JPH03242810A - 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース - Google Patents

犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース

Info

Publication number
JPH03242810A
JPH03242810A JP2313035A JP31303590A JPH03242810A JP H03242810 A JPH03242810 A JP H03242810A JP 2313035 A JP2313035 A JP 2313035A JP 31303590 A JP31303590 A JP 31303590A JP H03242810 A JPH03242810 A JP H03242810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic
sacrificial mask
thickness
depositing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2313035A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0778859B2 (ja
Inventor
Beat Keel
ビート　キール
Arthur Calderon
アーサー　カルデロン
Simon Liao
サイモン　リアオ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seagate Technology International
Seagate Technology LLC
Original Assignee
Seagate Technology International
Seagate Technology LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seagate Technology International, Seagate Technology LLC filed Critical Seagate Technology International
Publication of JPH03242810A publication Critical patent/JPH03242810A/ja
Publication of JPH0778859B2 publication Critical patent/JPH0778859B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/4906—Providing winding
    • Y10T29/49064—Providing winding by coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は薄膜ヘッドの製造に関するものであり、特に、
ギャップ材料と下部極か削り取られる犠牲マスク層を用
いた薄膜磁気ヘッドにおける上下極光端を整合させる技
術に関するものである。
〈従来の技術〉 １ 薄膜磁気読み取り／書き込みヘッドは、磁気ディスク磁
気テープ等の磁気記録媒体に磁気的に情報を読み取り／
書き込みするのに用いられる。磁気記録媒体に情報を高
密度に記録することは強く望まれている。
記録システムの記録密度を高めることは所定の記録面に
対しエリア密度をできるだけ高めることである。回転デ
ィスク駆動（フロッピーディスク及びハードディスク）
の場合、エリア密度は、径方向における単位長さ当りに
対し有効なトラックの数（１インチ当りのトラック密度
をトラックにそった単位長さ当りの磁束の数（１インチ
当りの時速の線密度）に掛けることて達成する。
トラック密度は１インチ当り２４００　（約９４５　／
　ｃｍ　）に近つくかまたはそれを越えると薄膜磁気読
み取り書き込みヘッドの上下の極先端の整合か重要にな
ってくる。このような高密度においては設計」二磁気変
換器は下方極光端の幅が上方極光端の幅とほぼ等しくな
ければならない。また上下の極は近ついて配置されなけ
ればならない。
２ より好ましい極の配列を達成する技術として、上下の極
及びそれを分けるギャップ領域が全て所定幅より広くす
ることが始まっている。狭いマスク層が上側極に蒸着さ
れている。この構造は、高エネルギーのイオンが極先端
領域に噴射され余分な材料（上下の極及びギャップ材）
を除去するイオンミリングまたは反応イオンミリング等
の材料除去工程（ミリング）を経て整合されている。マ
スク層は上下の極及びギャップの部分だけを保護してお
り全体の極先端の幅はマスク層の幅とほぼ等しくなって
いる。
しかしながら上述の技術は時間と費用かかかる。
例えば上側極の厚さが４ミクロン、下部極の厚さが３ミ
クロン及びギャップの厚さが０．５ミクロンでさらにギ
ャップ層材料が極光端層のミリング速度の約半分のミリ
ング速度を有している場合、全体の成形時間は８単位時
間かかる。これは次の式で算出される。
ミリング時間＝（層の厚さ）×（ミリング速度）従って
、（４ｘｌ）＋　（３ｘｌ）＋　（０，５Ｘ２）＝８．
（単位時間）。
〈問題点を解決する手段〉 本発明は、薄膜磁気変換器においてほぼ自己整合ポール
ピースを提供し、データ記憶密度を増大するものである
。本発明においては、二つの層（第１の磁気層と上部ポ
ールピース層）だけがミリング加工され整合される。
本発明においては、第１の下部極先端が蒸着される。次
にギャップ材が下部極先端上に蒸着される。２つのフォ
トレジストダムがギャップ材上に蒸着される。２つのダ
ムの分離により上部ポールピースの幅が形成され、最終
的にギャップ材と下部ポールピースの幅が決定される。
上部極先端は２つのフォトレジストダムの間のギャップ
材に蒸着される。上下の極の厚さ（フィルム深さ）は約
１ミクロンから５ミクロンである。ギャップ材の厚さは
約０．１ミクロンから１ミクロンである。
最後に、犠牲マスクがフォトレジストダムの間の上層に
蒸着され、フォトレジストダムが極とは離れてエツチン
グされる。犠牲マスク層の全厚さは約１ミクロンから７
ミクロンであるが下部ポールピースの厚さとミリング速
度に応じて選択される。
犠牲マスクは、上部ポールピースを形成する２つの同一
フォトレジストダムの間に形成されるので上部ポールピ
ースと整合する。構造体がミリング加工されるとき、露
出されたギャップ材と下部ポールピースが、マスクで上
部ポールピースを保護しながら除去される。マスクの厚
さとミリング速度は、上部ポールピースがミリング加工
中に十分保護されるように選択されなければならない。
