JPH0781921A - 二酸化珪素被膜の製造装置 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造装置Info
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- JPH0781921A JPH0781921A JP25234893A JP25234893A JPH0781921A JP H0781921 A JPH0781921 A JP H0781921A JP 25234893 A JP25234893 A JP 25234893A JP 25234893 A JP25234893 A JP 25234893A JP H0781921 A JPH0781921 A JP H0781921A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜速度を速め、且つ被処理基板に気泡の流
入に伴う粒子の付着等を防止し、良質の二酸化珪素被膜
を液相より成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造
装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４とを
備えた二酸化珪素被膜の製造装置において、前記活性剤
７を溶解させる処理液調整槽４を前記処理槽１を含む主
循環路１１から分岐し、該処理液調整槽４を含む分岐循
環路１２の処理液の流量は、前記主循環路１１の流量に
比べて十分小さく、前記処理液調整槽４の温度は低温で
あり、前記低温で活性剤７を溶解させた処理液２は、再
び前記主循環路１１に戻される。
入に伴う粒子の付着等を防止し、良質の二酸化珪素被膜
を液相より成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造
装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４とを
備えた二酸化珪素被膜の製造装置において、前記活性剤
７を溶解させる処理液調整槽４を前記処理槽１を含む主
循環路１１から分岐し、該処理液調整槽４を含む分岐循
環路１２の処理液の流量は、前記主循環路１１の流量に
比べて十分小さく、前記処理液調整槽４の温度は低温で
あり、前記低温で活性剤７を溶解させた処理液２は、再
び前記主循環路１１に戻される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二酸化珪素被膜の製造
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】係る二酸化珪素被膜の液相成膜法（ＬＰ
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
【０００３】図２は、液相成膜法による二酸化珪素被膜
の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理槽１に
は、被処理基板３である半導体基板又はガラス基板が装
填され、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸
溶液を含む処理液２に浸漬され、基板３の表面には、二
酸化珪素被膜が析出される。処理液調整槽４では、処理
液２の二酸化珪素の過飽和状態を維持するために、アル
ミなどの活性材を溶解させる。
の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理槽１に
は、被処理基板３である半導体基板又はガラス基板が装
填され、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸
溶液を含む処理液２に浸漬され、基板３の表面には、二
酸化珪素被膜が析出される。処理液調整槽４では、処理
液２の二酸化珪素の過飽和状態を維持するために、アル
ミなどの活性材を溶解させる。
【０００４】二酸化珪素を過飽和に含む処理液に被処理
基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面に二
酸化珪素被膜を形成する場合、処理液中で発生する二酸
化珪素等の粒子がウエハ表面に付着し、半導体装置の歩
止まりを下げてしまうことがしばしばある。そこで処理
液２中の二酸化珪素等の粒子を除去するため、循環手段
５と、濾過手段６を設け、処理液を循環濾過することが
行われている。
基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面に二
酸化珪素被膜を形成する場合、処理液中で発生する二酸
化珪素等の粒子がウエハ表面に付着し、半導体装置の歩
止まりを下げてしまうことがしばしばある。そこで処理
液２中の二酸化珪素等の粒子を除去するため、循環手段
５と、濾過手段６を設け、処理液を循環濾過することが
行われている。
【０００５】循環手段としては脈動が無く、濾過に悪影
響を与えない、又循環流量が比較的多くとれるため遠心
式のポンプが使用されている。濾過手段としては孔径
０．０５〜１μｍ程度のフィルタが用いられる。孔径の
小さいフィルタを用いると被処理基板上の二酸化珪素被
膜等の粒子を減らし、半導体装置等の歩留まりを上げる
ことができる。一方で粗大化した二酸化珪素によってフ
