JPH0779218B2 - 櫛形帯域阻止フィルタ - Google Patents
櫛形帯域阻止フィルタInfo
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- JPH0779218B2 JPH0779218B2 JP2175769A JP17576990A JPH0779218B2 JP H0779218 B2 JPH0779218 B2 JP H0779218B2 JP 2175769 A JP2175769 A JP 2175769A JP 17576990 A JP17576990 A JP 17576990A JP H0779218 B2 JPH0779218 B2 JP H0779218B2
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は主としてマイクロ波帯域で使用する櫛形構造の
帯域阻止フィルタに関する。更に詳しく述べると、誘電
体ブロックの一面に複数の溝を並設し、反対側の面と溝
内面に導体膜を形成することにより複数の容量部を構成
し、溝内の導体膜間をコイルで接続し、入出力端間をコ
ンデンサ容量で結合した帯域阻止フィルタに関するもの
である。
帯域阻止フィルタに関する。更に詳しく述べると、誘電
体ブロックの一面に複数の溝を並設し、反対側の面と溝
内面に導体膜を形成することにより複数の容量部を構成
し、溝内の導体膜間をコイルで接続し、入出力端間をコ
ンデンサ容量で結合した帯域阻止フィルタに関するもの
である。
このフィルタは、例えばマイクロ波帯域の移動体通信や
衛星通信等で有用である。
衛星通信等で有用である。
［従来の技術］ マイクロ波帯域で用いる帯域阻止フィルタとしては誘電
体共振器構造が一般的である。これはマイクロ波用高誘
電率セラミックス材料からなる誘電体共振器を複数個並
設し、適当な集中定数素子で結合した構成である。誘電
体共振器は、角柱の中心に貫通孔を設け、該貫通孔の内
壁面に導体膜を付着すると共に、貫通孔が開口している
一方の面（開放面）を除く外表面にも導体膜を付着し
て、それぞれ内導体及び外導体としたものである。内導
体の開放端にそれぞれコンデンサを接続し、各コンデン
サ間をコイルで接続してフィルタとする。
体共振器構造が一般的である。これはマイクロ波用高誘
電率セラミックス材料からなる誘電体共振器を複数個並
設し、適当な集中定数素子で結合した構成である。誘電
体共振器は、角柱の中心に貫通孔を設け、該貫通孔の内
壁面に導体膜を付着すると共に、貫通孔が開口している
一方の面（開放面）を除く外表面にも導体膜を付着し
て、それぞれ内導体及び外導体としたものである。内導
体の開放端にそれぞれコンデンサを接続し、各コンデン
サ間をコイルで接続してフィルタとする。
各誘電体共振器は、角柱高さ、比誘電率、コンデンサ容
量等で決まる共振周波数をもち、上記構成によってλ/4
同軸共振型の帯域阻止フィルタが得られる。
量等で決まる共振周波数をもち、上記構成によってλ/4
同軸共振型の帯域阻止フィルタが得られる。
［発明が解決しようとする課題］ 上記の帯域阻止フィルタは、単体共振器を複数込配列す
るため、部品点数が多く組み立て工数が増大し、共振器
間の位置出しや外導体面精度も要求が厳しくなる。また
共振器同士の接合の必要から機械的強度や耐環境性の劣
化などの問題もある。
るため、部品点数が多く組み立て工数が増大し、共振器
間の位置出しや外導体面精度も要求が厳しくなる。また
共振器同士の接合の必要から機械的強度や耐環境性の劣
化などの問題もある。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消
し、組み立て調整工数を低減でき、製造し易い帯域阻止
フィルタを提供することにある。
し、組み立て調整工数を低減でき、製造し易い帯域阻止
フィルタを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成できる本発明は、誘電体ブロックの相
対向する面の一方に複数本の溝を平行に設けて櫛形と
し、各溝の少なくとも底面に導体膜を形成すると共に他
方の面にアース電極を設け、隣接する溝の導体膜間をコ
イルで接続し、入出力間をコンデンサ容量を介して結合
した帯域阻止フィルタである。
対向する面の一方に複数本の溝を平行に設けて櫛形と
し、各溝の少なくとも底面に導体膜を形成すると共に他
方の面にアース電極を設け、隣接する溝の導体膜間をコ
イルで接続し、入出力間をコンデンサ容量を介して結合
した帯域阻止フィルタである。
ここで入出力間は、コンデンサとコイルの直列接続によ
って結合してもよい。また溝の底面以外に量壁面にも導
体膜を形成してもよい。
って結合してもよい。また溝の底面以外に量壁面にも導
体膜を形成してもよい。
なお本明細書において、「溝」とは細長く窪んだところ
をいい、両側に壁面がある通常の意味での溝の他、誘電
体ブロックの端部に位置する場合には片側に壁面が無い
ものをも含む広い意味で用いている。
をいい、両側に壁面がある通常の意味での溝の他、誘電
体ブロックの端部に位置する場合には片側に壁面が無い
ものをも含む広い意味で用いている。
