JPH08329418A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH08329418A JPH08329418A JP15881295A JP15881295A JPH08329418A JP H08329418 A JPH08329418 A JP H08329418A JP 15881295 A JP15881295 A JP 15881295A JP 15881295 A JP15881295 A JP 15881295A JP H08329418 A JPH08329418 A JP H08329418A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶縁膜２を被覆した基板１上にパターン形成
したレジストフレーム１３をマスクとして電気めっきに
より下部磁極１０を所望の膜厚に形成し、かつその上に
電気めっきにより金属層１５を形成する。レジストフレ
ームを除去した後、下部磁極及び金属層を十分に覆うよ
うに絶縁膜と同一材料の保護膜１７を形成しかつ研磨し
て、金属層を露出させかつ少なくとも該露出面付近を平
坦化する。金属層をウエットエッチングにより除去して
下部磁極の位置に凹部１８を形成し、下部磁極の上に形
成した磁気ギャップ膜４を介して、凹部に上部磁極１１
を電気めっきにより形成する。 【効果】 上下磁極の位置及びトラック幅を一致させ、
かつ高精度に制御する。狭トラック化及び高記録密度化
を実現し、かつ信頼性の向上を達成する。
したレジストフレーム１３をマスクとして電気めっきに
より下部磁極１０を所望の膜厚に形成し、かつその上に
電気めっきにより金属層１５を形成する。レジストフレ
ームを除去した後、下部磁極及び金属層を十分に覆うよ
うに絶縁膜と同一材料の保護膜１７を形成しかつ研磨し
て、金属層を露出させかつ少なくとも該露出面付近を平
坦化する。金属層をウエットエッチングにより除去して
下部磁極の位置に凹部１８を形成し、下部磁極の上に形
成した磁気ギャップ膜４を介して、凹部に上部磁極１１
を電気めっきにより形成する。 【効果】 上下磁極の位置及びトラック幅を一致させ、
かつ高精度に制御する。狭トラック化及び高記録密度化
を実現し、かつ信頼性の向上を達成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ディスク装
置、コンピュータ・ワードプロセッサの記録再生装置等
に使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にホ
トリソグラフィ技術を用いて電気めっきにより上下磁極
を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
置、コンピュータ・ワードプロセッサの記録再生装置等
に使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にホ
トリソグラフィ技術を用いて電気めっきにより上下磁極
を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドは、図３Ａに示す
ように、セラミック材料の基板１上に絶縁膜２を被着
し、その上に下部磁性膜３及び磁気ギャップ膜４を形成
し、更に有機絶縁層５、６を挟んで導体コイル７を積層
した後に上部磁性膜８を形成し、かつその上に保護膜９
を被覆することによって製造される。この場合、磁気ギ
ャップ膜４を挟んで対向する上下磁性膜の先端磁極部分
は、図３Ｂに示すように、下部磁極１０より上部磁極１
１の幅が狭く形成される。このため、狭トラック化が困
難になり、しかもトラック幅に比して再生出力が小さい
ので、薄膜磁気ヘッドの高性能化、高記録密度化を十分
に図れないという問題があった。また、下部磁極のはみ
出し部分が、隣接するトラックに記録された情報に及ん
でクロストークを生じる虞があった。更に、上部磁極
は、下部磁極の高い段差の上にフォトレジストを用いて
形成されるので、そのトラック幅を高精度に制御するこ
とが困難であった。
ように、セラミック材料の基板１上に絶縁膜２を被着
し、その上に下部磁性膜３及び磁気ギャップ膜４を形成
し、更に有機絶縁層５、６を挟んで導体コイル７を積層
した後に上部磁性膜８を形成し、かつその上に保護膜９
を被覆することによって製造される。この場合、磁気ギ
ャップ膜４を挟んで対向する上下磁性膜の先端磁極部分
は、図３Ｂに示すように、下部磁極１０より上部磁極１
１の幅が狭く形成される。このため、狭トラック化が困
難になり、しかもトラック幅に比して再生出力が小さい
ので、薄膜磁気ヘッドの高性能化、高記録密度化を十分
