JPH0782562A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH0782562A JPH0782562A JP5253780A JP25378093A JPH0782562A JP H0782562 A JPH0782562 A JP H0782562A JP 5253780 A JP5253780 A JP 5253780A JP 25378093 A JP25378093 A JP 25378093A JP H0782562 A JPH0782562 A JP H0782562A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- group
- carbon atoms
- alkyl group
- integer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】
【化1】
【化2】
【化3】
【化4】
からなる強誘電性液晶組成物。
【効果】この液晶組成物は、動作上限温度が高く、良好
な配向性を有し、かつ低粘度であるため、液晶表示素子
用材料として有用である。
な配向性を有し、かつ低粘度であるため、液晶表示素子
用材料として有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶表示素子
に用いる新規な液晶組成物に関する。さらに詳しくは、
キラルスメクチックC相(以下、Sc*相と略称する)
を示す新規な液晶組成物を提供するものである。
に用いる新規な液晶組成物に関する。さらに詳しくは、
キラルスメクチックC相(以下、Sc*相と略称する)
を示す新規な液晶組成物を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、メイヤーらにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究・開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
(a)室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、
(b)均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘
性が小さいことなどが挙げられる。しかしながら、これ
ら条件を単独で満足するSc*相を示す液晶化合物はこ
れまで知られておらず、混合によりこれらの条件を満足
させる努力がなされている。また、Sc*相を示す液晶
組成物(以下、Sc*液晶組成物という)の調製方法と
して、強誘電性を示さず、キラルでないSc相を示す液
晶化合物または組成物にキラルな化合物を添加する方法
もあり、Sc相を示す液晶化合物の開発も進められてい
る。従来、Sc相あるいはSc*相を示す代表的な液晶
化合物として、2−(4−アルキルオキシフェニル)−
5−アルキルピリミジンなどが知られており、これらの
混合物からなるSc*液晶組成物が知られている。ま
た、Sc相を示さないキラルな化合物として、特開平2
−138274号公報記載の二個の不斉炭素中心を有し
たγ−ラクトン系化合物などが知られており、前記のフ
ェニルピリミジン系液晶化合物からなる組成物などに添
加したSc*液晶組成物なども知られている。
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究・開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
(a)室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、
(b)均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘
性が小さいことなどが挙げられる。しかしながら、これ
ら条件を単独で満足するSc*相を示す液晶化合物はこ
れまで知られておらず、混合によりこれらの条件を満足
させる努力がなされている。また、Sc*相を示す液晶
組成物(以下、Sc*液晶組成物という)の調製方法と
して、強誘電性を示さず、キラルでないSc相を示す液
晶化合物または組成物にキラルな化合物を添加する方法
もあり、Sc相を示す液晶化合物の開発も進められてい
る。従来、Sc相あるいはSc*相を示す代表的な液晶
化合物として、2−(4−アルキルオキシフェニル)−
5−アルキルピリミジンなどが知られており、これらの
混合物からなるSc*液晶組成物が知られている。ま
た、Sc相を示さないキラルな化合物として、特開平2
−138274号公報記載の二個の不斉炭素中心を有し
たγ−ラクトン系化合物などが知られており、前記のフ
ェニルピリミジン系液晶化合物からなる組成物などに添
加したSc*液晶組成物なども知られている。
【0003】さらに、Sc*相を示す液晶組成物を得る
方法として、特開平1−193390号公報では、下記
化10、化11および化12で表されるSc*相を示す
ナフタレン系およびエステル系化合物からなるSc*液
晶組成物が提案されている。
方法として、特開平1−193390号公報では、下記
化10、化11および化12で表されるSc*相を示す
ナフタレン系およびエステル系化合物からなるSc*液
晶組成物が提案されている。
【0004】
【化10】
【0005】
【化11】
【0006】
【化12】
