JPH0781924A - 二酸化珪素被膜の製造装置 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造装置Info
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- JPH0781924A JPH0781924A JP25235193A JP25235193A JPH0781924A JP H0781924 A JPH0781924 A JP H0781924A JP 25235193 A JP25235193 A JP 25235193A JP 25235193 A JP25235193 A JP 25235193A JP H0781924 A JPH0781924 A JP H0781924A
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理基板を収納したキャリアを、処理槽の
内壁面に付着した粒子層を剥離することなく処理槽内に
装填又は引き上げられるようにしたものである。そし
て、被処理基板上に付着する粒子（ダスト）を減らし、
良質な二酸化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪
素被膜の製造装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４と、
前記処理液２を前記処理槽１と前記処理液調整槽４に循
環させる循環手段５と、該処理液２の循環路に配置され
た濾過手段６とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置にお
いて、前記被処理基板３を収納するキャリアは、前記処
理槽上縁部１５もしくはその上部の係止部１６に懸架さ
れ、前記処理槽１の内壁に接触することなく前記処理槽
１内の処理液２に浸漬される。
内壁面に付着した粒子層を剥離することなく処理槽内に
装填又は引き上げられるようにしたものである。そし
て、被処理基板上に付着する粒子（ダスト）を減らし、
良質な二酸化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪
素被膜の製造装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４と、
前記処理液２を前記処理槽１と前記処理液調整槽４に循
環させる循環手段５と、該処理液２の循環路に配置され
た濾過手段６とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置にお
いて、前記被処理基板３を収納するキャリアは、前記処
理槽上縁部１５もしくはその上部の係止部１６に懸架さ
れ、前記処理槽１の内壁に接触することなく前記処理槽
１内の処理液２に浸漬される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二酸化珪素被膜の製造
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】係る二酸化珪素被膜の液相成膜法（ＬＰ
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
【０００３】図３は、従来の液相成膜法による二酸化珪
素被膜の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理
槽１には、被処理基板３である半導体基板又はガラス基
板がキャリア９に装填され、二酸化珪素の過飽和状態と
なった珪弗化水素酸溶液を含む処理液２に浸漬され、基
板３の表面には、二酸化珪素被膜が析出される。処理液
調整槽４では、処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために、アルミ、ホウ酸などの活性材７を溶解さ
せる。
素被膜の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理
槽１には、被処理基板３である半導体基板又はガラス基
板がキャリア９に装填され、二酸化珪素の過飽和状態と
なった珪弗化水素酸溶液を含む処理液２に浸漬され、基
板３の表面には、二酸化珪素被膜が析出される。処理液
調整槽４では、処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために、アルミ、ホウ酸などの活性材７を溶解さ
せる。
【０００４】二酸化珪素を過飽和に含む処理液に被処理
基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面に二
酸化珪素被膜を成膜する場合、処理液中で析出する二酸
化珪素等の粒子が成長して粗大化し、処理液中にいわゆ
るダストとして浮遊する。又、成膜中に処理液中に二酸
化珪素等の粒子が析出し、処理槽内壁、配管路内壁、処
理液調整槽内壁等に付着する。成膜の進行に伴い、壁面
に付着した粒子に更に粒子が析出し、壁面に付着した粒