ィルタが短時間で目づまってしまい循環流量が減ること
によって、成膜速度が低下し、一定時間後は逆に基板上
の粒子が増えてしまう。孔径の大きいフィルタを用いる
と、平均的に粒子数は増大する。このためフィルタを一
段ではなく二段以上に分割し、プレフィルタには０．２
〜１．０μｍの孔径のものを、ファイナルフィルタとし
ては０.０５〜０.４μｍのものを用い、基板上に付着す
る粒子を減らし、且つ比較的長時間フィルタが目づまら
ないようにしている。又、フィルタに洗浄装置を組み込
み、フィルタが目づまると自動的に洗浄することも行わ
れている。
響を与えない、又循環流量が比較的多くとれるため遠心
式のポンプが使用されている。濾過手段としては孔径
０．０５〜１μｍ程度のフィルタが用いられる。孔径の
小さいフィルタを用いると被処理基板上の二酸化珪素被
膜等の粒子を減らし、半導体装置等の歩留まりを上げる
ことができる。一方で粗大化した二酸化珪素によってフ
ィルタが短時間で目づまってしまい循環流量が減ること
によって、成膜速度が低下し、一定時間後は逆に基板上
の粒子が増えてしまう。孔径の大きいフィルタを用いる
と、平均的に粒子数は増大する。このためフィルタを一
段ではなく二段以上に分割し、プレフィルタには０．２
〜１．０μｍの孔径のものを、ファイナルフィルタとし
ては０.０５〜０.４μｍのものを用い、基板上に付着す
る粒子を減らし、且つ比較的長時間フィルタが目づまら
ないようにしている。又、フィルタに洗浄装置を組み込
み、フィルタが目づまると自動的に洗浄することも行わ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１に
示すような二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成では、
成膜速度が遅く、例えば１０〜２０オングストローム／
ｍｉｎの成膜速度で、成膜するのに非常に時間を要して
しまう。このように成膜速度が遅いと、成膜中に前述の
処理液中の二酸化珪素等の粒子が増大する、或いはフィ
ルターが目詰まりする等の問題点が生じてくる。又、活
性剤を図１に示す処理液調整槽で溶解すると、溶解時に
発生する気泡が処理液の循環路を通り被処理基板に二酸
化珪素被膜を析出させる処理槽内に流入し、被処理基板
に付着する粒子を増大させる原因となる等の問題点が生
じていた。
示すような二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成では、
成膜速度が遅く、例えば１０〜２０オングストローム／
ｍｉｎの成膜速度で、成膜するのに非常に時間を要して
しまう。このように成膜速度が遅いと、成膜中に前述の
処理液中の二酸化珪素等の粒子が増大する、或いはフィ
ルターが目詰まりする等の問題点が生じてくる。又、活
性剤を図１に示す処理液調整槽で溶解すると、溶解時に
発生する気泡が処理液の循環路を通り被処理基板に二酸
化珪素被膜を析出させる処理槽内に流入し、被処理基板
に付着する粒子を増大させる原因となる等の問題点が生
じていた。
【０００７】本発明は、係る従来技術の問題点に鑑み、
成膜速度を速め、且つ被処理基板に気泡の流入に伴う粒
子の付着等を防止し、良質の二酸化珪素被膜を液相より
成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造装置を提供
することを目的とする。
成膜速度を速め、且つ被処理基板に気泡の流入に伴う粒
子の付着等を防止し、良質の二酸化珪素被膜を液相より
成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の二酸化珪素被膜
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、前記活性剤を溶解
させる処理液調整槽を前記処理槽を含む主循環路から分
岐し、該処理液調整槽を含む分岐循環路の処理液流量
は、前記主循環路の量に比べて十分小さく、前記処理液
調整槽の処理液の温度は、流前記処理槽における処理液
の温度と比較して低温であり、前記低温で活性剤を溶解
させた処理液は、再び前記主循環路に戻されることを特
徴とする。
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、前記活性剤を溶解
させる処理液調整槽を前記処理槽を含む主循環路から分
岐し、該処理液調整槽を含む分岐循環路の処理液流量
は、前記主循環路の量に比べて十分小さく、前記処理液
調整槽の処理液の温度は、流前記処理槽における処理液
の温度と比較して低温であり、前記低温で活性剤を溶解
させた処理液は、再び前記主循環路に戻されることを特
徴とする。
【０００９】
【作用】活性剤は分岐循環路の処理液調整槽において低
温で高濃度に溶解され、その後二酸化珪素被膜を析出す
るのに好適な温度の主循環路の処理液に高濃度で注入さ
れる。従って処理槽では活性剤が十分に含まれた過飽和
状態として成膜されることになり、成膜速度を向上させ
ることができる。
温で高濃度に溶解され、その後二酸化珪素被膜を析出す
るのに好適な温度の主循環路の処理液に高濃度で注入さ
れる。従って処理槽では活性剤が十分に含まれた過飽和
状態として成膜されることになり、成膜速度を向上させ
ることができる。
【００１０】尚、図１に示す従来の装置構成において、