【0007】化10〜12中、NAPは2,6−ナフチ
レン基を、C*は不斉炭素原子を表す。
レン基を、C*は不斉炭素原子を表す。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
1−193390号公報では、前記のフェニルピリミジ
ン系液晶化合物などを用いたSc*液晶組成物は、液晶
セルに注入した場合に、Sc*相において、層構造が
“く”の字に屈曲するためにジグザグ欠陥が生じやす
く、コントラスト比が低いという問題があることを指摘
している。また、ナフタレン系およびエステル系化合物
からなるSc*液晶組成物を液晶セルに注入した場合、
ジグザグ欠陥は観察されず良好な配向性を示し、高いコ
ントラスト比やメモリー性が得られるが、一般的にナフ
タレン系やエステル系化合物は粘度が高く、高速表示の
液晶表示素子を得るため、より低粘度の液晶組成物が要
望されている。また、このナフタレン系およびエステル
系化合物からなる液晶組成物に前記のフェニルピリミジ
ン系液晶化合物を添加して低粘度化を行うと、互いの相
溶性が悪く、Sc*相転移温度を低下させるという問題
がある。
1−193390号公報では、前記のフェニルピリミジ
ン系液晶化合物などを用いたSc*液晶組成物は、液晶
セルに注入した場合に、Sc*相において、層構造が
“く”の字に屈曲するためにジグザグ欠陥が生じやす
く、コントラスト比が低いという問題があることを指摘
している。また、ナフタレン系およびエステル系化合物
からなるSc*液晶組成物を液晶セルに注入した場合、
ジグザグ欠陥は観察されず良好な配向性を示し、高いコ
ントラスト比やメモリー性が得られるが、一般的にナフ
タレン系やエステル系化合物は粘度が高く、高速表示の
液晶表示素子を得るため、より低粘度の液晶組成物が要
望されている。また、このナフタレン系およびエステル
系化合物からなる液晶組成物に前記のフェニルピリミジ
ン系液晶化合物を添加して低粘度化を行うと、互いの相
溶性が悪く、Sc*相転移温度を低下させるという問題
がある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、良好な配
向性を有し、低粘度で、Sc*相転移温度の高い液晶組
成物について鋭意検討を行った結果、特定構造のフェニ
ルピリミジン系液晶化合物とナフタレン系液晶化合物お
よび/またはエステル系液晶化合物を用いることによ
り、良好な配向性を有し、低粘度で、Sc*相転移温度
の高い液晶組成物が得られることを見い出し、本発明に
到達した。すなわち本発明は、複数の化合物の混合物か
らなり、下記一般式(1)
向性を有し、低粘度で、Sc*相転移温度の高い液晶組
成物について鋭意検討を行った結果、特定構造のフェニ
ルピリミジン系液晶化合物とナフタレン系液晶化合物お
よび/またはエステル系液晶化合物を用いることによ
り、良好な配向性を有し、低粘度で、Sc*相転移温度
の高い液晶組成物が得られることを見い出し、本発明に
到達した。すなわち本発明は、複数の化合物の混合物か
らなり、下記一般式(1)
【0010】
【化13】
【0011】〔式中、R1およびR2は炭素数1〜18の
アルキル基を表し、Xは単結合または−O−を表す〕で
示される液晶化合物(A)ならびに一般式(2)
アルキル基を表し、Xは単結合または−O−を表す〕で
示される液晶化合物(A)ならびに一般式(2)
【0012】
【化14】
【0013】〔式中、R3は炭素数1〜12のアルキル
基または水素原子を表し、pは1〜12の整数を表し、
NAPは2,6−ナフチレン基を表し、qは0〜5の整
数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R4は炭素数2
〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物、一
般式(3)
基または水素原子を表し、pは1〜12の整数を表し、
NAPは2,6−ナフチレン基を表し、qは0〜5の整
数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R4は炭素数2
〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物、一
般式(3)
【0014】
【化15】
【0015】〔式中、R5は炭素数1〜18のアルキル
基を表し、NAPは2,6−ナフチレン基を表し、rは
0〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R6
は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶
化合物、一般式(4)
基を表し、NAPは2,6−ナフチレン基を表し、rは
0〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R6
は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶
化合物、一般式(4)
【0016】
【化16】
【0017】〔式中、R7は炭素数1〜12のアルキル
基または水素原子を表し、sは1〜12の整数を表し、
tは1〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、
R8は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される