子層の被膜も徐々に厚くなる。槽内壁或いは管路内壁に
付着した粒子層が剥離すると同様に処理液中に浮遊する
ダストとなる。このダストがウエハ表面に付着し、半導
体装置の歩止まりを下げてしまうことがしばしばある。
基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面に二
酸化珪素被膜を成膜する場合、処理液中で析出する二酸
化珪素等の粒子が成長して粗大化し、処理液中にいわゆ
るダストとして浮遊する。又、成膜中に処理液中に二酸
化珪素等の粒子が析出し、処理槽内壁、配管路内壁、処
理液調整槽内壁等に付着する。成膜の進行に伴い、壁面
に付着した粒子に更に粒子が析出し、壁面に付着した粒
子層の被膜も徐々に厚くなる。槽内壁或いは管路内壁に
付着した粒子層が剥離すると同様に処理液中に浮遊する
ダストとなる。このダストがウエハ表面に付着し、半導
体装置の歩止まりを下げてしまうことがしばしばある。
【０００５】そこで処理液２中の二酸化珪素粒子等のダ
ストを除去するため、循環手段５と、濾過手段６を設
け、処理液を循環濾過することが行われている。循環手
段としては脈動が無く、濾過に悪影響を与えない、又循
環流量が比較的多くとれるポンプが使用されている。濾
過手段としては孔径０．０５〜１μｍ程度のフィルタが
用いられる。又、フィルタに洗浄装置を組み込み、フィ
ルタが目づまると自動的に洗浄することも行われてい
る。
ストを除去するため、循環手段５と、濾過手段６を設
け、処理液を循環濾過することが行われている。循環手
段としては脈動が無く、濾過に悪影響を与えない、又循
環流量が比較的多くとれるポンプが使用されている。濾
過手段としては孔径０．０５〜１μｍ程度のフィルタが
用いられる。又、フィルタに洗浄装置を組み込み、フィ
ルタが目づまると自動的に洗浄することも行われてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すような従来の二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成
では、成膜時間の経過と共に、処理槽内壁面１１にはか
なりの量の二酸化珪素粒子の被膜層が沈漬する。被処理
基板３を収納したキャリア９を処理槽１に装填する際に
は、キャリア９は、処理槽１の傾斜した内壁面１１に接
触し固定される。その際、処理槽１の内壁面１１に付着
していた粒子層が剥離し舞い上がり、剥離した粒子層が
被処理基板３に付着すると、成膜する二酸化珪素被膜の
膜質を劣化させることになる。同様に、成膜終了直後
に、被処理基板３を収納したキャリア９を引き上げる際
には、内壁面１１に成長した二酸化珪素の粒子層を剥離
する。この剥離した粒子層が成膜直後の被処理基板３に
付着すると、同様に被処理基板３上に成膜した二酸化珪
素被膜の膜質を劣化させることになる。このため、従来
キャリアの装填あるいは引き上げに際しては、槽内壁に
付着した粒子層が剥離して舞い上がらないように細心の
注意が必要である。
示すような従来の二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成
では、成膜時間の経過と共に、処理槽内壁面１１にはか
なりの量の二酸化珪素粒子の被膜層が沈漬する。被処理
基板３を収納したキャリア９を処理槽１に装填する際に
は、キャリア９は、処理槽１の傾斜した内壁面１１に接
触し固定される。その際、処理槽１の内壁面１１に付着
していた粒子層が剥離し舞い上がり、剥離した粒子層が
被処理基板３に付着すると、成膜する二酸化珪素被膜の
膜質を劣化させることになる。同様に、成膜終了直後
に、被処理基板３を収納したキャリア９を引き上げる際
には、内壁面１１に成長した二酸化珪素の粒子層を剥離
する。この剥離した粒子層が成膜直後の被処理基板３に
付着すると、同様に被処理基板３上に成膜した二酸化珪
素被膜の膜質を劣化させることになる。このため、従来
キャリアの装填あるいは引き上げに際しては、槽内壁に
付着した粒子層が剥離して舞い上がらないように細心の
注意が必要である。
【０００７】本発明は、係る従来技術の問題点に鑑みて
為されたものであり、被処理基板を収納したキャリア
を、処理槽の内壁面に付着した粒子層の剥離を引き起す
ことなく処理槽内に装填又は引き上げられるようにした
ものである。そして、被処理基板上に付着する粒子（ダ
スト）を減らし、良質な二酸化珪素被膜を成膜すること
のできる二酸化珪素被膜の製造装置を提供することを目
的とする。
為されたものであり、被処理基板を収納したキャリア
を、処理槽の内壁面に付着した粒子層の剥離を引き起す
ことなく処理槽内に装填又は引き上げられるようにした
ものである。そして、被処理基板上に付着する粒子（ダ
スト）を減らし、良質な二酸化珪素被膜を成膜すること
のできる二酸化珪素被膜の製造装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の二酸化珪素被膜
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、前記被処理基板を
