JPS6277703A - 誘電体フイルタ - Google Patents
誘電体フイルタInfo
- Publication number
- JPS6277703A JPS6277703A JP21875385A JP21875385A JPS6277703A JP S6277703 A JPS6277703 A JP S6277703A JP 21875385 A JP21875385 A JP 21875385A JP 21875385 A JP21875385 A JP 21875385A JP S6277703 A JPS6277703 A JP S6277703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- resonator
- resonators
- filter
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上夏肌且分界
本発明は、複数の誘電体共振器を隣合うもの同士電磁的
に或いは結合素子を介して結合した構成の誘電体フィル
タに関し、殊に減衰域に極をもつバンドパスタイプの誘
電体フィルタの提案に関する。
に或いは結合素子を介して結合した構成の誘電体フィル
タに関し、殊に減衰域に極をもつバンドパスタイプの誘
電体フィルタの提案に関する。
従」蛭l支逝
バンドパスフィルタにおいて、ユーザーサイドからは、
中心周波数から所定周波数離れたところの周波数での減
衰量が所定値以上あるといった条件でフィルタの注文を
受けることがある。この場合、空胴共振器及び誘電体共
振器を問わず、複数の共振器を隣接するもの同士電磁的
に結合或いは結合素子を介して結合した構成のフィルタ
において上記要求を満たすには、共振器の段数を増加す
るのも一方法であるが、共振器の段数を増やすことなく
上記要求を満たす方法として、1段以上の共振器をとば
してその前後の共振器同士を直接電磁的に結合する方法
がある。この方法によると、第16図に実線で示すよう
に減衰域に極Pi、P2が発生してフィルタ特性が急し
ゅんになる。従って、この結果、中心周波数から所定周
波数離れたところの周波数での減衰量が所定値以上にな
って上記要求を満たすことができるのである。図中、破
線は共振器の段数が同じで極をもたないフィルタの周波
数特性を示す。
中心周波数から所定周波数離れたところの周波数での減
衰量が所定値以上あるといった条件でフィルタの注文を
受けることがある。この場合、空胴共振器及び誘電体共
振器を問わず、複数の共振器を隣接するもの同士電磁的
に結合或いは結合素子を介して結合した構成のフィルタ
において上記要求を満たすには、共振器の段数を増加す
るのも一方法であるが、共振器の段数を増やすことなく
上記要求を満たす方法として、1段以上の共振器をとば
してその前後の共振器同士を直接電磁的に結合する方法
がある。この方法によると、第16図に実線で示すよう
に減衰域に極Pi、P2が発生してフィルタ特性が急し
ゅんになる。従って、この結果、中心周波数から所定周
波数離れたところの周波数での減衰量が所定値以上にな
って上記要求を満たすことができるのである。図中、破
線は共振器の段数が同じで極をもたないフィルタの周波
数特性を示す。
ところで、上記の如くフィルタ特性の減衰域に極をもた
せる(以下、有極化という。)技術は、空胴共振器フィ
ルタや半同軸フィルタにおいては既に知られ、実施され
ているが、誘電体フィルタにおいては未だ実施されてい
ないのが現状である。
せる(以下、有極化という。)技術は、空胴共振器フィ
ルタや半同軸フィルタにおいては既に知られ、実施され
ているが、誘電体フィルタにおいては未だ実施されてい
ないのが現状である。
が ゛ しよ′とする
しかるに近時における誘電体共振器の普及に伴い、それ
を用いた誘電体フィルタにおいても有極化が要望され、
その開発が急務となっている。
を用いた誘電体フィルタにおいても有極化が要望され、
その開発が急務となっている。
° るための
本発明はかかる要請に基づき提案されたものであり、複
数の誘電体共振器を隣合うもの同士電磁的に結合或いは
結合素子を介して結合した構成の誘電体フィルタにおい
て、少なくとも1個の誘電体共振器をとばしてその前後
に存する誘電体共振器を直接リアクタンス素子で接続し
たことを特徴としている。
数の誘電体共振器を隣合うもの同士電磁的に結合或いは
結合素子を介して結合した構成の誘電体フィルタにおい
て、少なくとも1個の誘電体共振器をとばしてその前後
に存する誘電体共振器を直接リアクタンス素子で接続し
たことを特徴としている。
実−隻一側
第1図は本発明の一実施例として、誘電体共振ブロック
で構成した誘電体フィルタを示し、1は酸化チタン系セ
ラミック誘電体等からなる誘電体ブロックで、該ブロッ
ク1の四側面には金属膜からなる外導体2が形成され、
誘電体ブロック1の中には適当間隔おきに貫通孔3・・
・が形成されている。この貫通孔3・・・の内面には金
属膜からなる内導体4が形成され、誘電体ブロック1底
面に形成した導電B* (不図示)によって前記外導体
2と短絡されている(以下、この誘電体プロ・7り底面
を短絡端面という。)。前記各内導体4・・・、外導体
2及びその間に存す誘電体ブロック1によって誘電体共