液晶化合物および一般式(5)
基または水素原子を表し、sは1〜12の整数を表し、
tは1〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、
R8は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される
液晶化合物および一般式(5)
【0018】
【化17】
【0019】〔式中、R9は炭素数1〜18のアルキル
基を表し、yは1〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原
子を表し、R10は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕
で示される液晶化合物からなる群より選ばれる1種以上
の化合物からなる成分(B)を含有することを特徴とす
る強誘電性液晶組成物である。
基を表し、yは1〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原
子を表し、R10は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕
で示される液晶化合物からなる群より選ばれる1種以上
の化合物からなる成分(B)を含有することを特徴とす
る強誘電性液晶組成物である。
【0020】一般に、液晶組成物は液晶化合物2種以上
の多成分からなる混合物である。本発明の強誘電性液晶
組成物は、(A)成分と(B)成分の混合物からなり、
一般式(1)で示される液晶化合物を(A)成分とし、
(B)成分として一般式(2)〜(5)で示される液晶
化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物を含有
することを特徴とする。さらに(B)成分が一般式
(2)と一般式(3)で示されるナフタレン系液晶化合
物の1種以上(B1)、ならびに一般式(4)と一般式
(5)で示されるエステル系液晶化合物の1種以上(B
2)からなることが好ましい。(B)成分としてナフタ
レン系液晶化合物とエステル系液晶化合物とを併用する
ことにより、高いSc*相転移温度を持ち、良好な配向
性を示す強誘電性液晶組成物を得ることができる。
の多成分からなる混合物である。本発明の強誘電性液晶
組成物は、(A)成分と(B)成分の混合物からなり、
一般式(1)で示される液晶化合物を(A)成分とし、
(B)成分として一般式(2)〜(5)で示される液晶
化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物を含有
することを特徴とする。さらに(B)成分が一般式
(2)と一般式(3)で示されるナフタレン系液晶化合
物の1種以上(B1)、ならびに一般式(4)と一般式
(5)で示されるエステル系液晶化合物の1種以上(B
2)からなることが好ましい。(B)成分としてナフタ
レン系液晶化合物とエステル系液晶化合物とを併用する
ことにより、高いSc*相転移温度を持ち、良好な配向
性を示す強誘電性液晶組成物を得ることができる。
【0021】また、一般式(1)〜(5)で示される液
晶化合物は、それぞれ2種以上使用することができる。
晶化合物は、それぞれ2種以上使用することができる。
【0022】本発明において、一般式(1)で示される
フェニルピリミジン系液晶化合物(A)は、アセチレン
基を有することを特徴とする。一般式(1)中、R1、
R2はそれぞれ炭素数1〜18のアルキル基を表し、同
一でも異なっていてもよい。具体例としては、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オク
チル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル
基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサ
デシル基、n−オクタデシル基などが挙げられ、これら
のうち好ましいものは、炭素数3〜14のアルキル基で
ある。
フェニルピリミジン系液晶化合物(A)は、アセチレン
基を有することを特徴とする。一般式(1)中、R1、
R2はそれぞれ炭素数1〜18のアルキル基を表し、同
一でも異なっていてもよい。具体例としては、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オク
チル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル
基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサ
デシル基、n−オクタデシル基などが挙げられ、これら
のうち好ましいものは、炭素数3〜14のアルキル基で
ある。
【0023】一般式(1)で示される化合物の具体例
は、例えば、特開平3−218365号公報などに記載
されている化合物が挙げられ、その製造法も記載されて
いる方法と同様である。
は、例えば、特開平3−218365号公報などに記載
されている化合物が挙げられ、その製造法も記載されて
いる方法と同様である。
【0024】一般式(2)中、R3で表される炭素数1
〜12のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基などが挙げられる。R3のうち好ましい
ものは、水素原子および炭素数3〜10のアルキル基で