に図れないという問題があった。また、下部磁極のはみ
出し部分が、隣接するトラックに記録された情報に及ん
でクロストークを生じる虞があった。更に、上部磁極
は、下部磁極の高い段差の上にフォトレジストを用いて
形成されるので、そのトラック幅を高精度に制御するこ
とが困難であった。
【０００３】そこで、特開昭６３−５５７１１号公報に
開示されるように、上部磁極又はその上に形成したレジ
スト層をマスクとして、下部磁極のはみ出し部分をイオ
ンミリングにより除去することによって上下磁極幅を一
致させ、再生出力を低下させることなく狭トラック化を
図るようにした薄膜磁気ヘッドが提案されている。ま
た、特開平５−３３４６２１号、特公平６−１０１０９
８号各公報には、同様に上部磁極をマスクとするイオン
ミリングによって、下部磁極のはみ出し部分の隅部に磁
気ギャップ側からの傾斜面を形成し、該傾斜面の部分だ
けトラック幅を狭くして、上下磁極幅を一致させた薄膜
磁気ヘッドが記載されている。
開示されるように、上部磁極又はその上に形成したレジ
スト層をマスクとして、下部磁極のはみ出し部分をイオ
ンミリングにより除去することによって上下磁極幅を一
致させ、再生出力を低下させることなく狭トラック化を
図るようにした薄膜磁気ヘッドが提案されている。ま
た、特開平５−３３４６２１号、特公平６−１０１０９
８号各公報には、同様に上部磁極をマスクとするイオン
ミリングによって、下部磁極のはみ出し部分の隅部に磁
気ギャップ側からの傾斜面を形成し、該傾斜面の部分だ
けトラック幅を狭くして、上下磁極幅を一致させた薄膜
磁気ヘッドが記載されている。
【０００４】更に、特公平５−７４１２７号公報に開示
される薄膜ヘッドの製造方法は、下部磁極の上に形成し
たミーリングレートの小さい保護膜を研磨して下部磁極
を露出させ、これらを同時にイオンミリングすることに
よって下部磁極にテーパ状の凹部を形成し、該凹部にギ
ャップ層を介して上部磁極を形成する。これにより、上
部磁極の傾斜部分だけトラック幅を狭くして、上下磁極
幅を一致させようとするものである。
される薄膜ヘッドの製造方法は、下部磁極の上に形成し
たミーリングレートの小さい保護膜を研磨して下部磁極
を露出させ、これらを同時にイオンミリングすることに
よって下部磁極にテーパ状の凹部を形成し、該凹部にギ
ャップ層を介して上部磁極を形成する。これにより、上
部磁極の傾斜部分だけトラック幅を狭くして、上下磁極
幅を一致させようとするものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開昭６３−５５７１１号公報等に記載される従来の
薄膜磁気ヘッドは、上下磁極のトラック幅を一致させた
り、クロストークの問題は解消できるが、イオンミリン
グの速度が位置によって均一でなく、例えば上部磁極の
側壁付近では遅くなり、またイオンミリングにより除去
された下部磁極の材料が上部磁極の側面に再付着するた
め、トラック幅を高精度に制御することが困難であると
いう問題があった。
た特開昭６３−５５７１１号公報等に記載される従来の
薄膜磁気ヘッドは、上下磁極のトラック幅を一致させた
り、クロストークの問題は解消できるが、イオンミリン
グの速度が位置によって均一でなく、例えば上部磁極の
側壁付近では遅くなり、またイオンミリングにより除去
された下部磁極の材料が上部磁極の側面に再付着するた
め、トラック幅を高精度に制御することが困難であると
いう問題があった。
【０００６】また、高記録密度化を実現するためには、
狭トラック化に加えて磁極の膜厚即ちポール長を薄くす
る必要がある。特公平５−７４１２７号公報に開示され
る従来技術では、下部磁極の膜厚が、保護膜及び下部磁
極の研磨後にイオンミリングによって最終的に決定され
るが、下部磁極等の研磨量を高精度に制御することは一
般に困難であるため、イオンミリングのみによって下部
磁極の膜厚を十分に制御することは困難で、大きなばら
つきが生じ易い。このため、十分な信頼性を確保するこ
とができない、という問題があった。
狭トラック化に加えて磁極の膜厚即ちポール長を薄くす
る必要がある。特公平５−７４１２７号公報に開示され
る従来技術では、下部磁極の膜厚が、保護膜及び下部磁
極の研磨後にイオンミリングによって最終的に決定され
るが、下部磁極等の研磨量を高精度に制御することは一
般に困難であるため、イオンミリングのみによって下部
磁極の膜厚を十分に制御することは困難で、大きなばら
つきが生じ易い。このため、十分な信頼性を確保するこ
とができない、という問題があった。