振器At、A2・・・(以下、単に共振器という。)が
構成さ゛れている。共振器A1.A2・・・の間には共
振器相互を結合させるための一手段としての結合孔6・
・・が形成され、隣合う共振器AI、A2・・・が電磁
的に結合されている。各共振器を結合孔6・・・によっ
て結合した場合、その結合は誘導性である。このような
構造の誘電体フィルタは公知である。
で構成した誘電体フィルタを示し、1は酸化チタン系セ
ラミック誘電体等からなる誘電体ブロックで、該ブロッ
ク1の四側面には金属膜からなる外導体2が形成され、
誘電体ブロック1の中には適当間隔おきに貫通孔3・・
・が形成されている。この貫通孔3・・・の内面には金
属膜からなる内導体4が形成され、誘電体ブロック1底
面に形成した導電B* (不図示)によって前記外導体
2と短絡されている(以下、この誘電体プロ・7り底面
を短絡端面という。)。前記各内導体4・・・、外導体
2及びその間に存す誘電体ブロック1によって誘電体共
振器At、A2・・・(以下、単に共振器という。)が
構成さ゛れている。共振器A1.A2・・・の間には共
振器相互を結合させるための一手段としての結合孔6・
・・が形成され、隣合う共振器AI、A2・・・が電磁
的に結合されている。各共振器を結合孔6・・・によっ
て結合した場合、その結合は誘導性である。このような
構造の誘電体フィルタは公知である。
前記誘電体ブロック1の上面1aは導電膜が形成されな
い開放端面とされ、その端面に2つの共振器A3.A4
をとばしてその前後に存する共振器A2.A5を接続す
るためのりアクタンス素子が形成されている。図示例に
おいて、リアクタンス素子は開放端面に銀ペースト等で
形成した導電パターン7によって実現される。即ち、導
電パターン7は、共振器A2の内導体4に接続されたラ
ンド部7aと、共振器A5の内導体4に接続されたラン
ド部7bと、この両ランド部7a、7bに対しギャップ
Gl、G2を介し両端が対向するランド部7Cとから成
り、前記ギャップGl、G2によってリアクタンス素子
の一例である静電容量素子を構成している。
い開放端面とされ、その端面に2つの共振器A3.A4
をとばしてその前後に存する共振器A2.A5を接続す
るためのりアクタンス素子が形成されている。図示例に
おいて、リアクタンス素子は開放端面に銀ペースト等で
形成した導電パターン7によって実現される。即ち、導
電パターン7は、共振器A2の内導体4に接続されたラ
ンド部7aと、共振器A5の内導体4に接続されたラン
ド部7bと、この両ランド部7a、7bに対しギャップ
Gl、G2を介し両端が対向するランド部7Cとから成
り、前記ギャップGl、G2によってリアクタンス素子
の一例である静電容量素子を構成している。
上記のように2つの共振器A3.A4をとばしてその前
後に存する共振器A2.A5を静電容量素子で接続すれ
ば、フィルタ特性は第 図に示したように上下2つの減
衰域に極Pi、P2ができる。極Pi、P2の位置はり
アクタンス素子のインピーダンスの大きさによって変化
する。一般にインピーダンスが高くなる程極が中心周波
数fOから離れる傾向にある。なお、ローインピーダン
スの場合は極が通過域に入り好ましくない。
後に存する共振器A2.A5を静電容量素子で接続すれ
ば、フィルタ特性は第 図に示したように上下2つの減
衰域に極Pi、P2ができる。極Pi、P2の位置はり
アクタンス素子のインピーダンスの大きさによって変化
する。一般にインピーダンスが高くなる程極が中心周波
数fOから離れる傾向にある。なお、ローインピーダン
スの場合は極が通過域に入り好ましくない。
前記極は、リアクタンス素子を接続することによってと
ばされる共振器の数、リアクタンス素子の種類(容量性
か誘導性か)及び各共振器を結合する要素(結合孔若し
くはリアクタンス等の結合素子)の種類(容量性か導電
性か)によって上下の減衰域の一方に選択的に形成する
ことができる。今、第2図の誘電体フィルタの等価回路
に示すようにリアクタンス素子をX、結合要素をkとす
ると、発生する極の位置は下表の通りである。但し、表
中、Cは容量性、Lは誘導性を意味する。
ばされる共振器の数、リアクタンス素子の種類(容量性
か誘導性か)及び各共振器を結合する要素(結合孔若し
くはリアクタンス等の結合素子)の種類(容量性か導電
性か)によって上下の減衰域の一方に選択的に形成する
ことができる。今、第2図の誘電体フィルタの等価回路
に示すようにリアクタンス素子をX、結合要素をkとす
ると、発生する極の位置は下表の通りである。但し、表
中、Cは容量性、Lは誘導性を意味する。
表
リアクタンス素子Xの一例としての静電容量素子は第1
図のように導電パターンによって形成する他、第3図乃
至第7図に示す構成によっても形成できる。第3図に示
す例は、共振器A2.A5の内導体4から所定間隔にお
いてコンデンサ電極パターン8a、8bを形成し、この
電極パターン3a、8bと共振器A2.A5の内導体4
との間で静電容量を形成している。この場合、2つのコ
ンデンサ電極パターン8a、8bはリード線8Cで接続
したり、前述の例のように導電パターン7Cと一体形成
することもできる。第4図に示すものは、リード付きコ
ンデンサ素子9を用いて上記静電容量を確保している。