ミリング加工に続いて、ギャップ材の露出部と下部ポー
ルピースは、上部ポールピース、ギャップ及び下部ポー
ルピースがほぼ同じ厚さで互いに整合するように除去さ
れる。
下部ポールピースとギャップ材は、ミリング加工前には
少し広くなるように蒸着される。あるいは、下部ポール
ピース及びギャップ材は、「無限幅」を有して、幅広く
蒸着される。マスク層は銅、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）及
びリン酸ニッケル５ （Ｎｉ　Ｐ）を有している。この技術はあらゆるメッキ
可能な非磁性金属に適用できる。材料除去技術は、イオ
ンミリング加工、反応イオンミリング加工、スパッタエ
ツチング及び化学エツチングが好ましい。本発明は、下
部ポールピースが基板材に実際に形成されている無限幅
の下部ポールピースを有する磁気ヘッドにも適用できる
。
本発明によると、ミリング加工時間が短縮され、犠牲マ
スクは、２つの層（ギャップ層と下部ポールピース層）
が上部ポールピースを残したままミリング加工されるの
で、より薄くなる。
〈実施例〉 磁気記録媒体の記録密度を上昇させる要求は磁気ヘッド
の大きさを小さくすることに通じる。磁気ヘッドは当校
術の半導体ＩＣに用いられるヘッドと同様に組立てられ
る。多くの薄膜ヘッドはエツチングおよびフォトリゾグ
ラフ技術を用いたウェーハーや基板に蒸着させるウェー
ハーは多くの微視的側々の磁気ヘッドにスライスされ磁
気ディスク等の磁気記憶装置に用いられる。
１６〜 これら小さな寸法においては、ヘッドの極光端間の整合
は特に極光端の寸法が蒸着技術の許容限界に近づいたと
き重要になる。本発明の犠牲マスク技術を用いると許容
限界に関する問題点は解決される。本発明は従来の整合
技術に対して時間及び費用を節約するものである。
第１図は犠牲マスク層を除去する前の本発明による薄膜
磁気ヘッド１０の平面図である。第１図は基板１２０）
パドル形の上部ポールピース１４及び下部層１６を示し
ている。基板１２はＡ１□Ｏｓ　−Ｔｉｃ等のセラミッ
ク材を有している。第１図の薄膜ヘッドは第２図の線２
−２にそって第２図に断面が示されている。上部ポール
ピース１４は第２図における不要層１８，２０て被覆さ
れている。上部ポールピース１４は上部極先端２２を有
している。薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドｌＯも下
部極先端２６を有する下部ポールピース２４を有してい
る。上下のポールピース１４．２４は例えばＮｉＦｅ等
の磁気薄膜により形成されている。上部ポールピース１
４と下部ボ−ルピース２４との間の領域は絶縁材２８て
充填されている。絶縁材２８に導電体３０．３２が埋設
されている。上部極先端２２と下部極先端２６との間に
はギャップ材３４が充填されている。ギャップ材３４は
Ａ　Ｉ　２０３を有している。上部ポールピース１４と
下部ポールピース２４とは互いにパックギャップ（ｖｉ
ａ）（図示せず）を介して接触しており磁気ヘッドの２
つの極を形成している。導電体３０．３２は上下のポー
ルピース１４．２４の間の領域を介してコイル状に形成
されており、パックギャップ（ｖｉａ）（図示せず）の
まわりに延在している。電流が導電体３０，３２を流れ
ると磁界が上下のポールピース１４，２４に形成される
。この磁界はギャップ材３４を介して上下の極先端２２
．２６の間に発生する。上下の極先端２２．２６の形状
により磁界の末端部は上下の極先端２２．２６の境界ま
で延在するように形成される。磁気記録媒体がこの末端
の磁界を通過すると極先端２２．２６から発生した磁束
は磁界を媒体面に向ける。逆に、磁気記録媒体により発
生する磁界が薄膜ヘッド１０の境界磁界領域を通って通
過すると磁界は上下のポールピース１４．２４に発生し
図示しないバックアップｖｉａを通過する。この磁界の
変化により電流が発生し導電体３０．３２を流れる。電
流は電気的装置により検出され情報信号に変換され磁気
記録媒体に記録された情報を再生する。
第３図は第１図の線３−３にそった薄膜ヘッド１０の断
面図である。第３図は第２図の極先端の断面図を示して
いる。第３図において不要マスク層１８．２０は上部極
先端２２を覆い、ギャップ材３４と下部極先端２６を露
出させている。犠牲マスク層１８．２０はニッケル、鉄
、銅、リン酸ニッケル等を含んでいる。後述するように
、ミリング工程において犠牲マスク層１８．２０にそっ
て露出されたギャップ材３４と下部極先端２６とか除去
され、ギャップ材３４と下部極先端２６の保護部ととも
に上部極先端２２かそのまま残される。ギャップ層３４
は厚さ約０．１ミクロンから１ミクロンの範囲にある。
極先端２２．２６の厚９ さは約１ミクロンから５ミクロンの範囲にあり、全犠牲
マスク部の厚さは約１ミクロンから７ミクロンの範囲に
ある。
第４Ａ図から第４Ｈ図は上部極先端２２と整合した犠牲
マスク層１８．２０を有する第３図の構造を形成するス
トップを示している。
第４Ａ図は蒸着が行なわれた基板１２の断面図である。
基板１２は薄膜ヘッド１０に対してかなり大きいもので
あり、多くのヘッド１０のレプリカが基板１２の前面に
蒸着される。
第４Ｂ図は、フォトリゾグラフ技術を用いて基板１２に
蒸着された下部極先端２６を有する第４Ａ図に示した基
板１２の図である。第４Ｂ図は下部極先端２６の幅を示
すものである。第４Ｃ図は基板１２の一部を覆うキャッ
プ材３４の層を有する下部ポールピース２６を示してい
る。ギャップ材３４はＡ１□０３を有している。
第４Ｄ図において２つのフォトレジストダム３６はギャ
ップ材３４に蒸着されるが上部極先端２２か蒸着される
部分は露出されている。第４Ｄ図０ には示されていないがフォトレジストダム３６は第１図
及び第２図の全面を被覆するものではなく上部ポールピ
ース１４が蒸着される薄膜ヘッド１０の部分は露出され
ている。フォトレジスト３６は通常のフォトリゾグラフ
及びマスキングにより蒸着てきる。上部ポールピース１
４及びその先端は第４Ｅ図に示すようにギャップ材３４
の露出部分のフォトレジストダム３６の間に蒸着される
。
第４Ｆ図は犠牲マスク層１８．２０の蒸着ステップの後
の極光端部を示している。第４Ｇ図は、犠牲マスク層１
８．２０の後の第１図の線４６４Ｇにそった薄膜ヘッド
ｌＯの中間部の断面を示す。不要マスク層２０はメッキ
可能な磁気金属であればどんなものでもよい。例えば犠
牲マスク層は他の材料も用いることができるが下部ポー
ルピース２６及びギャップ材３４のミリング加工に応じ
て選択することもできる。
第４Ｇ図は薄膜ヘッド１０か、ギャップ材３４の露出部
及び下部極先端２６の露出部が除去されるべき極先端の
領域の近くを除いて犠牲層１８及び２０により完全に被
覆保護される。第４Ｆ図に示されたフォトレジストダム