【０００７】そこで、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、基板の上に磁気ギャップ
を挟んで対向する１対の磁極を有する薄膜磁気ヘッドに
おいて、両磁極のトラック幅を一致させかつこれを高精
度に制御することによって狭トラック化を達成し、更に
磁極の膜厚を高精度に制御することにより高記録密度化
を図ることができ、高い信頼性をもって高性能の薄膜磁
気ヘッドを製造し得る方法を提供することにある。
法は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、基板の上に磁気ギャップ
を挟んで対向する１対の磁極を有する薄膜磁気ヘッドに
おいて、両磁極のトラック幅を一致させかつこれを高精
度に制御することによって狭トラック化を達成し、更に
磁極の膜厚を高精度に制御することにより高記録密度化
を図ることができ、高い信頼性をもって高性能の薄膜磁
気ヘッドを製造し得る方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためのものであり、請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、絶縁膜を被覆した基板の上に、磁
気ギャップ膜、該磁気ギャップ膜を挟んで対向する上下
１対の磁極、絶縁層及び導体コイルを積層する薄膜磁気
ヘッドの製造方法であって、基板上にフォトレジストを
パターニングしてレジストフレームを形成し、これをマ
スクとして電気めっきにより下部磁極を所望の膜厚に形
成し、かつ前記下部磁極の上に電気めっきにより金属層
を形成する過程と、レジストフレームを除去した後、絶
縁膜と同一材料の保護膜を、下部磁極及び前記金属層を
十分に覆うように形成し、保護膜を研磨して、前記金属
層を露出させかつ少なくとも該露出面付近を平坦化する
過程と、金属層をウエットエッチングにより除去して、
保護膜の下部磁極の位置に凹部を形成する過程と、下部
磁極の上に磁気ギャップ膜を形成した後、凹部に上部磁
極を電気めっきにより形成する過程とからなることを特
徴とする。
を達成するためのものであり、請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、絶縁膜を被覆した基板の上に、磁
気ギャップ膜、該磁気ギャップ膜を挟んで対向する上下
１対の磁極、絶縁層及び導体コイルを積層する薄膜磁気
ヘッドの製造方法であって、基板上にフォトレジストを
パターニングしてレジストフレームを形成し、これをマ
スクとして電気めっきにより下部磁極を所望の膜厚に形
成し、かつ前記下部磁極の上に電気めっきにより金属層
を形成する過程と、レジストフレームを除去した後、絶
縁膜と同一材料の保護膜を、下部磁極及び前記金属層を
十分に覆うように形成し、保護膜を研磨して、前記金属
層を露出させかつ少なくとも該露出面付近を平坦化する
過程と、金属層をウエットエッチングにより除去して、
保護膜の下部磁極の位置に凹部を形成する過程と、下部
磁極の上に磁気ギャップ膜を形成した後、凹部に上部磁
極を電気めっきにより形成する過程とからなることを特
徴とする。
【０００９】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述した請求項１の特徴点に加え、金属層が銅から
なり、かつ該金属層のウエットエッチングを過硫酸アン
モニウムにより行うことを特徴とする。
は、上述した請求項１の特徴点に加え、金属層が銅から
なり、かつ該金属層のウエットエッチングを過硫酸アン
モニウムにより行うことを特徴とする。
【００１０】
【作用】従って、請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、下部磁極を形成するためのレジストフレ
ームをそのまま用いて形成した金属層を、ウエットエッ
チングで除去することによって、保護膜に凹部を下部磁
極の位置に下部磁極と同一の幅に形成できるので、該凹
部に上部磁極を形成することによって、その位置及びト
ラック幅を下部磁極と一致させ、かつ同時に下部磁極を
所望の膜厚に制御することができる。
方法によれば、下部磁極を形成するためのレジストフレ
ームをそのまま用いて形成した金属層を、ウエットエッ
チングで除去することによって、保護膜に凹部を下部磁
極の位置に下部磁極と同一の幅に形成できるので、該凹
部に上部磁極を形成することによって、その位置及びト
ラック幅を下部磁極と一致させ、かつ同時に下部磁極を
所望の膜厚に制御することができる。
【００１１】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、下部磁極に腐食・劣化等の影響を与えること