図のように導電パターンによって形成する他、第3図乃
至第7図に示す構成によっても形成できる。第3図に示
す例は、共振器A2.A5の内導体4から所定間隔にお
いてコンデンサ電極パターン8a、8bを形成し、この
電極パターン3a、8bと共振器A2.A5の内導体4
との間で静電容量を形成している。この場合、2つのコ
ンデンサ電極パターン8a、8bはリード線8Cで接続
したり、前述の例のように導電パターン7Cと一体形成
することもできる。第4図に示すものは、リード付きコ
ンデンサ素子9を用いて上記静電容量を確保している。
この素子9のリード9a、9bは共振器A2.A5の内
導体4の開放端面側寄り位置に取付けである。前記コン
デンサ素子9はトリマコンデンサ素子を用いれば、その
容量を変化させて減衰域に生じた極を移動させることが
でき調整に便利である。第5図に示すものは共振器A2
.A5の貫通孔3に絶縁体10を挿入し、この絶縁体1
0にリード線等の導体棒11の両端を挿入して、該導体
棒11と内導体4間で静電容量を形成している。この場
合、導体棒11の先端の挿入箇所は結合孔6であっても
かまわない。結合孔6の場合、導体棒11の先端は結合
孔壁面に直付けすることもできる。なお、これらの例に
おいて導体棒11の代わりにコンデンサ素子9を用いる
こともできる。第6図は導体棒11の先端を短絡端面1
b側から結合孔6に挿入した例を示す。このように短絡
端面倒からであっても結合孔6に対して挿入すれば、導
体棒11は共振器に対して容量結合することができ、従
って上記各側と同様に静電容量子を形成する。第7図に
示すものは第3図及び第4図の変形例で、共振器A2゜
A5の内導体4とコンデンサ電極パターン9a。
導体4の開放端面側寄り位置に取付けである。前記コン
デンサ素子9はトリマコンデンサ素子を用いれば、その
容量を変化させて減衰域に生じた極を移動させることが
でき調整に便利である。第5図に示すものは共振器A2
.A5の貫通孔3に絶縁体10を挿入し、この絶縁体1
0にリード線等の導体棒11の両端を挿入して、該導体
棒11と内導体4間で静電容量を形成している。この場
合、導体棒11の先端の挿入箇所は結合孔6であっても
かまわない。結合孔6の場合、導体棒11の先端は結合
孔壁面に直付けすることもできる。なお、これらの例に
おいて導体棒11の代わりにコンデンサ素子9を用いる
こともできる。第6図は導体棒11の先端を短絡端面1
b側から結合孔6に挿入した例を示す。このように短絡
端面倒からであっても結合孔6に対して挿入すれば、導
体棒11は共振器に対して容量結合することができ、従
って上記各側と同様に静電容量子を形成する。第7図に
示すものは第3図及び第4図の変形例で、共振器A2゜
A5の内導体4とコンデンサ電極パターン9a。
8bの間で静電容量を形成するとともに、両パターン8
a、8bの間をトリマコンデンサ12で接続して構成し
である。
a、8bの間をトリマコンデンサ12で接続して構成し
である。
次に第8図はりアクタンス素子XとしてコイルLを用い
た例を示す。即ち、共振器A2とA4の内導体4に一端
が接続された導電パターン138.13bを開放端面に
形成し、両パターンの他端にコイル素子りを接続して構
成しである。この構成によれば、とばした共振器の数が
1、k及びXが誘導性なので、上表から明らかなように
上側の減衰域だけに極をもったバンドパスフィルタを得
ることができる。
た例を示す。即ち、共振器A2とA4の内導体4に一端
が接続された導電パターン138.13bを開放端面に
形成し、両パターンの他端にコイル素子りを接続して構
成しである。この構成によれば、とばした共振器の数が
1、k及びXが誘導性なので、上表から明らかなように
上側の減衰域だけに極をもったバンドパスフィルタを得
ることができる。
コイル素子りと共振器A2.A4との接続構造は、第9
図に示すように、コイル素子りのリード線p1.i2を
直接共振器A2.A4の内導体4に接続してもかまわな
いし、また第10図に示すようにコイル素子り自身を短
絡端面1b側から結合孔6に挿入した構造でもかまわな
い。この場合、コイル素子りがグラつかないよう結合孔
6に絶縁体14を詰めてコイル素子りを保持しておくの
がよい。コイル素子りの一端は短絡端面1bの短絡電極
15に接続される。
図に示すように、コイル素子りのリード線p1.i2を
直接共振器A2.A4の内導体4に接続してもかまわな
いし、また第10図に示すようにコイル素子り自身を短
絡端面1b側から結合孔6に挿入した構造でもかまわな
い。この場合、コイル素子りがグラつかないよう結合孔
6に絶縁体14を詰めてコイル素子りを保持しておくの
がよい。コイル素子りの一端は短絡端面1bの短絡電極
15に接続される。
第11図は、リアクタンス素子Xとしてコンデンサとコ
イルとの合成回路で構成した例を示す。
イルとの合成回路で構成した例を示す。
コンデンサ成分は、開放端面に形成した2つの導電パタ
ーン16.17と共振器A2.A5の内導体4との間で
構成され、コイル成分は2つの導電パターン16.17
間に接続したコイル素子りによって構成される。上表に
はりアクタンス素子Xをコンデンサとコイルの合成回路
で構成した場合を掲げていないが有極化は実現する。
ーン16.17と共振器A2.A5の内導体4との間で