収納するキャリアは、前記処理槽上縁部もしくはその上
部の係止部に懸架され、前記処理槽の内壁に接触するこ
となく前記処理槽内の処理液に浸漬されることを特徴と
する。
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、前記被処理基板を
収納するキャリアは、前記処理槽上縁部もしくはその上
部の係止部に懸架され、前記処理槽の内壁に接触するこ
となく前記処理槽内の処理液に浸漬されることを特徴と
する。
【０００９】
【作用】被処理基板を収納するキャリアは、処理槽の内
壁に接触することなく処理槽内の処理液に浸漬されるこ
とから、処理槽内壁に付着した二酸化珪素の粒子層を剥
離するという問題が生じない。従って、処理液中に浮遊
するダストの量を低減し、被処理基板上に付着する粒子
（ダスト）を減らし、良質な二酸化珪素被膜を成膜する
ことができる。
壁に接触することなく処理槽内の処理液に浸漬されるこ
とから、処理槽内壁に付着した二酸化珪素の粒子層を剥
離するという問題が生じない。従って、処理液中に浮遊
するダストの量を低減し、被処理基板上に付着する粒子
（ダスト）を減らし、良質な二酸化珪素被膜を成膜する
ことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図１乃至図２を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１１】本実施例においては、処理槽１、処理液調
整槽４、循環手段５及び濾過手段６等の基本的な構成
は、図３に示す従来の技術と同様であり、同一又は相当
の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
整槽４、循環手段５及び濾過手段６等の基本的な構成
は、図３に示す従来の技術と同様であり、同一又は相当
の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
【００１２】図１は、本発明の第１実施例を示す。本実
施例のキャリア１３は、石英の枠体１３ｂが両側（紙面
に垂直方向の）に配置され、その間に石英棒１３ｃが橋
渡しされた構造となっており、被処理基板３は石英棒１
３ｃの溝に係止され配列される。キャリア１３の枠体１
３ｂの上端部分１３ａが処理槽１の上縁部１５に懸架さ
れる。ポンプ５で圧送された処理液２は、フィルタ６で
濾過され、処理槽１を下方から上方へ流れ、上縁部５を
越えてオーバフローし、処理液調整槽４に流入する。従
って、処理槽１の上縁部１５は、被処理基板３に二酸化
珪素被膜を析出した処理液２がオーバフローする部分で
ある。
施例のキャリア１３は、石英の枠体１３ｂが両側（紙面
に垂直方向の）に配置され、その間に石英棒１３ｃが橋
渡しされた構造となっており、被処理基板３は石英棒１
３ｃの溝に係止され配列される。キャリア１３の枠体１
３ｂの上端部分１３ａが処理槽１の上縁部１５に懸架さ
れる。ポンプ５で圧送された処理液２は、フィルタ６で
濾過され、処理槽１を下方から上方へ流れ、上縁部５を
越えてオーバフローし、処理液調整槽４に流入する。従
って、処理槽１の上縁部１５は、被処理基板３に二酸化
珪素被膜を析出した処理液２がオーバフローする部分で
ある。
【００１３】被処理基板３を収納したキャリア１３を処
理槽１の処理液２内に装填する際には、キャリア１３の
上端部１３ａを、処理槽１の上縁部１５に係止する。従
って、粗大化した二酸化珪素の粒子（ダスト）が付着し
ている処理槽１の内壁面１１には、キャリア１３は接触
することなく、被処理基板３を処理液中に浸漬すること
ができる。従って、処理槽１の内壁面１１に接触し、付
着した粒子層を剥離するという問題を生じない。同様に
キャリア１３を処理槽１から引き上げるに際しても、キ
ャリア１３が処理槽１の内壁面１１に接触し、付着した
粒子層を剥離することなく、キャリア１３の引き上げが
可能である。尚、キャリア１３を処理槽１に装填或いは
引き上げる際に、キャリア１３の上端部１３ａは、処理
槽１の外縁部１５に接触するが、上端部１５から剥離し
た粒子層は、オーバフローする処理液２に運ばれ、処理
液調整槽４側に流入する。従って、上縁部１５から剥離
した粒子層が、処理槽１内のダストとなり被処理基板３
に付着するという問題が防止される。
理槽１の処理液２内に装填する際には、キャリア１３の
上端部１３ａを、処理槽１の上縁部１５に係止する。従
って、粗大化した二酸化珪素の粒子（ダスト）が付着し
ている処理槽１の内壁面１１には、キャリア１３は接触
することなく、被処理基板３を処理液中に浸漬すること
ができる。従って、処理槽１の内壁面１１に接触し、付
着した粒子層を剥離するという問題を生じない。同様に
キャリア１３を処理槽１から引き上げるに際しても、キ
ャリア１３が処理槽１の内壁面１１に接触し、付着した
粒子層を剥離することなく、キャリア１３の引き上げが
可能である。尚、キャリア１３を処理槽１に装填或いは
引き上げる際に、キャリア１３の上端部１３ａは、処理