処理液の循環路の全液量を処理液循環中に冷却し、活性
剤を相当量溶解させ、再び加温することが考えられる。
しかしながら、この方式は冷却と加温に必要なエネルギ
ーが大きすぎるため、冷凍機の容量等を考慮すると実用
的ではない。そこで、処理槽を含む処理液の主循環路に
分岐を設け、一部分の微少流量の処理液を処理液調整槽
に分岐し、低温で活性剤を高濃度に溶解し、加温して主
循環路に戻すことにより、実用的なエネルギー範囲で活
性剤の低温溶解、高濃度注入を行うことができる。
処理液の循環路の全液量を処理液循環中に冷却し、活性
剤を相当量溶解させ、再び加温することが考えられる。
しかしながら、この方式は冷却と加温に必要なエネルギ
ーが大きすぎるため、冷凍機の容量等を考慮すると実用
的ではない。そこで、処理槽を含む処理液の主循環路に
分岐を設け、一部分の微少流量の処理液を処理液調整槽
に分岐し、低温で活性剤を高濃度に溶解し、加温して主
循環路に戻すことにより、実用的なエネルギー範囲で活
性剤の低温溶解、高濃度注入を行うことができる。
【００１１】さらに処理液の主循環路に対して、分岐循
環路に処理液調整槽を配置することにより、処理液調整
槽で発生する気泡、粒子を分離することができる。即
ち、分岐循環路を設けることにより、主循環路に流れ込
む気泡、粒子が抑えられ、処理液調整槽に起因する気
泡、粒子が被処理基板に付着することを防止することが
できる。
環路に処理液調整槽を配置することにより、処理液調整
槽で発生する気泡、粒子を分離することができる。即
ち、分岐循環路を設けることにより、主循環路に流れ込
む気泡、粒子が抑えられ、処理液調整槽に起因する気
泡、粒子が被処理基板に付着することを防止することが
できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図１を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１３】処理槽１では、二酸化珪素の過飽和状態と
なった珪弗化水素酸溶液を含む処理液が、被処理基板と
接触されて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出する。過
飽和状態となった珪弗化水素酸溶液では、液中で二酸化
珪素の粒子が析出するため、処理槽の処理液をポンプＰ
1 で循環させ、析出した二酸化珪素の粒子をフィルタＦ
1 で除去する。このようにして、処理槽１、ポンプＰ
1 、及びフィルタＦ1 を接続する流路は、処理液の主循
環路１１を形成する。主循環路１１においては、被処理
基板３の表面に二酸化珪素被膜を析出するのに適した温
度、一例として２０〜５０℃、流量１０〜５０ｌ／ｍｉ
ｎ程度で処理液が循環される。尚、熱交換器１４は処理
液の温度を一定に保つためのものである。
なった珪弗化水素酸溶液を含む処理液が、被処理基板と
接触されて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出する。過
飽和状態となった珪弗化水素酸溶液では、液中で二酸化
珪素の粒子が析出するため、処理槽の処理液をポンプＰ
1 で循環させ、析出した二酸化珪素の粒子をフィルタＦ
1 で除去する。このようにして、処理槽１、ポンプＰ
1 、及びフィルタＦ1 を接続する流路は、処理液の主循
環路１１を形成する。主循環路１１においては、被処理
基板３の表面に二酸化珪素被膜を析出するのに適した温
度、一例として２０〜５０℃、流量１０〜５０ｌ／ｍｉ
ｎ程度で処理液が循環される。尚、熱交換器１４は処理
液の温度を一定に保つためのものである。
【００１４】主循環路１１中の分岐１５から、活性剤７
を高濃度に低温で溶解する処理液循環槽４に接続する分
岐循環路１２が分岐する。分岐循環路１２は、冷却装置
１７、加温装置１８等を備え、ポンプＰ2 により、１〜
５ｌ／ｍｉｎ程度の主循環路の流量と比較して極めて小
さな流量を分岐１５から分岐する。冷凍機等からなる冷
却装置１７により、処理液は１０〜３０℃程度に冷却さ
れる。処理液調整槽４で活性剤を十分に溶解した高濃度
微少流量の処理液は主循環路１１に分岐１６から戻され
る。分岐循環路１２の流量は主循環路の流量と比較し
て、１／１０程度の微少流量であるので、通常の冷凍能
力の冷却装置１７により１０〜３０℃程度の低温に処理
液を冷却することが可能である。
を高濃度に低温で溶解する処理液循環槽４に接続する分
岐循環路１２が分岐する。分岐循環路１２は、冷却装置
１７、加温装置１８等を備え、ポンプＰ2 により、１〜
５ｌ／ｍｉｎ程度の主循環路の流量と比較して極めて小
さな流量を分岐１５から分岐する。冷凍機等からなる冷
却装置１７により、処理液は１０〜３０℃程度に冷却さ
れる。処理液調整槽４で活性剤を十分に溶解した高濃度
微少流量の処理液は主循環路１１に分岐１６から戻され
る。分岐循環路１２の流量は主循環路の流量と比較し
て、１／１０程度の微少流量であるので、通常の冷凍能
力の冷却装置１７により１０〜３０℃程度の低温に処理
液を冷却することが可能である。
【００１５】処理液調整槽４では、アルミ、ホウ酸等の
活性剤７が１０〜３０℃の低温で溶解される。攪拌器２
０は処理液調整槽４内の処理液を攪拌することにより活
性剤７の溶解を促進する。活性剤７の高濃度溶解を低温
で行うため、活性剤溶解循環路１３が設けられている。