構成され、コイル成分は2つの導電パターン16.17
間に接続したコイル素子りによって構成される。上表に
はりアクタンス素子Xをコンデンサとコイルの合成回路
で構成した場合を掲げていないが有極化は実現する。
第12図乃至第14図は夫々本発明のフィルタを容易に
実現するための具体的な構成を示す。前回までの実施例
においても本発明のフィルタを実現できることは勿論で
あるが、本発明のフィルタは本質的にリアクタンス素子
Xとしてハイインピーダンスのものを必要とし、例えば
第1.3図等の実施例のようにリアクタンス素子として
静電容量素子を用いるものの場合、静電容量素子の値は
0.05pF若しくはそれ以下でなければならないから
、例えばコンデンサを複数個直列に接続することによっ
て実現させる。しかるに、このような低い容量は安定し
て製作することが極めて難しく、また取付時等に僅かに
容量が変動してももとの容量に対する変動分の比率が大
きいために減衰域に生じる極が大きく移動し、所望する
特性のフィルタを得にくいといった問題がある。そこで
、このような問題点を解消し、製作の容易な大きい容量
のコンデンサを用いて所望する特性のフィルタを安定に
、再現性よく得られるようにしたのが第12図乃至第1
4図に示す実施例である。
実現するための具体的な構成を示す。前回までの実施例
においても本発明のフィルタを実現できることは勿論で
あるが、本発明のフィルタは本質的にリアクタンス素子
Xとしてハイインピーダンスのものを必要とし、例えば
第1.3図等の実施例のようにリアクタンス素子として
静電容量素子を用いるものの場合、静電容量素子の値は
0.05pF若しくはそれ以下でなければならないから
、例えばコンデンサを複数個直列に接続することによっ
て実現させる。しかるに、このような低い容量は安定し
て製作することが極めて難しく、また取付時等に僅かに
容量が変動してももとの容量に対する変動分の比率が大
きいために減衰域に生じる極が大きく移動し、所望する
特性のフィルタを得にくいといった問題がある。そこで
、このような問題点を解消し、製作の容易な大きい容量
のコンデンサを用いて所望する特性のフィルタを安定に
、再現性よく得られるようにしたのが第12図乃至第1
4図に示す実施例である。
第12図に示す実施例は共振器A2.A5の内導体4と
所定間隔おいた開放端面上にコンデンサ電mパターン2
1.22を形成し、この両パター。
所定間隔おいた開放端面上にコンデンサ電mパターン2
1.22を形成し、この両パター。
ン21.22をセミリジッドケーブルの内線23aで接
続すると共に、セミリジットケーブルの外被23bをア
ースケース24に接続した構成である。
続すると共に、セミリジットケーブルの外被23bをア
ースケース24に接続した構成である。
この構成によれば、共振器A2.A5の内導体4とコン
デンサ電極パターン21.22との間で静電容量が形成
され、また外被23bを介して内線23aとアースケー
ス24との間で静電容量が形成される。従って、等価回
路で表せば第15図(イ)に示す通りである。図中、C
1,C2は共振器の内導体とコンデンサ電極パターンと
の間静電容量、C3はセミリジッドケーブル内線と外被
、したがってアース間の静電容量である。ここで、上記
C1,C2,C3はスター(Y)結線されているので、
これを同図(ロ)に示すようにデルタ(Δ)結線に等価
変換してリアクタンス素子Xのインピーダンスを求める
と次の通りである。
デンサ電極パターン21.22との間で静電容量が形成
され、また外被23bを介して内線23aとアースケー
ス24との間で静電容量が形成される。従って、等価回
路で表せば第15図(イ)に示す通りである。図中、C
1,C2は共振器の内導体とコンデンサ電極パターンと
の間静電容量、C3はセミリジッドケーブル内線と外被
、したがってアース間の静電容量である。ここで、上記
C1,C2,C3はスター(Y)結線されているので、
これを同図(ロ)に示すようにデルタ(Δ)結線に等価
変換してリアクタンス素子Xのインピーダンスを求める
と次の通りである。
・ jωC3
今、Zl=22=23とすると、上式はZ1=Z2=2
3=□となる。従って、その場合にはコンデンサCI、
C2,C3はリアクタンス素子Xに必要な容量の3倍の
ものを用いることかで2.03は0.15pFの大きな
容量のものを用いることができ、そのため非常に製作が
容易となる。
3=□となる。従って、その場合にはコンデンサCI、
C2,C3はリアクタンス素子Xに必要な容量の3倍の
ものを用いることかで2.03は0.15pFの大きな
容量のものを用いることができ、そのため非常に製作が
容易となる。
第13図及び第14図の実施例も基本的には第12図の
実施例と同様、リアクタンス素子XをコンデンサCI、
C2,C3をY結線した回路で構成している。ただ、第
12図の実施例では静電容量C3をセミリジッドケーブ
ルの内線23aと外被23bとの間の固定容量で構成し
ているが、第13図の実施例では2つのコンデンサ電極
パターン21.22を接続するリード線25とアースケ
ース24との間に設けたコンデンサ素子又はトリマコン
デンサ素子26で構成し、又、第14図の実施例は、リ
ード線25とそれに対して遠近調整自在な金属ネジ26
