JPH0781925A - 二酸化珪素被膜の製造装置 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造装置Info
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- JPH0781925A JPH0781925A JP25235293A JP25235293A JPH0781925A JP H0781925 A JPH0781925 A JP H0781925A JP 25235293 A JP25235293 A JP 25235293A JP 25235293 A JP25235293 A JP 25235293A JP H0781925 A JPH0781925 A JP H0781925A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 76
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 71
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理液調整槽において発生する気泡が処理液
調整槽から流出することを防止し、良質な二酸化珪素被
膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造装置を
提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４と、
前記処理液２を前記処理槽１と前記処理液調整槽４に循
環させる循環手段５と、該処理液２の循環路に配置され
た濾過手段６とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置にお
いて、相隣接して一体的に構成された前記処理槽１と前
記処理液調整槽４間にバッフルプレート１１を配置し、
前記処理槽１をオーバフローした処理液２は該バッフル
プレート１１により仕切られた前記処理液調整槽４内を
下方から上方に流れ、該処理液調整槽４をオーバフロー
して循環する。
調整槽から流出することを防止し、良質な二酸化珪素被
膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造装置を
提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４と、
前記処理液２を前記処理槽１と前記処理液調整槽４に循
環させる循環手段５と、該処理液２の循環路に配置され
た濾過手段６とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置にお
いて、相隣接して一体的に構成された前記処理槽１と前
記処理液調整槽４間にバッフルプレート１１を配置し、
前記処理槽１をオーバフローした処理液２は該バッフル
プレート１１により仕切られた前記処理液調整槽４内を
下方から上方に流れ、該処理液調整槽４をオーバフロー
して循環する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二酸化珪素被膜の製造
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】係る二酸化珪素被膜の液相成膜法（ＬＰ
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
【０００３】図２は、従来の液相成膜法による二酸化珪
素被膜の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理
槽１には、被処理基板３である半導体基板又はガラス基
板が装填され、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液２に浸漬され、基板３の表面に
は、二酸化珪素被膜が析出される。処理液調整槽４で
は、処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維持するため
に、アルミ、ホウ酸などの活性材７を溶解させる。
素被膜の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理
槽１には、被処理基板３である半導体基板又はガラス基
板が装填され、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液２に浸漬され、基板３の表面に
は、二酸化珪素被膜が析出される。処理液調整槽４で
は、処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維持するため
に、アルミ、ホウ酸などの活性材７を溶解させる。
【０００４】二酸化珪素を過飽和状態に含む処理液に被
処理基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面
に二酸化珪素被膜を形成する場合、処理液中で析出する
二酸化珪素等の粒子（ダスト）がウエハ表面に付着し、
半導体装置の歩止まりを下げてしまうことがしばしばあ
る。そこで処理液２中の二酸化珪素等の粒子（ダスト）
を除去するため、循環手段５と、濾過手段６を設け、処
理液を循環濾過することが行われている。循環手段とし