なく、金属層のみを除去することができるので、下部磁
極の膜厚、並びに上部磁極の位置及びトラック幅をより
高精度に制御することができる。
によれば、下部磁極に腐食・劣化等の影響を与えること
なく、金属層のみを除去することができるので、下部磁
極の膜厚、並びに上部磁極の位置及びトラック幅をより
高精度に制御することができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の好適な実施例について添付図
面を参照しつつ詳細に説明する。図１及び図２には、本
発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法が工程順に示され
ている。先ず、図１Ａに於いて、アルミナ等の絶縁膜２
を有する基板１の上に例えばＮiＦe、ＮiＦe／Ｔi、Ｃu
／Ｃr、Ｃu単体の下地金属膜１２を被着し、かつフォト
レジストを所望の下部磁極の寸法にパターニングしてレ
ジストフレーム１３を形成した後、電気めっきによりパ
ーマロイ合金（例えばＮiＦe）を下部磁極に必要な厚さ
まで積層して、磁性膜１４を形成する。次に、レジスト
フレーム１３を残したまま、電気めっきによりＣuの金
属膜１５を磁性膜１４の上に０.３〜５μｍの厚さに形
成する（図１Ｂ）。
面を参照しつつ詳細に説明する。図１及び図２には、本
発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法が工程順に示され
ている。先ず、図１Ａに於いて、アルミナ等の絶縁膜２
を有する基板１の上に例えばＮiＦe、ＮiＦe／Ｔi、Ｃu
／Ｃr、Ｃu単体の下地金属膜１２を被着し、かつフォト
レジストを所望の下部磁極の寸法にパターニングしてレ
ジストフレーム１３を形成した後、電気めっきによりパ
ーマロイ合金（例えばＮiＦe）を下部磁極に必要な厚さ
まで積層して、磁性膜１４を形成する。次に、レジスト
フレーム１３を残したまま、電気めっきによりＣuの金
属膜１５を磁性膜１４の上に０.３〜５μｍの厚さに形
成する（図１Ｂ）。
【００１３】レジストフレーム１３を除去しかつその下
側の下地金属膜１２をイオンミリング又はウエットエッ
チングで除去した後（図１Ｃ）、下部磁極となる部分を
レジスト膜１６で被覆して（図１Ｄ）、不要な金属膜１
５、磁性膜１４、下地金属膜１２の部分をウエットエッ
チング等により除去する。更にレジスト膜１６を有機溶
剤等で溶解剥離することによって、図１Ｅに示すよう
に、所望のトラック幅及び膜厚を有し、かつその上に同
一幅の金属膜１５を積層した下部磁極１０が得られる。
側の下地金属膜１２をイオンミリング又はウエットエッ
チングで除去した後（図１Ｃ）、下部磁極となる部分を
レジスト膜１６で被覆して（図１Ｄ）、不要な金属膜１
５、磁性膜１４、下地金属膜１２の部分をウエットエッ
チング等により除去する。更にレジスト膜１６を有機溶
剤等で溶解剥離することによって、図１Ｅに示すよう
に、所望のトラック幅及び膜厚を有し、かつその上に同
一幅の金属膜１５を積層した下部磁極１０が得られる。
【００１４】この上に、絶縁膜２と同一材料の保護膜１
７を、図２Ｆに示すように金属膜１５及び下部磁極１０
を十分に覆うように形成する。次に、保護膜１７を研磨
して金属膜１５の表面を露出させ、かつ少なくとも該露
出面付近を平坦にする（図２Ｇ）。金属膜１５をウエッ
トエッチングにより除去することによって、保護膜１７
には、図２Ｈに示すように、下部磁極１０の位置に凹部
１８が形成される。このエッチング液には、下部磁極１
０及び保護膜１７を腐食したり劣化させないものが使用
される。従って、凹部１８は、その側面が垂直で全長に
亘って下部磁極と同一の幅が確保される。本実施例で
は、エッチング液に過硫酸アンモニウムを用いてＣuの
金属膜１５を除去した。
７を、図２Ｆに示すように金属膜１５及び下部磁極１０
を十分に覆うように形成する。次に、保護膜１７を研磨
して金属膜１５の表面を露出させ、かつ少なくとも該露
出面付近を平坦にする（図２Ｇ）。金属膜１５をウエッ
トエッチングにより除去することによって、保護膜１７
には、図２Ｈに示すように、下部磁極１０の位置に凹部
１８が形成される。このエッチング液には、下部磁極１
０及び保護膜１７を腐食したり劣化させないものが使用
される。従って、凹部１８は、その側面が垂直で全長に
亘って下部磁極と同一の幅が確保される。本実施例で
は、エッチング液に過硫酸アンモニウムを用いてＣuの
金属膜１５を除去した。
【００１５】次に、通常の薄膜磁気ヘッド製造技術を用
いて、下部磁極１０の上にアルミナ等の酸化絶縁物から
なる磁気ギャップ膜４をスパッタリングにより形成し、