槽１の外縁部１５に接触するが、上端部１５から剥離し
た粒子層は、オーバフローする処理液２に運ばれ、処理
液調整槽４側に流入する。従って、上縁部１５から剥離
した粒子層が、処理槽１内のダストとなり被処理基板３
に付着するという問題が防止される。
【００１４】図２は、本発明の第２実施例を示す。キャ
リア１４は、第１実施例と同様に石英の枠体１４ｂが両
側に配置され、その間に石英棒１４ｃが橋渡しされ、被
処理基板３は石英棒１４ｃに設けられた溝に係止され配
列される。処理槽１と処理液調整槽４とが相隣接し一体
的に構成された処理装置１０には、上蓋１２に開口部１
７を備える。この開口部１７の周縁は、キャリア１４の
係止部１６を構成する。キャリア１４は、処理槽１の上
部の係止部１６に、その上端部１４ａを係止することに
より、処理槽１に装填される。
リア１４は、第１実施例と同様に石英の枠体１４ｂが両
側に配置され、その間に石英棒１４ｃが橋渡しされ、被
処理基板３は石英棒１４ｃに設けられた溝に係止され配
列される。処理槽１と処理液調整槽４とが相隣接し一体
的に構成された処理装置１０には、上蓋１２に開口部１
７を備える。この開口部１７の周縁は、キャリア１４の
係止部１６を構成する。キャリア１４は、処理槽１の上
部の係止部１６に、その上端部１４ａを係止することに
より、処理槽１に装填される。
【００１５】このように、本実施例においてもキャリア
１４は、処理槽１の内壁面１１に接触することなく装填
され、処理槽１内の処理液２に浸漬される。従って、被
処理基板３を収納したキャリア１４を処理槽１に装填す
る、或いは引き上げるに際して処理槽１の内壁面１１に
接触し、付着した粒子層を剥離するという問題を生じな
い。
１４は、処理槽１の内壁面１１に接触することなく装填
され、処理槽１内の処理液２に浸漬される。従って、被
処理基板３を収納したキャリア１４を処理槽１に装填す
る、或いは引き上げるに際して処理槽１の内壁面１１に
接触し、付着した粒子層を剥離するという問題を生じな
い。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように本発明のキャリア
によれば、キャリアの処理槽への装填、あるいは引き上
げに際して、処理槽内壁面に付着している粒子層を剥離
するという問題が生じない。従って、被処理基板に付着
するダストを低減することができ、良質な二酸化珪素被
膜を成膜することができる。
によれば、キャリアの処理槽への装填、あるいは引き上
げに際して、処理槽内壁面に付着している粒子層を剥離
するという問題が生じない。従って、被処理基板に付着
するダストを低減することができ、良質な二酸化珪素被
膜を成膜することができる。
【図１】本発明の第１実施例の二酸化珪素被膜の製造装
置の装置構成を示す説明図。
置の装置構成を示す説明図。
【図２】本発明の第２実施例の二酸化珪素被膜の製造装
置の装置構成を示す説明図。
置の装置構成を示す説明図。
【図３】従来の二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成を
示す説明図。
示す説明図。
１ 処理槽 ２ 処理液 ３ 被処理基板 ４ 処理液調整槽 ５ 循環手段 ６ 濾過手段 ７ 活性材 ９，１３，１４ キャリア １５ 処理槽上縁部 １６ 係止部
Claims (1)
- 【請求項１】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、 前記被処理基板を収納するキャリアは、前記処理槽上縁
部もしくはその上部の係止部に懸架され、前記処理槽の
内壁に接触することなく前記処理槽内の処理液に浸漬さ
れることを特徴とする二酸化珪素被膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235193A JPH0781924A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235193A JPH0781924A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0781924A true JPH0781924A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17236085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25235193A Pending JPH0781924A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781924A (ja) |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25235193A patent/JPH0781924A/ja active Pending
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