これは、処理液の温度が１０〜３０℃程度の低温である
ので、活性剤の溶解速度が遅いため、ポンプＰ2 の吐出
側の流量の一部を処理液調整槽４に戻す循環路１３を形
成し、処理液を繰り返し循環させることにより、活性剤
７を低温で処理液に高濃度に溶解する。
活性剤７が１０〜３０℃の低温で溶解される。攪拌器２
０は処理液調整槽４内の処理液を攪拌することにより活
性剤７の溶解を促進する。活性剤７の高濃度溶解を低温
で行うため、活性剤溶解循環路１３が設けられている。
これは、処理液の温度が１０〜３０℃程度の低温である
ので、活性剤の溶解速度が遅いため、ポンプＰ2 の吐出
側の流量の一部を処理液調整槽４に戻す循環路１３を形
成し、処理液を繰り返し循環させることにより、活性剤
７を低温で処理液に高濃度に溶解する。
【００１６】活性剤７が十分に溶解された処理液は、加
温装置１８を経て分岐１６から主循環路１１に戻され
る。ここで加温装置１８は、主循環路１１の処理液の温
度に分岐循環路１２の処理液の温度を合わせるためのも
のであるが、分岐循環路１２の流量は主循環路１１の流
量と比較して１／１０程度の微少流量であるため、特に
加温装置が必要のない場合もある。又、加温装置１８の
熱交換器は、加熱媒体の温度が主循環路の処理液の温度
と同程度かそれ以下のものである必要がある。仮に、熱
交換器の加熱媒体の温度が処理液の温度よりも高い場合
には、熱交換器の所で急激に二酸化珪素の粒子が析出さ
れ、液中の粒子濃度が増大してしまうからである。
温装置１８を経て分岐１６から主循環路１１に戻され
る。ここで加温装置１８は、主循環路１１の処理液の温
度に分岐循環路１２の処理液の温度を合わせるためのも
のであるが、分岐循環路１２の流量は主循環路１１の流
量と比較して１／１０程度の微少流量であるため、特に
加温装置が必要のない場合もある。又、加温装置１８の
熱交換器は、加熱媒体の温度が主循環路の処理液の温度
と同程度かそれ以下のものである必要がある。仮に、熱
交換器の加熱媒体の温度が処理液の温度よりも高い場合
には、熱交換器の所で急激に二酸化珪素の粒子が析出さ
れ、液中の粒子濃度が増大してしまうからである。
【００１７】次に本実施例の二酸化珪素被膜の製造装置
の動作について説明する。処理槽１では、被処理基板３
上に処理液２から二酸化珪素被膜が析出され成長する。
主循環路１１を循環する処理液の一部（微少流量）が、
分岐循環路１２に分岐され、分岐循環路１２では処理液
は１０〜３０℃程度の低温に冷却され、処理液調整槽４
において活性剤７が高濃度に溶解される。そして活性剤
７が低温で高濃度に溶解された処理液は、主循環路の処
理液の温度に合わせるように加温され、分岐１６におい
て主循環路に注入される。
の動作について説明する。処理槽１では、被処理基板３
上に処理液２から二酸化珪素被膜が析出され成長する。
主循環路１１を循環する処理液の一部（微少流量）が、
分岐循環路１２に分岐され、分岐循環路１２では処理液
は１０〜３０℃程度の低温に冷却され、処理液調整槽４
において活性剤７が高濃度に溶解される。そして活性剤
７が低温で高濃度に溶解された処理液は、主循環路の処
理液の温度に合わせるように加温され、分岐１６におい
て主循環路に注入される。
【００１８】活性剤７が高濃度に溶解された処理液は、
処理槽１の処理液の過飽和度を高めることができ成膜速
度を向上する。即ち、分岐循環路１２により、低温で高
濃度に活性剤７を溶解することができることから、処理
槽１において処理液２の過飽和度を高く維持することが
可能となり、高い成膜速度を維持することが可能とな
る。
処理槽１の処理液の過飽和度を高めることができ成膜速
度を向上する。即ち、分岐循環路１２により、低温で高
濃度に活性剤７を溶解することができることから、処理
槽１において処理液２の過飽和度を高く維持することが
可能となり、高い成膜速度を維持することが可能とな
る。
【００１９】又、処理液調整槽４において、処理液は１
０〜３０℃程度の低温のため、二酸化珪素の析出粒子の
発生が極めて少ない。このため、処理液調整槽４及びそ
の周辺で析出される二酸化珪素の粒子による汚れの発生
が少ない。従って、従来の装置においては、処理液調整
槽４における粒子の発生、汚れの発生が多く、その汚れ
が処理槽１に搬入されることが問題であったが、本装置
によれば処理液調整槽４及びその周辺で発生する汚れが
激減し、処理槽１における被処理基板への付着粒子を低
減することができる。
０〜３０℃程度の低温のため、二酸化珪素の析出粒子の
発生が極めて少ない。このため、処理液調整槽４及びそ
の周辺で析出される二酸化珪素の粒子による汚れの発生
が少ない。従って、従来の装置においては、処理液調整
槽４における粒子の発生、汚れの発生が多く、その汚れ
が処理槽１に搬入されることが問題であったが、本装置
によれば処理液調整槽４及びその周辺で発生する汚れが
激減し、処理槽１における被処理基板への付着粒子を低
減することができる。
【００２０】更に、処理液調整槽４ではアルミ等の活性
剤７の溶解にともない、水素等のガスによる気泡が発生
する。従来の処理槽と処理液調整槽とを同一の処理液を
循環させる方式では、処理液調整槽４で発生する気泡が
処理槽１に持ち込まれ、被処理基板に付着し、被処理基
板上の粒子発生の原因となっていた。本実施例において
は、処理液調整槽４を主循環路から分離して配置し、高