との間で構成している点が異なっている。図中、27は
金属カバーである。静電容量C3をトリマコンデンサ素
子で構成したり、第14図の実施例のように金属ネジ2
6によって変更可能にすれば、等価的にリアクタンス素
子Xの値も変更するので減衰域に発生する極を移動でき
、調整に便利である。
実施例と同様、リアクタンス素子XをコンデンサCI、
C2,C3をY結線した回路で構成している。ただ、第
12図の実施例では静電容量C3をセミリジッドケーブ
ルの内線23aと外被23bとの間の固定容量で構成し
ているが、第13図の実施例では2つのコンデンサ電極
パターン21.22を接続するリード線25とアースケ
ース24との間に設けたコンデンサ素子又はトリマコン
デンサ素子26で構成し、又、第14図の実施例は、リ
ード線25とそれに対して遠近調整自在な金属ネジ26
との間で構成している点が異なっている。図中、27は
金属カバーである。静電容量C3をトリマコンデンサ素
子で構成したり、第14図の実施例のように金属ネジ2
6によって変更可能にすれば、等価的にリアクタンス素
子Xの値も変更するので減衰域に発生する極を移動でき
、調整に便利である。
尚、これら第12図乃至第14図の実施例において、静
電容量C1及びC2は共振器A2. A5の内導体とコ
ンデンサ電極パターン21.22との間で構成している
が、第1図に示したように対向する2つの導電パターン
間で構成することもできるし、また第5図に示したよう
にリード線(若しくはケーブル内線)の先端を共振器の
貫通孔3や結合孔6の中に挿入して該先端と内導体4の
間で構成することもできる。更に、図示した全ての実施
例では本発明を複数の誘電体共振器が一体的に形成され
た誘電体共振器ブロックで構成した誘電体フィルタに適
用した例を示しているが、誘電体同軸共振器が1個ずつ
独立して構成された共振器エレメントをコンデンサ等の
結合素子を介して接続した構成の誘電体フィルタに本発
明を適用できることはいうまでもない。
電容量C1及びC2は共振器A2. A5の内導体とコ
ンデンサ電極パターン21.22との間で構成している
が、第1図に示したように対向する2つの導電パターン
間で構成することもできるし、また第5図に示したよう
にリード線(若しくはケーブル内線)の先端を共振器の
貫通孔3や結合孔6の中に挿入して該先端と内導体4の
間で構成することもできる。更に、図示した全ての実施
例では本発明を複数の誘電体共振器が一体的に形成され
た誘電体共振器ブロックで構成した誘電体フィルタに適
用した例を示しているが、誘電体同軸共振器が1個ずつ
独立して構成された共振器エレメントをコンデンサ等の
結合素子を介して接続した構成の誘電体フィルタに本発
明を適用できることはいうまでもない。
金具Ω劾来
以上のように本発明によれば、誘電体共振器を用いた誘
電体フィルタにあって減衰域に極をもたせることができ
、これによってユーザーの要求に応じた周波数特性を有
するバンドパスフィルタを誘電体共振器の段数を増加す
ることなく得られるといった効果がある。
電体フィルタにあって減衰域に極をもたせることができ
、これによってユーザーの要求に応じた周波数特性を有
するバンドパスフィルタを誘電体共振器の段数を増加す
ることなく得られるといった効果がある。
第1図は本発明の一実施例としての誘電体フィルタを示
す斜視図、第2図は本発明の一実施例としての誘電体フ
ィルタの等価回路図、第3図乃至第14図は夫々本発明
の別の実施例を示す全体乃至部分図、第15図(イ)は
例えば第12図に示すフィルタの等価回路図、同図(ロ
)は図(イ)の一部間路をY−へ変換した回路を示す図
、第16図はバンドパスフィルタの周波数特性を示す図
である。 AI、A2.A3.A4.’A5・・・誘電体共振器X
・・・リアクタンス素子 特許出願人 株式会社村田製作所 第1図 第2図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第13図 第14図
す斜視図、第2図は本発明の一実施例としての誘電体フ
ィルタの等価回路図、第3図乃至第14図は夫々本発明
の別の実施例を示す全体乃至部分図、第15図(イ)は
例えば第12図に示すフィルタの等価回路図、同図(ロ
)は図(イ)の一部間路をY−へ変換した回路を示す図
、第16図はバンドパスフィルタの周波数特性を示す図
である。 AI、A2.A3.A4.’A5・・・誘電体共振器X
・・・リアクタンス素子 特許出願人 株式会社村田製作所 第1図 第2図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第13図 第14図
Claims (1)
- (1)複数の誘電体共振器を隣合うもの同士電磁的に結
合或いは結合素子を介して結合した構成の誘電体フィル
タにおいて、 少なくとも1個の誘電体共振器をとばしてその前後に存
する誘電体共振器を直接リアクタンス素子で接続したこ
とを特徴とする誘電体フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21875385A JPS6277703A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 誘電体フイルタ |