［作用］ 溝底部の導体膜とアース電極との間で接地容量が形成さ
れ、溝の導体膜間を結合するコイルでインダクタンスが
生じる。これら複数のコイルが直列に接続されると共に
コイルの相互接続点間に並列にそれぞれ接地容量が接続
された４端子LC回路網で低域通過フィルタ特性が得られ
る。そして入出力間をコンデンサ容量で結合することに
より、高域通過フィルタ特性が得られる。両者が組み合
わされることで、所望の帯域阻止フィルタとなる。
れ、溝の導体膜間を結合するコイルでインダクタンスが
生じる。これら複数のコイルが直列に接続されると共に
コイルの相互接続点間に並列にそれぞれ接地容量が接続
された４端子LC回路網で低域通過フィルタ特性が得られ
る。そして入出力間をコンデンサ容量で結合することに
より、高域通過フィルタ特性が得られる。両者が組み合
わされることで、所望の帯域阻止フィルタとなる。
また入出力間をコンデンサとコイルとの直列接続で結合
すると、直列共振が生じ高域側の通過域が急峻になり、
良好なフィルタ特性が得られる。
すると、直列共振が生じ高域側の通過域が急峻になり、
良好なフィルタ特性が得られる。
更に溝の壁面に導体膜を形成すると、隣合う溝の壁面導
体膜間で対向容量が生じ、それと前記コイルのインダク
タンスとによって並列共振回路ができ、減衰極ができる
ため低域側通過域が急峻になりフィルタ特性が改善され
る。
体膜間で対向容量が生じ、それと前記コイルのインダク
タンスとによって並列共振回路ができ、減衰極ができる
ため低域側通過域が急峻になりフィルタ特性が改善され
る。
［実施例］ 第１図は本発明に係る櫛形帯域阻止フィルタの一実施例
を示す斜視図であり、第２図はその等価回路を示す説明
図である。
を示す斜視図であり、第２図はその等価回路を示す説明
図である。
チタン酸バリウム等のマイクロ波用高誘電率材料からな
る誘電体ブロック10は、直方体の一組の相対向する面の
一方（図面では上面）に４本の溝12を平行に設けたもの
であり、第２図のように櫛形をなしている。そして各溝
12の底面と両壁面にそれぞれ導体膜14a,14bを設けると
共に誘電体ブロック10の他方の面（図面では下面）全面
にアース電極16を形成する。入出力端子18と両端に位置
する溝の導体膜との間、及び各溝の導体膜間をコイル20
で維持する。
る誘電体ブロック10は、直方体の一組の相対向する面の
一方（図面では上面）に４本の溝12を平行に設けたもの
であり、第２図のように櫛形をなしている。そして各溝
12の底面と両壁面にそれぞれ導体膜14a,14bを設けると
共に誘電体ブロック10の他方の面（図面では下面）全面
にアース電極16を形成する。入出力端子18と両端に位置
する溝の導体膜との間、及び各溝の導体膜間をコイル20
で維持する。
更に入出力端子18間をチップコンデンサ22を介して接続
する。
する。
なお第１図において図面を分かり易くするため、導体膜
が無く誘電体の素地がそのまま露出している部分は細か
な点々によって表示してある。誘電体ブロックは、例え
ば粉体を所定の形状にプレス成形し焼成することで製造
できる。あるいは直方体状の焼結品を切削加工すること
によって溝を形成してもよい。また導体膜は例えば銀ペ
ーストの焼き付け等により形成したものでよい。
が無く誘電体の素地がそのまま露出している部分は細か
な点々によって表示してある。誘電体ブロックは、例え
ば粉体を所定の形状にプレス成形し焼成することで製造
できる。あるいは直方体状の焼結品を切削加工すること
によって溝を形成してもよい。また導体膜は例えば銀ペ
ーストの焼き付け等により形成したものでよい。
第２図に示すように、溝底部の導体膜14aとアース電極1
6との間で接地容量C1,C2が形成され、隣合う溝の壁面導
体膜14b間で対向容量C3,C4が形成される。L1…,L3はコ
イル20によるインダクタンスを表している。接地容量
C1,C2とインダクタンスL1,…,L3とで低域通過フィルタ
特性が生じる。またコンデンサ22のコンデンサ容量Ｃに
よって入出力端子18間が結合される。これによって高域
通過フィルタ特性が得られる。
6との間で接地容量C1,C2が形成され、隣合う溝の壁面導
体膜14b間で対向容量C3,C4が形成される。L1…,L3はコ
イル20によるインダクタンスを表している。接地容量
C1,C2とインダクタンスL1,…,L3とで低域通過フィルタ
特性が生じる。またコンデンサ22のコンデンサ容量Ｃに
よって入出力端子18間が結合される。これによって高域
通過フィルタ特性が得られる。
上記低域通過フィルタ特性と高域通過フィルタ特性をも
つ回路を並列に組み合わせることで帯域阻止フィルタと
なる。このフィルタでは、チップコンデンサ22の容量、
接地容量C1,C2とインダクタンスL1,…,L3の値を適当に
選定することで、所望の特性に調整できる。
つ回路を並列に組み合わせることで帯域阻止フィルタと
なる。このフィルタでは、チップコンデンサ22の容量、
接地容量C1,C2とインダクタンスL1,…,L3の値を適当に
選定することで、所望の特性に調整できる。
本実施例では、溝の壁面にも導体膜を形成しているため