３６はエツチング工程により除去され第３図に示される
ように極先端を囲むように残される。
第２の犠牲マスク層もミリング加工中コイルを保護する
ように用いられる。第４Ｄ図から第４Ｆ図に示されたフ
ォトレジストダム３６は実際は薄膜ヘッド１０のパドル
形状全体のまわりまで延在している。第１の犠牲マスク
層が上部極先端に蒸着される前に、極先端の近くにはな
いダム部は化学処理の前の露光により除去される。フォ
トレジストのリリーフ領域は第２の犠牲マスク層により
被覆され第４Ｇ図に示されるコイルを保護する。
ミリング加工の後第２の層を除去することもできる。
第３図に示す樋先端領域（薄膜ヘッド１０）は、薄膜ヘ
ッド１０の保護されていない領域が犠牲マスク層１８．
２０にそって除去される材料除去工程（ミリング加工）
に送られる。好ましくはミリング加工は４ミリングであ
り、アルゴンまたはキセノンイオンがイオン源により形
成され電気グリッドの電解により加速される。他のイオ
ン源すなわち、ミリングイオンが加工材と反応する反応
イオンミリングも用いることもできる。化学エツチング
またはスパッタリングも材料の除去に用いられる。ミリ
ング装置により形成された励起イオンは磁気薄膜ヘッド
１０の面に衝突し材料を除去する。このようなミリング
加工により犠牲マスク層１８．２０とともにギャップ材
３４と下部極先端２６の露出部が除去される。犠牲マス
ク層１８゜２０は薄膜ヘッド１０と上部極先端２２がミ
リング加工中に保護されるような厚さとミリング速度を
有している。本実施例ではマスク１８．２０を有する材
料は下部極先端２６とギャップ材３４とに対応するよう
に選択されている。
ミリング加工の後極先端構造は第４Ｈ図に示されるよう
になる。ギャップ材３４と下部極先端２６の非整合部は
ミリング加工により除去される。
ミリング加工により犠牲層２０も、暦１８．２０の厚さ
とミリング速度が最適であれば犠牲層１８３− にほぼそって除去される。必要に応じ犠牲層１８の残り
の部分は化学エツチング等により除去される。
本発明は下部極先端とギャップ材が「無限の幅」をもっ
ている場合にも適用できる。第５図において、樋先端領
域の断面は無限幅を有する下部極先端３８とギャップ材
４０を有している。上部極先端２２０）犠牲マスク層１
８．２０及びフォトレジストダム３６は上述のように蒸
着される。
フォトレジストダム３６は化学的にエツチング処理され
下部極先端３８とギャップ材４０との非整合部及び上部
極先端２２と不要層１８．２０により被覆されたギャッ
プ材４０と下部極先端３８の整合部を残す。ミリング加
工は上述のように行なわれ、ギャップ材４０と下部極先
端３８の露出部は除去され上部極先端２２とギャップ材
４０及び下部極先端３８の整合部は犠牲層１８．２０に
より保護される。ミリング加工後の極先端構造は第４Ｈ
図に示したものと類似する。
第６図は本発明による基板４４により形成され４ た下部ポールピース４２を有する極先端構造を示してい
る。第６図において、基板４４は磁気フェライトを有し
ている。ミリング加工において下部極先端４２は、犠牲
層４６が上部ポールピース４８を保護するので、基板４
４に形成される。第１の磁気層５０は下部ポールピース
４２上に形成される。犠牲層４６は本発明の自己整合技
術により形成される。
本発明による同一幅を有する薄膜ヘッド用の極先端が積
層方向に整合して形成される。上下の極先端の整合が蒸
着技術のため不充分であっても本発明によると極先端と
ギャップ材が形成されこれらの非整合を無くすことがで
きる。本発明によると形成工程において時間と費用を節
約できる。本発明によると２つの層（第１の磁気層と下
部極先端層）のみがミリング加工されるのでミリング加
工時間がマスクの厚さにより短縮される。本発明におい
ては一対のフォトレジストダムが上部極先端と犠牲層の
両者を形成するのに用いられるだけなので製造時間と費
用も節約できる。
以上本発明は実施例に基いて説明されたが当業者にとっ
て本発明の範囲で変更か可能なことはいうまでもない。
例えば異なる犠牲マスク層の材料や厚さか様々なミリン
グ加工及びエツチング加工により選択される。
【図面の簡単な説明】
第１図は不要なギャップ材と下部極先端とをミリング加
工する前の本発明の薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッド
の平面図、第２図は第１図の線２−２にそった薄膜磁気
変換器の側断面図、第３図は第１図の線３−３にそった
薄膜磁気ヘッドの断面図、第４Ａ図から第４Ｈ図は本発
明の薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドを形成するステ
ップを示す図、第５図は下部ポールピースとギャップ材
か「無限幅」を有する第４Ｆ図の領域に似た極先端領域
の断面図及び第６図は下部ポールピースか「無限幅」を
有し基板材と同一材料から構成された第４Ｆ図に似た断
面図である。 ｌ〇　−薄膜磁気ヘッド、１２　基板、１４　・上部ポ
ールピース、１８．２０−犠牲マスク層、２２−上部極
先端、２４・−下部ポールピース、２６−下部極先端、
２８・・絶縁材、３０．３２導電材、３４−ギャップ材
、３６・・フオトレジス１へダム、３８−下部極先端、
４０・−ギャップ材、４２・・下部ポールピース、４４
・−・一基板、４６−犠牲マスク層、４８−・上部ポー
ルピース、５０−・ギャップ材。

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）薄膜磁気変換器を製造する方法において、非磁性
    体の基板上に第１の磁気層を形成し、前記第１の磁気層
    上にギャップ材層を形成し、前記磁気材層上に所定構造
    の穴を有する層を蒸着し前記ギャップ材層と前記穴に第
    ２の磁気層を形成し前記第２の磁気層と前記穴に犠牲マ
    スク層を蒸着し、穴を有する層を除去し前記ギャップ材
    層の一部と前記第１の磁気層を露出させ、前記薄膜磁気
    変換器を材料除去工程に置くことを特徴とする方法。
  2. （２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    犠牲マスク層を蒸着するステップがメッキ可能な非磁性
    金属を蒸着するステップであることを特徴とする方法。
  3. （３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    犠牲マスク層を蒸着するステップがリン酸ニッケルを蒸
    着するステップであることを特徴とする方法。
  4. （４）特許請求の範囲第１項記載の方法において、犠牲
    マスクを蒸着させるステップがニッケル鉄を蒸着するス