かつ有機絶縁層及び導体コイルを積層し、例えばＮiＦe
の下地金属膜１９を被覆した後、フォトレジストをパタ
ーニングして上部磁極の寸法を規定するレジストフレー
ム２０を凹部１８周辺に形成する（図２Ｉ）。このと
き、磁気ギャップ膜４のスパッタリングにより凹部１８
の側面に付着する酸化絶縁物の量は非常に僅かであるか
ら、凹部１８の幅を実質的に狭くすることはない。そし
て、電気めっきによりＮiＦeからなる磁性膜を上部磁極
に必要な厚さまで堆積し、レジストフレーム２０及び不
要な前記磁性膜及び下地金属膜１９の部分を除去するこ
とによって、図２Ｊに示すような上部磁極１１が得られ
る。
いて、下部磁極１０の上にアルミナ等の酸化絶縁物から
なる磁気ギャップ膜４をスパッタリングにより形成し、
かつ有機絶縁層及び導体コイルを積層し、例えばＮiＦe
の下地金属膜１９を被覆した後、フォトレジストをパタ
ーニングして上部磁極の寸法を規定するレジストフレー
ム２０を凹部１８周辺に形成する（図２Ｉ）。このと
き、磁気ギャップ膜４のスパッタリングにより凹部１８
の側面に付着する酸化絶縁物の量は非常に僅かであるか
ら、凹部１８の幅を実質的に狭くすることはない。そし
て、電気めっきによりＮiＦeからなる磁性膜を上部磁極
に必要な厚さまで堆積し、レジストフレーム２０及び不
要な前記磁性膜及び下地金属膜１９の部分を除去するこ
とによって、図２Ｊに示すような上部磁極１１が得られ
る。
【００１６】上部磁極１１は、保護膜１７から上方に突
出する部分が、下部磁極１０のトラック幅よりはみ出し
ているが、磁気ギャップ側の部分が、凹部１８によって
下部磁極１０のトラック幅と同じ幅に形成されている。
従って、レジストフレーム２０を形成する際に多少の位
置ずれが生じても、上下磁極１０、１１のトラック幅が
同一になるので、はみ出し部分２１が再生出力に影響を
与えたり、クロストークの問題を生じることがない。
出する部分が、下部磁極１０のトラック幅よりはみ出し
ているが、磁気ギャップ側の部分が、凹部１８によって
下部磁極１０のトラック幅と同じ幅に形成されている。
従って、レジストフレーム２０を形成する際に多少の位
置ずれが生じても、上下磁極１０、１１のトラック幅が
同一になるので、はみ出し部分２１が再生出力に影響を
与えたり、クロストークの問題を生じることがない。
【００１７】また、本発明によれば、その技術的範囲内
に於て上記実施例に様々な変形・変更を加えて実施する
ことができる。例えば、金属膜１５及びそれを除去する
エッチング液には、下部磁極及び保護膜を腐食又は劣化
させることが無ければ、様々な組合せのものを用いるこ
とができる。また、凹部１８の深さは、上部磁極の膜厚
より大きくすることができ、その場合には保護膜１７自
体をマスクとして、前記はみ出し部分のない上部磁性膜
が形成される。
に於て上記実施例に様々な変形・変更を加えて実施する
ことができる。例えば、金属膜１５及びそれを除去する
エッチング液には、下部磁極及び保護膜を腐食又は劣化
させることが無ければ、様々な組合せのものを用いるこ
とができる。また、凹部１８の深さは、上部磁極の膜厚
より大きくすることができ、その場合には保護膜１７自
体をマスクとして、前記はみ出し部分のない上部磁性膜
が形成される。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。請求項１
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、下部磁極を
形成するレジストフレームをそのまま用いて形成した金
属層をウエットエッチングで除去し、保護膜の下部磁極
の位置にかつ下部磁極と同一の幅に形成される凹部に、
磁気ギャップ膜を介して上部磁極を形成することによっ
て、上下磁極の位置及びトラック幅を一致させ、かつこ
れを高精度に制御することができ、しかも下部磁極を所
望の膜厚に制御できるので、狭トラック化と同時に高記
録密度化を実現することができると共に、信頼性の向上
を図ることができる。
ので、以下に記載されるような効果を奏する。請求項１
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、下部磁極を
形成するレジストフレームをそのまま用いて形成した金
属層をウエットエッチングで除去し、保護膜の下部磁極
の位置にかつ下部磁極と同一の幅に形成される凹部に、
磁気ギャップ膜を介して上部磁極を形成することによっ
て、上下磁極の位置及びトラック幅を一致させ、かつこ
れを高精度に制御することができ、しかも下部磁極を所
望の膜厚に制御できるので、狭トラック化と同時に高記