対向容量C3,C4が生じ、それらとインダクタンスL1,…,L
3とで並列共振になり低域側の通過域が急峻になる。更
に図示されていないが、入出力間をコンデンサとコイル
との直列接続で結合すると、直列共振が生じ高域側の通
過域が急峻になり好ましい。
対向容量C3,C4が生じ、それらとインダクタンスL1,…,L
3とで並列共振になり低域側の通過域が急峻になる。更
に図示されていないが、入出力間をコンデンサとコイル
との直列接続で結合すると、直列共振が生じ高域側の通
過域が急峻になり好ましい。
なお誘電体ブロックの幅を一定としたとき、接地容量
C1,C2は溝幅、アース電極と溝底部との距離で調整で
き、対向容量C3,C4は溝間の凸部の幅、溝深さで調整で
きる。
C1,C2は溝幅、アース電極と溝底部との距離で調整で
き、対向容量C3,C4は溝間の凸部の幅、溝深さで調整で
きる。
次に実験結果について述べる。第３図は実験に用いた誘
電体フィルタの説明図であり、第５図は得られたフィル
タ特性線図である。誘電体ブロックは誘電率ε＝39の材
料を用い、各寸法は第４図は記載した通りである。単位
はmmである。なお誘電体ブロックの幅は6.3mmである。
入出力コイルは２ターン、溝間のコイルは３ターンであ
り、線径0.4mmφの線材を用いた。入出力コネクタ30に
２本の錫メッキ被覆線32（芯線径0.8mmφ，絶縁被覆径
1.2mmφ）の芯線部をそれぞれ半田付けし、他端同士を
４回縒り合わせてコンデンサ結合容量をもたせた。第５
図から分かるように、この構成によって帯域阻止フィル
タ特性が生じる。なお破線で示す特性は、入出力コネク
タ間の錫メッキ被覆線を外した場合の特性であり、低域
通過フィルタ特性が生じることが分かる。つまり錫メッ
キ被覆線による入出力間のコンデンサ結合が加わること
で帯域阻止フィルタ特性が生じるのである。
電体フィルタの説明図であり、第５図は得られたフィル
タ特性線図である。誘電体ブロックは誘電率ε＝39の材
料を用い、各寸法は第４図は記載した通りである。単位
はmmである。なお誘電体ブロックの幅は6.3mmである。
入出力コイルは２ターン、溝間のコイルは３ターンであ
り、線径0.4mmφの線材を用いた。入出力コネクタ30に
２本の錫メッキ被覆線32（芯線径0.8mmφ，絶縁被覆径
1.2mmφ）の芯線部をそれぞれ半田付けし、他端同士を
４回縒り合わせてコンデンサ結合容量をもたせた。第５
図から分かるように、この構成によって帯域阻止フィル
タ特性が生じる。なお破線で示す特性は、入出力コネク
タ間の錫メッキ被覆線を外した場合の特性であり、低域
通過フィルタ特性が生じることが分かる。つまり錫メッ
キ被覆線による入出力間のコンデンサ結合が加わること
で帯域阻止フィルタ特性が生じるのである。
なお入出力間の結合に、コンデンサの他に更にコイルを
加えて直列共振を生じさせると、高域側の通過域の部分
（同図ａの部分）が急峻になり、より良好なフィルタ特
性が得られる。
加えて直列共振を生じさせると、高域側の通過域の部分
（同図ａの部分）が急峻になり、より良好なフィルタ特
性が得られる。
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発
明はこのような構成のみに限定されるものではない。溝
の本数は任意であり、溝形状などは適宜変更してよい。
例えば断面矩形状の溝でもよい。溝幅や溝深さを変える
ことで各溝部分での容量を調節することもできる。また
両端の溝の外側の壁部分は無くてもよいため削除しう
る。これによって小型化できると共に、材料費用も節約
できる。
明はこのような構成のみに限定されるものではない。溝
の本数は任意であり、溝形状などは適宜変更してよい。
例えば断面矩形状の溝でもよい。溝幅や溝深さを変える
ことで各溝部分での容量を調節することもできる。また
両端の溝の外側の壁部分は無くてもよいため削除しう
る。これによって小型化できると共に、材料費用も節約
できる。
［発明の効果］ 本発明は上記のように誘電体ブロックに複数の溝を並設
し、その底面に導体膜を形成して溝底部と対向するアー
ス電極との間で接地容量を持たせ、溝の導体膜の間を順
次コイルで接続すると共に、入出力間をコンデンサ容量
で結合する構成だから、それらによって等価的に前述し
たようなLC回路網ができ所望の帯域阻止フィルタ特性を
実現できる。入出力間の結合にコンデンサの他にコイル
を直列に設けて直列共振させると、高域側の通過域が急
峻となりフィルタ特性が改善される。
し、その底面に導体膜を形成して溝底部と対向するアー
ス電極との間で接地容量を持たせ、溝の導体膜の間を順
次コイルで接続すると共に、入出力間をコンデンサ容量
で結合する構成だから、それらによって等価的に前述し
たようなLC回路網ができ所望の帯域阻止フィルタ特性を
実現できる。入出力間の結合にコンデンサの他にコイル
を直列に設けて直列共振させると、高域側の通過域が急
峻となりフィルタ特性が改善される。
また溝の壁面にも導体膜を形成すると隣合う溝の壁面間
で生じる対向容量とコイルのインダクタンスによって並
列共振回路ができ、低域側の通過域が急峻になる。
で生じる対向容量とコイルのインダクタンスによって並