    テップであることを特徴とする方法。
  5. （５）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    犠牲マスク層を蒸着する方法において第１及び第２の犠
    牲マスク層を蒸着し前記第１の犠牲マスク層が前記第２
    の犠牲マスク層と前記第２の磁気層に挟まれることを特
    徴とする方法。
  6. （６）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    材料を除去するステップがイオンミリング加工であるこ
    とを特徴とする方法。
  7. （７）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    材料を除去するステップが反応イオンミリング加工であ
    ることを特徴とする方法。
  8. （８）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    材料を除去する方法がスパッタエッチングであることを
    特徴とする方法。
  9. （９）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さを有
    することを特徴とする方法。
  10. （１０）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記第２の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さを
    有することを特徴とする方法。
  11. （１１）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミクロンの厚
    さを有することを特徴とする方法。
  12. （１２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記犠牲マスク層が約１ミクロンから７ミクロンの厚さを
    有することを特徴とする方法。
  13. （１３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さを
    有し前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミクロ
    ンの厚さを有し、前記犠牲マスク層が約１ミクロンから
    ７ミクロンの厚さを有することを特徴とする方法。
  14. （１４）特許請求の範囲第１項記載の方法により形成さ
    れる薄膜磁気変換器。
  15. （１５）薄膜磁気変換器を製造する方法において、非磁
    性基板上に第１の磁気層を蒸着し、前記第１の磁気層上
    にギャップ材層を形成し、前記ギャップ材層上に第２の
    磁気層を蒸着し前記第２の磁気層上に前記第２の磁気層
    と自己整合する犠牲マスク層を形成し、前記薄膜磁気変
    換器を材料除去工程に露出させることを特徴とする方法
    。
  16. （１６）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着するステップがメッキ可能な非
    磁性金属を蒸着するステップであることを特徴とする方
    法。
  17. （１７）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着するステップがリン酸ニッケル
    を蒸着するステップであることを特徴とする方法。
  18. （１８）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    犠牲マスク層を蒸着させるステップがニッケル鉄を蒸着
    するステップであることを特徴とする方法。
  19. （１９）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着する方法において、第１及び第
    ２の犠牲マスク層を蒸着し前記第１の犠牲マスク層が前
    記第２の犠牲マスク層と前記第２の磁気層に挟まれるこ
    とを特徴とする方法。
  20. （２０）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出するステップ
    がイオンミリング加工であることを特徴とする方法。
  21. （２１）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出するステップ
    が反応イオンミリング加工であることを特徴とする方法
    。
  22. （２２）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出させるステッ
    プがスパッタエッチングであることを特徴とする方法。
  23. （２３）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  24. （２４）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  25. （２５）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミクロンの
    厚さを有することを特徴とする方法。
  26. （２６）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層が約１ミクロンから７ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  27. （２７）特許請求の範囲第１５項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有し前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミク
    ロンの厚さを有し、前記犠牲マスク層が約１ミクロンか
    ら７ミクロンの厚さを有することを特徴とする方法。
  28. （２８）特許請求の範囲第１５項記載の方法により形成
    される薄膜磁気変換器。
  29. （２９）主本体領域と上部極先端領域とを有する薄膜磁
    気変換器の製造方法において、前記主本体領域の一部を
    形成する第１の磁気層と基板上の極先端領域の一部を蒸
    着し、前記極先端領域の第１の層上に磁気材層を蒸着し
    、前記主本体領域の前記第１の磁気層上に非磁性体の絶
    縁層を蒸着し前記非磁性の絶縁層が複数の導電体を支持
    し、所定の構造の穴を有する層を蒸着し、前記非磁性絶
    縁体と前記穴の前記ギャップ材上に第２の磁気層を蒸着