ては脈動が無く、濾過に悪影響を与えない、又循環流量
が比較的多くとれるポンプが使用されている。濾過手段
としては孔径０．０５〜１μｍ程度のフィルタが用いら
れる。
処理基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面
に二酸化珪素被膜を形成する場合、処理液中で析出する
二酸化珪素等の粒子（ダスト）がウエハ表面に付着し、
半導体装置の歩止まりを下げてしまうことがしばしばあ
る。そこで処理液２中の二酸化珪素等の粒子（ダスト）
を除去するため、循環手段５と、濾過手段６を設け、処
理液を循環濾過することが行われている。循環手段とし
ては脈動が無く、濾過に悪影響を与えない、又循環流量
が比較的多くとれるポンプが使用されている。濾過手段
としては孔径０．０５〜１μｍ程度のフィルタが用いら
れる。
【０００５】処理槽１と処理液調整槽４とは、相隣接し
て一体的に配置され処理装置１０を構成している。ポン
プ５で圧送された処理液２は処理槽１で被処理基板３表
面に二酸化珪素被膜を析出させ、処理槽１からオーバフ
ローして隣接して配置された処理液調整槽４に流入す
る。処理液調整槽４では、活性材７を溶解させながら、
処理液２は上方から下方に流れ、循環手段５のポンプに
より吸い込まれる。更にポンプ５により圧送されフィル
タ６で濾過され再び処理槽１に処理液２は循環する。
て一体的に配置され処理装置１０を構成している。ポン
プ５で圧送された処理液２は処理槽１で被処理基板３表
面に二酸化珪素被膜を析出させ、処理槽１からオーバフ
ローして隣接して配置された処理液調整槽４に流入す
る。処理液調整槽４では、活性材７を溶解させながら、
処理液２は上方から下方に流れ、循環手段５のポンプに
より吸い込まれる。更にポンプ５により圧送されフィル
タ６で濾過され再び処理槽１に処理液２は循環する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら処理液調
整槽４では、アルミ、ホウ酸等の活性材７の溶解に伴
い、水素ガス等の気体が大量に発生する。この気体は気
泡となり、一部は上昇して液面から離脱するが、一部は
処理液調整槽４内を上方から下方に流れる処理液２の流
れにより、調整槽４から流出する。更に、処理液２の循
環に伴って、循環賂８の配管内、ポンプ５、フィルタ６
を通り、処理槽１内に流れ込む。成膜中の被処理基板３
に気泡が付着すると、二酸化珪素被膜の欠陥となり、被
処理基板３上に形成する半導体デバイス等の不良率を高
めることとなる。
整槽４では、アルミ、ホウ酸等の活性材７の溶解に伴
い、水素ガス等の気体が大量に発生する。この気体は気
泡となり、一部は上昇して液面から離脱するが、一部は
処理液調整槽４内を上方から下方に流れる処理液２の流
れにより、調整槽４から流出する。更に、処理液２の循
環に伴って、循環賂８の配管内、ポンプ５、フィルタ６
を通り、処理槽１内に流れ込む。成膜中の被処理基板３
に気泡が付着すると、二酸化珪素被膜の欠陥となり、被
処理基板３上に形成する半導体デバイス等の不良率を高
めることとなる。
【０００７】処理液の循環賂８には、濾過手段であるフ
ィルタ６が備えられ、フィルタ６である程度の大きさの
気泡が分離されるものと考えられる。しかしながら、フ
ィルタの孔径以下の大きさの気泡は、フィルタ６を通過
し、処理槽１内の被処理基板３に付着したり、或いは循
環賂８の配管内または処理槽１の内壁に付着する。配管
内或いは処理槽１内に付着した気泡の周辺には、二酸化
珪素の粒子が折出し、これが成長して粒子層となる。気
泡が配管内壁或いは槽内壁から剥離するときに、配管内
壁或いは槽内壁に付着している二酸化珪素の粒子層を剥
離し処理液内にばらまくこととなり、いわゆる処理液中
のダストとなる。二酸化珪素の粒子（ダスト）が被処理
基板に付着すると被処理基板の成膜に欠陥を生じさせる
こととなる。
ィルタ６が備えられ、フィルタ６である程度の大きさの
気泡が分離されるものと考えられる。しかしながら、フ
ィルタの孔径以下の大きさの気泡は、フィルタ６を通過
し、処理槽１内の被処理基板３に付着したり、或いは循
環賂８の配管内または処理槽１の内壁に付着する。配管
内或いは処理槽１内に付着した気泡の周辺には、二酸化
珪素の粒子が折出し、これが成長して粒子層となる。気
泡が配管内壁或いは槽内壁から剥離するときに、配管内
壁或いは槽内壁に付着している二酸化珪素の粒子層を剥
離し処理液内にばらまくこととなり、いわゆる処理液中
のダストとなる。二酸化珪素の粒子（ダスト）が被処理
基板に付着すると被処理基板の成膜に欠陥を生じさせる
こととなる。
【０００８】本発明は、係る従来技術の問題点に鑑みて
為されたものであり、処理液調整槽において発生する気
泡が処理液調整槽から循環して処理槽に流入することを
防止し、良質な二酸化珪素被膜を成膜することのできる
二酸化珪素被膜の製造装置を提供することを目的とす
る。
為されたものであり、処理液調整槽において発生する気
泡が処理液調整槽から循環して処理槽に流入することを
防止し、良質な二酸化珪素被膜を成膜することのできる
二酸化珪素被膜の製造装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の二酸化珪素被膜
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、相隣接して一体的