ある。
〜12のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基などが挙げられる。R3のうち好ましい
ものは、水素原子および炭素数3〜10のアルキル基で
ある。
【0025】pは通常は1〜12、好ましくは、1〜1
0の整数である。qは通常は0〜5、好ましくは、0、
1、3および5である。
0の整数である。qは通常は0〜5、好ましくは、0、
1、3および5である。
【0026】R4で表される炭素数2〜10のアルキル
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
【0027】一般式(3)中、R5で表される炭素数1
〜18のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサデシ
ル基、n−オクタデシル基などが挙げられ、これらのう
ち好ましいものは、炭素数3〜14のアルキル基であ
る。
〜18のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサデシ
ル基、n−オクタデシル基などが挙げられ、これらのう
ち好ましいものは、炭素数3〜14のアルキル基であ
る。
【0028】rは通常は0〜5、好ましくは0、1、3
および5である。
および5である。
【0029】R6で表される炭素数2〜10のアルキル
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
【0030】一般式(4)中、R7で表される炭素数1
〜12のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基などが挙げられる。R7のうち好ましい
ものは、水素原子および炭素数3〜10のアルキル基で
ある。
〜12のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基などが挙げられる。R7のうち好ましい
ものは、水素原子および炭素数3〜10のアルキル基で
ある。
【0031】sは通常は1〜12、好ましくは、1〜1
0の整数である。tは通常は0〜5、好ましくは、1、
2、3および5である。
0の整数である。tは通常は0〜5、好ましくは、1、
2、3および5である。
【0032】R8で表される炭素数2〜10のアルキル
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
【0033】一般式(5)中、R9で表される炭素数1
〜18のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサデシ
ル基、n−オクタデシル基などが挙げられ、これらのう
ち好ましいものは、炭素数3〜14のアルキル基であ
る。
〜18のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサデシ
ル基、n−オクタデシル基などが挙げられ、これらのう
ち好ましいものは、炭素数3〜14のアルキル基であ
る。
【0034】yは通常は1〜5、好ましくは1、2、3
および5である。
および5である。
【0035】R10で表される炭素数2〜10のアルキル
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。
【0036】本発明の強誘電性液晶組成物には、必要に
より他の液晶化合物、2色性色素(アントラキノン系色
素、アゾ系色素等)等を含有させることができる。他の
液晶化合物としては、Sc相を示す液晶化合物〔2−
4’−アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリミジ
ン、2−4’−アルキルオキシオキシフェニル−5−ア
ルキルオキシピリミジン、2−p−アルキルオキシカル
ボニルフェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−
アルキルオキシ−3’−フルオロフェニル−5−アルキ
ルピリミジン、2−4’−アルキルオキシ−2’,3’
−ジフルオロフェニル−5−アルキルピリミジン、2−
4’−アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリジ
ン、2−4’−アルキルオキシ−3’−フルオロフェニ
ル−5−アルキルピリジン、2−(4−アルキルフェニ
ル)−5−アルケニルオキシピリミジン、特開平3−1
74491号公報、特開平3−223225号公報、特
願平4−27128号明細書に記載の化合物、特開平3
−218365号公報、特願平3−159789号明細
書に記載の化合物等〕;Sc*相を示す液晶化合物〔光
学活性4−アルキルオキシ−4’−ビフェニルカルボン
酸−p’−(2−メチルブチルオキシカルボニル)フェ
ニルエステル、光学活性4−n−アルキルオキシ−4’
−ビフェニルカルボン酸−2−メチルブチルエステル、
特開昭62−228043号公報、特開平1−2213
51号公報、特願平4−27128号明細書に記載の化
合物等〕;キラルな化合物(特開昭63−99032号
公報、特開昭63−190843号公報、特開平2−1
38274号公報、特開平2−256673号公報、特
開平2−262579号公報、特開平2−286673
号公報、特開平3−27374号公報に記載の化合物、
特開昭62−228043号公報に記載の化合物を還元