    し、前記非磁性体の層から穴を有する層を除去し、犠牲
    マスク層を蒸着し前記穴を有する層からギャップ材層を
    除去し、前記薄膜磁気変換器を露出材料を除去する工程
    に露出することを特徴とする方法。
  30. （３０）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着するステップがメッキ可能な非
    磁性金属を蒸着するステップであることを特徴とする方
    法。
  31. （３１）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着するステップがリン酸ニッケル
    を蒸着するステップであることを特徴とする方法。
  32. （３２）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    犠牲マスク層を蒸着するステップがニッケル鉄を蒸着す
    るステップであることを特徴とする方法。
  33. （３３）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着する方法において第１及び第２
    の犠牲マスク層を蒸着し前記第１の犠牲マスク層が前記
    第２の犠牲マスク層と前記第２の磁気層に挟まれること
    を特徴とする方法。
  34. （３４）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出するステップ
    がイオンミリング加工であることを特徴とする方法。
  35. （３５）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出するステップ
    が反応イオンミリング加工であることを特徴とする方法
    。
  36. （３６）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出させるステッ
    プがスパッタエッチングであることを特徴とする方法。
  37. （３７）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  38. （３８）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記第２の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  39. （３９）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミクロンの
    厚さを有することを特徴とする方法。
  40. （４０）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層が約１ミクロンから７ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  41. （４１）特許請求の範囲第２９項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有し前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミク
    ロンの厚さを有し、前記犠牲マスク層が約１ミクロンか
    ら７ミクロンの厚さを有することを特徴とする方法。
  42. （４２）特許請求の範囲第２９項記載の方法により形成
    される薄膜磁気変換器。
  43. （４３）薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、磁性
    基板上にギャップ材層を蒸着し前記ギャップ材層の上に
    第２の磁気層を蒸着し、前記第２の磁気層上に自己整合
    するように犠牲マスク層を形成し、前記薄膜磁気変換器
    を材料除去工程に露出させることを特徴とする方法。
  44. （４４）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着するステップがメッキ可能な非
    磁性金属を蒸着するステップであることを特徴とする方
    法。
  45. （４５）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着するステップがリン酸ニッケル
    を蒸着するステップであることを特徴とする方法。
  46. （４６）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    犠牲マスク層を蒸着させるステップがニッケル鉄を蒸着
    するステップであることを特徴とする方法。
  47. （４７）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層を蒸着する方法において第１及び第２
    の犠牲マスク層を蒸着し前記第１の犠牲マスク層が前記
    第２の犠牲マスク層と前記第２の磁気層に挟まれること
    を特徴とする方法。
  48. （４８）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出するステップ
    がイオンミリング加工であることを特徴とする方法。
  49. （４９）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出するステップ
    が反応イオンミリング加工であることを特徴とする方法
    。
  50. （５０）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記薄膜磁気変換器を材料除去工程に露出させるステッ
    プがスパッタエッチングであることを特徴とする方法。
  51. （５１）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  52. （５２）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記第２の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  53. （５３）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミクロンの
    厚さを有することを特徴とする方法。
  54. （５４）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記犠牲マスク層が約１ミクロンから７ミクロンの厚さ
    を有することを特徴とする方法。