濃度微少流量のみを主循環路に注入している。このた
め、処理液調整槽４で気泡は出尽くしてしまい、主循環
路には気泡は持ち込まれない。従って、処理槽１におい
ては気泡に起因する粒子の被処理基板への付着という問
題がなくなった。
剤７の溶解にともない、水素等のガスによる気泡が発生
する。従来の処理槽と処理液調整槽とを同一の処理液を
循環させる方式では、処理液調整槽４で発生する気泡が
処理槽１に持ち込まれ、被処理基板に付着し、被処理基
板上の粒子発生の原因となっていた。本実施例において
は、処理液調整槽４を主循環路から分離して配置し、高
濃度微少流量のみを主循環路に注入している。このた
め、処理液調整槽４で気泡は出尽くしてしまい、主循環
路には気泡は持ち込まれない。従って、処理槽１におい
ては気泡に起因する粒子の被処理基板への付着という問
題がなくなった。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の二酸化
珪素被膜の製造装置によれば、被膜の成膜速度を速める
ことができ、且つ良質な二酸化珪素被膜を成膜すること
ができる。
珪素被膜の製造装置によれば、被膜の成膜速度を速める
ことができ、且つ良質な二酸化珪素被膜を成膜すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の二酸化珪素被膜の製造装置
の装置構成を示す説明図。
の装置構成を示す説明図。
【図２】従来の二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成を
示す説明図。
示す説明図。
１ 処理槽 ２ 処理液 ３ 被処理基板 ４ 処理液調整槽 １１ 主循環路 １２ 分岐循環路 １７ 冷却装置 １８ 加温装置
Claims (2)
- 【請求項１】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、 前記活性剤を溶解させる処理液調整槽を前記処理槽を含
む主循環路から分岐し、該処理液調整槽を含む分岐循環
路の処理液流量は、前記主循環路の流量に比べて十分小
さく、前記処理液調整槽の処理液の温度は、前記処理槽
における処理液の温度と比較して低温であり、前記低温
で活性剤を溶解させた処理液は、再び前記主循環路に戻
されることを特徴とする二酸化珪素被膜の製造装置。 - 【請求項２】 前記処理液の主循環路に戻される前記処
理液調整槽からの分岐循環路には、熱交換器を備え、該
熱交換器の加熱熱媒の温度が前記処理槽の処理液の温度
と同等か又はそれ以下であることを特徴とする請求項１
記載の二酸化珪素被膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25234893A JPH0781921A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25234893A JPH0781921A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0781921A true JPH0781921A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17236039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25234893A Pending JPH0781921A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053972A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-19 | Sony Corp | 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法 |
| JP2022015206A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子の製造装置、シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、シリカゾル中の中間生成物の抑制方法及び研磨方法 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25234893A patent/JPH0781921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053972A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-19 | Sony Corp | 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法 |
| JP2022015206A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子の製造装置、シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、シリカゾル中の中間生成物の抑制方法及び研磨方法 |
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