| US06/913,095 US4740765A (en) | 1985-09-30 | 1986-09-29 | Dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21875385A JPS6277703A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 誘電体フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277703A true JPS6277703A (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=16724873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21875385A Pending JPS6277703A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 誘電体フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277703A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390201A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 誘電体フイルタ |
| JPS6429903U (ja) * | 1987-08-15 | 1989-02-22 | ||
| JPH0237802A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-02-07 | Motorola Inc | フィルタおよびこれを用いた無線送受信機 |
| JPH02100305U (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | ||
| JPH02111902U (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-07 | ||
| JPH02126401U (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-18 | ||
| US5015974A (en) * | 1988-06-20 | 1991-05-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Isolating circuit and dielectric filter for use therein |
| JPH03292002A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH0495401A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 有極型誘電体フィルタ |
| JPH04220001A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-11 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| US6940364B2 (en) | 2003-05-09 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
| US7714680B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-05-11 | Cts Corporation | Ceramic monoblock filter with inductive direct-coupling and quadruplet cross-coupling |
| JP2019117970A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
| JP2019117971A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21875385A patent/JPS6277703A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390201A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 誘電体フイルタ |
| JPS6429903U (ja) * | 1987-08-15 | 1989-02-22 | ||
| JPH0237802A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-02-07 | Motorola Inc | フィルタおよびこれを用いた無線送受信機 |
| US5015974A (en) * | 1988-06-20 | 1991-05-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Isolating circuit and dielectric filter for use therein |