に構成された前記処理槽と前記処理液調整槽間にバッフ
ルプレートを配置し、前記処理槽をオーバフローした処
理液は該バッフルプレートにより仕切られた前記処理液
調整槽内を下方から上方に流れ、該処理液調整槽をオー
バフローして循環するように構成されたことを特徴とす
る。
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、相隣接して一体的
に構成された前記処理槽と前記処理液調整槽間にバッフ
ルプレートを配置し、前記処理槽をオーバフローした処
理液は該バッフルプレートにより仕切られた前記処理液
調整槽内を下方から上方に流れ、該処理液調整槽をオー
バフローして循環するように構成されたことを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】処理槽をオーバフローした処理液は、バッフル
プレートにより仕切られた処理液調整槽内を下方から上
方へ流れ、処理液調整槽をオーバフローする。活性材の
溶解に伴い発生する気泡は、上方に浮上し、処理液も下
方から上方に流れる。即ち、気泡の流れと処理液の流れ
が一致し、気泡は処理液調整槽を処理液がオーバフロー
する際に、処理液上面の空間に離脱する。したがって、
処理液が処理液調整槽４をオーバフローする際に活性材
の溶解にともなう気泡が分離され、調整槽から流出する
処理液中に溶存する気泡量を大幅に低減することができ
る。
プレートにより仕切られた処理液調整槽内を下方から上
方へ流れ、処理液調整槽をオーバフローする。活性材の
溶解に伴い発生する気泡は、上方に浮上し、処理液も下
方から上方に流れる。即ち、気泡の流れと処理液の流れ
が一致し、気泡は処理液調整槽を処理液がオーバフロー
する際に、処理液上面の空間に離脱する。したがって、
処理液が処理液調整槽４をオーバフローする際に活性材
の溶解にともなう気泡が分離され、調整槽から流出する
処理液中に溶存する気泡量を大幅に低減することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図１を参照し
ながら説明する。本実施例においては、被処理基板３に
成膜する処理槽１、循環手段５及び濾過手段６等の基本
的な構成は、図２に示す従来の技術と同様であり、同一
又は相当の構成要素には同一の符号を付してその説明を
省略する。
ながら説明する。本実施例においては、被処理基板３に
成膜する処理槽１、循環手段５及び濾過手段６等の基本
的な構成は、図２に示す従来の技術と同様であり、同一
又は相当の構成要素には同一の符号を付してその説明を
省略する。
【００１２】処理槽１と処理液調整槽４とが相隣接して
一体的に構成されている処理装置１０において、処理液
調整槽４を仕切る底部が開口した隔壁であるバッフルプ
レート１１が配置されている。このため、処理槽１をオ
ーバフローした処理液２は、バッフルプレート１１と処
理槽１の側部隔壁１ｂとから構成される流路１２に自然
落下して、処理槽下部流路１３から多孔板１４を介して
処理液調整槽４に流入する。バッフルプレート１１で仕
切られた処理液調整槽４では、処理液は下方から上方に
流れる。処理液調整槽４内では、処理液に活性材７が溶
解され、処理液の二酸化珪素の過飽和状態が高められ
る。アルミ、ホウ酸等の活性材７が処理液２に溶解する
際に、水素等のガスを発生し多量の気泡が発生し、気泡
は上方に浮上する。処理液２は、処理液調整槽４の上縁
部４ａをオーバフローし、自然落下して流路１５を通
り、循環賂８の配管を通って、循環手段５により処理槽
１に循環される。
一体的に構成されている処理装置１０において、処理液
調整槽４を仕切る底部が開口した隔壁であるバッフルプ
レート１１が配置されている。このため、処理槽１をオ
ーバフローした処理液２は、バッフルプレート１１と処
理槽１の側部隔壁１ｂとから構成される流路１２に自然
落下して、処理槽下部流路１３から多孔板１４を介して
処理液調整槽４に流入する。バッフルプレート１１で仕
切られた処理液調整槽４では、処理液は下方から上方に
流れる。処理液調整槽４内では、処理液に活性材７が溶
解され、処理液の二酸化珪素の過飽和状態が高められ
る。アルミ、ホウ酸等の活性材７が処理液２に溶解する
際に、水素等のガスを発生し多量の気泡が発生し、気泡
は上方に浮上する。処理液２は、処理液調整槽４の上縁
部４ａをオーバフローし、自然落下して流路１５を通
り、循環賂８の配管を通って、循環手段５により処理槽
１に循環される。
【００１３】処理液調整槽４では、底部が開口した隔壁
であるバッフルプレート１１により、処理液２は、前述
のように活性材７に沿って下方から上方に流れる。活性
材７が溶解する際に発生する多量のガスも、気泡となっ
て上方に浮上する。従って、処理液の上昇流と気泡の上
昇とが合致し、処理液調整槽４の上面で処理液が上縁部
４ａをオーバフローする際に気泡が解放される。気泡が
解放され分離された後の処理液２は、気泡の含有量が大
幅に減少する。気泡が離脱した処理液は、流路１５を経
て循環路８の配管内を通り、ポンプ５によりフィルタ６
を通って、処理槽１の底部から処理槽１内に圧送され
る。処理槽１で、気泡を含まない処理液は被処理基板３
に良質な二酸化珪素被膜を析出する。
であるバッフルプレート１１により、処理液２は、前述