して得られる化合物等);Sc相を示さないスメクチッ
ク液晶化合物、ネマチック相を示す液晶化合物等が挙げ
られる。
より他の液晶化合物、2色性色素(アントラキノン系色
素、アゾ系色素等)等を含有させることができる。他の
液晶化合物としては、Sc相を示す液晶化合物〔2−
4’−アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリミジ
ン、2−4’−アルキルオキシオキシフェニル−5−ア
ルキルオキシピリミジン、2−p−アルキルオキシカル
ボニルフェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−
アルキルオキシ−3’−フルオロフェニル−5−アルキ
ルピリミジン、2−4’−アルキルオキシ−2’,3’
−ジフルオロフェニル−5−アルキルピリミジン、2−
4’−アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリジ
ン、2−4’−アルキルオキシ−3’−フルオロフェニ
ル−5−アルキルピリジン、2−(4−アルキルフェニ
ル)−5−アルケニルオキシピリミジン、特開平3−1
74491号公報、特開平3−223225号公報、特
願平4−27128号明細書に記載の化合物、特開平3
−218365号公報、特願平3−159789号明細
書に記載の化合物等〕;Sc*相を示す液晶化合物〔光
学活性4−アルキルオキシ−4’−ビフェニルカルボン
酸−p’−(2−メチルブチルオキシカルボニル)フェ
ニルエステル、光学活性4−n−アルキルオキシ−4’
−ビフェニルカルボン酸−2−メチルブチルエステル、
特開昭62−228043号公報、特開平1−2213
51号公報、特願平4−27128号明細書に記載の化
合物等〕;キラルな化合物(特開昭63−99032号
公報、特開昭63−190843号公報、特開平2−1
38274号公報、特開平2−256673号公報、特
開平2−262579号公報、特開平2−286673
号公報、特開平3−27374号公報に記載の化合物、
特開昭62−228043号公報に記載の化合物を還元
して得られる化合物等);Sc相を示さないスメクチッ
ク液晶化合物、ネマチック相を示す液晶化合物等が挙げ
られる。
【0037】本発明の強誘電性液晶組成物中、一般式
(1)で表される液晶化合物の含有量は、通常5〜70
重量%であり、一般式(2)〜(5)で示される液晶化
合物1種以上の含有量は、通常95〜30重量%であ
る。ナフタレン系液晶化合物(B1)とエステル系液晶
化合物(B2)を併用する場合、ナフタレン系液晶化合
物とエステル系液晶化合物の重量比は、通常(30〜8
0):(70〜20)である。
(1)で表される液晶化合物の含有量は、通常5〜70
重量%であり、一般式(2)〜(5)で示される液晶化
合物1種以上の含有量は、通常95〜30重量%であ
る。ナフタレン系液晶化合物(B1)とエステル系液晶
化合物(B2)を併用する場合、ナフタレン系液晶化合
物とエステル系液晶化合物の重量比は、通常(30〜8
0):(70〜20)である。
【0038】強誘電性液晶組成物は、電圧印加により光
スイッチング現象を起こし、これを利用した応答の速い
液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開昭56−10
7216号公報、特開昭59−118744号公報、エ
ヌ.エー.クラーク(N.A.Clark)、エス.テ
ィー.ラガウォール(S.T.Lagerwall);
アプライド フィジックス レター(Applied
Physics Letter)36巻、899(19
80)など〕。
スイッチング現象を起こし、これを利用した応答の速い
液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開昭56−10
7216号公報、特開昭59−118744号公報、エ
ヌ.エー.クラーク(N.A.Clark)、エス.テ
ィー.ラガウォール(S.T.Lagerwall);
アプライド フィジックス レター(Applied
Physics Letter)36巻、899(19
80)など〕。
【0039】本発明の強誘電性液晶組成物をセル間隔
0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μmの液晶セ
ルに真空封入し、両側偏光子を設置することにより光ス
イッチング素子(液晶表示素子)とすることができる。
上記の液晶セルは、透明電極を設けた基板の表面を配向
処理した後、2枚の基板間にスペーサーを介在させ、貼
り合わせることによって作製することができる。基板と
しては、特に制限はなく、In2O3、SnO2、In2O
3−SnO2などを設けたガラス、ポリエステルフィルム
などの基板、薄膜トランジスター、ダイオードを形成し
た基板などが挙げられる。また、上記スペーサーとして
は、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリイミドフ
ィルムなどが挙げられる。配向処理方法としては、通常
の配向処理、例えば、ポリイミド膜のラビング処理、S
iO斜め蒸着などが適用できる。
0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μmの液晶セ
ルに真空封入し、両側偏光子を設置することにより光ス
イッチング素子(液晶表示素子)とすることができる。