  55. （５５）特許請求の範囲第４３項記載の方法において、
    前記第１の磁気層が約１ミクロンから５ミクロンの厚さ
    を有し前記ギャップ材層が約０．１ミクロンから１ミク
    ロンの厚さを有し、前記犠牲マスク層が約１ミクロンか
    ら７ミクロンの厚さを有することを特徴とする方法。
  56. （５６）特許請求の範囲第４３項記載の方法により形成
    される薄膜磁気変換器。
JP2313035A 1990-02-15 1990-11-20 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース Expired - Lifetime JPH0778859B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US480278 1990-02-15
US07/480,278 US4992901A (en) 1990-02-15 1990-02-15 Self aligned magnetic poles using sacrificial mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03242810A true JPH03242810A (ja) 1991-10-29
JPH0778859B2 JPH0778859B2 (ja) 1995-08-23

Family

ID=23907350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2313035A Expired - Lifetime JPH0778859B2 (ja) 1990-02-15 1990-11-20 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4992901A (ja)
EP (1) EP0442212B1 (ja)
JP (1) JPH0778859B2 (ja)
KR (1) KR100264700B1 (ja)
DE (1) DE69032935T2 (ja)
SG (1) SG44623A1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079035A (en) * 1989-10-10 1992-01-07 International Business Machines Corporation Method of making a magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias
US5141623A (en) * 1990-02-15 1992-08-25 Seagate Technology, Inc. Method for aligning pole tips in a thin film head
JPH0410208A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US5137750A (en) * 1990-11-06 1992-08-11 Seagate Technology, Inc. Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction
US5084957A (en) * 1990-11-06 1992-02-04 Seagate Technology, Inc. Method for aligning thin film head pole tips
US5256249A (en) * 1991-09-17 1993-10-26 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor
US5283942A (en) * 1992-12-29 1994-02-08 International Business Machines Corporation Sacrificial layer planarization process for fabricating a narrow thin film inductive head
US5452166A (en) * 1993-10-01 1995-09-19 Applied Magnetics Corporation Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same
US5699605A (en) * 1994-05-23 1997-12-23 Seagate Technology, Inc. Method for forming a magnetic thin film head with recessed basecoat
US5572392A (en) * 1994-11-17 1996-11-05 International Business Machines Corporation Arbitrary pattern write head assembly for writing timing-based servo patterns on magnetic storage media
US5901431A (en) * 1995-06-07 1999-05-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a thin film inductive head having a second pole piece having a mushroom yoke portion
US5578342A (en) * 1995-07-05 1996-11-26 Read-Rite Corporation Alignment of magnetic poles of thin film transducer
JP3349925B2 (ja) * 1996-09-10 2002-11-25 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2953401B2 (ja) * 1996-10-04 1999-09-27 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
US5804085A (en) * 1997-01-30 1998-09-08 Quantum Corporation Process for producing a pole-trimmed writer in a magnetoresistive read/write head and a data transducer made thereby