列共振回路ができ、低域側の通過域が急峻になる。
本発明のフィルタは一体型であり容量が均一化され、正
確な溝形状にすることによって容量のばらつきを抑える
ことができ、導体膜の形成に高精度のスクリーン印刷技
術を必要とせず、そのため製造コストが低減する。更に
立体的に容量を形成しているため、占有取付け面積が小
さくなり基板実装密度が向上する。
確な溝形状にすることによって容量のばらつきを抑える
ことができ、導体膜の形成に高精度のスクリーン印刷技
術を必要とせず、そのため製造コストが低減する。更に
立体的に容量を形成しているため、占有取付け面積が小
さくなり基板実装密度が向上する。
第１図は本発明に係る櫛形帯域阻止フィルタの一実施例
を示す斜視図、第２図はその等価回路を示す説明図、第
３図は実験に用いたフィルタの説明図、第４図はその溝
等の寸法説明図、第５図はそのフィルタの特性例を示す
グラフである。 10……誘電体ブロック、12……溝、14a,14b……導体
膜、16……アース電極、18……入出力端子、20……コイ
ル、22……チップコンデンサ。
を示す斜視図、第２図はその等価回路を示す説明図、第
３図は実験に用いたフィルタの説明図、第４図はその溝
等の寸法説明図、第５図はそのフィルタの特性例を示す
グラフである。 10……誘電体ブロック、12……溝、14a,14b……導体
膜、16……アース電極、18……入出力端子、20……コイ
ル、22……チップコンデンサ。
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体ブロックの相対向する面の一方に複
数本の溝を平行に設けて櫛形にし、各溝の壁面及び底面
に導体膜を形成すると共に他方の面にアース電極を設
け、隣接する溝の導体膜間をコイルで接続し、両端に位
置する溝の導体膜と入出力端とを接続すると共に、入出
力端間をコンデンサ容量を介して結合した櫛形帯域阻止
フィルタ。 - 【請求項２】入出力端間をコンデンサとコイルとの直列
接続によって結合した請求項１記載のフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175769A JPH0779218B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 櫛形帯域阻止フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175769A JPH0779218B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 櫛形帯域阻止フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468609A JPH0468609A (ja) | 1992-03-04 |
| JPH0779218B2 true JPH0779218B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16001939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175769A Expired - Fee Related JPH0779218B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 櫛形帯域阻止フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779218B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2645605B2 (ja) * | 1990-07-03 | 1997-08-25 | 富士電気化学株式会社 | 帰還回路付き低域通過フィルタ |
| JP2004214929A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 有極形帯域阻止フィルタ |
| CN112491164B (zh) * | 2020-12-02 | 2022-08-19 | 同济大学 | 高阶空间—时间对称的无线能量传输系统及方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632411A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 帯域濾波器の微小容量結合板 |
| JPH01157418U (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-30 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP2175769A patent/JPH0779218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0468609A (ja) | 1992-03-04 |
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