のように活性材７に沿って下方から上方に流れる。活性
材７が溶解する際に発生する多量のガスも、気泡となっ
て上方に浮上する。従って、処理液の上昇流と気泡の上
昇とが合致し、処理液調整槽４の上面で処理液が上縁部
４ａをオーバフローする際に気泡が解放される。気泡が
解放され分離された後の処理液２は、気泡の含有量が大
幅に減少する。気泡が離脱した処理液は、流路１５を経
て循環路８の配管内を通り、ポンプ５によりフィルタ６
を通って、処理槽１の底部から処理槽１内に圧送され
る。処理槽１で、気泡を含まない処理液は被処理基板３
に良質な二酸化珪素被膜を析出する。
【００１４】尚、底部が開口した隔壁であるバッフルプ
レート１１により、処理液は調整槽４内を多孔板１４を
通して下方から上方に流れる。このため、調整槽内の処
理液の流れは、多孔板１４の整流作用により均一な流れ
の層流に近いものとなり、活性材７間を流れながら活性
材７を溶解する。従って調整槽４内において、過飽和度
の局部的な上昇、二酸化珪素粒子の折出という問題を防
止し、過飽和度が均一に高められた処理液を処理槽１に
供給することができる。
レート１１により、処理液は調整槽４内を多孔板１４を
通して下方から上方に流れる。このため、調整槽内の処
理液の流れは、多孔板１４の整流作用により均一な流れ
の層流に近いものとなり、活性材７間を流れながら活性
材７を溶解する。従って調整槽４内において、過飽和度
の局部的な上昇、二酸化珪素粒子の折出という問題を防
止し、過飽和度が均一に高められた処理液を処理槽１に
供給することができる。
【００１５】以上に説明したように本発明によれば、処
理液調整槽を処理液がオーバフローする際に、活性材の
溶解にともなって発生する多量の気泡が、調整槽内の処
理液上面で解放される。従って、処理槽内に循環して流
入する処理液は、気泡が含まれず、被処理基板に付着す
る気泡、あるいは気泡に起因する粒子（ダスト）を低減
することができ、良質な二酸化珪素被膜を成膜すること
ができる。
理液調整槽を処理液がオーバフローする際に、活性材の
溶解にともなって発生する多量の気泡が、調整槽内の処
理液上面で解放される。従って、処理槽内に循環して流
入する処理液は、気泡が含まれず、被処理基板に付着す
る気泡、あるいは気泡に起因する粒子（ダスト）を低減
することができ、良質な二酸化珪素被膜を成膜すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の二酸化珪素被膜の製造装置
の装置構成を示す説明図。
の装置構成を示す説明図。
【図２】従来の二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成を
示す説明図。
示す説明図。
１ 処理槽 ２ 処理液 ３ 被処理基板 ４ 処理液調整槽 ５ 循環手段 ６ 濾過手段 ７ 活性材 １１ バッフルプレート １２，１３，１５ 流路 １４ 多孔板
Claims (1)
- 【請求項１】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、 相隣接して一体的に構成された前記処理槽と前記処理液
調整槽間にバッフルプレートを配置し、前記処理槽をオ
ーバフローした処理液は該バッフルプレートにより仕切
られた前記処理液調整槽内を下方から上方に流れ、該処
理液調整槽をオーバフローして循環するように構成され
たことを特徴とする二酸化珪素被膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235293A JPH0781925A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235293A JPH0781925A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0781925A true JPH0781925A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17236101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25235293A Pending JPH0781925A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154081A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Japan Organo Co Ltd | 官能基導入用反応カラム、官能基導入装置及び官能基導入方法 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25235293A patent/JPH0781925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154081A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Japan Organo Co Ltd | 官能基導入用反応カラム、官能基導入装置及び官能基導入方法 |
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