録密度化を実現することができると共に、信頼性の向上
を図ることができる。
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の前半
の工程を示す図Ａ〜図Ｅからなる工程図である。
の工程を示す図Ａ〜図Ｅからなる工程図である。
【図２】図１の製造方法の後半の工程を示す図Ｆ〜図Ｊ
からなる工程図である。
からなる工程図である。
【図３】図Ａは、従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す断
面図、図Ｂは、その磁極先端部分を磁気記録媒体側から
見た拡大図である。
面図、図Ｂは、その磁極先端部分を磁気記録媒体側から
見た拡大図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 下部磁性膜 ４ 磁気ギャップ膜 ５、６ 有機絶縁層 ７ 導体コイル ８ 上部磁性膜 ９ 保護膜 １０ 下部磁極 １１ 上部磁極 １２ 下地金属膜 １３ レジストフレーム １４ 磁性膜 １５ 金属膜 １６ レジスト膜 １７ 保護膜 １８ 凹部 １９ 下地金属膜 ２０ レジストフレーム ２１ はみ出し部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 濱川 雅之 大阪府三島郡島本町江川２−15−17 リー ドライト・エスエムアイ株式会社内 (72)発明者 藤原 勝行 大阪府三島郡島本町江川２−15−17 リー ドライト・エスエムアイ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁膜を被覆した基板の上に、磁気ギャ
ップ膜、該磁気ギャップ膜を挟んで対向する上下１対の
磁極、絶縁層及び導体コイルを積層する薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、 前記基板上にフォトレジストをパターニングしてレジス
トフレームを形成し、これをマスクとして電気めっきに
より下部磁極を所望の膜厚に形成し、かつ前記下部磁極
の上に電気めっきにより金属層を形成する過程と、 前記レジストフレームを除去した後、前記絶縁膜と同一
材料の保護膜を、前記下部磁極及び前記金属層を十分に
覆うように形成し、前記保護膜を研磨して、前記金属層
を露出させかつ少なくとも該露出面付近を平坦化する過
程と、 前記金属層をウエットエッチングにより除去して、前記
保護膜の前記下部磁極の位置に凹部を形成する過程と、 前記下部磁極の上に前記磁気ギャップ膜を形成した後、
前記凹部に前記上部磁極を電気めっきにより形成する過
程とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２】 前記金属層が銅からなり、かつ該金属層
のウエットエッチングを過硫酸アンモニウムにより行う
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15881295A JPH08329418A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15881295A JPH08329418A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329418A true JPH08329418A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15679909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15881295A Pending JPH08329418A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7127800B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-10-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP15881295A patent/JPH08329418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7127800B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-10-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
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