JP3466041B2 (ja) * 1997-03-03 2003-11-10 アルプス電気株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法
JPH10247305A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH117608A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法
US5916423A (en) * 1997-05-06 1999-06-29 International Business Machines Corporation P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2
US6586049B2 (en) * 1997-08-28 2003-07-01 Tdk Corporation Patterning method using mask and manufacturing method for composite type thin film magnetic head using the patterning method
US6031695A (en) * 1997-09-05 2000-02-29 International Business Machines Corporation Combined read head and write head with non-magnetic electrically conductive layer on upper pole tip thereof
US5940250A (en) * 1997-10-21 1999-08-17 Maxtor Corporation Disk drive head having a read wide/write narrow architecture
US6158107A (en) * 1998-04-02 2000-12-12 International Business Machines Corporation Inverted merged MR head with plated notched first pole tip and self-aligned second pole tip
US6055138A (en) * 1998-05-06 2000-04-25 Read-Rite Corporation Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip
US6490125B1 (en) 1999-04-09 2002-12-03 Read-Rite Corporation Thin film write head with improved yoke to pole stitch
US6475796B1 (en) 1999-05-20 2002-11-05 Scios, Inc. Vascular endothelial growth factor variants
CA2374050A1 (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Scios Inc. Vascular endothelial growth factor dimers
US6383597B1 (en) * 2000-06-21 2002-05-07 International Business Machines Corporation Magnetic recording media with magnetic bit regions patterned by ion irradiation
US6713237B2 (en) 2000-07-27 2004-03-30 Seagate Technology Llc Single layer lift-off method for making an electronic device
US6788496B2 (en) 2001-08-22 2004-09-07 Seagate Technology Llc Narrow top pole of a write element
US7320170B2 (en) * 2004-04-20 2008-01-22 Headway Technologies, Inc. Xenon ion beam to improve track width definition
US9147407B2 (en) 2013-03-12 2015-09-29 Seagate Technology Llc Write head having non-magnetic write gap seed layer, and method
US9214167B2 (en) 2013-03-12 2015-12-15 Seagate Technology Llc Main pole layer with at least tow sacrificial layers and a gap layer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60133516A (ja) * 1983-12-22 1985-07-16 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPH01173308A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4024041A (en) * 1974-12-18 1977-05-17 Hitachi, Ltd. Method of forming deposition films for use in multi-layer metallization
JPS54114223A (en) * 1978-02-27 1979-09-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Production of floating type thin film magnetic head
US4422117A (en) * 1980-04-11 1983-12-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film magnetic head and method of making it
US4436593A (en) * 1981-07-13 1984-03-13 Memorex Corporation Self-aligned pole tips
JPS59104717A (ja) * 1982-12-08 1984-06-16 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