上記の液晶セルは、透明電極を設けた基板の表面を配向
処理した後、2枚の基板間にスペーサーを介在させ、貼
り合わせることによって作製することができる。基板と
しては、特に制限はなく、In2O3、SnO2、In2O
3−SnO2などを設けたガラス、ポリエステルフィルム
などの基板、薄膜トランジスター、ダイオードを形成し
た基板などが挙げられる。また、上記スペーサーとして
は、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリイミドフ
ィルムなどが挙げられる。配向処理方法としては、通常
の配向処理、例えば、ポリイミド膜のラビング処理、S
iO斜め蒸着などが適用できる。
【0040】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例 1 下記化18および化19で示されるナフタレン系液晶化
合物をそれぞれ30重量%、下記化20で示されるエス
テル系液晶化合物を40重量%を含有する液晶組成物
(ア)を調整した。このSc*相転移温度を測定した結
果は56℃であった。
が、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例 1 下記化18および化19で示されるナフタレン系液晶化
合物をそれぞれ30重量%、下記化20で示されるエス
テル系液晶化合物を40重量%を含有する液晶組成物
(ア)を調整した。このSc*相転移温度を測定した結
果は56℃であった。
【0041】
【化18】
【0042】
【化19】
【0043】
【化20】
【0044】化18〜化20中、NAPは2,6-ナフ
チレン基を、C*は不斉炭素原子を表す。次に、上記化
18および化19で示されるナフタレン系液晶化合物を
それぞれ21重量%、上記化20で示されるエステル系
液晶化合物を28重量%、下記化21で示される化合物
を30重量%の割合で混合して、本発明の液晶組成物
(イ)を得た。Sc*相転移温度は55℃であり、液晶
組成物(ア)に対し、ほとんど低下はみられなかった。
すなわち、本発明の必須成分であるフェニルピリミジン
系化合物(下記化21)を含有させることによる、Sc
*相転移温度の低下はみられなかった。
チレン基を、C*は不斉炭素原子を表す。次に、上記化
18および化19で示されるナフタレン系液晶化合物を
それぞれ21重量%、上記化20で示されるエステル系
液晶化合物を28重量%、下記化21で示される化合物
を30重量%の割合で混合して、本発明の液晶組成物
(イ)を得た。Sc*相転移温度は55℃であり、液晶
組成物(ア)に対し、ほとんど低下はみられなかった。
すなわち、本発明の必須成分であるフェニルピリミジン
系化合物(下記化21)を含有させることによる、Sc
*相転移温度の低下はみられなかった。
【0045】
【化21】
【0046】次に、透明電極付のガラス基板に配向処理
剤としてポリイミドを塗布し、表面をラビングした後、
スペーサーを介在させ、ラビング方向が反平行となるよ
うに貼合わせ、セル厚2μmのセルを作成した。このセ
ルに、前記液晶組成物(ア)および本発明の液晶組成物
(イ)を注入して液晶セルを作成し、2枚の直交する偏
光子の間に設置し、25℃において、±10V/μmの
電圧(E)を印加して、応答時間(τ)および自発分極
(Ps)を測定し、粘度(η)を算出した(η=τ・E
・Ps)結果、液晶組成物(ア)は162cP、本発明
の液晶組成物(イ)は83cPであり、本発明の必須成
分であるフェニルピリミジン系化合物(前記化21)を
含有させることにより、極めて低粘度化された。なお、
これらの液晶セルを偏光顕微鏡により配向状態を観察し
た結果、ジグザグ欠陥はなく、良好な配向を示し、電圧
を印加すると良好なメモリー性も観察された。
剤としてポリイミドを塗布し、表面をラビングした後、
スペーサーを介在させ、ラビング方向が反平行となるよ
うに貼合わせ、セル厚2μmのセルを作成した。このセ
ルに、前記液晶組成物(ア)および本発明の液晶組成物
(イ)を注入して液晶セルを作成し、2枚の直交する偏
光子の間に設置し、25℃において、±10V/μmの
電圧(E)を印加して、応答時間(τ)および自発分極
(Ps)を測定し、粘度(η)を算出した(η=τ・E
・Ps)結果、液晶組成物(ア)は162cP、本発明
の液晶組成物(イ)は83cPであり、本発明の必須成
分であるフェニルピリミジン系化合物(前記化21)を
含有させることにより、極めて低粘度化された。なお、
これらの液晶セルを偏光顕微鏡により配向状態を観察し
た結果、ジグザグ欠陥はなく、良好な配向を示し、電圧
を印加すると良好なメモリー性も観察された。
【0047】比較例 1 前記の化18および化19で示されるナフタレン系化合
物をそれぞれ21重量%、前記の化20で示されるエス
テル系化合物を28重量%、下記化22で示される化合
物(PN−6010;みどり化学製)を30重量%含有
する液晶組成物を調整し、Sc*相転移温度を測定した
結果は40℃と極めて低かった。すなわち、アセチレン
基を有しないフェニルピリミジン系化合物(下記化2
2)は、Sc*相転移温度を大きく低下させた。
物をそれぞれ21重量%、前記の化20で示されるエス
テル系化合物を28重量%、下記化22で示される化合
物(PN−6010;みどり化学製)を30重量%含有
する液晶組成物を調整し、Sc*相転移温度を測定した
結果は40℃と極めて低かった。すなわち、アセチレン
基を有しないフェニルピリミジン系化合物(下記化2