| JPH02100305U (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | ||
| JPH02111902U (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-07 | ||
| JPH02126401U (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-18 | ||
| JPH03292002A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH0495401A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 有極型誘電体フィルタ |
| JPH04220001A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-11 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| US6940364B2 (en) | 2003-05-09 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
| US7714680B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-05-11 | Cts Corporation | Ceramic monoblock filter with inductive direct-coupling and quadruplet cross-coupling |
| US8174340B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-05-08 | Cts Corporation | Ceramic monoblock filter with inductive direct-coupling and quadruplet cross-coupling |
| JP2019117970A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
| JP2019117971A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4740765A (en) | Dielectric filter | |
| US4996506A (en) | Band elimination filter and dielectric resonator therefor | |
| EP0685898A1 (en) | Dielectric filter | |
| JPH0697721B2 (ja) | セラミックフィルタ | |
| JPH05199003A (ja) | 調整可能な共振器装置および該共振器装置を備えるフィルタ | |
| JPH0481889B2 (ja) | ||
| JPH0369202B2 (ja) | ||
| US5831495A (en) | Dielectric filter including laterally extending auxiliary through bores | |
| JPS62243402A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| US6566984B2 (en) | Resonator filter with reduced variation in the pass band attenuation | |
| US5821835A (en) | Dielectric filter and method of regulating its frequency bandwidth | |
| JPH03252201A (ja) | 帯域減衰フィルタ | |
| EP0568370B1 (en) | Dielectric filter device | |
| JPS6390201A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| JPS632404A (ja) | 誘電体フイルタの帯域幅調整方法 | |
| JPS6314501A (ja) | 高周波フイルタ | |
| JPH0779218B2 (ja) | 櫛形帯域阻止フィルタ | |
| JPH08298403A (ja) | 分布定数型の多線路回路 | |
| JPH0720001B2 (ja) | 高周波フイルタ | |
| JP2603365B2 (ja) | 誘電体フィルタの結合構造 | |
| JPS62157402A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| JPS6311761Y2 (ja) | ||
| JPS6339201A (ja) | 高周波フイルタ | |
| JPH05175701A (ja) | 帯域通過フィルタ | |
| JPH055682Y2 (ja) |