JPH061769B2 (ja) * 1983-08-10 1994-01-05 株式会社日立製作所 アルミナ膜のパターニング方法
US4853815A (en) * 1984-12-21 1989-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Magnetic thin-film head on a nonmagnetic substrate for vertical mangetization
DE3513431A1 (de) * 1985-04-15 1986-10-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung mindestens eines magnetkopfes in duennfilmtechnik
DE3735148A1 (de) * 1987-10-16 1989-05-03 Siemens Ag Duennfilm-magnetkopf mit schichtweisem aufbau
US4912584A (en) * 1988-03-09 1990-03-27 Digital Equipment Corporation Method for fabricating magnetic recording poles
US5116719A (en) * 1990-02-15 1992-05-26 Seagate Technology, Inc. Top pole profile for pole tip trimming

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60133516A (ja) * 1983-12-22 1985-07-16 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPH01173308A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR910015967A (ko) 1991-09-30
KR100264700B1 (ko) 2000-09-01
HK1012462A1 (en) 1999-07-30
JPH0778859B2 (ja) 1995-08-23
US4992901A (en) 1991-02-12
EP0442212A3 (en) 1993-01-20
EP0442212A2 (en) 1991-08-21
DE69032935T2 (de) 1999-06-10
EP0442212B1 (en) 1999-02-03
DE69032935D1 (de) 1999-03-18
SG44623A1 (en) 1997-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03242810A (ja) 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース
EP0442214B1 (en) A method of manufacturing thin film magnetic heads
EP0874355B1 (en) Magnetic head and method for production thereof
US5200056A (en) Method for aligning pole tips in a thin film head
US7290324B2 (en) Method for fabricating a magnetic head including a media heating element
US5777824A (en) Side-disposed thin film magnetic head and method of fabrication thereof
JPH03250414A (ja) 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法
JPH04366411A (ja) 薄膜磁気ヘッド
JP3394266B2 (ja) 磁気書込／読取ヘッドの製造方法
JPH03209609A (ja) 垂直磁気薄膜ヘッドの製造方法
US5084957A (en) Method for aligning thin film head pole tips
JPH04188418A (ja) 複合薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2639156B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2658908B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH11181564A (ja) アルミナの成膜方法及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP3842475B2 (ja) Ｍｒヘッドの製造方法
JP2861080B2 (ja) 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法
HK1012462B (en) A method of manufacturing a thin film magnetic transducer
WO2006097995A1 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH04195711A (ja) 薄膜磁気ヘッド
JPH06150246A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2002092818A (ja) 薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH08329418A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH0822610A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2004006016A (ja) 磁気ヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823

Year of fee payment: 16

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823

Year of fee payment: 16