバンプによる接続部を示す断面図。
けるバンプによる接続部を示す断面図。
【図３】この発明の第３の実施例による半導体装置にお
けるバンプによる接続部を示す断面図。
けるバンプによる接続部を示す断面図。
【図４】この発明の第４の実施例による半導体装置にお
けるバンプによる接続部を示す断面図。
けるバンプによる接続部を示す断面図。
【図５】第１の従来の半導体装置におけるバンプによる
接続部を示す断面図。
接続部を示す断面図。
【図６】第２の従来の半導体装置におけるバンプによる
接続部を示す断面図。
接続部を示す断面図。
11…実装基板、11a …微小磁石からなる電極パッド、11
b …磁性を有しない電極パッド、12…接続用バンプ、13
…半導体チップ、14…薄膜磁石、15…ゲル状の樹脂。
b …磁性を有しない電極パッド、12…接続用バンプ、13
…半導体チップ、14…薄膜磁石、15…ゲル状の樹脂。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面に設けられた磁性を有する接
続手段と、 前記接続手段の上に磁力によって固定された磁性を有す
るバンプと、 前記バンプの上に設けられた半導体チップと、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 基板の裏面に設けられた薄膜状の磁石
と、 前記薄膜状の磁石の磁力によって、前記基板の表面上に
固定された磁性を有するバンプと、 前記バンプの上に設けられた半導体チップと、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 基板の表面に設けられた磁性を有する接
続手段と、 前記パッドの上に磁力によって固定された磁性を有する
バンプと、 前記バンプの上に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップ及び前記バンプが被覆されたゲル状の
樹脂と、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記バンプは、磁性粉を含有する金属か
らなることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導
体装置。 - 【請求項５】 前記バンプは、キュリ−温度が４７３Ｋ
〜５４３Ｋの範囲である磁性材料からなることを特徴と
する請求項１、２又は３記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223170A JPH0778828A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 半導体装置 |
| KR1019940022429A KR950009998A (ko) | 1993-09-08 | 1994-09-07 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223170A JPH0778828A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778828A true JPH0778828A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16793904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223170A Pending JPH0778828A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778828A (ja) |
| KR (1) | KR950009998A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100699805B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 자성체를 포함하는 전도성 볼을 이용한 볼 그리드 어레이패키지 |
| JP2015153931A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光素子、及び、半導体発光装置の製造方法 |
| JP2015156448A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び実装基板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1993
- 1993-09-08 JP JP5223170A patent/JPH0778828A/ja active Pending
-
1994
- 1994-09-07 KR KR1019940022429A patent/KR950009998A/ko not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100699805B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 자성체를 포함하는 전도성 볼을 이용한 볼 그리드 어레이패키지 |
| JP2015153931A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光素子、及び、半導体発光装置の製造方法 |
| JP2015156448A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び実装基板 |
| US9773758B2 (en) | 2015-12-03 | 2017-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950009998A (ko) | 1995-04-26 |
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