2)は、Sc*相転移温度を大きく低下させた。
【0048】
【化22】
【0049】
【発明の効果】本発明のSc*液晶組成物は、液晶表示
素子の動作上限温度が高く、良好な配向性を有し、かつ
低粘度である。従って、本発明の組成物は液晶表示素子
に用いる液晶材料として有用である。
素子の動作上限温度が高く、良好な配向性を有し、かつ
低粘度である。従って、本発明の組成物は液晶表示素子
に用いる液晶材料として有用である。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の化合物の混合物からなり、一般式
(1) 【化1】 〔式中、R1およびR2は炭素数1〜18のアルキル基を
表し、Xは単結合または−O−を表す〕で示される液晶
化合物(A)ならびに一般式(2) 【化2】 〔式中、R3は炭素数1〜12のアルキル基または水素
原子を表し、pは1〜12の整数を表し、NAPは2,
6−ナフチレン基を表し、qは0〜5の整数を表し、C
*は不斉炭素原子を表し、R4は炭素数2〜10のアル
キル基を表す〕で示される液晶化合物、一般式(3) 【化3】 〔式中、R5は炭素数1〜18のアルキル基を表し、N
APは2,6−ナフチレン基を表し、rは0〜5の整数
を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R6は炭素数2〜
10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物、一般
式(4) 【化4】 〔式中、R7は炭素数1〜12のアルキル基または水素
原子を表し、sは1〜12の整数を表し、tは1〜5の
整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R8は炭素数
2〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物お
よび一般式(5) 【化5】 〔式中、R9は炭素数1〜18のアルキル基を表し、y
は1〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R
10は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液
晶化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物から
なる成分(B)を含有することを特徴とする強誘電性液
晶組成物。 - 【請求項2】 成分(B)が一般式(2) 【化6】 〔式中、R3は炭素数1〜12のアルキル基または水素
原子を表し、pは1〜12の整数を表し、NAPは2,
6−ナフチレン基を表し、qは0〜5の整数を表し、C
*は不斉炭素原子を表し、R4は炭素数2〜10のアル
キル基を表す〕で示される液晶化合物および/または一
般式(3) 【化7】 〔式中、R5は炭素数1〜18のアルキル基を表し、N
APは2,6−ナフチレン基を表し、rは0〜5の整数
を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R6は炭素数2〜
10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物、なら
びに一般式(4) 【化8】 〔式中、R7は炭素数1〜12のアルキル基または水素
原子を表し、sは1〜12の整数を表し、tは1〜5の
整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R8は炭素数
2〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物お
よび/または一般式(5) 【化9】 〔式中、R9は炭素数1〜18のアルキル基を表し、y
は1〜5の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R
10は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液
晶化合物からなる、請求項1記載の強誘電性液晶組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253780A JPH0782562A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253780A JPH0782562A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0782562A true JPH0782562A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17256050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253780A Pending JPH0782562A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782562A (ja) |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5253780A patent/JPH0782562A/ja active Pending
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